子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模 | CN201180018078.0 | 2011-04-08 | CN102834773B | 2016-04-06 | 野泽顺; 宍户博明; 酒井和也 |
| 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。 | ||||||
| 42 | 使用相移掩模的光刻发光二极管制作 | CN201110431995.3 | 2011-12-21 | CN102540759B | 2015-08-26 | A·M·霍利鲁克; R·L·辛赫; W·W·弗莱克 |
| 本发明涉及使用相移掩模的光刻发光二极管制作。为改进LED光发射效率而形成发光二极管(LED)的被粗糙化表面的光刻方法被公开。该光刻方法包含，用光刻方式使相移掩模图形成像在基底的光刻胶层上，以在其中形成光刻胶特征的周期性阵列。该被粗糙化基底表面的建立，是通过处理已曝光的光刻胶层，以在该基底表面中形成基底桩的周期性阵列。然后，用于形成LED的p-n结多层结构，被形成在该被粗糙化基底表面顶部。该基底桩的周期性阵列起散射点的作用，该散射点与没有被粗糙化基底表面的LED比较，改进LED的光发射效率。相移掩模的使用，使在适合非平坦LED基底的焦深上的光刻成像能得以使用，同时还提供形成基底桩所必需的分辨率。 | ||||||
| 43 | 一种灰色调掩膜及其制作方法 | CN201510170606.4 | 2015-04-10 | CN104765245A | 2015-07-08 | 邓竹明; 赵锋; 邱钟毅 |
| 本发明公开了一种灰色调掩膜及其制作方法，其中，该灰色调掩膜包括第一挡光条和第二挡光条，任意两个相邻的第一挡光条之间形成第一间隙，第二挡光条设置在第一间隙内，第一间隙包括相邻的第一挡光条和第二挡光条之间形成的第一缝隙，其中，第二挡光条的长度为a，第一缝隙的宽度为b，第一挡光条的长度a与第一缝隙的宽度b的比值满足：0.9 | ||||||
| 44 | 掩膜板及隔垫物制作方法 | CN201310438678.3 | 2013-09-24 | CN103454850B | 2015-05-27 | 陈小川; 薛海林; 车春城; 姜文博; 李月 |
| 本发明涉及显示技术领域，公开了一种掩膜板，所述掩膜板的透光区域包括若干通光孔排成的阵列，在所述掩膜板上对应相邻两个通光孔其中之一的区域形成有用于使通过的光线产生相位转移的相转移层。本发明还公开了一种隔垫物制作方法。利用本发明的掩膜板和隔垫物的制作方法，在制作高PPI的产品中的PS时，在掩膜板对应相邻两个通光孔其中之一的区域形成有相转移层，使通过的光线产生相位转移，这样通过相邻两个通光孔的光线在衍射区域（即对应掩膜板不透光区域）光强可以相互抵消，从而在制作PS时减轻甚至避免了相邻两个PS产生的粘连现象。 | ||||||
| 45 | 掩膜版及其制造方法 | CN201310324010.6 | 2013-07-29 | CN104345545A | 2015-02-11 | 金普楠 |
| 本发明公开了一种掩膜版及其制造方法。所述掩膜版包括第一相移层，本体及第二相移层；所述第一相移层和第二相移层分列于所述本体的两侧，且所述第一相移层和第二相移层的图形的形状和位置具有小于等于5%的误差。与现有技术相比，在本发明提供的掩膜版及其制造方法中，在本体的两侧分别形成第一相移层和第二相移层，所述第一相移层和第二相移层基本相同，那么当进行曝光工艺时，光经过掩膜版后会进行两次干涉相消，从而大大的降低了衍射光的影响，提高了曝光的准确性和显影成功率。 | ||||||
| 46 | 包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节 | CN201110353442.0 | 2011-11-09 | CN102566299B | 2015-01-21 | 冯函英; 曹宇; 叶军 |
| 本发明公开了包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节。此处描述的是匹配光刻投影设备与参考光刻投影设备的特性的方法，其中所述匹配包括优化投影光学装置特性。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形。根据此处的实施例，所述方法可以通过利用使用传递交叉系数的偏导数的泰勒级数展开或线性拟合算法加快所述方法。 | ||||||
| 47 | 空白罩幕、光罩以及其制造方法 | CN201280069965.5 | 2012-10-26 | CN104160335A | 2014-11-19 | 南基守; 姜亘远; 李钟华; 梁澈圭; 权顺基 |
| 本发明提供一种制造光罩(其中硬罩膜图案是用来作为蚀刻罩幕，以蚀刻在硬罩膜图案下的相反转膜)的方法。本发明还提供一种用于制造光罩的方法的空白罩幕以及使用空白罩幕的光罩。根据本发明，可将用于图案化硬罩膜的光阻膜形成为薄厚度，并且可使用具有高蚀刻选择性的硬罩膜图案来蚀刻相反转膜，且因此，光罩可由藉由遮光膜图案而将光学密度维持为3.0的方式来制造，同时可增加图案的分辨率与精确度、减少负载效应以及改善关键尺寸特性(如关键尺寸均匀度与关键尺寸线性度)。 | ||||||
| 48 | 蚀刻方法和光掩模坯料的加工方法 | CN201010270048.6 | 2010-05-14 | CN101968605B | 2014-03-26 | 五十岚慎一; 稻月判臣; 金子英雄; 吉川博树; 木名濑良纪 |
| 本发明披露了一种对形成于衬底上的加工层的干蚀刻方法，包括步骤：在形成于衬底上的加工层上形成硬掩模层，在该硬掩模层上形成抗蚀剂图形，通过使用该抗蚀剂图形而实施的第一干蚀刻将该抗蚀剂图形转移至所述硬掩模层，并且通过使用以上转移至所述硬掩模层得到的硬掩模图形而实施的第二干蚀刻对所述加工层进行图形化，其中通过所述第一干蚀刻对所述硬掩模层进行图形化后，在所述第一干蚀刻已经实施过的蚀刻装置中，通过改变干蚀刻气体中副成分的浓度而不改变干蚀刻气体中主成分的浓度，利用所述第二干蚀刻对所述加工层进行图形化。 | ||||||
| 49 | 一种相位移焦距检测光罩及制造方法及检测焦距差的方法 | CN201110392792.8 | 2011-11-30 | CN102519521B | 2014-03-19 | 李文亮; 吴鹏 |
| 本发明公开了一种相位移焦距检测光罩、其制造方法以及使用该相位移焦距检测光罩检测光刻机的焦距差的方法，该相位移焦距检测光罩包括：遮蔽层，包括具有一定宽度的多个透光区域；玻璃层，位于所述遮蔽层上方，并在所述多个透光区域处具有多个开口，其中所述多个开口的宽度为所述多个透光区域的宽度的一半，深度为n*λ/(N-1)，λ为入射到所述相位移焦距检测光罩的光在空气中的波长，N为所述玻璃层的折射率，n为正整数。本发明适用于更厚的光刻胶以及更多种类的机台。 | ||||||
| 50 | 光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法 | CN201310182376.4 | 2013-05-16 | CN103424980A | 2013-12-04 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。设置在透明衬底(1)上的遮光膜(2)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，该遮光膜(2)的光学浓度为2以上且4以下并且具有防反射功能。构成遮光膜(2)的由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。 | ||||||
| 51 | 掩模板以及掩模板的制备方法 | CN201310207017.X | 2013-05-29 | CN103293847A | 2013-09-11 | 薛静; 吴昊; 崔子巍; 赵秀强; 尹岩岩 |
| 本发明公开了一种掩模板以及掩模板的制备方法，涉及显示技术领域，通过设置多个子掩模板并将多个子掩模板交叠设置，实现掩模板的掩模图形可调。本发明实施例的掩模板，包括多个交叠设置的子掩模板，每个所述子掩模板中包括透光区域和遮光区域，多个所述子掩模板的遮光区域共同形成所述掩模板的掩模图形。 | ||||||
| 52 | 图案形成膜的刻蚀条件的测评 | CN201210543966.0 | 2012-11-16 | CN103123442A | 2013-05-29 | 五十岚慎一; 吉川博树; 稻月判臣; 金子英雄 |
| 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。 | ||||||
| 53 | 光掩模坯料、光掩模和制造方法 | CN201210329820.6 | 2012-09-07 | CN102998894A | 2013-03-27 | 稻月判臣; 五十岚慎一; 西川和宏; 吉川博树 |
| 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模和制造方法。在包含透明衬底、含有过渡金属和硅的材料的光学膜、以及硬掩模膜的光掩模坯料中，硬掩模膜为多层膜，该多层膜包括含有20-60原子％氧的铬衬底料的第一层和含有至少50原子％铬和小于20原子％氧的铬衬底料的第二层。具有2.0nm至小于10nm厚度的硬掩模膜耐受氟干法蚀刻。 | ||||||
| 54 | 相移光掩模和图案化方法 | CN201080060390.1 | 2010-12-08 | CN102822741A | 2012-12-12 | B·奥尔森; M·刘; C·马; J·马; A·T·贾米森 |
| 一种相移光掩模坯，具有石英衬底、下铬层、光吸收MoSi层和上铬层。能以各种手段来图案化该掩模以形成带有相移和二元区域的图案化的光掩模。 | ||||||
| 55 | 一种彩色滤光片及其制作方法、液晶面板和液晶显示装置 | CN201210266717.1 | 2012-07-30 | CN102819056A | 2012-12-12 | 金楻; 靳福江 |
| 本发明公开了一种彩色滤光片及其制作方法、液晶面板和液晶显示装置，该方法包括如下步骤：将制作彩色滤光片的掩模板MASK上的透光区域交错划分为第一相位移区和第二相位移区；在所述MASK的所述第二相位移区上涂敷一干涉层；使用一基板，在所述基板上涂敷光刻胶形成一光刻胶层，所述光刻胶中添加有对单波长光源反应的自由基光引发剂；将所述MASK覆盖于所述基板的所述光刻胶层上，通过构图工艺处理所述光刻胶层形成所述彩色滤光片的彩色膜层。通过本发明，减小彩色滤光片制作过程中光通过掩模板透光区时光衍射，并通过光刻胶中的光引发剂对单波光源进行反应，提高彩色滤光片的精度。 | ||||||
| 56 | 光掩模制造方法 | CN201010274835.8 | 2010-06-11 | CN101950125A | 2011-01-19 | 五十岚慎一; 稻月判臣; 金子英雄; 吉川博树; 木名濑良纪 |
| 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。 | ||||||
| 57 | 光掩模坯料、加工方法和蚀刻方法 | CN201010148960.4 | 2010-03-25 | CN101846876A | 2010-09-29 | 渡边聪; 金子英雄; 小板桥龙二; 五十岚慎一; 河合义夫; 白井省三 |
| 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。 | ||||||
| 58 | 高清晰度掩模及其制造方法 | CN200710139911.2 | 2007-08-03 | CN101118376A | 2008-02-06 | 姜在贤 |
| 本发明实施例涉及一种高清晰度掩模及其制造方法，可改善掩模的清晰度并简化了其制造工艺。根据本发明实施例的高清晰度掩模包括：石英片；PSM区，以预定图案形成在该石英片上；和CLM区，按预定大小相比该PSM区以更精密的图案形成。 | ||||||
| 59 | 结晶装置、结晶方法、薄膜晶体管以及显示装置 | CN03133128.9 | 2003-07-24 | CN100338730C | 2007-09-19 | 谷口幸夫; 松村正清; 山口弘高; 西谷干彦; 辻川晋; 木村嘉伸; 十文字正之 |
| 本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置，其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1，11，12，13，14，15)，以便基于来自该照明系统(2)的光，在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小，并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布；以及一成像光学系统(3)，将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。 | ||||||
| 60 | 光掩模、使用该光掩模的图案形成方法及该光掩模的掩模数据编制方法 | CN200410059867.0 | 2004-06-24 | CN1314079C | 2007-05-02 | 三坂章夫 |
| 本发明涉及光掩模、使用该光掩模的图案形成方法及该光掩模的掩模数据编制方法。在透过性基板(100)上，设置：对曝光光具有遮光性的半遮光部(101)，被半遮光部(101)包围、且对曝光光具有透光性的透光部(102)，位于透光部(102)的周边的辅助图案(移相器)(103)。半遮光部(101)和透光部(102)，以互相相同的相位使曝光光透过。辅助图案——移相器(103)，以半遮光部(101)和透光部(102)为基准，以互相相反的相位使曝光光透过，并且不被曝光光复制。从而能够将孤立空白图案和孤立线图案或密集图案同时细微化。 | ||||||
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