| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 化学气相沉积法合成单晶石墨烯过程中降低晶核密度的方法 | CN201610667259.0 | 2016-08-15 | CN106637391A | 2017-05-10 | 孙正宗; 刘冰 |
| 本发明属于石墨烯合成技术领域，具体为一种化学气相沉积法合成单晶石墨烯过程中降低晶核密度的方法。在工业化合成大尺寸石墨烯单晶的过程中，晶核密度是决定单晶尺寸的一个重要因素，晶核密度越小，越有利于获得大尺寸的单晶。本发明在控制压力的氧气或氢气气氛下，高温退火处理石墨烯的金属生长基底，并联合计算模拟碳含量在金属表面和内部的演变，优化退火条件，最终得到适合工业标准化生产的低成核密度的金属基底。 | ||||||
| 142 | 一种直拉单晶产业化直径生长自控的工艺方法 | CN201611116993.4 | 2016-12-07 | CN106637389A | 2017-05-10 | 王建平; 李建弘; 郝勇; 王岩 |
| 本发明提供了一种直拉单晶产业化直径生长自控的工艺方法，包括以下步骤：1)、固定导流筒位置,确定炉体内导流筒下沿位置；2)、固定液面位置,确定坩埚内硅溶液液面距导流筒下沿位置；3)、固定CCD摄像机位置,将CCD摄像机的摄像头正对坩埚内硅液单晶生长光圈，通过CCD摄像机采集拉晶时的外径尺寸；4)、首炉直径校正；5)、拉晶生产。本发明所述的一种直拉单晶产业化直径生长自控的工艺方法中，通过该方法实现产业化规模化生产一种直径规格的单晶时，自动控制每炉单晶生长直径，保证每炉单晶直径值几乎一致，不需要每炉反复校正，提高自动化水平；降低劳动强度，降低人工成本；降低回收料比例。 | ||||||
| 143 | 便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法 | CN201510727377.1 | 2015-10-30 | CN106637385A | 2017-05-10 | 吴丹 |
| 本发明的便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器，加热器主体具有相对的第一端部和第二端部，沿第一端部向第二端部延伸设置第一狭槽以及沿第二端部向第一端部延伸设置第二狭槽，第一狭槽和第二狭槽交替设置，第二狭槽中部分或全部为调节发热分布的调节槽。本发明的直拉单晶方法，包括步骤：装料；利用前述加热器化料形成熔体；调节加热器的功率，控制熔体的纵向温度梯度，将籽晶插入熔体表面进行熔接，并依次进行引晶、放肩、转肩、等径生长以及收尾后即得单晶硅。本发明的便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法利用调节槽调节加热功率，可以获得不同的温度分布，能形成适应高拉速、低杂质含量、低缺陷等各种需求的、优化的温度梯度。 | ||||||
| 144 | 一种炔基取代的咪唑离子液体单晶体的制备方法 | CN201611225911.X | 2016-12-27 | CN106632056A | 2017-05-10 | 牟宗刚; 罗锐亭 |
| 本发明涉及一种炔基取代的咪唑离子液体单晶体的制备方法，制备方法包括如下步骤：（1）将摩尔比为1:2.2的三甲基硅咪唑和炔丙基氯加入三口烧瓶中，二氯甲烷作为反应溶剂，加热回流24 h；（2）普通蒸馏于40℃时蒸除溶剂二氯甲烷，于58℃时蒸除未反应完的少量炔丙基氯；（3）减压蒸馏至无气泡产生为止，得到黄色粘性液体。（4）将摩尔比为1:1.1的饱和NaBF4盐溶液和1,3‑二炔基咪唑氯盐加入三口烧瓶中，丙酮作为反应溶剂，常温下搅拌24小时；（5）过滤出白色沉淀得滤液，丙酮洗涤沉淀两到三次；（6）先常压后减压蒸除溶剂丙酮，得到淡黄色的固体，挥发法培养单晶。本发明操作条件温和，过程简单，收率高，稳定性好。 | ||||||
| 145 | 化合物SrCdGeS4及其制备方法、红外非线性光学晶体及其制备方法和应用 | CN201610898089.7 | 2016-10-14 | CN106629819A | 2017-05-10 | 尹文龙; 余盛全; 唐明静; 张羽; 袁泽锐; 窦云巍; 方攀; 陈莹; 谢婧; 康彬; 邓建国 |
| 本发明公开了一种化合物SrCdGeS4及其制备方法、红外非线性光学晶体及其制备方法和应用。本发明采用高温固相反应法，经过两次烧结制备出SrCdGeS4化合物纯相，采用水平梯度冷凝法或坩埚下降法生长出红外非线性光学晶体；本发明的方法使晶体易长大且质量较高，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点。红外非线性粉末倍频测试表明，在基频光为2090nm激光照射下，SrCdGeS4具有强的非线性效应，在41～74μm粒径范围内的倍频信号强度约为同粒径红外经典材料AgGaS2的信号强度的3倍。本发明获得的红外非线性光学晶体材料SrCdGeS4，在红外激光变频领域具有潜在的应用价值。 | ||||||
| 146 | 一种利用毒重石酸解制备氯化钡并联产硫酸钙晶须的方法 | CN201710007246.5 | 2017-01-05 | CN106629804A | 2017-05-10 | 杨虎; 颜杰; 邹伟; 叶宇玲; 陈炯 |
| 本发明涉及精细化工技术领域，具体为一种利用毒重石酸解制备氯化钡并联产硫酸钙晶须的方法。该方法利用盐酸酸解毒重石制备氯化钡，同时副产的高钙液加入硫酸制备附加值高的硫酸钙晶须，最后过滤得到盐酸可进行循环利用。这样不仅合理利用毒重石资源的副产钙水，变废为宝，还使得原料之一盐酸能够实现循环回收利用，这对资源的保护和合理利用，环境的保护以及产业的健康发展都具有重要的意义。 | ||||||
| 147 | 使硅晶体衬底生长的装置及方法 | CN201280064149.5 | 2012-10-08 | CN104011270B | 2017-05-10 | 菲德梨克·M·卡尔森; 布莱恩·T·海伦布鲁克 |
| 揭示一种使硅晶体衬底生长的装置，其包括热源、异向性热负载平衡构件、坩埚以及冷却板构件。异向性热负载平衡构件具有高导热性，可位于热源上方且经运作以便平衡从热源散发的温度及热通量变化。坩埚可经运作以容纳熔融硅，其中熔融硅的上表面可界定为生长界面。坩埚可被异向性热负载平衡构件实质上围绕着。冷却板构件可位于坩埚上方，与异向性热负载平衡构件及热源一同运作以便使熔融硅的生长表面处保持热通量均匀。 | ||||||
| 148 | 一种CPU生产方法 | CN201611178430.8 | 2016-12-19 | CN106601599A | 2017-04-26 | 王小荣 |
| 本发明提供一种CPU生产方法，所述的制备方法包括以下步骤，提纯硅、切割晶圆、影印、蚀刻、重复、分层、封装，硅提纯采用熔体导模法，将原材料硅中掺杂碳，制成含碳二氧化硅，且提纯过程中器皿采用铂、铱和钼器皿，本发明的有益效果是提高了硅纯度、晶圆尺寸更好的满足CPU生产的需要。 | ||||||
| 149 | 一种SiC晶片的制备方法 | CN201611126092.3 | 2016-12-09 | CN106591952A | 2017-04-26 | 杨昆; 高宇; 郑清超 |
| 本发明涉及一种SiC晶片的制备方法，包括以下步骤：步骤一，采用高纯的硅粉和碳粉为原料，在高真空条件下，通入高纯氩气，放置在有覆层的石墨坩埚中进行高温合成，得到低氮浓度和硼浓度的高纯SiC粉料；步骤二，在高真空条件下，通入高纯氩气或者氩气和氢气的混合气体，将SiC粉料放置在有覆层的石墨坩埚中进行高温预处理，并且采用固态源进行掺杂；步骤三，生长出的单晶进行滚圆和定向处理，获得标准的晶锭，然后经过多线切割和研磨抛光处理，得到半绝缘SiC抛光片；步骤四，将晶片在真空条件下，加热，并保持2‑10h,再经过降温时间10‑20h即可。本发明的有益效果是：所制备的SiC晶体的电阻率高、缺陷低；提高了晶体的质量。 | ||||||
| 150 | 一种蓝宝石泡生法长晶加热功率控制装置 | CN201710081180.4 | 2017-02-15 | CN106591940A | 2017-04-26 | 刘伯彥; 王晓靁 |
| 本发明公开一种蓝宝石泡生法长晶加热功率控制装置，由计算机、晶体重量量测设备、功率量测监控仪、系统变压器、长晶炉SCR、二次侧负载端加热器、PPi及ST2组成，供电端依次连接系统变压器、长晶炉SCR与二次侧负载端加热器，用于量测和回馈加热器功率数值的功率量测监控仪连接在二次侧负载端加热器和计算机之间，用于量测和回馈加热器电压数值的PPi连接在二次侧负载端加热器和计算机之间，晶体重量量测设备也与计算机连接，计算机依次通过PPi和ST2与长晶炉SCR连接。本发明增加一组二次侧负载端加热器的功率量测监控仪，用于量测并回馈功率值到计算机，去防止用电功率的不稳定性，使功率控制稳定，提高晶体成品率及良率。 | ||||||
| 151 | 一种高纯金属铀的提炼方法 | CN201611247252.X | 2016-12-29 | CN106591938A | 2017-04-26 | 石翠玲 |
| 本发明公开了一种高纯金属铀的提炼方法，属于金属冶炼技术领域。将铀矿石置于硫酸溶液中进行微波处理，然后加入相应的阴阳离子交换树脂除去铀矿石中的磷、钒、锌、硼、钼等杂质，利用低温高频电场产生等离子电弧，在外磁场的作用下引入氩气和氢气的混合气，在氩等离子体和氢等离子体的双重作用下进行连续提炼，得到电子级纯铀，最后经过直拉单晶和高精度的切割得到高纯金属铀。本发明进一步提高了金属铀的纯度，解决了传统复杂的铀提炼行业高能耗、高污染、高成本及纯度低的问题，可操作性强，提炼效率高，值得推广应用。 | ||||||
| 152 | 单晶硅及其制造方法 | CN201410329579.6 | 2014-07-11 | CN104278321B | 2017-04-26 | 永井勇太; 中川聪子; 鹿岛一日儿 |
| 本发明涉及通过CZ法提供能够适用于面向高电压的IGBT用硅基板的低碳浓度的单晶硅及其制造方法。以碳浓度1.0×1015atoms/cm3以下的多晶硅为原料，对原料熔液2施加横向磁场，并使石英坩埚3的转速为5.0rpm以下，在从原料熔液表面起直至下述Y的20～50%的位置处以下述式（1）所示的流速A［m/sec］通入惰性气体，Q：惰性气体的流量［L/min］P：炉内压力［托］X：防辐射罩的开口部直径［mm］Y：从原料熔液表面起直至防辐射罩下端的距离［mm］α：校正系数直至结晶固化率30%的时刻，使流速A为0.2～5000/d［m/sec］（d：结晶直体部直径［mm］），并且使侧部加热器4和底部加热器5的合计动力的降低率为3～30%、侧部加热器4的动力的降低率为5～45%。 | ||||||
| 153 | 加热用于半导体材料的生长的炉 | CN201280036423.8 | 2012-07-19 | CN103781946B | 2017-04-26 | 佩尔·巴克; 叶戈尔·弗拉基米罗夫; 普里亚·霍曼约尼法; 亚历山大·特谢拉 |
| 用于晶体半导体材料的生长的多铸锭炉具有用于加热热区的一个或多个加热设备，在所述热区中接纳有包含半导体材料的坩埚。至少一个加热设备被布置成施加预定的有差异的热通量分布横过一个或多个坩埚中的半导体材料的水平截面，所述预定的有差异的热通量分布是根据阵列中一个或多个坩埚的位置来选择的。以此方式，加热设备能够至少部分地补偿由于半导体材料在炉中的几何位置所引起的横过半导体材料的温度差。这降低了在晶体半导体材料生长期间诸如位错等缺陷出现的可能性。还公开了相关的方法。 | ||||||
| 154 | 熔融设备 | CN201310133094.5 | 2013-04-17 | CN103572375B | 2017-04-26 | N·斯托达德 |
| 一种用于硅熔融的设备（1），包括用于保持硅块（2）的容器和至少一个用于加热容器内部的硅的装置（3），其中容器包括用于保持硅块（2）的沿纵向（5）延伸的管（4）和底部（6），其中管（4）布置在底部（6）上，其中底部（6）包括至少一个用于放出熔融硅（8）的出口（7），并且其中用于加热的装置（3）包括至少一个线圈（9）。 | ||||||
| 155 | 晶体 | CN201310248053.0 | 2008-06-04 | CN103361713B | 2017-04-26 | S·艾希勒; T·宾格尔; M·布特; R·吕曼; M·舍费尔-奇甘 |
| 本发明涉及一种晶体，包括半导体材料砷化镓，所述晶体具有位错密度的一种分布并且代表位错密度的腐蚀坑密度的全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的腐蚀坑密度的平均值的17.6%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度5mm；并且所述晶体具有电阻率的一种分布并且全局的标准偏差在垂直于晶体纵轴线的平面内小于晶体的电阻率的平均值的5.3%，其中全局的标准偏差的确定基于特征长度10mm。 | ||||||
| 156 | 荧光播种的纳米棒的图案 | CN201580038293.5 | 2015-07-14 | CN106574182A | 2017-04-19 | 乌里·巴尼恩; 沙洛莫·马格达希; 沙伊·谢梅什; 希拉·哈里弗尼; 叶连娜·维内特斯基 |
| 本发明提供用于制造包含纳米棒、同时减少颗粒间相互作用的图案和物体的新颖的装置。 | ||||||
| 157 | 一种改善冶金法多晶硅生长界面的方法 | CN201611026912.1 | 2016-11-22 | CN106567125A | 2017-04-19 | 张发云; 袁秋红; 饶森林; 王发辉; 龚洪勇; 胡云 |
| 一种改善冶金法多晶硅生长界面的方法，包括：(1)将多晶硅硅料装入高纯石英坩埚放入定向凝固炉中，抽真空至炉内真空度<10Pa；(2)将炉温升至1450‑1550℃，熔化硅料；(3)对硅料外场处理，磁强0.15‑0.5T，10‑30 min；随后炉体以5‑10℃/min降温，炉体运动部分以5‑10 mm/h下移，硅熔体脱离加热器长晶，1100‑1200℃时关闭磁场；(4)长晶后，炉体运动部分以2‑4mm/s上升至炉腔中初始位置，后将温度升至1250‑1350℃，保温2‑5h后冷却，冷却速率<4℃/min。本发明采用外加静态磁场来调控硅料生长过程中固液界面形态，得到平滑的固液界面，获得了理想的柱状晶粒组织，改善了硅锭质量；工艺环境更友好，与企业现有技术兼容，适用于规模化生产。 | ||||||
| 158 | 平坦的SiC半导体基板 | CN201380060888.1 | 2013-09-10 | CN104813439B | 2017-04-12 | M·罗伯达; 克里斯多佛·帕菲纽克 |
| 本发明涉及用于制造具有优异的弯曲度、翘曲度、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和部位正面最小二乘焦平面范围(SFQR)技术规格的碳化硅晶片的方法。所得的SiC晶片具有适合SiC的外延沉积的镜状表面。在增添所述外延层后，所述弯曲度、翘曲度、总厚度变化(TTV)、局部厚度变化(LTV)和部位正面最小二乘焦平面范围(SFQR)技术规格得以保持。 | ||||||
| 159 | 大尺寸板状Ce3+离子掺杂的稀土正硅酸盐系列闪烁晶体水平定向凝固制备方法 | CN201510060384.0 | 2015-02-05 | CN104630878B | 2017-04-12 | 丁雨憧 |
| 本发明公开了一种大尺寸板状Ce3+离子掺杂的稀土正硅酸盐系列闪烁晶体水平定向凝固制备方法，通过加热使单晶炉内形成不同的温区，使预结晶料处于熔融态形成熔体的温区为高温区，使熔融态原料结晶处于单晶态的温区为低温区，熔融态与单晶态的过渡区域自然形成温梯区；然后水平移动装有原料的坩埚，使坩埚依次从高温区、温梯区和低温区按设定的速度通过，最后退火冷却即可。本发明采用水平定向凝固法制备Ce3+:Re2SiO5系列闪烁晶体，具有尺寸大、缺陷低、品质高、Ce3+离子浓度分布更均匀、利用率高、能耗少等突出优点。 | ||||||
| 160 | 固体氧化物的加工方法及其装置 | CN201280060235.9 | 2012-12-05 | CN104023889B | 2017-04-12 | 山内和人 |
| 本发明提供一种能够不使用一切以稀土为主的研磨剂、研磨颗粒，并且不使用一切氟化氢等操作困难、环境负担大的溶液，对光学玻璃材料等固体氧化物可以不导入加工变质层而进行加工的固体氧化物的加工方法及其装置。在水(1)的存在下，以通过氧结合了1种或2种以上的元素的固体氧化物作为被加工物，作为加工基准面(3)使用帮助水分子解离、切断构成固体氧化物的氧元素与其它元素的反向键并吸附、通过水解生成分解产物的催化剂物质，在水的存在下，使被加工物(5)与加工基准面接触或配置得非常接近，使加工基准面的电位为不产生H2和O2的范围，使被加工物与加工基准面相对运动，从被加工物表面除去分解产物。 | ||||||
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