| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 一种采用导模法生长蓝宝石晶体的导模板 | CN201710092100.5 | 2017-02-21 | CN106702478A | 2017-05-24 | 刘朝轩; 刘奇丰 |
| 一种采用导模法生长蓝宝石晶体的导模板，本发明在导模板主体的出料端设有向下凹陷的V形槽（3），在导模板主体的两侧面分别设有向内凹陷的凹陷面（2）使导模板主体形成中部薄两端厚的结构，本发明改善了具备热场环境，降低了具备温度，使两侧与中间位置处于同一条等温线上，较之前提升拉制速度，提高生产效率，同时改变了导模板局部温度，利于晶体结晶，解决了晶体缩角的问题，保证晶体的完整性，同时还增加了导模板两端头的局部宽度，解决了随温度增高晶体宽度变窄的问题，利于晶体拉制时的操作，增大了控制调整范围等，适合大范围的推广和应用。 | ||||||
| 142 | 单晶炉及其副室 | CN201710197535.6 | 2017-03-29 | CN106702475A | 2017-05-24 | 沈浩锋; 周杰; 周林伟; 朱伟忠; 陈骝 |
| 本申请公开了一种单晶炉的副室，所述副室为伸缩式结构。在工厂厂房高度和单晶炉整体高度一定的情况下，副室可以通过由下向上收缩，使副室远离主炉室，副室与主炉室之间的距离可以满足使用要求，将长晶棒的下端露出副室的底端，从而将长晶棒从副室中取出。可见该副室能够在厂房高度一定的情况下，增加晶棒的生产长度，提高了晶棒的生产效率。本申请还公开了一种应用该副室的单晶炉。 | ||||||
| 143 | 一种Li掺杂ZnO晶体薄膜的制备方法 | CN201611029842.5 | 2016-11-15 | CN106676633A | 2017-05-17 | 王茂华; 孙尉杰 |
| 本发明涉及Li掺杂的p型ZnO晶体薄膜的制备方法，属于半导体材料技术领域。将Zn(CH3COO)2·2H2O溶于乙二醇甲醚溶剂中，再加入柠檬酸，水浴搅拌后加入LiCl继续搅拌得到均匀的胶体溶液，将此溶液静置后得到溶胶；采用浸渍提拉法将所得到的溶胶在清洗、烘干后的玻璃片上镀膜，将玻璃片慢慢浸入溶胶，利用溶胶具备一定的粘性使湿溶胶被玻璃载片附着；再通过恒速马达以恒定的提拉速度将玻璃片平稳地从湿凝胶里慢慢提拉出来，利用重力作用使湿凝胶均匀分布在玻璃载片的两面；最后升温到400‑600℃，在空气中对薄膜热处理，得到Li掺杂ZnO薄膜。 | ||||||
| 144 | 一种<100>晶向小晶粒铸造多晶硅的制备方法 | CN201710120924.9 | 2017-03-02 | CN106676628A | 2017-05-17 | 杨德仁; 祝洪良; 余学功 |
| 本发明涉及一种<100>晶向小晶粒铸造多晶硅的制备方法，包括如下步骤：1)将<100>晶向的碎单晶硅片平铺在反应器底部，形成籽晶层；继续将硅原料与掺杂元素置于籽晶层上；2)加热反应器使籽晶层上的硅原料与掺杂元素完全熔化，而籽晶层不被完全熔化；3)热交换从反应器底部开始，使<100>晶向的碎单晶硅片作为籽晶，诱导晶体生长，通过定向凝固形成多晶硅。该方法不但得到了低位错密度的小晶粒铸造多晶硅，而且铸锭的晶粒取向统一为<100>晶向，解决了高效铸造多晶硅无法使用碱腐蚀制绒的技术难题。 | ||||||
| 145 | 一种含碳高铌钛铝基单晶合金 | CN201611250812.7 | 2016-12-30 | CN106676324A | 2017-05-17 | 陈光; 胡凯; 李永胜; 葛志军; 闫志龙 |
| 本发明公开了一种含碳高铌钛铝基单晶合金。所述合金按质量百分比表示为：0.01~0.1% C、10.00~19.69% Nb、13.48~30% Al，其余为 Ti。在本发明中，通过在高铌钛铝合金中加入碳元素，制备得到了含碳高铌钛铝单晶合金，相比于不含碳的高铌钛铝多晶合金及其单晶合金，本发明含碳高铌钛铝基单晶合金塑性较好，并且合金强度得到明显增强，显著提升了钛铝基合金的工业应用性能。 | ||||||
| 146 | 用于刻蚀太阳能电池硅片表面的制绒液及其应用 | CN201710063015.6 | 2017-01-25 | CN106653889A | 2017-05-10 | 刘尧平; 王燕; 陈伟; 吴俊桃; 赵燕; 陈全胜; 徐鑫; 杜小龙 |
| 本发明涉及用于刻蚀太阳能电池硅片表面的制绒液及其应用，属于太阳能电池技术领域。所述制绒液既可以用于单晶硅片表面制绒也可以用于多晶硅片表面制绒，并且可以使单晶硅片或多晶硅片表面随机分布有倒四棱锥组，所述倒四棱锥组包括一种或多种高与底边边长的比为大于1.2∶1的倒四棱锥；其包含银离子、铜离子、HF和氧化剂。 | ||||||
| 147 | 一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法 | CN201611089713.5 | 2016-12-01 | CN106653567A | 2017-05-10 | 徐星亮; 李俊焘; 代刚; 向安; 肖承全; 张林; 周阳 |
| 本发明公开了一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，该方法包括下步骤：提供GaAs衬底材料，并对GaAs衬底材料进行表面清洁；利用聚焦离子束（FIB）轰击GaAs衬底，通过改变离子束照射参数，诱导有序Ga金属纳米液滴形成；把GaAs衬底放入分子束外延（MBE）系统中，打开As4源，形成GaAs量子点；本发明利用FIB诱导形成的有序Ga液滴作为加工GaAs量子点的模板，实现有序GaAs量子点的生长。 | ||||||
| 148 | 一种金属‑有机框架DMMnF/甲酸锶异质结单晶光学材料及其制备方法 | CN201611160645.7 | 2016-12-15 | CN106637414A | 2017-05-10 | 孔朋飞; 王顺利; 吕铭; 李小云; 吴小平 |
| 本发明公开了一种金属‑有机框架DMMnF/甲酸锶异质结单晶光学材料及其制备方法，金属‑有机框架DMMnF/甲酸锶异质单晶光学材料为由尺寸为2.3×2.3×2.3～2.6×2.6×2.6mm3的DMMnF单晶衬底和尺寸为2.6×2.6×2.6～3.0×3.0×3.0mm3，厚度为0.2～0.25mm的甲酸锶外延单晶组成。本发明制备过程中，所用试剂为商业产品，无需繁琐制备；利用水热法和液相法相结合获得大尺寸的单晶；工艺可控性强，易操作，制得的产物纯度高。本发明所得的异质结单晶材料，有望在新型金属‑有机框架半导体、信息存储和光学器件方面得到广泛的应用。 | ||||||
| 149 | 一种降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法 | CN201611252813.5 | 2016-12-30 | CN106637413A | 2017-05-10 | 刘晓慧; 马英俊; 林泉; 龙彪; 张洁; 马会超; 邢爱君 |
| 本发明涉及一种降低HB砷化镓单晶头部位错密度的方法，具体包括步骤：待单晶炉加热体内的单晶放完肩进入等径生长后，移动单晶炉加热体，降低高温区的温度，使界面区内产生的固液生长界面靠近中温区；对高温区继续降温，当温度降至晶体生长过冷且固液生长界面发生倾斜时，停止降温和移动单晶炉加热体；对高温区升温至固液生长界面变直后，再次降低高温区温度；移动加热体降低界面区下部温度，继续使晶体结晶生长。本发明的方法，使得生长出的HB砷化镓单晶头部位错密度低且均匀，提高了晶体质量和成品率，其中生产的HB砷化镓单晶头部位错密度可低至1200～1800cm‑2，同一位错样品中心与边缘位错密度差值可控制在2～5％。 | ||||||
| 150 | 一种针状短纤维复合物六钛酸钾晶须的制备方法 | CN201611206860.6 | 2016-12-23 | CN106637408A | 2017-05-10 | 郭继光; 林鑫; 於玉华 |
| 本申请公开了一种针状短纤维复合物六钛酸钾晶须的制备方法，包括步骤：(1)、以钛源和氢氧化钾作为原料；(2)、将配好的料混合均匀，装入带搅拌的反应釜中，加入蒸馏水，调节KOH的重量百分比浓度达到设定值，然后拧紧密封反应釜；(3)、通入冷凝水，开通搅拌，对反应釜加热，使温度升到160～180℃，并保温3～5小时；(4)、将产物从反应釜中取出，在空气中自然冷却；(5)、用蒸馏水对产物洗涤，再超声分散，于烘箱中干燥；(6)、将干燥产物放入马弗炉中于500～600℃焙烧6～8小时。本发明在流动的高浓介质中合成钛酸钾，可极大地强化质量和热量传递，从而强化反应过程，同时也简化了对设备的要求。 | ||||||
| 151 | 一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置 | CN201610845014.2 | 2016-09-23 | CN106637394A | 2017-05-10 | 司荣进; 王禄宝 |
| 本发明涉及一种用于提高多晶炉底部温度实现漂料的装置，包括多晶炉、下保温板、若干定向凝固块和隔热笼，多晶炉底部设有凹槽，定向凝固块上设有若干螺钉，定向凝固块上设有软毡，软毡外侧设有若干凹口，隔热笼底部至于定向凝固块上，内壁与软毡外壁配合，且设有若干凸起，凸起与凹口形状配合；本发明结构设计合理，拆装更换方便，有利于将坩埚底部温度提高8‑15℃，化料时间可以缩短3‑4h，硅液体与坩埚底部的石英砂形成良好的浸润效果，晶花大小由10毫米控制到3‑5毫米，位错比例由60%下降至45%，转换效率提高0.03%。 | ||||||
| 152 | 化学气相沉积法合成单晶石墨烯过程中降低晶核密度的方法 | CN201610667259.0 | 2016-08-15 | CN106637391A | 2017-05-10 | 孙正宗; 刘冰 |
| 本发明属于石墨烯合成技术领域，具体为一种化学气相沉积法合成单晶石墨烯过程中降低晶核密度的方法。在工业化合成大尺寸石墨烯单晶的过程中，晶核密度是决定单晶尺寸的一个重要因素，晶核密度越小，越有利于获得大尺寸的单晶。本发明在控制压力的氧气或氢气气氛下，高温退火处理石墨烯的金属生长基底，并联合计算模拟碳含量在金属表面和内部的演变，优化退火条件，最终得到适合工业标准化生产的低成核密度的金属基底。 | ||||||
| 153 | 一种直拉单晶产业化直径生长自控的工艺方法 | CN201611116993.4 | 2016-12-07 | CN106637389A | 2017-05-10 | 王建平; 李建弘; 郝勇; 王岩 |
| 本发明提供了一种直拉单晶产业化直径生长自控的工艺方法，包括以下步骤：1)、固定导流筒位置,确定炉体内导流筒下沿位置；2)、固定液面位置,确定坩埚内硅溶液液面距导流筒下沿位置；3)、固定CCD摄像机位置,将CCD摄像机的摄像头正对坩埚内硅液单晶生长光圈，通过CCD摄像机采集拉晶时的外径尺寸；4)、首炉直径校正；5)、拉晶生产。本发明所述的一种直拉单晶产业化直径生长自控的工艺方法中，通过该方法实现产业化规模化生产一种直径规格的单晶时，自动控制每炉单晶生长直径，保证每炉单晶直径值几乎一致，不需要每炉反复校正，提高自动化水平；降低劳动强度，降低人工成本；降低回收料比例。 | ||||||
| 154 | 便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法 | CN201510727377.1 | 2015-10-30 | CN106637385A | 2017-05-10 | 吴丹 |
| 本发明的便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器，加热器主体具有相对的第一端部和第二端部，沿第一端部向第二端部延伸设置第一狭槽以及沿第二端部向第一端部延伸设置第二狭槽，第一狭槽和第二狭槽交替设置，第二狭槽中部分或全部为调节发热分布的调节槽。本发明的直拉单晶方法，包括步骤：装料；利用前述加热器化料形成熔体；调节加热器的功率，控制熔体的纵向温度梯度，将籽晶插入熔体表面进行熔接，并依次进行引晶、放肩、转肩、等径生长以及收尾后即得单晶硅。本发明的便于调节温度梯度的直拉单晶用加热器及直拉单晶方法利用调节槽调节加热功率，可以获得不同的温度分布，能形成适应高拉速、低杂质含量、低缺陷等各种需求的、优化的温度梯度。 | ||||||
| 155 | 一种炔基取代的咪唑离子液体单晶体的制备方法 | CN201611225911.X | 2016-12-27 | CN106632056A | 2017-05-10 | 牟宗刚; 罗锐亭 |
| 本发明涉及一种炔基取代的咪唑离子液体单晶体的制备方法，制备方法包括如下步骤：（1）将摩尔比为1:2.2的三甲基硅咪唑和炔丙基氯加入三口烧瓶中，二氯甲烷作为反应溶剂，加热回流24 h；（2）普通蒸馏于40℃时蒸除溶剂二氯甲烷，于58℃时蒸除未反应完的少量炔丙基氯；（3）减压蒸馏至无气泡产生为止，得到黄色粘性液体。（4）将摩尔比为1:1.1的饱和NaBF4盐溶液和1,3‑二炔基咪唑氯盐加入三口烧瓶中，丙酮作为反应溶剂，常温下搅拌24小时；（5）过滤出白色沉淀得滤液，丙酮洗涤沉淀两到三次；（6）先常压后减压蒸除溶剂丙酮，得到淡黄色的固体，挥发法培养单晶。本发明操作条件温和，过程简单，收率高，稳定性好。 | ||||||
| 156 | 化合物SrCdGeS4及其制备方法、红外非线性光学晶体及其制备方法和应用 | CN201610898089.7 | 2016-10-14 | CN106629819A | 2017-05-10 | 尹文龙; 余盛全; 唐明静; 张羽; 袁泽锐; 窦云巍; 方攀; 陈莹; 谢婧; 康彬; 邓建国 |
| 本发明公开了一种化合物SrCdGeS4及其制备方法、红外非线性光学晶体及其制备方法和应用。本发明采用高温固相反应法，经过两次烧结制备出SrCdGeS4化合物纯相，采用水平梯度冷凝法或坩埚下降法生长出红外非线性光学晶体；本发明的方法使晶体易长大且质量较高，具有生长速度较快，成本低，容易获得较大尺寸晶体等优点。红外非线性粉末倍频测试表明，在基频光为2090nm激光照射下，SrCdGeS4具有强的非线性效应，在41～74μm粒径范围内的倍频信号强度约为同粒径红外经典材料AgGaS2的信号强度的3倍。本发明获得的红外非线性光学晶体材料SrCdGeS4，在红外激光变频领域具有潜在的应用价值。 | ||||||
| 157 | 一种利用毒重石酸解制备氯化钡并联产硫酸钙晶须的方法 | CN201710007246.5 | 2017-01-05 | CN106629804A | 2017-05-10 | 杨虎; 颜杰; 邹伟; 叶宇玲; 陈炯 |
| 本发明涉及精细化工技术领域，具体为一种利用毒重石酸解制备氯化钡并联产硫酸钙晶须的方法。该方法利用盐酸酸解毒重石制备氯化钡，同时副产的高钙液加入硫酸制备附加值高的硫酸钙晶须，最后过滤得到盐酸可进行循环利用。这样不仅合理利用毒重石资源的副产钙水，变废为宝，还使得原料之一盐酸能够实现循环回收利用，这对资源的保护和合理利用，环境的保护以及产业的健康发展都具有重要的意义。 | ||||||
| 158 | 使硅晶体衬底生长的装置及方法 | CN201280064149.5 | 2012-10-08 | CN104011270B | 2017-05-10 | 菲德梨克·M·卡尔森; 布莱恩·T·海伦布鲁克 |
| 揭示一种使硅晶体衬底生长的装置，其包括热源、异向性热负载平衡构件、坩埚以及冷却板构件。异向性热负载平衡构件具有高导热性，可位于热源上方且经运作以便平衡从热源散发的温度及热通量变化。坩埚可经运作以容纳熔融硅，其中熔融硅的上表面可界定为生长界面。坩埚可被异向性热负载平衡构件实质上围绕着。冷却板构件可位于坩埚上方，与异向性热负载平衡构件及热源一同运作以便使熔融硅的生长表面处保持热通量均匀。 | ||||||
| 159 | 一种CPU生产方法 | CN201611178430.8 | 2016-12-19 | CN106601599A | 2017-04-26 | 王小荣 |
| 本发明提供一种CPU生产方法，所述的制备方法包括以下步骤，提纯硅、切割晶圆、影印、蚀刻、重复、分层、封装，硅提纯采用熔体导模法，将原材料硅中掺杂碳，制成含碳二氧化硅，且提纯过程中器皿采用铂、铱和钼器皿，本发明的有益效果是提高了硅纯度、晶圆尺寸更好的满足CPU生产的需要。 | ||||||
| 160 | 一种SiC晶片的制备方法 | CN201611126092.3 | 2016-12-09 | CN106591952A | 2017-04-26 | 杨昆; 高宇; 郑清超 |
| 本发明涉及一种SiC晶片的制备方法，包括以下步骤：步骤一，采用高纯的硅粉和碳粉为原料，在高真空条件下，通入高纯氩气，放置在有覆层的石墨坩埚中进行高温合成，得到低氮浓度和硼浓度的高纯SiC粉料；步骤二，在高真空条件下，通入高纯氩气或者氩气和氢气的混合气体，将SiC粉料放置在有覆层的石墨坩埚中进行高温预处理，并且采用固态源进行掺杂；步骤三，生长出的单晶进行滚圆和定向处理，获得标准的晶锭，然后经过多线切割和研磨抛光处理，得到半绝缘SiC抛光片；步骤四，将晶片在真空条件下，加热，并保持2‑10h,再经过降温时间10‑20h即可。本发明的有益效果是：所制备的SiC晶体的电阻率高、缺陷低；提高了晶体的质量。 | ||||||
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