子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 真空封装、电子器件、电子设备以及移动体 | CN201710413985.4 | 2017-06-05 | CN107527871A | 2017-12-29 | 川合纮梦 |
| 真空封装、电子器件、电子设备以及移动体，能够实现外形尺寸的小型化。真空封装(1)的特征在于，具有：基板(10)；一对贯通电极(20)，它们贯通基板；吸气剂(30)，其架设在一对贯通电极之间；以及盖(50)，其覆盖基板(10)上的一对贯通电极(20)和吸气剂(30)，盖(50)与基板(10)气密地接合，由基板(10)和盖(50)构成的内部空间(60)为减压状态，一对贯通电极(20)具有内部空间(60)侧的第1端部(21)、与第1端部相反侧的第2端部(22)，吸气剂与一对贯通电极(20)的第1端部(21)接合，并通过经由贯通电极的通电而被加热，吸气剂(30)在贯通电极(20)之间的部分与基板相离。 | ||||||
| 2 | 一种MEMS压力计芯片及其制造工艺 | CN201510506032.3 | 2015-08-17 | CN105241600B | 2017-12-29 | 周显良; 王文 |
| 本发明涉及传感器领域，特别涉及一种MEMS压力计芯片以及其制造方法。一种压力计，包括腔体、以及设置在所述腔体内的MEMS压力计芯片；压力计芯片，包括相互连接的衬底、器件部以及盖板，所述衬底与所述器件部之间以及器件部与盖板之间形成有氧化硅层；衬底以及盖板上分别形成有凹陷部，衬底凹陷部与盖板凹陷部形成一空腔，所述器件部位于所述空腔内；所述器件部包括桥接部以及压阻测量元件，所述压阻测量元件设置在桥接部上。本压力计芯片受温度影响较小，可以在高温的环境中使用，而且具有检测精度高、可靠性高、制造成本低等特点。 | ||||||
| 3 | 背侧体硅MEMS | CN201180076128.0 | 2011-12-28 | CN104170060B | 2017-12-29 | R·巴斯卡兰; C·M·佩尔托 |
| 一种集成电路器件，包括单一半导体基板；形成在该单一半导体基板的正侧上的器件层；形成在该单一半导体基板的背侧上的再分配层；形成在单一半导体基板内的硅穿通孔(TSV)，其电气耦合至该器件层及该再分配层；形成在单一半导体基板的背侧上的逻辑内存接口(LMI)，其电气耦合至该再分配层；和形成在单一半导体基板的背侧上的MEMS器件，其电气耦合至该再分配层。 | ||||||
| 4 | 用于形成埋式下电极连同封装的MEMS装置的系统和方法 | CN201380048541.5 | 2013-08-20 | CN104736469B | 2017-12-26 | A·B·格雷厄姆; A·费伊; G·奥布赖恩 |
| 用于形成具有埋式第一电极的传感器装置的系统和方法包括提供具有电极层的第一硅部分和具有装置层的第二硅部分。第一硅部分和第二硅部分沿着形成在第一硅部分的电极层和第二硅部分的装置层上的共同的氧化层邻接。所形成的多硅堆包括埋式下电极，所述埋式下电极由埋氧化层、高掺杂式离子注入区域或它们的组合来进一步限定。所述多硅堆具有多个硅层和二氧化硅层，且每层中都有考虑到下电极和上电极的电隔离区域。所述多硅堆还包括使得能从传感器装置的上侧接入下电极的间隔件。 | ||||||
| 5 | 电/机械微芯片以及使用超快激光脉冲群的制造方法 | CN201410848774.X | 2014-11-19 | CN104646837B | 2017-12-19 | S·A·侯赛尼 |
| 电/机械微芯片以及使用超快激光脉冲群的制造方法。一种使用多个透明基板制造电机械芯片的方法，包括步骤：使用光声压缩在多个基板中的至少一个中加工完整或部分空隙。按照特定的顺序层叠和布置多个透明基板。将透明基板固定和密封在一起。可通过激光焊接或粘合剂来密封芯片。 | ||||||
| 6 | 一种MEMS器件湿法刻蚀工艺 | CN201710717374.9 | 2017-08-21 | CN107473178A | 2017-12-15 | 叶军 |
| 本发明公开一种MEMS器件湿法刻蚀工艺，包括如下步骤：刻蚀衬底以形成沟槽，采用等离子气体进行钝化，在沟槽的表面上形成聚合物的钝化层；去除沟槽底面上的钝化层，对所述硅衬底的下表面进行机械抛光，在所述硅衬底的下表面形成有机械损伤层；使用硅腐蚀液去除所述机械损伤层，去除光刻胶；去除牺牲层：通过使用液体腐蚀剂进行大范围的横向钻蚀，并留下独立的不需要依靠支撑物的部分，选择性地去除牺牲层；去除衬底减薄荷：由带有化学腐蚀液的物理研磨机制实现均匀的衬底去除和减薄，快速地去除圆片正面或背面的材料。本发明操作简单，低成本及效率高，可以灵活地控制通过湿法腐蚀制作MEMS牺牲层时所得到的腐蚀形貌。 | ||||||
| 7 | 集成传感器的封装结构和封装方法 | CN201510180610.9 | 2015-04-16 | CN104779213B | 2017-12-15 | 端木鲁玉; 张俊德; 宋青林 |
| 本发明公开了一种集成传感器的封装结构和封装方法，包括：第一基板和第一外壳，所述第一外壳与所述第一基板围成第一封装腔体；设置在所述第一封装腔体内的多个传感器，每个所述传感器均包括MEMS传感器芯片和与所述MEMS传感器芯片电连接的ASIC芯片；在所述第一封装腔体的内部，至少一个所述传感器的ASIC芯片的外部设有屏蔽结构。本发明通过对集成传感器中的容易受到干扰的ASIC芯片的外部设置屏蔽结构，使其与其它传感器单元隔离封装，避免集成传感器中的其它传感器单元对其影响干扰，有效提升了该传感器单元的性能和集成传感器的整体性能。 | ||||||
| 8 | 微流体装置及其制造方法、流路形成用感光性树脂组合物 | CN201480037367.9 | 2014-07-18 | CN105377747B | 2017-12-08 | 稗田克彦; 猪俣克巳; 宫崎智和; 土井贵史; 洼寛仁 |
| 本发明提供一种具有基质不会附着且小的流路的微流体装置及其制造方法、流路形成用感光性树脂组合物。本发明的微流体装置在构件的内部具有流路，并且所述微流体装置中，所述流路具有由感光性树脂组合物所形成的经图案化的树脂组合物层，其中所述感光性树脂组合物含有具有氧杂环丙基的化合物、具有氧杂环丁基的化合物及光酸产生剂。 | ||||||
| 9 | 一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列及加工方法 | CN201710613928.0 | 2017-07-25 | CN107434239A | 2017-12-05 | 尤政; 罗川; 徐雨辰 |
| 本发明公开了一种可应用于人工耳蜗的MEMS薄膜电极阵列与加工方法。包括：所述薄膜电极阵列采用直线型结构，薄膜平面内电极形状为圆形，垂直于平面方向电极具有凸起形状；薄膜电极阵列内电极的尺寸根据人工耳蜗激励电流要求与电极材料电荷密度安全值设计，其中，电极中心间距≥150μm，每个电极暴露面积直径≥70μm。本发明引入MEMS微加工技术，提升了电极阵列的电极密度，降低了手工加工的加工成本。 | ||||||
| 10 | 图案化的结构化转印带 | CN201380066654.8 | 2013-12-12 | CN104870198B | 2017-12-05 | 马丁·B·沃克; 迈克尔·本顿·弗里; 玛格丽特·M·沃格尔-马丁; 埃文·L·施瓦茨; 米奇斯瓦夫·H·马祖雷克; 特里·O·科利尔 |
| 本发明公开了一种转印带，该转印带包括载体；模板层，该模板层具有施加到所述载体的第一表面并且具有与所述第一表面相对的第二表面，其中第二表面包括非平面结构化表面；隔离涂层，该隔离涂层设置在所述模板层的非平面结构化表面上；和回填层，该回填层设置在所述隔离涂层的非平面结构化表面上并且适形于所述隔离涂层的非平面结构化表面。在一些实施例中，回填层包含硅倍半氧烷，例如聚乙烯基硅倍半氧烷。本发明所公开的转印带能够用于将复制结构转印到受体基底。 | ||||||
| 11 | 平衡式MEMS类型惯性角传感器及用于使此类传感器平衡的方法 | CN201280059912.5 | 2012-12-03 | CN103998894B | 2017-12-05 | A·金洛伊 |
| MEMS类型的惯性角传感器，包括：至少两个质块(2)的支承件(1)，这些质块被安装成能相对于支承件移动；至少一个静电致动器(3)；以及至少一个静电检测器(4)。这些质块(2)被悬挂在框架(6)中，该框架(6)本身通过悬挂装置连接到支承件。致动器和检测器被设计成分别产生和检测这些质块的振动。用于使此类传感器平衡的方法，该传感器提供有至少一个负载检测器以及至少一个静电弹簧(8)，至少一个负载检测器被安装在框架和支承件之间，并且至少一个静电弹簧被放置在框架和质块之一之间并根据负载传感器的测量信号被役使以便确保该传感器的动态平衡。 | ||||||
| 12 | 一种加速度计及其制造工艺 | CN201210356542.3 | 2012-09-21 | CN103675345B | 2017-12-01 | 俞度立; 于连忠; 杨长春 |
| 一种加速度计，包括：测量体、与所述测量体相连接的上盖板硅片以及下盖板硅片；所述测量体包括框架、位于所述框架内的弹性梁和质量块；所述质量块与所述框架通过多组所述弹性梁相连接，每组所述弹性梁包括两根弹性折叠梁,所述弹性折叠梁以所述质量块的中线为轴对称设置；每组所述弹性折叠梁之间通过一连接臂相互连接。所述测量体的上下表面上均键合有带电极的盖板硅片。并与测量体之间形成一电容。本发明的加速度计结构具有极大的模态隔离比值，进一步降低了MEMS芯片的噪声。为此，本加速度计具有检测精确度高、稳定性强、噪声低等优点。 | ||||||
| 13 | 一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法 | CN201610341256.8 | 2016-05-20 | CN107399712A | 2017-11-28 | 张强波; 江京 |
| 本发明公开了一种系统级封装的压力传感器结构和制作方法，其中，制作方法，包括：在基板上制作用于连接上下线路层的连接孔；采用导电胶将压力感应芯片和处理芯片固定在所述基板上，并与所述基板的金手指或焊盘连接；将通过整版设计加工制造出的绝缘框粘接在所述基板上，将所述压力感应芯片包围；使用环氧树脂胶将所述基板上的所述绝缘框外区域填充固化。所述系统级封装的压力传感器结构和制作方法，通过采用绝缘框成型的方式，在IC前期研发阶段，基板布局和相应的芯片尺寸可根据需要灵活改动，对绝缘框加工不产生影响，提高了开发效率，降低了开发成本。 | ||||||
| 14 | 构件载体和具有这样的构件载体上的MEMS构件的部件 | CN201210041782.4 | 2012-02-22 | CN102649535B | 2017-11-24 | J·策尔兰; R·艾伦普福特; U·肖尔茨 |
| 本发明提出了一种构件载体，其能够实现具有敏感结构的MEMS构件的成本有利、位置节省且应力较小的封装。构件载体(130)尤其适于应被安装在壳体(120)的空腔中并且被电接通的MEMS构件(10)。根据本发明的构件载体(330)被实现为在一侧敞开的空心体形式的复合件，复合件基本上由在其造型方面柔性的、三维成形的载体膜(331)和包覆材料(332)形成。包覆材料(332)在一侧成型在载体膜(331)上，使得载体膜(331)设置在构件载体(330)的内壁上。在具有载体膜(131)的内壁上构造有用于至少一个构件(10，51)的至少一个安装面。此外，载体膜(331)设有用于所述至少一个构件(10，51)的电接通的接触面和绝缘的印制导线。 | ||||||
| 15 | 固体摄像装置、其制造方法以及电子设备 | CN201110122248.1 | 2011-05-11 | CN102249178B | 2017-11-24 | 太田和伸 |
| 本发明涉及固体摄像装置、其制造方法和电子设备，所述固体摄像装置包括基板、固体摄像器件和微机电系统(MEMS)器件。固体摄像器件和MEMS器件配置为形成在同一基板上。本发明可以使装置小型化，提高产量并减少生产成本。 | ||||||
| 16 | MEMS扭转式静电驱动器的制作方法 | CN201410724507.1 | 2014-12-02 | CN105712288B | 2017-10-27 | 荆二荣 |
| 一种MEMS扭转式静电驱动器的制作方法，以基于绝缘体的硅晶片为基片，通过对第一硅层、埋氧化层和第二硅层的图形化，在第一硅层形成上极板，在第二硅层形成下极板，埋氧化层用作上下极板之间的绝缘层和牺牲层材料，上极板和下极板大概重合40％～60％的面积。当在上接触电极和下接触电极施加电压时，上极板与下极板对应的部分受到的静电力大于与背腔对应部分受到的静电力，导致悬臂梁发生扭曲和上极板发生扭转运动，这就是MEMS扭转式静电驱动器，其相对于平板电容驱动器有更大的驱动力和动态范围。 | ||||||
| 17 | 芯片封装体及其制造方法 | CN201610244599.2 | 2016-04-19 | CN106082110B | 2017-10-24 | A·德厄; T·基尔格; D·迈尔; M·梅纳特; F·X·米尔鲍尔; D·波尔沃尔; J·瓦格纳 |
| 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。 | ||||||
| 18 | 各种形貌MEMS封帽的加工方法 | CN201410409220.X | 2014-07-23 | CN104340954B | 2017-10-24 | X·应; L·李; A·S·克尔克; B·S·波利奇 |
| 一种各种形貌MEMS封帽的加工方法。一种器件，包括在晶片表面中形成的侧壁，其中该侧壁下行至凹进表面。该凹进表面大体增进了晶片表面、包括晶片上的拐角(例如，晶片表面和诸如腔、凹进表面等各种表面形貌之间的接合处)上的抗蚀剂覆盖度。在一个或多个实施例中，采用湿法刻蚀方法形成侧壁和凹进表面。抗蚀剂材料(例如，光刻胶材料)被沉积到晶片表面上，其中光刻胶完全覆盖晶片表面的一个或多个顶部拐角。在一个或多个实施例中，凹进表面邻近在晶片中形成的沟槽定位以增进晶片顶表面上的抗蚀剂覆盖度。 | ||||||
| 19 | 机械可控纳米间隙的单层石墨烯单分子结制备方法 | CN201710360918.0 | 2017-05-13 | CN107265396A | 2017-10-20 | 向东; 倪立发; 张伟强; 郭晨阳; 王璐; 王玲; 赵智凯; 张天 |
| 本发明公开了一种可精密控制纳米间隙的单层石墨烯电极的方法，以及构建以石墨烯为电极的单分子结的技术和工艺流程。本发明是利用单层薄膜制备工艺、微纳加工相关技术和机械可控裂结技术实现的。通过将制备的单层石墨烯芯片置于机械可控三点弯曲装置上，连续弯曲基板使得单层石墨烯断裂，形成可控纳米间隙的单层石墨烯电极对。最后通过利用酰胺共价键在间隙间连接有机分子来形成单层石墨烯单分子结。由于该方法可在皮米级别精确调控纳米间隙的大小来匹配分子长度，因此可以实现单层石墨烯单分子结的高效量产。而且单层石墨烯性质稳定，提高了单分子结器件的稳定性，为分子器件的工业化奠定了基础，在分子电子学的发展方面具有较大意义。 | ||||||
| 20 | 用于沟槽侧壁平坦化的硅蚀刻的方法 | CN201380047346.0 | 2013-08-23 | CN104620364B | 2017-10-20 | K·余; A·库玛 |
| 本发明描述用于沟槽侧壁平坦化的硅蚀刻的方法。在一个实施例中，一种方法涉及经由等离子体蚀刻平坦化半导体晶圆中形成的沟槽的侧壁。所述方法包括利用自氟气产生的等离子体定向蚀刻半导体晶圆以平坦化沟槽的侧壁，所述沟槽具有由诸如氧或聚合气体的第二处理气体产生的等离子体形成的保护层。在另一实施例中，一种方法涉及蚀刻半导体晶圆以产生具有平坦侧壁的沟槽。所述方法包括以下步骤：利用包括氟气的一或更多种第一处理气体等离子体蚀刻半导体晶圆；利用包括氟气及聚合气体混合物的一或更多种第二处理气体同时执行沉积及等离子体蚀刻半导体晶圆；及利用包括聚合气体的一或更多种第三处理气体执行沉积。 | ||||||
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