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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | MEMS扭转式静电驱动器的制作方法 | CN201410724507.1 | 2014-12-02 | CN105712288B | 2017-10-27 | 荆二荣 |
| 一种MEMS扭转式静电驱动器的制作方法，以基于绝缘体的硅晶片为基片，通过对第一硅层、埋氧化层和第二硅层的图形化，在第一硅层形成上极板，在第二硅层形成下极板，埋氧化层用作上下极板之间的绝缘层和牺牲层材料，上极板和下极板大概重合40％～60％的面积。当在上接触电极和下接触电极施加电压时，上极板与下极板对应的部分受到的静电力大于与背腔对应部分受到的静电力，导致悬臂梁发生扭曲和上极板发生扭转运动，这就是MEMS扭转式静电驱动器，其相对于平板电容驱动器有更大的驱动力和动态范围。 | ||||||
| 22 | 芯片封装体及其制造方法 | CN201610244599.2 | 2016-04-19 | CN106082110B | 2017-10-24 | A·德厄; T·基尔格; D·迈尔; M·梅纳特; F·X·米尔鲍尔; D·波尔沃尔; J·瓦格纳 |
| 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。 | ||||||
| 23 | 各种形貌MEMS封帽的加工方法 | CN201410409220.X | 2014-07-23 | CN104340954B | 2017-10-24 | X·应; L·李; A·S·克尔克; B·S·波利奇 |
| 一种各种形貌MEMS封帽的加工方法。一种器件，包括在晶片表面中形成的侧壁，其中该侧壁下行至凹进表面。该凹进表面大体增进了晶片表面、包括晶片上的拐角(例如，晶片表面和诸如腔、凹进表面等各种表面形貌之间的接合处)上的抗蚀剂覆盖度。在一个或多个实施例中，采用湿法刻蚀方法形成侧壁和凹进表面。抗蚀剂材料(例如，光刻胶材料)被沉积到晶片表面上，其中光刻胶完全覆盖晶片表面的一个或多个顶部拐角。在一个或多个实施例中，凹进表面邻近在晶片中形成的沟槽定位以增进晶片顶表面上的抗蚀剂覆盖度。 | ||||||
| 24 | 机械可控纳米间隙的单层石墨烯单分子结制备方法 | CN201710360918.0 | 2017-05-13 | CN107265396A | 2017-10-20 | 向东; 倪立发; 张伟强; 郭晨阳; 王璐; 王玲; 赵智凯; 张天 |
| 本发明公开了一种可精密控制纳米间隙的单层石墨烯电极的方法，以及构建以石墨烯为电极的单分子结的技术和工艺流程。本发明是利用单层薄膜制备工艺、微纳加工相关技术和机械可控裂结技术实现的。通过将制备的单层石墨烯芯片置于机械可控三点弯曲装置上，连续弯曲基板使得单层石墨烯断裂，形成可控纳米间隙的单层石墨烯电极对。最后通过利用酰胺共价键在间隙间连接有机分子来形成单层石墨烯单分子结。由于该方法可在皮米级别精确调控纳米间隙的大小来匹配分子长度，因此可以实现单层石墨烯单分子结的高效量产。而且单层石墨烯性质稳定，提高了单分子结器件的稳定性，为分子器件的工业化奠定了基础，在分子电子学的发展方面具有较大意义。 | ||||||
| 25 | 用于沟槽侧壁平坦化的硅蚀刻的方法 | CN201380047346.0 | 2013-08-23 | CN104620364B | 2017-10-20 | K·余; A·库玛 |
| 本发明描述用于沟槽侧壁平坦化的硅蚀刻的方法。在一个实施例中，一种方法涉及经由等离子体蚀刻平坦化半导体晶圆中形成的沟槽的侧壁。所述方法包括利用自氟气产生的等离子体定向蚀刻半导体晶圆以平坦化沟槽的侧壁，所述沟槽具有由诸如氧或聚合气体的第二处理气体产生的等离子体形成的保护层。在另一实施例中，一种方法涉及蚀刻半导体晶圆以产生具有平坦侧壁的沟槽。所述方法包括以下步骤：利用包括氟气的一或更多种第一处理气体等离子体蚀刻半导体晶圆；利用包括氟气及聚合气体混合物的一或更多种第二处理气体同时执行沉积及等离子体蚀刻半导体晶圆；及利用包括聚合气体的一或更多种第三处理气体执行沉积。 | ||||||
| 26 | 被限位的膜 | CN201480030777.0 | 2014-06-02 | CN105263851B | 2017-10-13 | J·W·津恩 |
| 本发明提供了一种MEMS的被限位的膜。所述MEMS的被限位的膜包括第一层和第二结构。所述第一层具有外部段和内膜。所述外部段和内膜通过间隙彼此分开并具有内膜突起和外部段突起，内膜突起和外部段突起通过所述间隙形成的。第二结构耦接至所述外部段并具有叠置在对应的内膜突起上方的第二突起。 | ||||||
| 27 | 微机电声音探测装置以及用于制造该装置的方法 | CN201280019024.0 | 2012-02-20 | CN103609141B | 2017-10-13 | J·策林; U·肖尔茨; R·埃伦普福特 |
| 本发明涉及微机电声音探测装置，包括衬底，壳体，至少一个用于声音穿过的开口和用于拾取声音的微机电元件，其中壳体借助模制被构造用于作为空腔提供前容积和后容积用于通过微机电元件探测声音。本发明同样涉及用于制造微机电声音探测装置的方法以及声音探测装置的应用。 | ||||||
| 28 | 基于DMD的动态掩模的水凝胶微柱阵列的快速制作方法 | CN201610167947.0 | 2016-03-23 | CN107229189A | 2017-10-03 | 刘连庆; 杨文广; 于海波; 王越超 |
| 本发明涉及一种基于DMD的动态掩模的水凝胶微柱阵列的快速制作方法。本发明利用数字微镜阵列(DMD)作为动态掩模，并结合紫外光诱导水凝胶发生聚合反应的技术在玻璃表面上形成图形可控的水凝胶微柱阵列方法。光引发剂吸收光斑紫外光产生自由基，从而引发PEGDA单体的自由基交联反应，实现从液态向固态的转变。利用这种水凝胶微柱阵列的制作方法，不需要任何的物理模板，根据所需要的水凝胶的结构通过计算机设计相应的二进制图像，通过紫外光将图形反射到玻璃基底即可得到所需的PEGDA的水凝胶微柱阵列结构。通过本发明这种方法，可以精确控制微柱的生长位置，微柱的形状，并且可以通过控制所设计图形的尺寸来控制微柱的尺寸。 | ||||||
| 29 | 一种特氟龙快速微加工装置及方法 | CN201710548247.0 | 2017-07-06 | CN107215847A | 2017-09-29 | 李以贵; 吕曈; 蔡金东; 黄远; 颜平; 王欢 |
| 本发明公开了一种新的特氟龙加工装置及工艺，包括同步辐射光源、喷嘴、光束整形器、加热板，其中：同步辐射光源位于喷嘴前端，光束整形器位于加热板的中心位置，加热板上的电阻丝采用钨电阻丝，加热板基片采用玻璃材料，能使加热丝绝缘。同步辐射光源产生的同步辐射光，通过喷嘴汇聚在光束整形器上，形成一束较细的同步辐射光束，照射到特氟龙加工件上进行特氟龙微加工，同时使加热板贴近特氟龙工件对特氟龙工件实行局部加热，实现快速加工。 | ||||||
| 30 | MEMS传感器晶圆、MEMS传感器晶圆的裂片方法 | CN201710390893.9 | 2017-05-27 | CN107188111A | 2017-09-22 | 汪祖民; 朱恩成 |
| 本发明公开了一种MEMS传感器晶圆、MEMS传感器晶圆的裂片方法，属于MEMS传感器领域。该MEMS传感器晶圆包括若干个纵横排列的MEMS传感器单元；每个MEMS传感器单元的背面设置有一个硅杯，每个硅杯的所在位置对应一个MEMS传感器结构；在MEMS传感器晶圆的背面，任意相邻的两行MEMS传感器单元间存在一条裂片通道，任意相邻的两列MEMS传感器单元间存在一条裂片通道；裂片通道的剖面为等腰三角形，等腰三角形的底边与MEMS传感器晶圆的背面的表面在同一平面；解决了通过机械划片或激光划片时容易造成晶圆上的器件结构损坏、晶圆出片率低的问题；达到了减少划片时的粉尘，提高划片效率和晶圆出片率的效果。 | ||||||
| 31 | 用于制造MEMS器件的方法以及MEMS器件 | CN201410423101.X | 2014-08-26 | CN104418288B | 2017-09-15 | A.德赫; C.格拉策尔; S.皮尔克 |
| 公开了用于制造MEMS器件的方法以及MEMS器件。用于制造MEMS器件的方法，包括：在与牺牲层相邻的层内提供腔体。所述腔体延伸到所述牺牲层，并且包括伸出到层中的毛细槽。通过将所述牺牲层暴露于通过所述腔体所引入的刻蚀剂来去除所述牺牲层。 | ||||||
| 32 | MEMS器件 | CN201410694629.0 | 2014-11-27 | CN104671186B | 2017-09-12 | S.科尔布; A.迈泽; T.施勒泽; W.维尔纳 |
| MEMS器件包括固定电极和与固定电极隔离且间隔开一定距离而布置的活动电极。活动电极通过包括绝缘材料的一个或多个隔离件对着固定电极悬置，其中，活动电极被横向地附加于所述一个或多个隔离件。 | ||||||
| 33 | 封闭的MEMS器件的内部电接触 | CN201410044191.1 | 2014-01-30 | CN103964366B | 2017-09-12 | 克刚·黄; 申钟禹; 马丁·利姆; 迈克尔·朱利安·达内曼; 约瑟夫·西格 |
| 在此披露了一种MEMS器件。这种MEMS器件包括一个MEMS衬片。该MEMS衬片包括一个第一半导体层，该第一半导体层由处于中间的一个介电层连接到一个第二半导体层上。由该第二半导体层形成了多种MEMS结构，并且这些结构包括多个第一导电垫片。这种MEMS器件进一步包括一个基底衬片，该基底衬片包括在其上的多个第二导电垫片。这些第二导电垫片被连接到第一导电垫片上。最后，这种MEMS器件包括一个导电连接件，这个导电连接件是穿过该MEMS衬片的介电层而形成的以提供在该第一半导体层与该第二半导体层之间的电耦联。该基底衬片被电连接到该第二半导体层以及第一半导体层上。 | ||||||
| 34 | MEMS器件中的拱形结构及其制造方法、MEMS器件 | CN201610115279.7 | 2016-03-01 | CN107140597A | 2017-09-08 | 高建峰; 贺晓彬; 赵超; 李俊峰 |
| 本发明提供一种MEMS器件中的拱形结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上旋涂SU‑8的第一光刻胶层并进行第一烘烤工艺，而后对所述第一光刻胶层进行曝光；在所述第一光刻胶层上旋涂SU‑8的第二光刻胶层；将所述衬底进行静置，以使得第一光刻胶层的曝光区域的光酸扩散至未曝光的第一光刻胶层及第二光刻胶层；进行第二烘烤工艺，以使得有光酸的区域的环氧基交联而形成拱形结构；进行显影。该方法基于光刻工艺形成拱形结构，易于小型化和批量生产，形成光滑且连续表面的拱形结构，具有高稳定性和可靠性，此外与传统的CMOS工艺兼容，易于在MEMS器件中的集成。 | ||||||
| 35 | 半导体结构及其制造方法 | CN201710100538.3 | 2017-02-23 | CN107128869A | 2017-09-05 | 黄富骏; 严立丞; 吴咨亨; 蔡易恒; 郑创仁 |
| 一种半导体结构，包括衬底；介电层，设置在衬底上方；传感结构，设置在介电层上方；接合结构，设置在介电层上方；导电层，覆盖传感结构；以及阻挡层，设置在介电层、导电层和接合结构上方；其中，导电层和接合结构至少部分地从阻挡层暴露。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||||||
| 36 | 用于通过嵌段共聚物的自组装在衬底上设置光刻特征的方法 | CN201480015196.X | 2014-02-26 | CN105051863B | 2017-09-05 | S·伍伊斯特尔; E·皮特斯 |
| 使得具有第一和第二嵌段的可自组装的嵌段共聚物(BCP)从围绕所述衬底的光刻凹陷和衬底上的伪凹陷的区域移动到所述光刻凹陷和所述伪凹陷中，使所述光刻凹陷中的嵌段共聚物自组装成有序层，所述层包括第一嵌段域和第二嵌段域，以及选择性地去除第一域，以在所述光刻凹陷中形成包括所述第二域的光刻特征，其中所述伪凹陷的宽度小于嵌段共聚物进行自组装所需要的最小宽度，且其中所述伪凹陷处于所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域中，嵌段共聚物被从所述衬底的围绕所述光刻凹陷的区域移动，光刻凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度大于伪凹陷的侧壁的多个部分之间的宽度。 | ||||||
| 37 | 微机电系统湿度感测器 | CN201710069088.6 | 2017-02-08 | CN107121460A | 2017-09-01 | 陈东村; 朱家骅; 黄睿政; 郑钧文; 谢正祥 |
| 一种微机电系统(micro‑electro mechanical system,MEMS)湿度感测器，包含第一基板、第二基板及感测结构。第二基板与第一基板大致平行。感测结构介于第一基板与第二基板之间，并接合第一基板的一部分及第二基板的一部分，其中第二基板包含导电层面对感测结构，且介于第一基板与感测结构之间的第一空间与外部连通或隔离，且介于导电层与感测结构之间的第二空间与气氛连通，且感测结构、第二空间及导电层构成设置用以量测气氛的介电常数的电容器，而气氛的湿度从气氛的介电常数、气氛的压力及温度导出。 | ||||||
| 38 | 部件 | CN201210131103.2 | 2012-03-16 | CN102685657B | 2017-09-01 | J·策尔兰; R·艾伦普福特; U·肖尔茨 |
| 本发明涉及一种用于MEMS构件(1)的基于晶片级的封装方案，所述MEMS构件具有至少一个构造在构件前侧中的膜片结构(2)，其中，与所述MEMS构件(1)的前侧连接有内插件(5)，所述内插件具有至少一个通孔(7)作为通向所述MEMS构件(1)的膜片结构(2)的通道开口，并且设有电敷镀通孔(8)，从而所述MEMS构件(1)可通过所述内插件(5)电接通。根据本发明，所述内插件(5)中的所述至少一个通孔(7)的横截面积比所述MEMS构件(1)的横向延展小得多。所述至少一个通孔(7)通到所述膜片结构(2)与所述内插件(5)之间的空腔(6)中。 | ||||||
| 39 | 具有改善冷却的电功率器件 | CN201580003902.3 | 2015-01-07 | CN106068684B | 2017-08-29 | J-C·利欧 |
| 本发明涉及一种电子器件，包括至少一个电子部件，该电子部件安装在支撑体上并且被包含导热且电绝缘的液体的可变形外壳围绕，所述器件包括基本平行于所述支撑体且与其隔开距离的散热板，以及用于通过所述外壳和所述板之间的传导进行热传递的装置，所述导热且电绝缘的液体被选择并且所述外壳被布置使得所述油的热膨胀产生将所述壳层压向用于通过传导进行热交换的装置的力。 | ||||||
| 40 | 具有均匀且高纵横比的纳米间隙的柱阵列结构 | CN201580060722.9 | 2015-11-17 | CN107076763A | 2017-08-18 | J·T·史密斯; R·L·布鲁斯; Y·A·阿斯迪尔; 王超; B·H·万施 |
| 提供了涉及分选实体技术。入口被配置为接收流体，以及出口被配置为排出流体。连接到入口和出口的纳米柱阵列被配置为允许流体从入口流到出口。纳米柱阵列包括被布置为按大小分离实体的纳米柱。纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙。间隙被构造为在纳米尺度范围中。 | ||||||
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