| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 掩膜板及隔垫物制作方法 | CN201310438678.3 | 2013-09-24 | CN103454850A | 2013-12-18 | 陈小川; 薛海林; 车春城; 姜文博; 李月 |
| 本发明涉及显示技术领域，公开了一种掩膜板，所述掩膜板的透光区域包括若干通光孔排成的阵列，在所述掩膜板上对应相邻两个通光孔其中之一的区域形成有用于使通过的光线产生相位转移的相转移层。本发明还公开了一种隔垫物制作方法。利用本发明的掩膜板和隔垫物的制作方法，在制作高PPI的产品中的PS时，在掩膜板对应相邻两个通光孔其中之一的区域形成有相转移层，使通过的光线产生相位转移，这样通过相邻两个通光孔的光线在衍射区域（即对应掩膜板不透光区域）光强可以相互抵消，从而在制作PS时减轻甚至避免了相邻两个PS产生的粘连现象。 | ||||||
| 2 | 光掩模制造方法 | CN201010274835.8 | 2010-06-11 | CN101950125B | 2013-09-04 | 五十岚慎一; 稻月判臣; 金子英雄; 吉川博树; 木名濑良纪 |
| 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。 | ||||||
| 3 | 蚀刻方法和光掩模坯料的加工方法 | CN201010270048.6 | 2010-05-14 | CN101968605A | 2011-02-09 | 五十岚慎一; 稻月判臣; 金子英雄; 吉川博树; 木名濑良纪 |
| 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。 | ||||||
| 4 | 用于检查交替相移掩模的方法和系统 | CN200710149182.9 | 2007-09-05 | CN101162363B | 2010-11-10 | C·K·马格; K·D·巴杰尔; M·S·希布斯 |
| 一种检查系统使用偏倚以补偿失配的检查数据，所述失配发生作为使用操作在不同于检查系统用以检查所述掩模的缺陷的光的波长的光的波长处的光学光刻系统印刷交替相移掩模的结果。 | ||||||
| 5 | 掩模图案生成方法 | CN200710096168.7 | 2007-04-18 | CN101059649B | 2010-05-26 | 小川和久; 中村聪美; 中山幸一 |
| 本发明公开了一种生成在莱文森相转移掩模中形成的掩模图案的掩模图案生成方法，当导电层通过光刻构图时，所述莱文森相转移掩模用于曝光在将被构图为所述导电层的制备膜上形成的光刻胶膜的曝光工艺，所述导电层包括在晶片上于第一方向上延伸的有源区上形成从而在正交于所述第一方向的第二方向上延伸的栅极，所述掩模生成方法包括：移相器设置步骤；移相器图案图像获得步骤；修整图案图像获得步骤；和移相器延伸步骤。 | ||||||
| 6 | 用于相移式掩膜的原位平衡 | CN02813250.5 | 2002-08-22 | CN100549817C | 2009-10-14 | 江·陶; 齐德·钱 |
| 本发明描述了一种形成掩膜的方法，包括：提供衬底，所述衬底具有第一厚度；在该衬底上形成平衡层，所述平衡层具有第二厚度；在该平衡层上形成吸收层，所述吸收层具有被第三区域从第二区域分隔开的第一区域；去除所述第一区域和第二区域中的吸收层；去除所述第二区域中的平衡层；以及将所述第二区域中的所述衬底减小到第三厚度。本发明还描述了一种掩膜，包括：吸收层，所述吸收层具有第一开口和第二开口，所述第一开口露出设置在具有第一厚度的所述衬底上的平衡层，所述第二开口露出具有第二厚度的所述衬底。 | ||||||
| 7 | 交错相移掩模的制造方法 | CN03140723.4 | 2003-06-12 | CN100440430C | 2008-12-03 | 姜明亚; 申仁均 |
| 可以在短时间内进行交错相移掩模的制造方法。使用多步腐蚀工艺形成180°相移区，然后形成0°相位区。以此顺序形成相移区减少了在方法中要进行的光刻的轮数。 | ||||||
| 8 | 一种用于制造光掩模的方法 | CN200710169253.1 | 2007-11-07 | CN101183211A | 2008-05-21 | C·K·黄; J·P·莱文; T·B·福尔; S·B·克劳福德 |
| 提供了用于制造光掩模例如玻璃上铬光掩模和相移光掩模的方法。在制造方法中的选择性的主铬蚀刻和选择性的铬过蚀刻提供了具有改善的图像质量的光掩模，并且在当前的工艺流程和制造步骤内提供了跨光掩模的标称图像尺寸控制和图像尺寸均匀性。选择性的蚀刻方法利用主蚀刻工艺，其中抗蚀剂蚀刻选择性(去除的铬对去除的抗蚀剂的量)比在过蚀刻步骤中高，在所述过蚀刻步骤中蚀刻选择性地去除所述抗蚀剂层超过所述铬层。为了控制蚀刻选择性，可以调整蚀刻剂化学的成分和/或蚀刻剂反应器硬件设定(功率、电压等等)。 | ||||||
| 9 | 相移掩模及其制造方法以及半导体元件的制造方法 | CN200580043248.5 | 2005-12-02 | CN101080671A | 2007-11-28 | 小西敏雄; 小岛洋介; 根本悟; 佐佐木淳; 田中启司 |
| 一种相移掩模，具备透明基板、和形成在该透明基板上的遮光膜，在上述遮光膜上交替地形成有第1开口部和第2开口部，上述透明基板从上述第2开口部开始被凹入规定的深度，从而形成凹部，通过上述第1及第2开口部的透射光的相位交替地反转，其特征在于，根据上述遮光膜的上述第1开口部的开口端部和第2开口部的开口端部之间的截距，设定上述透射光的相位差。 | ||||||
| 10 | Levenson型相移掩模及其制造方法 | CN200580020602.2 | 2005-04-19 | CN1973244A | 2007-05-30 | 小岛洋介; 小西敏雄; 田中启司; 大泷雅央; 佐佐木淳 |
| 一种Levenson型相移掩模，具有形成在透明衬底上的遮光部分和开口。部分挖掘开口处的透明衬底或者在开口处的透明衬底上部分设置透明膜，以形成移相器开口和非移相器开口。移相器开口和非移相器开口重复存在于掩模中。移相器开口将透射光的相位反相。该Levenson型相移掩模具有从两侧插入在相邻的相同类型的开口之间的遮光部分图案。该遮光部分图案受到偏移修正，相对于通过掩模设计设定的预定设计线宽，所述偏移修正使遮光部分图案以预定量向其两侧扩展。 | ||||||
| 11 | 在0相与180相区域周围形成边界区域以增强透明电场相移位光罩的方法 | CN02824773.6 | 2002-12-09 | CN1285009C | 2006-11-15 | T·P·卢康科; C·A·斯彭斯 |
| 本发明揭示一种将第一边界区域加到界定为多边形的0相位图案的各末端，而将第二边界区域加到180相位图案的各末端的技术。此技术可改善线末端图案界定和改善制造能力和图案化工艺界限。此增加的边界区域平衡线末端两侧的光而造成更可预测的最终光阻图案。 | ||||||
| 12 | 半导体器件的制造方法 | CN200510000231.3 | 2005-01-05 | CN1670922A | 2005-09-21 | 早野胜也; 长谷川升雄 |
| 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，能缩短半导体器件的交货期。在掩模基板(2)的主面上形成由抗蚀剂膜构成的遮光膜(5)、以及通过使该遮光膜(5)的一部分形成开口而形成的光透射图形(6a)，覆盖该遮光膜(5)地形成平坦性膜(8)，然后，在该平坦性膜(8)的平坦的上面上形成由抗蚀剂膜构成的移相器(7a)。在曝光时，采用相同的尺寸、形状和配置的掩模图形，将使移相器反转地配置的多个转印区域在同一位置上进行重叠曝光。由此，把线图形转印到半导体晶片上的正性的抗蚀剂膜上。 | ||||||
| 13 | 一种图案形成方法 | CN200510003896.X | 2000-11-02 | CN1661480A | 2005-08-31 | 三坂章夫 |
| 一种图案形成方法，是使用光掩膜形成图案的形成方法，具备有在基板上形成抗蚀膜的工序、用上述光掩膜对上述抗蚀膜进行图案曝光的工序、和对被图案曝光了的上述抗蚀膜进行显影并形成抗蚀图案的工序，所述一种光掩模，在对曝光光具有透射性的透射性基板上形成有孤立的遮光性图案，上述遮光性图案是由由遮光膜组成的遮光膜区域和对上述透射性基板之中没形成有上述遮光性图案的光透射区具有反相位的移相区构成。 | ||||||
| 14 | 形成辐射图案的工具以及形成辐射图案的工具的方法 | CN03807920.8 | 2003-01-24 | CN1646987A | 2005-07-27 | D·H·杜尔曼 |
| 一种例如形成辐射图案的工具，可以利用它在基底上形成相当圆的接触点，其中接触点的阵列沿着阵列的行具有与沿着阵列的列不同的节距。交替的相位移动可以在小节距(稠密的)方向上给出很好确定的接触点。在节距较大的方向上添加边缘移动装置，迫使形成圆形的接触点开孔。在另一方面，可以在相邻的边缘之间添加抑制侧瓣的图案。以及一种包括制作形成辐射图案的工具的方法。 | ||||||
| 15 | 光掩模及其制作方法 | CN00812599.6 | 2000-11-02 | CN1209683C | 2005-07-06 | 三坂章夫 |
| 在由掩模组成的透射性基板(100)上形成有由遮光膜区域(101)和移相区(102)构成的孤立的遮光性图案。移相区(102)相对于透射性基板(100)的光透射区具有相位差。还有，移相区(102)的宽度被设定为与具有同一宽度的遮光膜的遮光性能相比移相区(102)的遮光性能在同等程度以上。 | ||||||
| 16 | 光掩模、其制造方法、图形形成方法及半导体装置的制造方法 | CN01144074.0 | 2001-12-28 | CN1193405C | 2005-03-16 | 服部孝司; 后藤泰子; 佐藤秀寿; 田中稔彦; 白石洋 |
| 短时间开发少量多品种的半导体装置，而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质，构成光掩模M的遮光体图形(2)。通过利用该光掩模M的缩小投影处理，把图形复制到半导体晶片(5)上的光刻胶(6)中。该曝光处理时，作为曝光光(3)例如在i线、KrF准分子激光和ArF准分子激光等宽广波长范围，可以选择曝光光。 | ||||||
| 17 | 具有回路式图案结构的存储器阵列及其制造方法 | CN200410001804.X | 2004-01-14 | CN1574364A | 2005-02-02 | 李胜焕; 李智煜 |
| 本发明公开一种具有回路式图案结构的存储器阵列及其制造方法，可结合上面具有暗回路的交替式相移掩模(alternating phase shift mask)。该存储器阵列包括：多个栅极线，每一栅极线均包含具有第一和第二区段的回路部分；以及多个关联于每一栅极线的DRAM单元并包含第一以及第二DRAM单元，其中，第一DRAM单元包含由第一区段所组成的第一栅极，而第二DRAM单元包含由第二区段所组成的第二栅极；以及多个与DRAM单元连接的位线，而每一位线连接到其中的一个第一DRAM单元或连接到其中的一个第二DRAM单元。利用该交替式相移掩模，可在该存储器阵列中建立无干扰的图像，并且只需一次的曝光便可达到高分辨率的需求。 | ||||||
| 18 | 交错相移掩模的制造方法 | CN03140723.4 | 2003-06-12 | CN1469431A | 2004-01-21 | 姜明亚; 申仁均 |
| 可以在短时间内进行交错相移掩模的制造方法。使用多步腐蚀工艺形成180°相移区，然后形成0°相位区。以此顺序形成相移区减少了在方法中要进行的光刻的轮数。 | ||||||
| 19 | 相移掩模 | CN95108595.6 | 1995-06-23 | CN1091262C | 2002-09-18 | 咸泳穆 |
| 本发明涉及一种相移掩模，目的是修正位于掩模周围部分的不透光图形，由此补偿掩模周围部分当光通过掩模后光强相对减小引起的光强偏差。本发明保证光刻胶膜的图形临界尺寸的均匀度，这样就保证了半导体元器件的可靠性和生产效率。 | ||||||
| 20 | 移相掩模及其制造方法 | CN95103300.X | 1995-03-21 | CN1115418A | 1996-01-24 | 咸泳穆 |
| 一种移相掩模，能够实现透光膜和遮光膜之间边界的相位变化，由此防止形成不希望的图形，及制造移相掩模的方法。该移相器具有位于透射光膜和遮光膜之间边界的倾斜边缘部分。该方法包括腐蚀移相器的步骤，如此，使形成的移相器在透光膜和遮光膜之间有一个倾斜边缘部分。 | ||||||
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