子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 空白罩幕以及光罩的制造方法 | CN201280069965.5 | 2012-10-26 | CN104160335B | 2017-12-26 | 南基守; 姜亘远; 李钟华; 梁澈圭; 权顺基 |
| 本发明提供一种制造光罩(其中硬罩膜图案是用来作为蚀刻罩幕，以蚀刻在硬罩膜图案下的相反转膜)的方法。本发明还提供一种用于制造光罩的方法的空白罩幕以及使用空白罩幕的光罩。根据本发明，可将用于图案化硬罩膜的光阻膜形成为薄厚度，并且可使用具有高蚀刻选择性的硬罩膜图案来蚀刻相反转膜，且因此，光罩可由藉由遮光膜图案而将光学密度维持为3.0的方式来制造，同时可增加图案的分辨率与精确度、减少负载效应以及改善关键尺寸特性(如关键尺寸均匀度与关键尺寸线性度)。 | ||||||
| 82 | 半导体装置的制造方法 | CN201611024469.4 | 2016-11-15 | CN107037687A | 2017-08-11 | 石训全; 李岳勋; 朱远志; 秦圣基 |
| 本公开的实施例提供半导体装置的制造方法，此方法包含以辐射光束照射基底的第一表面。当照射基底的第一表面时，将前驱气体引入靠近第一表面，以沉积包含第一材料的一层。在沉积此层之后，从靠近第一表面处将前驱气体移除。在移除前驱气体之后与在形成另一层于此层上方之前，当照射此层的第二表面时，将清洁气体引入靠近此层的第二表面，以将第一材料转变为第二材料。 | ||||||
| 83 | 模具制作用坯料及模具的制造方法 | CN201310182369.4 | 2013-05-16 | CN103424986B | 2016-12-14 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及模具制作用坯料及模具的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的硬掩模膜的硬掩模功能的同时通过提高该硬掩模膜的干蚀刻速度来提高蚀刻加工性的新技术。设置在衬底(1)上的硬掩模膜(2)由含有锡的铬系材料形成。对于构成硬掩模膜(2)的含有锡的铬系材料而言，对氟类干蚀刻条件的蚀刻耐性与不含锡的铬系材料膜的蚀刻耐性同等或者在其以上，而且在氯类干蚀刻条件下显示出与不含锡的铬系材料膜相比显著高的蚀刻速度。结果，氟类干蚀刻的时间缩短而减轻对抗蚀剂图案的损伤，能够以高精度进行图案转印。 | ||||||
| 84 | 相移空白掩模及其制造方法 | CN201310163203.8 | 2013-04-25 | CN103376641B | 2016-08-03 | 南基守; 姜亘远; 金东建; 张种沅; 崔珉箕 |
| 本发明提供一种相移空白掩模，其中相移层形成为至少两个连续层或多层膜且所述相移层中所包含的最上相移层较薄地形成以含有少量氧(O)以便增强其耐化学性和耐久性。因此，包含相对于含有酸性和碱性材料、热的去离子水或臭氧水的清洁溶液具有增强的耐化学性和耐久性的相移层的相移空白掩模可使用具有增强的耐化学性和耐久性的最上相移层而提供，所述清洁溶液用于在空白掩模的制造期间重复地执行的清洁工艺。此外，可防止当重复地执行清洁工艺时引起的相移层的折射率以及相移度的降级，这是因为最上相移层具有增强的耐化学性和耐久性。因此，可提供包含薄的相移层的相移空白掩模。 | ||||||
| 85 | 光掩模坯料及其制造方法 | CN201310150443.4 | 2013-04-26 | CN103376642B | 2016-07-06 | 深谷创一 |
| 本发明提供光掩模坯料及其制造方法。本发明的目的是提供一种光掩模坯料，其中存在很少的翘曲并且其中在光掩模制造工序结束后翘曲变化量也小。首先，沉积相移膜(S101)，接着，在260℃至320℃的温度范围内对所述相移膜进行热处理四小时以上(S102)，并且然后在其上进行闪光照射处理(S103)。在上述处理后在所述相移膜上沉积遮光膜(S104)，由此获得光掩模坯料(S105)。 | ||||||
| 86 | 光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法 | CN201310182376.4 | 2013-05-16 | CN103424980B | 2016-05-25 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。设置在透明衬底(1)上的遮光膜(2)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，该遮光膜(2)的光学浓度为2以上且4以下并且具有防反射功能。构成遮光膜(2)的由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。 | ||||||
| 87 | 光掩模坯料、光掩模和制造方法 | CN201210329820.6 | 2012-09-07 | CN102998894B | 2016-03-30 | 稻月判臣; 五十岚慎一; 西川和宏; 吉川博树 |
| 本发明涉及一种光掩模坯料、光掩模和制造方法。在包含透明衬底、含有过渡金属和硅的材料的光学膜、以及硬掩模膜的光掩模坯料中，硬掩模膜为多层膜，该多层膜包括含有20-60原子％氧的铬衬底料的第一层和含有至少50原子％铬和小于20原子％氧的铬衬底料的第二层。具有2.0nm至小于10nm厚度的硬掩模膜耐受氟干法蚀刻。 | ||||||
| 88 | 薄膜晶体管结构及其制备方法、阵列基板、掩膜板 | CN201510030108.X | 2015-01-21 | CN104600124A | 2015-05-06 | 李哲; 尚飞; 邱海军 |
| 本发明公开了一种薄膜晶体管结构及其制备方法、阵列基板、掩膜板，涉及显示技术领域，为解决薄膜晶体管结构的充电效率较低的问题。所述薄膜晶体管结构包括：同层设置的源极和漏极，所述源极包括连续弯折设置的第一连续弯折部，所述漏极包括连续弯折设置的第二连续弯折部，所述第一连续弯折部与所述第二连续弯折部交错间隔，且所述第一连续弯折部在所述第二连续弯折部上的投影覆盖所述第二连续弯折部的至少部分结构。所述阵列基板包括上述技术方案所提的薄膜晶体管结构，本发明提供的薄膜晶体管结构、阵列基板及显示装置用于实现显示功能。 | ||||||
| 89 | 相移掩模板和源漏掩模板 | CN201410163165.0 | 2014-04-22 | CN103969940A | 2014-08-06 | 黎午升 |
| 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种相移掩模板和源漏掩模板。一种相移掩模板，包括由不透光的图案覆盖的不透光区和未被所述图案覆盖的透光区，所述图案在与所述透光区相对的区域包括至少两个拐点，在所述透光区对应着相邻的至少两个所述拐点之间的所述图案的外侧相应设置有光学遮挡单元，所述光学遮挡单元使得设置有所述光学遮挡单元的所述透光区的光强降低。该相移掩模板和相应的源漏掩模板，使得相移掩模板和源漏掩模板在不透光图案存在拐点时，光强分布更均匀，减小半导体器件不良的产生几率。 | ||||||
| 90 | 用于工件上先后形成的层之间的重叠补偿的方法和装置 | CN200980118589.2 | 2009-05-22 | CN102037312B | 2014-01-22 | 肖斯特罗姆·弗雷德里克; 米凯尔·瓦尔斯滕 |
| 本发明提供在工件上形成图案的方法和装置。在此描述的方法和装置通过引入改进的补偿工件畸变的对准方法，来改善在工件上先后图案化地形成的层之间的重叠。 | ||||||
| 91 | 模具制作用坯料及模具的制造方法 | CN201310182369.4 | 2013-05-16 | CN103424986A | 2013-12-04 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及模具制作用坯料及模具的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的硬掩模膜的硬掩模功能的同时通过提高该硬掩模膜的干蚀刻速度来提高蚀刻加工性的新技术。设置在衬底(1)上的硬掩模膜(2)由含有锡的铬系材料形成。对于构成硬掩模膜(2)的含有锡的铬系材料而言，对氟类干蚀刻条件的蚀刻耐性与不含锡的铬系材料膜的蚀刻耐性同等或者在其以上，而且在氯类干蚀刻条件下显示出与不含锡的铬系材料膜相比显著高的蚀刻速度。结果，氟类干蚀刻的时间缩短而减轻对抗蚀剂图案的损伤，能够以高精度进行图案转印。 | ||||||
| 92 | 光掩模坯料及其制造方法 | CN201310150443.4 | 2013-04-26 | CN103376642A | 2013-10-30 | 深谷创一 |
| 本发明提供光掩模坯料及其制造方法。本发明的目的是提供一种光掩模坯料，其中存在很少的翘曲并且其中在光掩模制造工序结束后翘曲变化量也小。首先，沉积相移膜(S101)，接着，在260℃至320℃的温度范围内对所述相移膜进行热处理四小时以上(S102)，并且然后在其上进行闪光照射处理(S103)。在上述处理后在所述相移膜上沉积遮光膜(S104)，由此获得光掩模坯料(S105)。 | ||||||
| 93 | 光掩模坯料、加工方法和蚀刻方法 | CN201010148960.4 | 2010-03-25 | CN101846876B | 2013-06-05 | 渡边聪; 金子英雄; 小板桥龙二; 五十岚慎一; 河合义夫; 白井省三 |
| 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。 | ||||||
| 94 | 相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模 | CN201180018078.0 | 2011-04-08 | CN102834773A | 2012-12-19 | 野泽顺; 宍户博明; 酒井和也 |
| 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。 | ||||||
| 95 | 包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节 | CN201110353442.0 | 2011-11-09 | CN102566299A | 2012-07-11 | 冯函英; 曹宇; 叶军 |
| 本发明公开了包括通过投影光学装置的光操纵的依赖图案的邻近匹配/调节。此处描述的是匹配光刻投影设备与参考光刻投影设备的特性的方法，其中所述匹配包括优化投影光学装置特性。投影光学装置可以用于对光刻投影设备中的波前成形。根据此处的实施例，所述方法可以通过利用使用传递交叉系数的偏导数的泰勒级数展开或线性拟合算法加快所述方法。 | ||||||
| 96 | 使用相移掩模的光刻发光二极管制作 | CN201110431995.3 | 2011-12-21 | CN102540759A | 2012-07-04 | A·M·霍利鲁克; R·L·辛赫; W·W·弗莱克 |
| 本发明涉及使用相移掩模的光刻发光二极管制作。为改进LED光发射效率而形成发光二极管(LED)的被粗糙化表面的光刻方法被公开。该光刻方法包含，用光刻方式使相移掩模图形成像在基底的光刻胶层上，以在其中形成光刻胶特征的周期性阵列。该被粗糙化基底表面的建立，是通过处理已曝光的光刻胶层，以在该基底表面中形成基底桩的周期性阵列。然后，用于形成LED的p-n结多层结构，被形成在该被粗糙化基底表面顶部。该基底桩的周期性阵列起散射点的作用，该散射点与没有被粗糙化基底表面的LED比较，改进LED的光发射效率。相移掩模的使用，使在适合非平坦LED基底的焦深上的光刻成像能得以使用，同时还提供形成基底桩所必需的分辨率。 | ||||||
| 97 | 一种相位移焦距检测光罩及制造方法及检测焦距差的方法 | CN201110392792.8 | 2011-11-30 | CN102519521A | 2012-06-27 | 李文亮; 吴鹏 |
| 本发明公开了一种相位移焦距检测光罩、其制造方法以及使用该相位移焦距检测光罩检测光刻机的焦距差的方法，该相位移焦距检测光罩包括：遮蔽层，包括具有一定宽度的多个透光区域；玻璃层，位于所述遮蔽层上方，并在所述多个透光区域处具有多个开口，其中所述多个开口的宽度为所述多个透光区域的宽度的一半，深度为n*λ/(N-1)，λ为入射到所述相位移焦距检测光罩的光在空气中的波长，N为所述玻璃层的折射率，n为正整数。本发明适用于更厚的光刻胶以及更多种类的机台。 | ||||||
| 98 | 用于工件上先后形成的层之间的重叠补偿的方法和装置 | CN200980118589.2 | 2009-05-22 | CN102037312A | 2011-04-27 | 肖斯特罗姆·弗雷德里克; 米凯尔·瓦尔斯滕 |
| 本发明提供在工件上形成图案的方法和装置。在此描述的方法和装置通过引入改进的补偿工件畸变的对准方法，来改善在工件上先后图案化地形成的层之间的重叠。 | ||||||
| 99 | 掩模及其制造方法 | CN200910158968.6 | 2009-07-13 | CN101639625A | 2010-02-03 | 金锺斗 |
| 本发明提供了一种在曝光工艺中使用的掩模及其制造方法，该掩模包括：形成于光刻版衬底上方的主图样；形成于光刻版衬底上方且与主图样隔离开预定距离的多个虚拟图样；以及形成于多个虚拟图样中的至少一个上方的光屏蔽层。虚拟图样可以包括一个精细虚拟图样，该精细虚拟图样具有的分辨率等于或小于极限分辨率，以便在曝光工艺期间不在晶片上形成图样图像。 | ||||||
| 100 | 光刻掩模位相冲突的解决方法 | CN02811546.5 | 2002-06-07 | CN100535745C | 2009-09-02 | 克里斯托夫·皮拉特; 米歇尔·L·科特 |
| 本发明提供一种光刻掩模，其用于在集成电路或其它工件中定义一层，其中所述层由包括在相移区域采用相移方法实现的多个特征部分的图形组成，所述掩模被布置成包括由高密度、小尺寸特征部分构成的图形和“全移位”图形。所述方法包括根据图形性质确定相移区域的分割区域。接着，所述方法在所选择的所述分割区域中分割相移区域以定义相移窗口，并给所述相移窗口设定位相值。所设定的相移值包括φ和θ，使得在具有各自相移值φ和θ的相邻相移窗口之间交替产生破坏性干涉。在优选实施例中，φ约等于θ+180度。将所述区域分割成窗口以及给所述窗口设定相移值的结果被保存在计算机可读介质中。 | ||||||
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