子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 面向物联网的杂波能量收集的悬臂梁混频系统 | CN201710698790.9 | 2017-08-15 | CN107528544A | 2017-12-29 | 廖小平; 陈晨 |
| 本发明公开了一种面向物联网的杂波能量收集的悬臂梁混频系统，该混频系统由混频器、本地振荡器、LC带阻滤波器、AC/DC模块、充电电池和中频滤波器构成；其中，LC带阻滤波器有两个平面电感和两个电容式悬臂梁，通过简单的控制LC带阻滤波器的电容式悬臂梁的下拉驱动电压来调节接入滤波网络的电容的大小，从而调节LC带阻滤波器的阻带频域，使得混频系统中无法通过中频滤波器的杂波可以通过LC带阻滤波器，进而被AC/DC模块转换，由充电电池收集。通过这些结构简单高效地实现了混频系统中杂波能量的收集，改善了电路的电磁兼容环境。 | ||||||
| 2 | 真空封装、电子器件、电子设备以及移动体 | CN201710413985.4 | 2017-06-05 | CN107527871A | 2017-12-29 | 川合纮梦 |
| 真空封装、电子器件、电子设备以及移动体，能够实现外形尺寸的小型化。真空封装(1)的特征在于，具有：基板(10)；一对贯通电极(20)，它们贯通基板；吸气剂(30)，其架设在一对贯通电极之间；以及盖(50)，其覆盖基板(10)上的一对贯通电极(20)和吸气剂(30)，盖(50)与基板(10)气密地接合，由基板(10)和盖(50)构成的内部空间(60)为减压状态，一对贯通电极(20)具有内部空间(60)侧的第1端部(21)、与第1端部相反侧的第2端部(22)，吸气剂与一对贯通电极(20)的第1端部(21)接合，并通过经由贯通电极的通电而被加热，吸气剂(30)在贯通电极(20)之间的部分与基板相离。 | ||||||
| 3 | 一种MEMS压力计芯片及其制造工艺 | CN201510506032.3 | 2015-08-17 | CN105241600B | 2017-12-29 | 周显良; 王文 |
| 本发明涉及传感器领域，特别涉及一种MEMS压力计芯片以及其制造方法。一种压力计，包括腔体、以及设置在所述腔体内的MEMS压力计芯片；压力计芯片，包括相互连接的衬底、器件部以及盖板，所述衬底与所述器件部之间以及器件部与盖板之间形成有氧化硅层；衬底以及盖板上分别形成有凹陷部，衬底凹陷部与盖板凹陷部形成一空腔，所述器件部位于所述空腔内；所述器件部包括桥接部以及压阻测量元件，所述压阻测量元件设置在桥接部上。本压力计芯片受温度影响较小，可以在高温的环境中使用，而且具有检测精度高、可靠性高、制造成本低等特点。 | ||||||
| 4 | 背侧体硅MEMS | CN201180076128.0 | 2011-12-28 | CN104170060B | 2017-12-29 | R·巴斯卡兰; C·M·佩尔托 |
| 一种集成电路器件，包括单一半导体基板；形成在该单一半导体基板的正侧上的器件层；形成在该单一半导体基板的背侧上的再分配层；形成在单一半导体基板内的硅穿通孔(TSV)，其电气耦合至该器件层及该再分配层；形成在单一半导体基板的背侧上的逻辑内存接口(LMI)，其电气耦合至该再分配层；和形成在单一半导体基板的背侧上的MEMS器件，其电气耦合至该再分配层。 | ||||||
| 5 | 用于形成埋式下电极连同封装的MEMS装置的系统和方法 | CN201380048541.5 | 2013-08-20 | CN104736469B | 2017-12-26 | A·B·格雷厄姆; A·费伊; G·奥布赖恩 |
| 用于形成具有埋式第一电极的传感器装置的系统和方法包括提供具有电极层的第一硅部分和具有装置层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的装置层上的共同的氧化层邻接。所形成的多硅堆包括埋式下电极，所述埋式下电极由埋氧化层、高掺杂式离子注入区域或它们的组合来进一步限定。所述多硅堆具有多个硅层和二氧化硅层，且每层中都有考虑到下电极和上电极的电隔离区域。所述多硅堆还包括使得能从传感器装置的上侧接入下电极的间隔件。 | ||||||
| 6 | 具有分开的、电绝缘的活动结构的微机械组件以及用于运作这种组件的方法 | CN201580010228.1 | 2015-02-11 | CN106061889B | 2017-12-22 | 冈特·斯帕林格 |
| 本发明涉及一种微机械的组件，该组件包括基板和活动结构，该活动结构能够相对于基板而言至少以一个方向偏移并且具有至少一个第一区域和第二区域，其中所述第一区域和所述第二区域能够导电并且沿着第一轴物理刚性地彼此连接并且通过绝缘区域相互电绝缘。根据一种用于运作该组件的方法在第一区域和第二区域上施加不同的电势，其中能够探测通过活动结构的移动而产生的电荷或电容变化。 | ||||||
| 7 | 集成传感器的封装结构和封装方法 | CN201510180610.9 | 2015-04-16 | CN104779213B | 2017-12-15 | 端木鲁玉; 张俊德; 宋青林 |
| 本发明公开了一种集成传感器的封装结构和封装方法，包括：第一基板和第一外壳，所述第一外壳与所述第一基板围成第一封装腔体；设置在所述第一封装腔体内的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片；在所述第一封装腔体的内部，至少一个所述传感器的ASIC芯片的外部设有屏蔽结构。本发明通过对集成传感器中的容易受到干扰的ASIC芯片的外部设置屏蔽结构，使其与其它传感器单元隔离封装，避免集成传感器中的其它传感器单元对其影响干扰，有效提升了该传感器单元的性能和集成传感器的整体性能。 | ||||||
| 8 | 微流体装置及其制造方法、流路形成用感光性树脂组合物 | CN201480037367.9 | 2014-07-18 | CN105377747B | 2017-12-08 | 稗田克彦; 猪俣克巳; 宫崎智和; 土井贵史; 洼寛仁 |
| 本发明提供一种具有基质不会附着且小的流路的微流体装置及其制造方法、流路形成用感光性树脂组合物。本发明的微流体装置在构件的内部具有流路，并且所述微流体装置中，所述流路具有由感光性树脂组合物所形成的经图案化的树脂组合物层，其中所述感光性树脂组合物含有具有氧杂环丙基的化合物、具有氧杂环丁基的化合物及光酸产生剂。 | ||||||
| 9 | 一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列及加工方法 | CN201710613928.0 | 2017-07-25 | CN107434239A | 2017-12-05 | 尤政; 罗川; 徐雨辰 |
| 本发明公开了一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列与加工方法。包括：所述薄膜电极阵列采用直线型结构，薄膜平面内电极形状为圆形，垂直于平面方向电极具有凸起形状；薄膜电极阵列内电极的尺寸根据人工耳蜗激励电流要求与电极材料电荷密度安全值设计，其中，电极中心间距≥150μm，每个电极暴露面积直径≥70μm。本发明引入MEMS微加工技术，提升了电极阵列的电极密度，降低了手工加工的加工成本。 | ||||||
| 10 | 平衡式MEMS类型惯性角传感器及用于使此类传感器平衡的方法 | CN201280059912.5 | 2012-12-03 | CN103998894B | 2017-12-05 | A·金洛伊 |
| MEMS类型的惯性角传感器，包括：至少两个质块(2)的支承件(1)，这些质块被安装成能相对于支承件移动；至少一个静电致动器(3)；以及至少一个静电检测器(4)。这些质块(2)被悬挂在框架(6)中，该框架(6)本身通过悬挂装置连接到支承件。致动器和检测器被设计成分别产生和检测这些质块的振动。用于使此类传感器平衡的方法，该传感器提供有至少一个负载检测器以及至少一个静电弹簧(8)，至少一个负载检测器被安装在框架和支承件之间，并且至少一个静电弹簧被放置在框架和质块之一之间并根据负载传感器的测量信号被役使以便确保该传感器的动态平衡。 | ||||||
| 11 | 一种用于机械和水动力微流体转染的方法以及用于其的设备 | CN201580076432.3 | 2015-11-26 | CN107429262A | 2017-12-01 | 赖安·帕维尔 |
| 本发明提供了用于将外源性物质引入细胞中的方法，所述方法包括使所述细胞在所述外源性物质存在下暴露于瞬时压力降低。还提供用于执行本发明的方法的装置。 | ||||||
| 12 | 一种加速度计及其制造工艺 | CN201210356542.3 | 2012-09-21 | CN103675345B | 2017-12-01 | 俞度立; 于连忠; 杨长春 |
| 一种加速度计，包括：测量体、与所述测量体相连接的上盖板硅片以及下盖板硅片；所述测量体包括框架、位于所述框架内的弹性梁和质量块；所述质量块与所述框架通过多组所述弹性梁相连接，每组所述弹性梁包括两根弹性折叠梁,所述弹性折叠梁以所述质量块的中线为轴对称设置；每组所述弹性折叠梁之间通过一连接臂相互连接。所述测量体的上下表面上均键合有带电极的盖板硅片。并与测量体之间形成一电容。本发明的加速度计结构具有极大的模态隔离比值，进一步降低了MEMS芯片的噪声。为此，本加速度计具有检测精确度高、稳定性强、噪声低等优点。 | ||||||
| 13 | 量测微电容的探针卡 | CN201610333891.1 | 2016-05-19 | CN107402319A | 2017-11-28 | 陈岳宏 |
| 一种量测微电容的探针卡包含一基板以及一电容数字转换器。基板具有一第一表面以及一第二表面，其中基板的第一表面设有多个导电接点，第二表面设有多个探针，且多个探针与相对应的多个导电接点电性连接。电容数字转换器设置于基板的第一表面，且与相对应的多个导电接点电性连接，以量测一待测物的至少一微电容并转换为一数字信号。上述探针卡具有成本低廉的优点。 | ||||||
| 14 | 一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法 | CN201610341256.8 | 2016-05-20 | CN107399712A | 2017-11-28 | 张强波; 江京 |
| 本发明公开了一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法，其中，制作方法，包括：在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔；采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指或焊盘连接；将通过整版设计加工制造出的绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围；使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化。所述系统级封装的压力传感器结构和制作方法，通过采用绝缘框成型的方式，在IC前期研发阶段，基板布局和相应的芯片尺寸可根据需要灵活改动，对绝缘框加工不产生影响，提高了开发效率，降低了开发成本。 | ||||||
| 15 | 构件载体和具有这样的构件载体上的MEMS构件的部件 | CN201210041782.4 | 2012-02-22 | CN102649535B | 2017-11-24 | J·策尔兰; R·艾伦普福特; U·肖尔茨 |
| 本发明提出了一种构件载体，其能够实现具有敏感结构的MEMS构件的成本有利、位置节省且应力较小的封装。构件载体(130)尤其适于应被安装在壳体(120)的空腔中并且被电接通的MEMS构件(10)。根据本发明的构件载体(330)被实现为在一侧敞开的空心体形式的复合件，复合件基本上由在其造型方面柔性的、三维成形的载体膜(331)和包覆材料(332)形成。包覆材料(332)在一侧成型在载体膜(331)上，使得载体膜(331)设置在构件载体(330)的内壁上。在具有载体膜(131)的内壁上构造有用于至少一个构件(10，51)的至少一个安装面。此外，载体膜(331)设有用于所述至少一个构件(10，51)的电接通的接触面和绝缘的印制导线。 | ||||||
| 16 | 纳米电极对中电极间距的精密调控方法 | CN201710511113.1 | 2017-06-29 | CN107300575A | 2017-10-27 | 师佳; 卓依婧; 洪文晶; 李瑞豪; 杨扬 |
| 纳米电极对中电极间距的精密调控方法，涉及纳米电极。利用非稳定连接的MCBJ技术确定待测单原子/分子电导；采用PID控制方案对纳米电极对间距实施稳定调控，实现电极对间单个金属原子点接触/分子结的稳定连接。在室温下，可以实现电极对间距精密调控的目的。该调控方案方便简单，易于理解，成本低，控制效果可重现性高。并且，在普通实验室的条件下就可以实施应用，普适性高。 | ||||||
| 17 | MEMS扭转式静电驱动器的制作方法 | CN201410724507.1 | 2014-12-02 | CN105712288B | 2017-10-27 | 荆二荣 |
| 一种MEMS扭转式静电驱动器的制作方法，以基于绝缘体的硅晶片为基片，通过对第一硅层、埋氧化层和第二硅层的图形化，在第一硅层形成上极板，在第二硅层形成下极板，埋氧化层用作上下极板之间的绝缘层和牺牲层材料，上极板和下极板大概重合40％～60％的面积。当在上接触电极和下接触电极施加电压时，上极板与下极板对应的部分受到的静电力大于与背腔对应部分受到的静电力，导致悬臂梁发生扭曲和上极板发生扭转运动，这就是MEMS扭转式静电驱动器，其相对于平板电容驱动器有更大的驱动力和动态范围。 | ||||||
| 18 | 各种形貌MEMS封帽的加工方法 | CN201410409220.X | 2014-07-23 | CN104340954B | 2017-10-24 | X·应; L·李; A·S·克尔克; B·S·波利奇 |
| 一种各种形貌MEMS封帽的加工方法。一种器件，包括在晶片表面中形成的侧壁，其中该侧壁下行至凹进表面。该凹进表面大体增进了晶片表面、包括晶片上的拐角(例如，晶片表面和诸如腔、凹进表面等各种表面形貌之间的接合处)上的抗蚀剂覆盖度。在一个或多个实施例中，采用湿法刻蚀方法形成侧壁和凹进表面。抗蚀剂材料(例如，光刻胶材料)被沉积到晶片表面上，其中光刻胶完全覆盖晶片表面的一个或多个顶部拐角。在一个或多个实施例中，凹进表面邻近在晶片中形成的沟槽定位以增进晶片顶表面上的抗蚀剂覆盖度。 | ||||||
| 19 | 被限位的膜 | CN201480030777.0 | 2014-06-02 | CN105263851B | 2017-10-13 | J·W·津恩 |
| 本发明提供了一种MEMS的被限位的膜。所述MEMS的被限位的膜包括第一层和第二结构。所述第一层具有外部段和内膜。所述外部段和内膜通过间隙彼此分开并具有内膜突起和外部段突起，内膜突起和外部段突起通过所述间隙形成的。第二结构耦接至所述外部段并具有叠置在对应的内膜突起上方的第二突起。 | ||||||
| 20 | 微机电声音探测装置以及用于制造该装置的方法 | CN201280019024.0 | 2012-02-20 | CN103609141B | 2017-10-13 | J·策林; U·肖尔茨; R·埃伦普福特 |
| 本发明涉及微机电声音探测装置，包括衬底，壳体，至少一个用于声音穿过的开口和用于拾取声音的微机电元件，其中壳体借助模制被构造用于作为空腔提供前容积和后容积用于通过微机电元件探测声音。本发明同样涉及用于制造微机电声音探测装置的方法以及声音探测装置的应用。 | ||||||
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