子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 偏振光栅 | CN200510009121.3 | 2005-02-03 | CN1746726A | 2006-03-15 | 梁起豪; 姜春守 |
| 一种偏振光栅，包括透明基底，形成覆盖透明基底的偏振滤光片，和形成在偏振滤光片上的掩模图案。偏振光栅在光刻处理中可以使入射的照明光沿所需方向偏振。 | ||||||
| 22 | 一种图案形成方法 | CN200510003896.X | 2000-11-02 | CN1661480A | 2005-08-31 | 三坂章夫 |
| 一种图案形成方法，是使用光掩膜形成图案的形成方法，具备有在基板上形成抗蚀膜的工序、用上述光掩膜对上述抗蚀膜进行图案曝光的工序、和对被图案曝光了的上述抗蚀膜进行显影并形成抗蚀图案的工序，所述一种光掩模，在对曝光光具有透射性的透射性基板上形成有孤立的遮光性图案，上述遮光性图案是由由遮光膜组成的遮光膜区域和对上述透射性基板之中没形成有上述遮光性图案的光透射区具有反相位的移相区构成。 | ||||||
| 23 | 使用相移和辅助微细结构使半导体层形成图案 | CN03811360.0 | 2003-03-06 | CN1653388A | 2005-08-10 | R·塞恩克; G·埃伦 |
| 一种使用光掩模使感光层形成图案的光掩模和方法，所述光掩模包括基板和耦合到基板上的薄膜。用相移辅助微细结构、低纵横比辅助微细结构或相移的低纵横比主微细结构蚀刻薄膜。 | ||||||
| 24 | 光掩模及其制作方法 | CN00812599.6 | 2000-11-02 | CN1209683C | 2005-07-06 | 三坂章夫 |
| 在由掩模组成的透射性基板(100)上形成有由遮光膜区域(101)和移相区(102)构成的孤立的遮光性图案。移相区(102)相对于透射性基板(100)的光透射区具有相位差。还有，移相区(102)的宽度被设定为与具有同一宽度的遮光膜的遮光性能相比移相区(102)的遮光性能在同等程度以上。 | ||||||
| 25 | 光掩模的修正方法和半导体器件的制造方法 | CN02103537.7 | 2002-02-05 | CN1207631C | 2005-06-22 | 金光真吾 |
| 光掩模修正方法包括准备具有包含相移图形的掩模图形的光掩模衬底、除去掩模图形的一部分形成参照孔、从离子束源向含有参照孔的区域照射离子束使二次带电粒子从上述参照孔发射出来、用检测器检测二次带电粒子识别参照孔位置、计算参照孔位置与掩模图形缺陷位置的关系、根据位置关系从离子束源向缺陷照射离子束修正缺陷，从对于光掩模衬底的上表面垂直的方向看的参照孔的图形是长方形，其长边方向与相移图形的长边方向平行。 | ||||||
| 26 | 光掩模、其制造方法、图形形成方法及半导体装置的制造方法 | CN01144074.0 | 2001-12-28 | CN1193405C | 2005-03-16 | 服部孝司; 后藤泰子; 佐藤秀寿; 田中稔彦; 白石洋 |
| 短时间开发少量多品种的半导体装置，而且以低成本制造实现最佳光掩模。例如在光刻胶膜等这样的有机膜中含有碳等这种微粒子状物质，构成光掩模M的遮光体图形(2)。通过利用该光掩模M的缩小投影处理，把图形复制到半导体晶片(5)上的光刻胶(6)中。该曝光处理时，作为曝光光(3)例如在i线、KrF准分子激光和ArF准分子激光等宽广波长范围，可以选择曝光光。 | ||||||
| 27 | 相移光刻掩模的曝光控制 | CN02811544.9 | 2002-06-07 | CN1514953A | 2004-07-21 | 克里斯托夫·皮拉特; 米歇尔·L·科特 |
| 本发明描述了一种掩模及集成电路制造方案，以使所谓“全相位”掩模的使用更加便利。这有助于使用掩模，其中使用相移来刻画布局的基本上所有部分。具体而言，描述了包括相移掩模和修整掩模之间的相对配量的曝光设置。另外，考虑了用于容纳两个掩模的单个光罩方案。在一个实施例中，使用除了相对配量之外的相同的曝光条件来对相移和修整掩模曝光。在另一个实施例中，相移图案和修整图案之间的相对配量是1.0∶r，2.0＜r＜4.0。这些方案有助于所得IC更好的曝光分布，并且可以因此改善芯片成品率，并通过降低改变设置和/或在曝光之间转换光罩的需要而提高生产量。 | ||||||
| 28 | 移相掩模及其制造方法 | CN99108633.3 | 1999-06-17 | CN1146019C | 2004-04-14 | S·F·舒尔泽 |
| 一种移相掩模，具有对准检测区、多个第一透明区和多个透明移相区。掩模包括一个带设置在衬底表面选择部分上的不透明材料的透明衬底。设置在衬底表面第一部分上的不透明材料中有一个十字形空间，露出了下面的部分衬底表面。十字形空间的第一线提供了对准检测区域的一对第一对准检测标记中的一个。十字形空间的第二线提供了用于对准检测区域的一对第一对准检测标记中的第二个。设置在衬底表面的一对第二部分的每一个上的不透明材料中有多个空间。 | ||||||
| 29 | 结晶装置、结晶方法、薄膜晶体管以及显示装置 | CN03133128.9 | 2003-07-24 | CN1477677A | 2004-02-25 | 谷口幸夫; 松村正清; 山口弘高; 西谷干彦; 辻川晋; 木村嘉伸; 十文字正之 |
| 本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置，其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1，11，12，13，14，15)，以便基于来自该照明系统(2)的光，在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小，并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布；以及一成像光学系统(3)，将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。 | ||||||
| 30 | 光掩模及其制造方法 | CN02149933.0 | 1995-06-28 | CN1423168A | 2003-06-11 | 长谷川升雄; 寺泽恒男; 福田宏; 早野胜也; 今井彰; 茂庭明美; 冈崎信次 |
| 本发明涉及一种光掩模,该光掩模可防止用投影曝光装置进行掩模图形复制时因所用掩模的析像不良所引起的成品率的降低,或防止产生不需要的投影像,且该光掩模在由半透明膜和相移器构成的半透明区域中设有由透明区域构成的主图形,通过各个区域的光的相位差实质上为180°。在此光掩模的主图形的周围配置透射光的相位差与主图形同相且透明的辅助图形。其中心线与主图形中心的距离D满足D＝bλ/NAm的关系。b的取值范围为1.35＜b≤1.9。 | ||||||
| 31 | 曝光掩模及利用该曝光掩模形成光刻胶图形的方法 | CN95102281.4 | 1995-03-11 | CN1095093C | 2002-11-27 | 黄儁 |
| 本发明公开一种用于半导体器件光刻工艺的曝光掩模。该曝光掩模由透明衬底上的多个分离的光栅图形和各个分离的辅助图形组成，每个辅助图形位于两个光栅图形之间，亦位于用公知的曝光掩模在由于下层结构的台阶差而导致的不平坦布图构形上形成光刻胶膜图形预料出现颈缩效应的区域。 | ||||||
| 32 | 相移掩模 | CN95108595.6 | 1995-06-23 | CN1091262C | 2002-09-18 | 咸泳穆 |
| 本发明涉及一种相移掩模，目的是修正位于掩模周围部分的不透光图形，由此补偿掩模周围部分当光通过掩模后光强相对减小引起的光强偏差。本发明保证光刻胶膜的图形临界尺寸的均匀度，这样就保证了半导体元器件的可靠性和生产效率。 | ||||||
| 33 | 移相掩模及其制造方法 | CN96191933.7 | 1996-10-23 | CN1174613A | 1998-02-25 | 悳昭彦; 小林良一; 吉冈信行; 渡壁弥一郎; 宫崎顺二; 成松孝一郎; 山下重则 |
| 移相掩模200的第2光透射部4由透射率为2%以上且小于5%的钼硅化合物的氧化氮化膜或钼硅化合物的氧化膜4构成。在第2光透射部4的制造过程中,用溅射法形成钼硅化合物的氧化膜或钼硅化合物的氧化氮化膜。因此,相对于现有的透射率为5～40的衰减型移相掩模来说,能提高移相掩模的分辨率,能防止由于在抗蚀剂图形的周围生成的旁瓣所造成的抗蚀剂膜的破坏。 | ||||||
| 34 | 相移掩模及其制造方法 | CN96106894.9 | 1996-07-01 | CN1162766A | 1997-10-22 | 裵相满 |
| 一种能够改善将要形成的光刻胶膜图形的构型的相移掩模，由此获得微图形的容易形成以制造高集成的半导体器件，以及一种用于形成该相移掩模的方法。该相移掩模包括：透明基片、在透明基片上形成的遮光膜图形、具有交替布置的分别有所需尺寸的线和空的遮光膜图形、在遮光膜图形上形成并提供交替布置的线和空的第一相移膜图形，该第一相移膜图形具有大小遮光膜图形的线宽度、和在由第一和第二相移膜图形的空占据的透明基片的一部分上形成的第二相移膜图形。 | ||||||
| 35 | 用于形成半导体装置的精细图形的方法 | CN96103946.9 | 1996-03-29 | CN1146071A | 1997-03-26 | 李重泫; 文诚庸; 韩宇声; 孙昌镇 |
| 提供了一种用于形成精细图形的新方法。在掩模上，把低于分辨率限度的虚设线或虚设间隔加到主图形上去，该主图形用于确定将被曝光的目标的曝光区域。可以形成所希望的尺寸的精细图形，同时还改善了分辨率。 | ||||||
| 36 | 移相掩模及其制造方法 | CN95103300.X | 1995-03-21 | CN1115418A | 1996-01-24 | 咸泳穆 |
| 一种移相掩模，能够实现透光膜和遮光膜之间边界的相位变化，由此防止形成不希望的图形，及制造移相掩模的方法。该移相器具有位于透射光膜和遮光膜之间边界的倾斜边缘部分。该方法包括腐蚀移相器的步骤，如此，使形成的移相器在透光膜和遮光膜之间有一个倾斜边缘部分。 | ||||||
| 37 | 相移掩模及其制造方法 | CN95101040.9 | 1995-01-19 | CN1115044A | 1996-01-17 | 金永武; 咸泳穆 |
| 一种相移掩模及其制造方法，该相移掩模带有沟槽，该沟槽是通过将相移膜图形边缘所在的透明衬底部分蚀刻一定深度得到的，因而能防止由于使用Levenson型相移掩模而留下不希望有的光致抗蚀胶膜的残留物之现象。 | ||||||
| 38 | 用于修复掩模的方法 | CN201710358246.X | 2017-05-19 | CN107463065A | 2017-12-12 | 游信胜; 严涛南; 王文娟; 秦圣基 |
| 本发明的实施例提供了一种修复掩模的方法，包括检查掩模以定位掩模的缺陷的缺陷区域。获取缺陷区域的空中影像的相位分布。确定成像系统的点扩散函数。基于缺陷区域的空中影像的相位分布和点扩散函数来确认掩模的一个或多个修复区域。对掩模的一个或多个修复区域执行修复工艺以形成一个或多个修复部件。 | ||||||
| 39 | 空白掩模 | CN201611063823.4 | 2016-11-28 | CN106896637A | 2017-06-27 | 涂志强; 陈俊郎 |
| 本发明实施例提供一种空白掩模及一种掩模。所述空白掩模包含衬底及嵌入所述衬底中的蚀刻停止层。所述掩模包含具有所述经嵌入的蚀刻停止层的所述空白掩模及形成于所述空白掩模中的多个凹槽。所述凹槽使所述经嵌入的蚀刻停止层曝光。 | ||||||
| 40 | 修复光掩模的方法 | CN201611017298.2 | 2016-11-14 | CN106873307A | 2017-06-20 | 蔡尚纶; 李岳勋; 朱远志; 秦圣基 |
| 本公开提供一种修复光掩模的方法。上述方法包括接收一光掩模，其包括一图案化特征部件。图案化特征部件产生一相移且具有一透光率。辨识光掩模上的一缺陷区。形成一修复特征部件于光掩模上的缺陷区上方。形成修复特征部件包括形成一第一图案化材料层于缺陷区上方以及形成一第二图案化材料层于第一图案化材料层上方，以形成修复特征部件。修复特征部件产生上述相移且具有上述透光率。 | ||||||
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