子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 41 | 一种使用非晶碳作为牺牲层制作微测辐射热计微桥结构的方法 | CN201710037813.1 | 2017-01-19 | CN107055464A | 2017-08-18 | 邱栋; 王鹏; 陈文礼; 王宏臣 |
| 本发明涉及一种使用非晶碳作为牺牲层制作微测辐射热计微桥结构的方法，包括在包含读出电路为基底的晶圆上制作金属反射层，在金属反射层上依次沉积绝缘介质层、牺牲层、支撑层、金属电极层、电极保护层、热敏层和钝化层，所述牺牲层使用非晶碳薄膜，对所述牺牲层进行图形化处理，形成锚点孔，并利用化学机械抛光工艺对非晶碳牺牲层表面进行平坦化处理，结构更平整，在锚点孔底部除去撑层和绝缘介质层，露出下面的金属块，形成通孔，利用坞插塞工艺在通孔和锚点孔内沉积金属钨，电学连接更稳定，利用等离子灰化或等离子体刻蚀，去除牺牲层，结构释放更彻底。 | ||||||
| 42 | 一种熔融石英微半球陀螺敏感结构 | CN201611139812.X | 2016-12-12 | CN107055457A | 2017-08-18 | 郭中洋; 杨军; 刘飞; 盛洁; 窦茂莲; 苏翼; 夏春晓; 刘韧; 王登顺; 崔健; 林梦娜; 刘凯 |
| 本发明属于惯性测量技术领域，涉及一种微半球陀螺，具体涉及一种熔融石英微半球陀螺敏感结构；该结构包括半球型谐振子和底座；半球形谐振子包括半球壳体和中心支撑柱；中心支撑柱一端设置在半球壳体内弧面中心顶部，中心支撑柱支撑半球壳体倒扣在底座上方，半球壳体壳壁下沿与底座不接触；半球壳体内表面和其壳壁下沿以及中心支撑柱表面设置壳体电极；底座上表面均匀、分散设置多个离面驱动/检测电极以及与壳体电极相连的多个底座偏置电极；离面驱动/检测电极的设置位置与半球壳体壳壁下沿壳体电极相对应，并且离面驱动/检测电极与壳体电极之间存在间隙；本发明能量损失较低、角增益大、灵敏度高，同时具有较强的抗冲击振动能力。 | ||||||
| 43 | 光偏转器的制造方法 | CN201710130500.0 | 2014-05-28 | CN107055453A | 2017-08-18 | 水谷秀次 |
| 本发明提供光偏转器的制造方法，光偏转器具备固定部以及可动部，可动部具备绕规定的摇动轴摇动从而使光偏转的镜部、被固定支承于固定部具有作为摇动轴的轴线的扭杆以及支承镜部且被固定于扭杆的支承体，支承体具备轴线经过的孔部，在孔部中配置有用于调整可动部的谐振频率的质量体，质量体是使可粘着的流体固化的构件，光偏转器的制造方法包含如下步骤：第1步骤，将驱动信号输入到没有在所述孔部中配置所述质量体的状态的所述光偏转器，使所述镜部摇动；第2步骤，在执行所述第1步骤的过程中，将流体状态的所述质量体提供给所述孔部；第3步骤，在执行所述第2步骤的过程中，当所述可动部的谐振频率到达预先规定的值时，停止所述质量体的提供。 | ||||||
| 44 | 体硅微加工工艺的定位方法 | CN201410660920.6 | 2014-11-18 | CN105645347B | 2017-08-08 | 荆二荣 |
| 一种体硅微加工工艺的定位方法，采用双面光刻和步进式光刻相结合的方法，通过双面光刻机找到步进式光刻机在第一基片的步进式光刻对位标记，然后直接使用步进式光刻机对第二基片进行对位。步进式光刻机的对位精度就相当于下上基片表面的图形的对位精度，因而大大提高了体硅微加工工艺的对位精度。 | ||||||
| 45 | 具有集成的密封的压力传感器封装 | CN201410499924.0 | 2014-09-26 | CN104517914B | 2017-08-08 | H.托伊斯; M.沃佩尔; H.维乔尔克 |
| 公开了具有集成的密封的压力传感器封装。一种压力传感器封装，包括：引线；以及半导体管芯，与所述引线间隔开，并且包括被部署在所述管芯的第一侧部处的端子和隔膜。所述管芯被配置为响应于跨所述隔膜的压力差而改变电参数。所述封装还包括：电导体，将所述端子连接到所述引线；模制化合物，包封所述电导体、所述管芯和所述引线的一部分；在所述模制化合物中的腔体，暴露所述隔膜；以及密封环，被部署在具有所述腔体的所述模制化合物的侧部上。所述密封环围绕所述腔体，并且具有比所述模制化合物更低的弹性模量。替换地，所述密封环可以是从具有所述腔体的所述模制化合物的所述侧部突出并且围绕所述腔体的所述模制化合物的脊。还提供一种封装制造方法。 | ||||||
| 46 | 具有多重压力的MEMS盖帽 | CN201611106763.X | 2016-12-06 | CN107010594A | 2017-08-04 | 张凯峯; 吕联沂; 蔡连尧 |
| 本发明实施例提供了一种微机电(MEMS)器件及形成方法。除气层沉积在盖帽晶圆的表面上。以形成包括第一可移动元件的第一密封腔和包括第二可移动元件的第二密封腔的方式将盖帽晶圆接合至衬底。退火除气层以从除气层释放气体至第二密封腔内并且增加第二密封腔的压力，从而使得在退火之后，第二密封腔具有比第一密封腔更高的压力。本发明实施例涉及具有多重压力的MEMS盖帽。 | ||||||
| 47 | 压力传感器及其制造方法、高度计、电子设备及移动体 | CN201710061204.X | 2017-01-25 | CN107010589A | 2017-08-04 | 松沢勇介; 衣川拓也 |
| 本发明提供一种能够减少粘附的发生的压力传感器、该压力传感器的制造方法、具备该压力传感器的可靠性较高的高度计、电子设备以及移动体。压力传感器(1)具有：基板(2)，其具有隔膜(25)；空洞部(S)，其位于隔膜(25)的一侧；顶部(49)，其以隔着空洞部(S)而与隔膜(25)对置的方式而配置，并且在基板(2)的面向空洞部(S)的表面上形成有凹凸(27)。此外，凹凸(27)具有多个凹部(271)。 | ||||||
| 48 | 一种锥形纳米碳材料功能化针尖及其制备方法 | CN201610091160.0 | 2016-02-18 | CN105712281B | 2017-08-04 | 徐建勋; 赵宇亮 |
| 本发明提供一种锥形纳米碳材料功能化针尖，是纳米碳材料通过共价键，与针尖的材料结合而成；所述针尖的材料为金属，选自钨、铁、钴、镍、钛中的一种或多种。本发明还提供所述锥形纳米碳材料功能化针尖的制备方法。本发明提出的锥形纳米材料功能化针尖具有良好的界面接触，且锥形纳米材料的取向与金属针尖的轴向匹配；提出的制备方法避免了其他制备方法中在沉积碳或钨等固定材料时对纳米材料可能造成的污染。 | ||||||
| 49 | 微机电系统封装 | CN201610970705.5 | 2016-11-04 | CN106995204A | 2017-08-01 | 陈禹睿; 王乙翕; 李仁铎; 刘人豪 |
| 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。 | ||||||
| 50 | 微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构 | CN201610040115.2 | 2016-01-21 | CN106986300A | 2017-07-28 | 顾杰斌; 刘冰杰; 李昕欣 |
| 本发明提供一种微纳机电晶圆的圆片级封装方法及结构，该结构包括：盖板，包括一硅片；硅片正面制作有保护MEMS晶圆正面微机械部件的凹槽，硅片中制作有硅通孔；硅通孔的表面形成有绝缘层；MEMS晶圆，其正面的电极上制造有金属焊盘；MEMS晶圆的正面与盖板的正面键合；所述金属焊盘与所述硅通孔的位置相对应，且所述金属焊盘至少覆盖所述硅通孔的一部分；硅通孔中具有利用液态金属微孔填充技术填充的液态金属；液态金属与金属焊盘键合；MEMS晶圆电极至盖板背面电互连。本发明采用液态金属微孔填充技术对MEMS晶圆进行圆片级封装，大大缩短了TSV的填充时间和制造成本，节省了传统的金属引线键合工艺；在MEMS晶圆电极上预设了金属焊盘保证了封装后的电性连接成功率。 | ||||||
| 51 | 具有贯穿衬底通孔（TSV）衬底插塞的电容式微机械超声换能器（CMUT） | CN201480009849.3 | 2014-02-27 | CN105073280B | 2017-07-28 | P·B·约翰逊; I·O·伍感特 |
| 一种电容式微机械超声换能器(CMUT)装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括：单晶材料的第一衬底101，第一衬底101具有包括在其上的图形化介电层的顶侧，图形化介电层包括厚介电区域106和薄介电区域107；和延伸第一衬底的整个厚度的贯穿衬底通孔(TSV)111。TSV由单晶材料形成、并且由单晶材料中的隔离区域131电气隔离，而且位于第一衬底的顶侧接触区域102a下方。膜层120b接合到厚介电区域并且在薄介电区域上方，以在微机电系统(MEMS)腔体114上方提供可移动膜。金属层161在顶侧衬底接触区域上方并且在可移动膜上方，其包括顶侧衬底接触区域到可移动膜的耦合件。 | ||||||
| 52 | 气密密封用盖材和电子部件收纳用封装件 | CN201380058789.X | 2013-11-08 | CN104781926B | 2017-07-28 | 横田将幸; 山本雅春 |
| 本发明提供气密密封用盖材，该气密密封用盖材是用于电子部件收纳用封装件的气密密封用盖材。气密密封用盖材(1)由包括基材层和表面层的复合材构成，该基材层由含有Ni、Cr和Fe的Ni－Cr－Fe合金或者含有Ni、Cr、Co和Fe的Ni－Cr－Co－Fe合金构成，该表面层接合于基材层的电子部件收纳构件侧的表面，由Ni或Ni合金构成。 | ||||||
| 53 | 制造微机电系统封装的方法 | CN201610817614.8 | 2016-09-12 | CN106976838A | 2017-07-25 | 程世伟; 许希丞; 陈信宇; 蒋季宏; 翁睿均; 吴威鼎; 吴毓瑞; 胡景翔; 陈明聪 |
| 本揭露是关于一种制造微机电系统封装的方法，通过将排气元件引入空腔中，透过排气以调整空腔内的压力。于部分实施例中，形成排气元件于互补式金属氧化物半导体基板的钝化层内。形成排气阻层以覆盖排气元件。移除覆盖在排气元件上方的排气阻层。连接微机电系统基板至互补式金属氧化物半导体基板的前侧，以将第一微机电系统元件封闭至第一空腔中，并将第二微机电系统元件封闭至第二空腔中，其中在移除排气阻层后，排气元件释放气体至第二空腔内以增加第二空腔内的第二压力，使第二压力大于第一空腔内的第一压力。 | ||||||
| 54 | 微电子机械系统压力传感器及其制造方法 | CN201610919302.8 | 2016-10-21 | CN106966355A | 2017-07-21 | 陈东村; 朱家骅 |
| 微电子机械系统(MEMS)压力传感器包括第一衬底、第二衬底和感测结构。第二衬底基本平行于第一衬底。感测结构位于第一衬底和第二衬底之间，并且接合至第一衬底的部分和第二衬底的部分，其中，第一衬底和第二衬底之间的第一间隔与外侧连通，并且第二衬底和感测结构之间的第二间隔与外侧连通或隔离。本发明的实施例还涉及微电子机械系统压力传感器的制造方法。 | ||||||
| 55 | 电子器件及其制造方法、以及电子设备 | CN201310050795.2 | 2013-02-08 | CN103241703B | 2017-07-21 | 高木成和 |
| 本发明提供电子器件及其制造方法、以及电子设备，它们具有稳定的特性。电子器件（100）包含：第1部件（10），其具有基准电位端子；第2部件（50），其被载置到所述第1部件的第1面（11）上，具有导电性；以及功能元件（80），其被收纳在由第1部件（10）和第2部件（50）围起的腔室（56）内，第2部件（50）与基准电位端子经由接触部（60）电连接。 | ||||||
| 56 | 将材料层相互粘结到一起的方法以及所得到的装置 | CN201380011510.2 | 2013-02-27 | CN105452154B | 2017-07-18 | J·G·库亚德; C·P·戴格勒; 冯江蔚; Y·孙; 田丽莉; I·D·特雷西 |
| 装置和用于形成所述装置的方法，所述装置包括：第一玻璃材料层；和通过粘结材料与所述第一玻璃材料层粘结的第二材料层，其中所述粘结材料是由玻璃玻璃料材料、陶瓷玻璃料材料、玻璃陶瓷玻璃料材料和金属糊料中的一种形成的，所述粘结材料经熔融和固化。 | ||||||
| 57 | 带盖板的引线键合型芯片封装结构及其制作方法 | CN201710239315.5 | 2017-04-13 | CN106946215A | 2017-07-14 | 王晔晔; 赵韦 |
| 本发明公开了一种带盖板的引线键合型芯片封装结构及其制作方法，该封装结构带包括一芯片、一盖板和一基板，芯片具有第一表面和与其相对的第二表面，第一表面具有功能区和围绕功能区周边的导电垫；盖板正面具有环形凸起，环形凸起封接于芯片第一表面上功能区与导电垫之间，形成一将芯片的功能区收容在内的密封空腔；芯片第二表面贴合于基板上表面中部，基板上表面芯片外围设置有预与芯片的导电垫连接的焊点，焊点与其对应的导电垫之间通过键合线电连接。本发明可以降低整体封装体的厚度，避免使用昂贵的陶瓷盖帽，且可以避免繁琐的TSV或TGV流程，减少制程步骤，降低成本，增强产品的可靠性，并降低封装厚度。 | ||||||
| 58 | 一种梁膜机构的微机电系统压力传感器芯片及其制备方法 | CN201710290496.4 | 2017-04-28 | CN106946211A | 2017-07-14 | 张宪民; 陈英皇; 朱本亮 |
| 本发明公开了一种梁膜机构的微机电系统压力传感器芯片及其制备方法。包括玻璃衬底、n型单晶硅元件主体、隔离层、保护层；n型单晶硅元件主体的外缘支撑在玻璃衬底的上方，n型单晶硅元件主体的中部为镂空结构，使二者之间形成密闭空腔；密闭空腔的顶壁面设有膜片感压结构；膜片感压结构分成平模层和梁膜机构层；梁膜机构层由田字形谐振梁和半岛谐振梁构成，梁膜机构具有线性度好、灵敏度高等优点。压敏电阻采用单晶硅材料，同时感压膜与压敏电阻之间设有隔离层，进一步提高了灵敏度和温度特性，克服了现有技术中由于温度过高，而导致传感器失效等缺陷。本传感器制备工艺简便易行、成本低廉，易于集成化和小型化。 | ||||||
| 59 | 流体装置和其制造方法、以及流体装置制造用的热转印介质 | CN201480011245.2 | 2014-02-28 | CN105008932B | 2017-07-14 | 小林理惠 |
| 提供包括以下的流体装置：基底部件；设置在所述基底部件上方的多孔层；设置在所述多孔层中的流动路径壁；和由所述流动路径壁和所述基底部件界定的流动路径。所述流体装置的线性度在30％以下，其中所述线性度通过下式得到：线性度(％)＝{[A(mm)－B(mm)]/B(mm)}×100，其中长度B是在所述流动路径壁的内表面的轮廓上任意两点之间的直线的长度，而长度A是在所述两点之间的连续线的长度。 | ||||||
| 60 | 利用微结构形成表面电浆的方法 | CN201410006808.0 | 2014-01-07 | CN104576873B | 2017-07-14 | 宗成圣; 庄师豪 |
| 本发明公开一种利用微结构形成表面电浆的方法，是于取得一基材体后，以一携带物质携带多个纳米金属结构粒子于该基材体上以自组装方式形成一微结构，其中，该微结构是由该些纳米金属结构粒子以选自于由非连续面以及部分连续面的方式所构成。因此，借由自组装方式形成非连续面及部分连续面的微结构，而可作为表面电浆，以避免使用化学气相沉积等高成本工艺方式，达到大量降低制作成本以及制作时间的目的。除此之外，本发明亦打破表面电浆波的结构设计限制，进一步提升表面电浆波的产生效果。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈