首页 / 国际专利分类库 / 化学;冶金 / 晶体生长(通过结晶的分离一般入B01D9/00)
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
121 一种料装料方法 CN201710049970.4 2017-01-23 CN106835272A 2017-06-13 王全志; 赖依烽; 晏文勇; 邓清香; 叶行方; 李林东; 肖贵云; 陈志军; 陈伟; 金浩
申请公开了一种料装料方法,包括:在坩埚底部装入硅料籽晶;在所述硅料籽晶的上部装入多层具有中间空隙的状料;在最上面一层具有中间空隙的块状料的上部装入一层密排的块状料;在所述密排的块状料的上部装入剩余的硅料。本申请提供的上述硅料装料方法,能够在低成本的前提下,优化底部的温度,使得底部籽晶保留的面积增多。
122 一种III族氮化物衬底的制备方法 CN201710030646.8 2017-01-17 CN106835268A 2017-06-13 王峰
发明公开了一种III族氮化物衬底的制备方法,包括:选用衬底作为基体,在一定真空度下,通过RF射频将SiC衬底加热至1400~1650℃,在外延热分解过程中通入Ar/H2混合气作为载气,在SiC衬底的碳面或硅面外延生长多层石墨烯层;在多层石墨烯层表面沉积生长III族氮化物成核层;在III族氮化物成核层的表面生长厚层III族氮化物;通过机械剥离法剥离SiC基体,对剥离掉SiC基体的III族氮化物薄片的表面进行研磨抛光,获得III族氮化物衬底。可以在SiC衬底的碳面或硅面外延生长大面积、高质量的多层石墨烯层,生长高质量的III族氮化物成核层。得到氮化物衬底片应小、缺陷密度低、晶体质量高。
123 一种氢化物气相外延反应室旋转流动装置 CN201611095723.X 2016-12-02 CN106835267A 2017-06-13 李成明; 刘鹏; 张国义
发明公开了一种氢化物气相外延反应室旋转流动装置,包括反应室,该反应室上设有进气机构和排气口,反应室内设有石墨舟,所述反应室内壁上设有旋转涡流产生装置,该旋转涡流产生装置位于石墨舟边缘与反应室内侧壁之间,该旋转涡流产生装置将从进气机构中进入到反应室内的气体引导至石墨舟并产生涡流流动,旋转涡流产生装置为喷管射流混合装置,该喷管射流混合装置包括至少两个对称设置在反应室内侧壁的喷管,喷管上设置至少一个吸入口,喷管的进气口与进气机构连接。本发明利用涡流,使气体与材料充分混合,在反应腔的石墨舟表面形成组份分布更加均一恒定的反应源材料,生成材料组份相同、厚度也相同的GaN薄膜晶体材料。
124 用于蛋白结晶和生物技术的微孔板和方法的改进 CN201380017645.X 2013-03-28 CN104204187B 2017-06-13 R·E·索恩; B·阿普克; R·纽曼
用于人工和高通量蛋白晶体生长以及其他生物或有机晶体生长的设备和方法。一微孔板包含多个单元格,以及一限定微孔板中单元格的边框。在每个单元格中至少存在一个上部开口的孔。单元格中的每个孔底部可以封闭,或者其底部是开口的,但孔底部由一独立部件封闭,其可以为独立的膜或板(例如塑料、玻璃或金属)或一模制部件。
125 一种具有六棱柱状氮化晶须的制备方法 CN201611237098.8 2016-12-28 CN106801258A 2017-06-06 刘学超; 王华杰; 孔海宽; 忻隽; 高攀; 施尔畏
发明涉及一种具有六棱柱状氮化晶须的制备方法,所述具有六棱柱状氮化铝晶须的制备方法,采用物理气相传输法,通过中频感应加热方式将原料AlN加热成气相,通过控制生长温度为1700‑1750℃,控制生长压为200‑300 Torr,结晶形成六棱柱状的AlN晶须。本发明在较低的温度下,通过控制生长速率获得六棱柱AlN晶须。
126 一种固相法制备六片晶的方法 CN201611243683.9 2016-12-29 CN106801256A 2017-06-06 商少明; 刘浩; 顾丹
发明公开了一种固相法制备六片晶的方法,属于无机材料制备技术领域。该方法的主要特点在于:以钾源、钛源为原料,加入少量晶型诱导剂,混合均匀后,将混合物在高温下煅烧制得四钛酸钾片晶,并以此为前驱体经过二次煅烧,从而制备出平均直径为1.0‑5.7μm,平均厚度为0.1‑0.5μm的六钛酸钾片晶。利用固相法制备六钛酸钾片晶,而不使用传统的湿法工艺,不仅简化了生产工序、降低企业的能耗,同时利用晶型诱导剂一步制得四钛酸钾片晶,还避免湿法制备工艺所产生的废处理问题,因此很适合工业化生产。
127 SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法 CN201580054987.8 2015-10-07 CN106795648A 2017-05-31 岸田豊; 龟井一人; 大黑宽典; 土井雅喜
发明提供能够使台阶流动的方向和SiC溶液在晶体生长界面的附近流动的方向为相反方向的SiC单晶的制造装置和SiC单晶的制造方法。坩埚石墨形成,用于容纳SiC溶液。第1感应加热线圈和第2感应加热线圈卷绕在坩埚的周围。第1感应加热线圈配置于比SiC溶液的表面靠上方的位置。第2感应加热线圈配置于第1感应加热线圈的下方。电源用于向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流,该第2交变电流具有与第1交变电流相同的频率且向与第1交变电流相反的方向流动。自坩埚所具有的侧壁中的与SiC溶液相接触的部分的、因电源向第1感应加热线圈供给第1交变电流且向第2感应加热线圈供给第2交变电流而产生的磁场的强度达到最大的位置到SiC溶液的表面为止的距离满足预定的式子。
128 多晶破碎物、多晶硅破碎物的制造方法及多晶硅破碎装置 CN201580054867.8 2015-10-09 CN106794992A 2017-05-31 川口一博; 藤井正美; 内田翔; 近藤学; 三户美文; 义松信昭
发明提供一种多晶破碎物,能够对制造单结晶硅晶棒时的操作性、生产性有所帮助。多晶硅破碎物是由破碎多晶硅而得,其中粒子尺寸500~1000μm的多晶硅粉的含有比例是0.1~40ppmw。
129 一种有效防止炉膛冷点的加热模 CN201611207398.1 2016-12-23 CN106757375A 2017-05-31 李照存
发明公开了一种有效防止炉膛冷点的加热模,包括保温护罩和设置在保温护罩内壁上的电热合金丝,所述电热合金丝的两端分别引出埋藏在保温护罩两端内的上电极和下电极,上电极和下电极的自由端分别连接引出电极。本发明把上电极和下电极设计成特殊的U形或C形,引出电极开槽形成弓字形,利用自身发热的特性,同时降低其热导性,消除生长炉温场由于电极引出产生的“冷点”,大大提高了炉膛温场的径向温度均匀性,解决了单晶的生长在径向横截面的温度不均匀问题。而每个加热模块可独立温控,一个加热炉可以组合不同高度的多个加热模块,实现任意的温场曲线,适应各种需要特殊的温度曲线的加热炉。
130 一种甲胺铅碘矿单晶微腔及其制作方法 CN201611053381.5 2016-11-25 CN106757372A 2017-05-31 崔艳霞; 孔维民; 梁强兵; 李国辉; 纪兴启; 郝玉英
发明属于微型激光谐振腔设计与制备的技术领域,特别是涉及一种金属卤化物矿单晶微腔及其制造方法。一种甲胺铅碘钙钛矿单晶微腔,以母片为基底沉积甲胺铅碘钙钛矿形成单晶微腔,其外形为规则三形或六边形纳米片,三角形或六边形的边长尺寸都为3至15微米,厚度为50至100纳米。本发明还涉及制作方法。在气相沉积的第二步(由卤化铅晶体向钙钛矿晶体的转化过程)不通入任何的惰性气体,而是通过静置蒸发的方法完成钙钛矿晶体的制备。
131 一种制备大面积有机无机杂化矿单晶纳米线阵列的方法 CN201611075753.4 2016-11-30 CN106757370A 2017-05-31 揭建胜; 张秀娟; 邓巍
发明公开了一种制备大面积有机无机杂化矿单晶纳米线阵列的方法,其采用流体引导协同不良溶剂蒸汽辅助结晶。该方法主要步骤为:首先,在密闭容器注入一定量的钙钛矿不良溶剂,随后在内放置一个小度的斜坡,然后将带有光刻胶阵列的基底作为生长模板放置在斜坡上,并使斜坡倾斜的方向与光刻胶阵列的方向一致,最后在模板上滴入一定体积的有机无机杂化钙钛矿前驱体溶液,密闭容器,待钙钛矿溶液挥发完后,在光刻胶阵列的两侧及得到了有机无机杂化钙钛矿纳米线的阵列。本方法工艺简单、成本低廉、实用性强。
132 一种氮化单晶纳米管阵列的生长方法 CN201611007174.6 2016-11-16 CN106757358A 2017-05-31 卢红亮; 张远; 丁士进; 张卫
发明属于半导体纳米技术领域,具体为单晶氮化(AlN)纳米管阵列的生长方法。本发明在低温条件下,使用ZnO纳米线阵列作为模板,使用原子层沉积膜(ALD)方法在ZnO纳米线上生长AlN单晶薄膜,生长温度设在200‑500℃之间,最后通过去除ZnO纳米线模板,得到排列整齐、管壁厚度均匀可控的单晶AlN纳米管阵列。本发明的优点是在低温条件下实现了AlN单晶纳米管阵列的生长,极大降低了对生长温度和对真空度的要求,其工艺简单,生长成本低。本发明在基于AlN的深紫外发光器件、压电器件、表面与体声波器件、场发射器件方面有着广阔的应用前景。
133 锗酸铋单晶体的生长方法 CN201710082989.9 2017-02-16 CN106757353A 2017-05-31 刘运连; 朱刘; 狄聚青; 胡智向; 文崇斌
发明公开了一种锗酸铋单晶体的生长方法,属于晶体生长领域。本发明采用可旋转多坩埚技术与垂直梯度凝固法相结合的方法生长锗酸铋单晶体。本发明提供的方法,改善了晶体生长界面温度场的径向对称性,提高锗酸铋单晶体的生长质量,同时有利于组分扩散,促进组分均匀分布,加快了锗酸铋单晶体的生长速度。本发明程序控制程度高,温度精确度高,波动小,重复性好,产量大,成本低。
134 一种蓝宝石全自动化生产线 CN201611243163.8 2016-12-29 CN106757348A 2017-05-31 丁钰明; 滕斌; 康森; 段斌斌; 张吉; 朱宏杰; 孙寅; 常慧
发明涉及蓝宝石全自动化生产技术领域,尤其是一种蓝宝石全自动化生产线,包括地面,所述晶体传送带上装有称料车,称料车一侧设有炉体,所述晶体传送带远离地面的上方设有二层地面,所述二层地面的上方设有升降填料传送带,所述升降填料传送带的两侧设有相互配合的原料传送带,所述原料传送带上装有原料传送车,所述原料传送带的一侧连接有原料运输线,所述原料运输线远离晶体吊起装置的端口设有称料、装料区,所述称料、装料区连接有废料传送带,在所述晶体传送带的终点利用晶体吊起装置包括机械臂吊起晶体分拣在分拣运输车上。本发明具有较高的优势,更加人性化,且安全可靠,效率高,值得推广。
135 一种横向提高多晶定向凝固提纯得率的设备和方法 CN201611184955.2 2016-12-20 CN106757336A 2017-05-31 李鹏廷; 任世强; 庄辛鹏; 谭毅; 姜大川; 李佳艳
发明公开了一种横向提高多晶定向凝固提纯得率的设备和方法,所述设备包括冷柱,所述水冷柱的侧壁外侧设有环形石墨坩埚,所述水冷柱和所述环形石墨坩埚的轴线位于同一直线上,所述环形石墨坩埚的侧壁外侧设有环形发热体,所述环形发热体的侧壁外侧设有环形加热体,所述环形石墨坩埚的底部设有旋转托盘,所述水冷柱内设有循环流道。本发明采用的是横向凝固方式,并且材料用离心保证固液界面扩散层厚度降低,增加其分凝效果。
136 提升多晶锭转换效率的方法 CN201611143529.4 2016-12-13 CN106757329A 2017-05-31 王建隆; 徐建国; 顾燕滨; 王飞; 刘洁; 胥明
一种提升多晶锭转换效率的方法,包括以下步骤:首先准备原料,所述原料包括氯化铵和硅料;接着将原料一起高温加热,使所述原料熔融均匀后再固化,即得到多晶硅锭,所述原料包括1质量份的硅料和1.0x10‑8~20.0x10‑8质量份的氯化铵,利用硅主材内杂质相互束缚的原理,使其产生的氯离子与硅主材本身所含之金属杂质离子产生化合或错化物,以有效抑制硅锭内金属杂质与少数载子的复合,从而增加硅锭的少子寿命,以达硅锭转换效率之提升,通过此独创之方法,其相对转换效率最大可提升约0.2%。
137 确定外延机台腔体内温度均匀性的方法 CN201611216853.4 2016-12-26 CN106757328A 2017-05-31 陈海波
发明公开了一种确定外延机台腔体内温度均匀性的方法,其特征在于,包括步骤,A、提供一基板片;B、将基板片放入外延机台内,在基板片上生长一层多晶层;在基板上生长多晶层,多晶层的生长温度为600℃‑950℃,多晶层生长过程中,基板片不旋转;C、多晶层生长完成后,测定多晶层的厚度分布,根据多晶层的厚度分布可得出外延机台腔体内的温度分布;如各点厚度一致,则腔体内各处的温度相同;若各点厚度不一致,则多晶层厚度越厚,对应外延机台腔体内该处的温度越高;多晶层厚度越薄,则对应外延机台腔体内该处的温度越低。本发明可利用多晶层的厚度分布是否均匀判断外延机台腔体内的温度是否均匀,借此可判断基板片在外延机台内的受热是否均匀。
138 一种单晶提拉炉 CN201710138801.8 2017-03-09 CN106757312A 2017-05-31 惠梦君; 徐向众
发明公开了一种单晶提拉炉,其包括坩埚、加热器和旋转支撑组件,所述坩埚内设置有硅熔体,所述坩埚配套设置有用于对其加热的加热器,所述旋转支撑组件连接于所述坩埚上为坩埚提供支撑和旋转驱动,所述坩埚的旋转方向与所述硅单晶棒的旋转方向相反,其中,所述坩埚底部的中心处设置有冷点,所述冷点上设置有降温装置。上述硅单晶提拉炉于坩埚底部中心设置一个冷点,与硅熔体中心处的反向对流进行热交换,以给固液界面降温,从而加快结晶速度,增加晶棒拉速,使提拉炉等径平均拉速可以达到每分钟2毫米,工艺时间缩短一半,总生产周期缩短20%,总能耗降低20%以上。
139 一种芯拉制装置 CN201611178646.4 2016-12-19 CN106757310A 2017-05-31 刘朝轩
一种芯拉制装置,涉及人工晶体领域,本发明通过在高频线圈的上方设置若干导向孔,其数量及位置与所拉制的硅芯相对应,在高频线圈的上方设置了供硅芯下端通过的导向孔,在硅芯拉制过程中,通过导向孔来限制硅芯下端的上升路径,从而避免了硅芯在拉制过程中下端出现晃动的现象,有效防止了打火现象的产生。
140 SiC单晶及其制造方法 CN201380020512.8 2013-04-05 CN104246026B 2017-05-31 旦野克典
发明的目的是提供降低了螺旋位错、刃型位错、以及微管缺陷这些贯穿位错密度的高品质的SiC单晶、以及这样的SiC单晶的采用熔液法的制造方法。一种采用熔液法的SiC单晶制造方法,使SiC籽晶接触具有从内部向表面温度降低的温度梯度的Si‑C熔液而使SiC单晶生长,该制造方法包括:使Si‑C熔液的表面区域的温度梯度成为10℃/cm以下;使SiC籽晶的(1‑100)面接触Si‑C熔液;以及在籽晶的(1‑100)面上以小于20×10‑4cm2/h·℃的、SiC单晶的生长速度相对于温度梯度的比使SiC单晶生长,所述比即是单晶的生长速度/温度梯度。
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