1.GaSe的多晶合成方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：
一、用王水浸泡石英管和盛料用的石英小舟或氮化硼小舟，然后用超纯水清洗，烘干；
按照摩尔比Ga：Se＝1:(1+n)称量单质原料Ga和Se，其中n＝PV/RT、P为1大气压，V为石英管内圆柱体空隙体积，T为(600+273)K，R为气体常数；
二、将Ga放置于小舟中，把盛有Ga的小舟放置到石英管的封闭端，把Se直接放置在石英管的另一端；将石英管抽真空，再用氢氧火焰熔封石英管，然后放入水平双温区管式电阻炉中，盛有Ga的小舟位于高温区，Se位于低温区，小舟与Se之间为梯度区；
三、首先使高温区的温度升至t1＝950～1000℃，同时使低温区温度升至t2＝500～700℃，保温10～15h，此为第一阶段；然后维持高温区温度不变，将低温区的温度升高至t2’＝t1+(10～20)℃,保温3～5h，此为第二阶段；最后整个电阻炉的温度以20～40℃/h速度降至室温，得到GaSe多晶。
2.根据权利要求1所述的GaSe的多晶合成方法，其特征在于步骤一中石英管和盛料用的石英小舟或氮化硼小舟用王水浸泡的时间为6～8h。
3.根据权利要求1或2所述的GaSe的多晶合成方法，其特征在于步骤二中石英管抽真空至10-4Pa～10-6Pa。
4.根据权利要求1或2所述的GaSe的多晶合成方法，其特征在于步骤三中第一阶段中，高温区的升温速度为180～200℃/h，低温区的升温速度为100～140℃/h。
5.根据权利要求1或2所述的GaSe的多晶合成方法，其特征在于步骤三中第二阶段中，低温区的升温速度为100～140℃/h。
6.GaSe的单晶生长方法，其特征在于该方法按以下步骤进行：
一、用王水浸泡生长用石英管和盛装多晶原料的PBN坩埚，然后用超纯水清洗，烘干；其中PBN坩埚为带有籽晶阱的圆柱形；
二、将GaSe多晶加入到PBN坩埚中，然后将PBN坩埚竖直放在石英管中，将石英管抽真空，最后用氢氧火焰熔封石英管；
三、将熔封的石英管放入垂直双温区管式电阻炉中，垂直双温区管式电阻炉从上到下低次为高温区、梯度区和低温区，石英管中PBN坩埚底部的籽晶阱底端位于梯度区起始位置；
四、首先使高温区温度升高至1010～1020℃，同时低温区温度升高至950～960℃，梯度区的温度梯度为5～7℃/cm，保温15～20h，此为第一阶段；然后将高温区的温度降低7～10℃，同时低温区的温度降低7～10℃，保持1～2h，此为第二阶段；再将高温区的温度提高5～
8℃，同时低温区的温度提高5～8℃，保持2～3h，此为第三阶段；再将高温区的温度降低50～70℃，同时低温区的温度降低50～70℃，此为第四阶段；最后将整个电阻炉的温度降至室温，得到GaSe单晶。
7.根据权利要求6所述的GaSe的单晶生长方法，其特征在于步骤二中，石英管抽真空至
10-4Pa-10-6Pa。
8.根据权利要求6或7所述的GaSe的单晶生长方法，其特征在于步骤四中第一阶段中的升温速度为50～80℃/h。
9.根据权利要求6或7所述的GaSe的单晶生长方法，其特征在于步骤四中第二阶段中的降温速度为0.1～0.2℃/h。
10.根据权利要求6或7所述的GaSe的单晶生长方法，其特征在于步骤四中第三阶段的升温速度为5～10℃/h。