一种掩膜板 |
|||||||
| 申请号 | CN201410446667.4 | 申请日 | 2014-09-03 | 公开(公告)号 | CN104267574A | 公开(公告)日 | 2015-01-07 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司; 北京京东方光电科技有限公司; | 发明人 | 张家祥; 郭建; | ||||
| 摘要 | 本 发明 提供一种掩膜板。用于解决 现有技术 存在的由于掩膜板的过孔产生衍射效应导致无法制作4um以下的 接触 孔的问题。本发明的掩膜板中 相位 反转层可以将经过相位反转层的部分光线进行相位反转，此时，经过镂空区域的部分光线产生衍射效应时，与经过相位反转的光线抵消，消除了掩膜板的镂空区域的衍射效应，曝光形成的对应镂空区域的图形的尺寸更小，能够完成更小 像素 结构的制备；同时，光线强度的从镂空区域的中心向周边的降低也更快，曝光形成的对应镂空区域的图形的坡度 角 更大。 | ||||||
| 权利要求 | 1.一种掩膜板，其特征在于，包括衬底和在所述衬底上依次设置的相位反转层、挡光层； |
||||||
| 说明书全文 | 一种掩膜板技术领域[0001] 本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种掩膜板。 背景技术[0002] 目前高像素产品越来越多的出现，像素结构也越来越小，这就要求接触孔的直径也越来越小。同样用于制作像素结构的掩膜板的过孔的直径也越来越小，但由于掩膜板的过孔会产生的衍射效应及设备限制，无法制作4um以下的接触孔；只能通过更新曝光机，使用镜口率(Numerical Aperture)更高的曝光机来实现分辨率的提升。然而，更新一台曝光机的成本非常昂贵，使许多面板厂商面临成本压力。 发明内容[0003] 本发明的目的是解决现有技术存在由于掩膜板的过孔产生衍射效应导致无法制作4um以下的接触孔的问题，提供一种能够消除衍射效应的掩膜板。 [0004] 解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种掩膜板，包括衬底和在所述衬底上依次设置的相位反转层、挡光层； [0005] 其中，所述挡光层上设有镂空区域； [0006] 所述相位反转层在所述挡光层上的投影至少部分位于所述镂空区域； [0007] 所述相位反转层将从衬底侧入射的光线进行相位反转用于抵消所述光线经过镂空区域产生衍射的光线。 [0008] 优选的是，在所述的相位反转层和所述衬底之间还设有增透层；所述增透层在所述挡光层上的投影覆盖所述镂空区域。 [0009] 优选的是，所述增透层的厚度范围为200-400埃。 [0010] 优选的是，所述相位反转层的厚度范围为400-600埃。 [0011] 优选的是，所述相位反转层的光线透过率范围为5-8％。 [0012] 优选的是，所述挡光层的厚度范围为1500-2000埃。 [0013] 优选的是，所述镂空区域包括过孔。 [0014] 优选的是，所述过孔的直径范围为1.7-2.0um。 [0015] 优选的是，所述相位反转层在所述挡光层上的投影的边缘与所述过孔的边缘的距离为0.5-0.8um。 [0016] 优选的是，所述增透层的材料包括MgF；所述挡光层的材料包括铬；所述相位反转层的材料包括SiMo。 [0017] 本发明的掩膜板中相位反转层2可以将经过相位反转层2的部分光线进行相位反转，此时，经过镂空区域的部分光线产生衍射效应时，与经过相位反转的光线抵消，消除了掩膜板的镂空区域的衍射效应，曝光形成的对应镂空区域的图形的尺寸更小，能够完成更小像素结构的制备；同时，光线强度的从镂空区域的中心向周边的降低也更快，曝光形成的对应镂空区域的图形的坡度角更大。附图说明 [0018] 图1为本发明实施例1中掩膜板的结构示意图； [0019] 图2为本发明实施例1中具有相位反转层的掩膜板和不具有相位反转层的掩膜板的光路对比示意图； [0020] 图3为本发明实施例1中具有增透层的掩膜板的结构示意图； [0021] 附图标记说明： [0022] 1.衬底；2.相位反转层；3.挡光层；4.增透层；5.镂空区域。 具体实施方式[0023] 为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。 [0024] 实施例1： [0025] 图1所示，本实施例提供一种掩膜板，包括衬底1和在所述衬底1上依次设置的相位反转层2、挡光层3； [0026] 其中，挡光层3上设有镂空区域5； [0027] 所述相位反转层2在所述挡光层3上的投影至少部分位于所述镂空区域5； [0028] 所述相位反转层2将从衬底侧入射的光线进行相位反转用于抵消所述光线经过镂空区域5产生衍射的光线。 [0029] 如图2所示，光线经过具有相位反转层2的掩膜板和无相位反转层2的掩膜板的对比图，从图2可见，具有相位反转层2的掩膜板可以将经过相位反转层2的部分光线进行相位反转，此时，经过镂空区域5的部分光线产生衍射效应时，与经过相位反转的光线抵消，消除了掩膜板的镂空区域5的衍射效应(图2中黑圆锥的底面积更小)，曝光形成的对应镂空区域5的图形的尺寸更小，能够完成更小像素结构的制备；同时，光线强度的从镂空区域5的中心向周边的降低也更快(图2中黑圆锥的高径比更大)，曝光形成的对应镂空区域5的图形的坡度角更大。 [0030] 如图3所示，优选的，在所述的相位反转层2和所述衬底1之间还设有增透层4；所述增透层4在所述挡光层3上的投影覆盖所述镂空区域5。 [0031] 由上可知，相位反转层2能将透过的光线进行180°相位反转，将过镂空区域5的衍射效应的光线相消，曝光形成的对应镂空区域5的图形的坡度角大，但是所需的曝光量非常大，存在产能不足的问题；而增透层4可以使透过的光线增加，对产能提升很大。但是，若单独在掩膜板上设置增透层4则会由于衍射效应大，曝光形成的对应镂空区域5的图形的坡度角较小、尺寸变大。 [0032] 通过在掩膜板上同时设置增透层4和相位反转层2能够将两者的优势互补，在较小曝光量，不影响产能情况下，实现曝光形成的对应镂空区域5的图形的坡度角更大、尺寸更小。 [0033] 优选的，所述相位反转层2的厚度范围为400-600埃。所述相位反转层2的光线透过率范围为5-8％。应当理解的是，上述的相位反转层2的厚度和光线透过率可以根据衍射效应的大小进行调整，只要能将衍射效应抵消即可。 [0034] 具体地，挡光层3的厚度范围为1500-2000埃。 [0035] 优选的，所述增透层4的厚度范围为200-400埃。 [0036] 具体地，在曝光制备像素结构中所述镂空区域5包括过孔。如图3所示的直径为d的过孔，该过孔的直径范围为1.7-2.0um。 [0037] 优选的，所述相位反转层2在所述挡光层3上的投影的边缘与所述过孔的边缘的距离d1为0.5-0.8um。 [0038] 具有上述的结构的掩膜板，无需更新曝光机，就可以制作直径小于等于2.5um的过孔图形，具有极大的应用前景。 [0039] 本实施中增透层4的材料可以为MgF；挡光层3的材料可以为铬；相位反转层2的材料可以为SiMo。应当理解的是，上述功能层的材料也可以采用现有技术中其它材料，在此不作限定。 [0040] 应当理解的是，上述增透层4和相位反转层2的制备方法为现有技术范畴在此不再一一赘述。 [0041] 可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。 |
||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈