| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 曝光装置 | CN201480005571.2 | 2014-08-01 | CN104937697A | 2015-09-23 | 朴正岵; 辛富建; 金在镇; 李钟炳 |
| 本发明涉及一种光掩模，一种曝光装置及一种方法。根据本申请的掩模、曝光装置和方法，可以在圆柱形模具上容易地形成具有亚微米大小的精细图案，并且有图案形成于其中的圆柱形模具可容易地应用于自动化工艺，诸如辊对辊工艺。此外，使用由挠性材料形成的光掩模，因此可以大规模形成具有各种大小的精细图案，并且这些精细图案可以分开地或独立地形成在圆柱形模具的曲面上，本发明在工艺的自由度方面表现出优异的效果。 | ||||||
| 2 | 用来减低镜片加热现象的光掩膜 | CN201310031922.4 | 2013-01-28 | CN103293846A | 2013-09-11 | 周建明; 安东·戴佛乐; 艾瑞克·拜尔斯 |
| 本发明公开了一种减缓透镜加热用的光掩膜，其包括基板、目标图案和重分配图案。基板包括有效的图案区域，目标图案则位于有效的图案区域中，而用来将目标图案建立到晶圆上。重分配图案也位于有效的图案区域中，而用来将能量重新分配至镜片上，但是又不会被转印至晶圆上，所以不会在将目标图案建立至晶圆上时反而改掉了目标图案。 | ||||||
| 3 | 采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属基底的方法以及采用该方法制备印刷版的方法 | CN200880014683.9 | 2008-09-22 | CN101675504B | 2011-04-27 | 金志洙; 田景秀; 崔庚铢; 李基罗; 李承宪; 申东明 |
| 本发明涉及一种采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法以及采用该方法制备印刷版的方法。在根据本发明的刻蚀玻璃或金属的方法中，由于负性光刻胶与金属或金属氧化物之间的粘合强度优异，光刻胶层不会被金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀，所以不必制备反型光掩膜，制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源，从而确保了经济效益。 | ||||||
| 4 | 采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属基底的方法以及采用该方法制备印刷版的方法 | CN200880014683.9 | 2008-09-22 | CN101675504A | 2010-03-17 | 金志洙; 田景秀; 崔庚铢; 李基罗; 李承宪; 申东明 |
| 本发明涉及一种采用负性光刻胶刻蚀玻璃或金属的方法以及采用该方法制备印刷版的方法。在根据本发明的刻蚀玻璃或金属的方法中，由于负性光刻胶与金属或金属氧化物之间的粘合强度优异，光刻胶层不会被金属或金属氧化物刻蚀溶液腐蚀，所以不必制备反型光掩膜，制备方法简单且能够使用例如混合波长型光源的低分辨率光源，从而确保了经济效益。 | ||||||
| 5 | 高清晰度掩模及其制造方法 | CN200710139911.2 | 2007-08-03 | CN101118376A | 2008-02-06 | 姜在贤 |
| 本发明实施例涉及一种高清晰度掩模及其制造方法，可改善掩模的清晰度并简化了其制造工艺。根据本发明实施例的高清晰度掩模包括：石英片；PSM区，以预定图案形成在该石英片上；和CLM区，按预定大小相比该PSM区以更精密的图案形成。 | ||||||
| 6 | 利用二倍空间频率技术定义掩膜图案的方法及其装置 | CN03130766.3 | 2003-03-25 | CN1293426C | 2007-01-03 | D·范登布雷克; J·F·陈 |
| 一种生成在一衬底上刻印目标图案时使用的掩膜的方法。该方法包括以下步骤：(a)确定将要刻印在一衬底上表示一电路设计的一目标图案；(b)所述目标图案按照系数为0.5缩小，以生成第一图案；以及(c)执行布尔操作，结合目标图案与所述第一图案，生成第二图案。第二图案作为目标图案被刻印于衬底上。 | ||||||
| 7 | 半导体器件的制造方法 | CN200510075134.0 | 2005-06-08 | CN1707362A | 2005-12-14 | 长谷川昇雄; 早野胜也 |
| 本发明提供一种半导体器件的制造方法，使用能以简化了的工序制造的高精度的光掩模，在晶片上形成所要的图形。在石英玻璃基板(1)的主面上，形成宽度相对较窄的沟图形(5a)和宽度比沟图形(5a)宽的沟图形(5b)，在宽度相对较宽的沟图形(5b)内，形成由例如抗蚀剂膜构成的遮光膜(6)。该掩模的具体的制造方法是：在石英玻璃基板(1)上涂敷了抗蚀剂膜之后，通过进行曝光和显影处理进行图形化。并以图形化了的抗蚀剂膜为掩膜，在石英玻璃基板(1)上形成沟图形(5a、5b)。接着，在除去图形化了的抗蚀剂膜之后，涂敷新的抗蚀剂膜。然后，通过进行图形化，仅在沟图形(5b)内形成遮光膜(6)。 | ||||||
| 8 | 双层制模白板及其制造工艺 | CN01815867.6 | 2001-09-06 | CN1210618C | 2005-07-13 | 托比约恩·桑德斯特罗姆 |
| 本发明涉及在半导体和其它器件的制造中用做掩模的构图的制模板的制备。利用制模板上掩模层上的抗蚀剂和转移层介绍了方法和器件。方法和器件制备了掩模和相移掩模中的小特征尺寸。用于掩模介绍的方法在许多情况中适用于在具有类似小特征的其它工件例如半导体、低温、磁性和光学微器件等上直接写入。 | ||||||
| 9 | 相移掩模及其制造方法 | CN95101040.9 | 1995-01-19 | CN1081804C | 2002-03-27 | 金永武; 咸泳穆 |
| 一种相移掩模及其制造方法，该相移掩模带有沟槽，该沟槽是通过将相移膜图形边缘所在的透明衬底部分蚀刻一定深度得到的，因而能防止由于使用Levenson型相移掩模而留下不希望有的光致抗蚀剂膜的残留物之现象。 | ||||||
| 10 | 用来减低镜片加热现象的光掩膜 | CN201310031922.4 | 2013-01-28 | CN103293846B | 2015-06-24 | 周建明; 安东·戴佛乐; 艾瑞克·拜尔斯 |
| 本发明公开了一种减缓透镜加热用的光掩膜，其包括基板、目标图案和重分配图案。基板包括有效的图案区域，目标图案则位于有效的图案区域中，而用来将目标图案建立到晶圆上。重分配图案也位于有效的图案区域中，而用来将能量重新分配至镜片上，但是又不会被转印至晶圆上，所以不会在将目标图案建立至晶圆上时反而改掉了目标图案。 | ||||||
| 11 | 光掩模的制造方法和相移掩模的制造方法 | CN200710149057.8 | 2007-09-07 | CN101211104B | 2011-04-06 | 郑浩龙 |
| 本发明提供了一种光掩模的制造方法，包括：在透明掩模衬底上形成将转移到晶片上的掩模图形；转移掩模图形到晶片上从而形成晶片图形；在转移到晶片上的晶片图形中选择需要线宽修改的临界尺寸修改区域；对应于临界尺寸修改区域形成用于选择性地暴露衬底的一部分的抗蚀图形；采用抗蚀图形作为离子注入掩模，通过注入离子到暴露的部分中，改变衬底的暴露部分的光透射率；和选择性地去除抗蚀图形。本发明还提供了一种相移掩模的制造方法。 | ||||||
| 12 | 相位调制元件及其制造方法、结晶化装置及结晶化方法 | CN200610164615.3 | 2006-09-22 | CN1955786B | 2010-09-01 | 小川裕之; 平松雅人 |
| 一种对入射光进行相位调制的移相器(1)，设置有玻璃基板这样的透光性基板(2)和在此透光性基板(2)的激光入射面上对入射光进行相位调制的例如凹凸图形的相位调制部(3)，在相位移相器(1)的上述激光入射面或出射面上设置对此相位调制部(3)的光强度分布减少的周边部光进行遮蔽的遮光部(4)，以便对入射激光的照射面内周边部的光进行遮蔽。 | ||||||
| 13 | 具有次解析度辅助特征的光掩模与其制造方法 | CN200710145356.4 | 2007-09-11 | CN101281361A | 2008-10-08 | 林政旻; 邱仁玺 |
| 一种光掩模与其制造方法。此光掩模包含有透明的基材、主要特征和辅助特征。主要特征包含有一衰减(Attenuating)材料，并被置放在基材上。辅助特征包含有可提供相位移的次解析度(Sub－Resolution)特征。辅助特征与主要特征相距有一距离。辅助特征包含有由基材所定义的沟渠。本发明更包含有制造光掩模的方法。本发明减少光掩模缺陷的可能性。 | ||||||
| 14 | 无铬膜层相位移光罩及其制造方法与制造半导体装置方法 | CN200410100630.2 | 2004-12-08 | CN1325994C | 2007-07-11 | 张仲兴; 林佳惠; 陈俊光 |
| 本发明是关于一种无铬膜层相位移光罩，包括：一透光基底；至少一第一相位移图案，由至少一环状凹陷所构成；以及一第一次解析透光图案，是由上述环状凹陷所环绕的透光基底所构成，以与上述第一相位移图案构成曝光时所欲之转移图案，此外，本发明亦关于上述光罩的制造方法以及其制造半导体装置的方法。 | ||||||
| 15 | 光刻设备和器件制造方法 | CN200610163176.4 | 2006-11-29 | CN1975582A | 2007-06-06 | 陈继恒; S·G·翰森 |
| 提出一种使用光刻设备将图形的图像转移到衬底上的方法。该方法包括选择包括光瞳滤波器参数的多个参数；对于所选参数计算图形的图像；在处理范围上计算表示所计算的图像的属性的变化的度量；并根据度量结果调整多个参数。 | ||||||
| 16 | 改进的CPL掩模及其制造方法和程序产品 | CN200610149215.5 | 2006-08-14 | CN1936701A | 2007-03-28 | J·F·陈; D·-F·S·徐; D·范登布罗克; J·C·帕克; T·莱迪格 |
| 一种掩模制造方法，该掩模用于印制包含多个特征的图形。该方法包括步骤：获得代表多个特征的数据；和通过蚀刻衬底形成台面并在上述台的整个上表面上沉积铬层来形成至少所述多个特征之一，其中上述台面具有预先确定的高度。 | ||||||
| 17 | 多透射相位掩模及其制造方法 | CN200510067255.0 | 2005-04-20 | CN1797190A | 2006-07-05 | 朴赞河 |
| 本发明公开了一种多透射相位掩模及制造该多透射相位掩模的方法。该方法包括在透光衬底上形成光屏蔽层后首次构图光屏蔽层，通过使用首次构图的光屏蔽层蚀刻透光衬底至预定深度形成半导体的多个图案区域，以及二次构图光屏蔽层并在半导体的邻近的图案区域之间形成移相区域，使得透光衬底的在半导体的邻近的图案区域之间的表面的预定部分暴露于外界。每个图案区域提供180°相位延迟，而图案区域之间的间隙提供0°相位延迟，由此以高精度实现微细图案以及图案的临界尺寸。 | ||||||
| 18 | 多透射相位掩模和使用其的曝光方法 | CN200510067442.9 | 2005-04-21 | CN1794085A | 2006-06-28 | 朴赞河 |
| 本发明公开了一种多透射相位掩模和使用该掩模的曝光方法。所述掩模包括：透明衬底；光屏蔽膜，形成于透明衬底上且界定光透射区和光屏蔽区；和在光透射区的预定部分上形成的反相区以允许光以反相从中透射。在该方法中，由曝光光通过改进的照明系统照射于多透射相位掩模，在晶片上曝光半导体二极管的图案，所述照明系统包括至少两个极，每个具有预设的开口角度。依据本发明，可以防止缺陷的发生，在所述缺陷中，存储节点接触图案的图案单元没有规则地在晶片上敞开，或者其中图案单元彼此桥接。 | ||||||
| 19 | 偏振光栅 | CN200510009121.3 | 2005-02-03 | CN1746726A | 2006-03-15 | 梁起豪; 姜春守 |
| 一种偏振光栅，包括透明基底，形成覆盖透明基底的偏振滤光片，和形成在偏振滤光片上的掩模图案。偏振光栅在光刻处理中可以使入射的照明光沿所需方向偏振。 | ||||||
| 20 | 无铬膜层相位移光罩及其制造方法与制造半导体装置方法 | CN200410100630.2 | 2004-12-08 | CN1627185A | 2005-06-15 | 张仲兴; 林佳惠; 陈俊光 |
| 本发明是关于一种无铬膜层相位移光罩，包括：一透光基底；至少一第一相位移图案，由至少一环状凹陷所构成；以及一第一次解析透光图案，是由上述环状凹陷所环绕的透光基底所构成，以与上述第一相位移图案构成曝光时所欲之转移图案，此外，本发明亦关于上述光罩的制造方法以及其制造半导体装置的方法。 | ||||||
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