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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 用于其中一部分暴露在环境下的密封MEMS设备的工艺 | CN201280038081.3 | 2012-06-29 | CN104303262B | 2017-05-31 | 迈克尔·J·达内曼; 马丁·利姆; 约瑟夫·西格; 伊戈尔·切尔科夫; 史蒂文·S·纳西里 |
| 在此披露了一种用于提供其中一部分暴露在外部环境下的MEMS设备的方法和系统。该方法包括将一个操作晶片粘合到一个设备晶片上以形成一个其中介电层被布置在这些操作晶片和设备晶片之间的MEMS衬底。该方法包括平版印刷地在该设备晶片上限定至少一个压铆螺母柱并将该至少一个压铆螺母柱粘合到一个集成电路衬底上以在该MEMS衬底和该集成电路衬底之间形成一个密封腔。该方法包括在该操作晶片、压铆螺母柱或集成电路衬底中限定至少一个开口以使该设备晶片的一部分暴露在外部环境下。 | ||||||
| 82 | 基于硅基悬臂梁T型结直接加热式毫米波信号检测仪器 | CN201710052634.5 | 2017-01-24 | CN106698324A | 2017-05-24 | 廖小平; 严嘉彬 |
| 本发明的基于硅基悬臂梁耦合T型结直接加热式毫米波信号检测仪器是由传感器、模数转换和液晶显示三大模块组成，传感器模块是由悬臂梁耦合结构、T型结直接加热式微波功率传感器和开关构成，衬底材料为高阻Si，功率通过输入端口对应的CPW信号线终端的直接加热式微波功率传感器进行检测；频率检测通过利用直接加热式微波功率传感器测量两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号的合成功率实现；相位检测通过将两路在中心频率处相位差为90度的耦合信号，分别同两路等分后的参考信号合成，同样利用直接加热式微波功率传感器检测合成功率，从而获得待测信号的相位。模数转换由MCS51单片机实现，液晶显示部分由三块液晶显示屏构成。 | ||||||
| 83 | 一种静电驱动结构及其制作方法 | CN201510779710.3 | 2015-11-13 | CN106698322A | 2017-05-24 | 熊斌; 刘松; 徐德辉; 马颖蕾 |
| 本发明提供一种静电驱动结构，包括固定叉指电极及两端由支撑梁支撑而悬空的可动叉指电极；所述固定叉指电极包括若干呈周期性排列的第一叉指，所述可动叉指电极包括若干与所述第一叉指交错排列的第二叉指；其中：所述第一叉指及第二叉指均在所述支撑梁方向上左右对称；所述第二叉指在往所述固定叉指电极方向上宽度逐渐减小；所述第一叉指在往所述可动叉指电极方向上宽度逐渐减小。本发明中，固定叉指电极与可动叉指电极相对运动时受到滑膜阻尼和压膜阻尼的共同作用，电极的驱动力和阻尼力介于平板电极和普通叉指电极之间，既解决了普通叉指电极驱动力过小的问题，又使得阻尼力小于平板电极。因此本发明的静电驱动结构能够获得更大的可动位移。 | ||||||
| 84 | 一种基于偶氮超分子聚合物图案化的制备方法 | CN201710013896.0 | 2017-01-09 | CN106672895A | 2017-05-17 | 鲁从华; 赵学宁 |
| 本发明公开了一种基于偶氮超分子聚合物图案化的制备方法，以PDMS为基底，P4VP和偶氮小分子4‑羟基‑4'‑二甲氨基偶氮苯(OH‑DMA)的超分子聚合物为表层的单层膜体系，利用超分子体系易于调控偶氮和高分子之间相对含量的优势来调控皱纹周期的工艺方法。OH‑DMA分子中含有羟基，从而可以和P4VP之间通过氢键连接，避免了以往通过共价键连接的复杂的合成工序，同时也克服了掺杂体系中相分离的弊端。本发明是利用偶氮苯分子和高分子聚合物之间的氢键相互作用，通过调控二者之间的摩尔比例，制备出不同周期的皱纹图案。本发明方法快速、简单，这种通过超分子体系来调控表面图案的方法在表面润湿性、微流控器件方面有很大应用。 | ||||||
| 85 | 一种基于碳化硅光纤F‑P谐振腔的振动加速度传感装置 | CN201611246505.1 | 2016-12-29 | CN106672887A | 2017-05-17 | 童杏林; 张宝林; 陈亮; 杨华东; 邓承伟; 张翠; 汪鹏飞; 曹驰; 熊巧 |
| 本发明涉及光纤传感装置技术领域，具体指一种基于碳化硅光纤F‑P谐振腔的振动加速度传感装置；包括封装壳体、陶瓷基座、蓝宝石光纤和振动敏感片，陶瓷基座固设于封装壳体内，陶瓷基座的上端面上设有方形的固定凹槽，振动敏感片嵌设于固定凹槽的上端开口内；所述陶瓷基座的下端设有贯通固定凹槽的中心通孔，蓝宝石光纤穿设于中心通孔内且蓝宝石光纤的上端面与振动敏感片间隔设置构成光纤F‑P谐振腔；本发明结构合理，采用碳化硅基四悬臂结构的振动敏感片封装在氧化锆陶瓷基座上，与蓝宝石光纤端面间隔构成光纤F‑P谐振腔，可实现超高温环境下的振动或加速度检测，整体结构本征安全、测量范围大、测量精度高。 | ||||||
| 86 | 微机械系统和用于制造微机械系统的方法 | CN201510359084.2 | 2015-06-25 | CN105217560B | 2017-05-17 | T·考茨施; H·弗雷利施; M·福格特; M·施特格曼; B·宾德 |
| 本公开的实施例涉及一种微机械系统和用于制造微机械系统的方法，该方法包括：在前道制程(FEOL)工艺中在晶体管区域中形成晶体管；在FEOL工艺之后，形成牺牲层；对牺牲层进行结构化以形成经结构化的牺牲层；形成至少部分地覆盖经结构化的牺牲层的功能层；以及去除牺牲层以创建空腔。 | ||||||
| 87 | 包含振动悬挂的光学元件的设备 | CN201410211576.2 | 2014-05-19 | CN104166232B | 2017-05-17 | 顾姗姗; 汉斯·约阿西姆·昆策尔; 约阿希姆·雅内斯 |
| 本发明公开了包含振动悬挂的光学元件的设备。该设备经由弯曲的弹簧元件将振动悬挂的光学元件连接至固定安装在一侧的至少两个致动器，其中，该致动器被实施为经由弯曲的弹簧元件使振动悬挂的光学元件振动。致动器和整个系统由于弯曲成形的弹簧元件都实施为更稳健并且更可靠地进行操作。 | ||||||
| 88 | 一种可对MEMS微结构表面指定区域进行激励的装置及其激励方法 | CN201610899628.9 | 2016-10-15 | CN106629586A | 2017-05-10 | 佘东生; 杨一柳; 魏泽飞; 于震; 赵辉; 刘继行 |
| 本发明公开了一种可对MEMS微结构表面指定区域进行激励的装置及其激励方法，其装置包括基板，在基板上设有四个手动三轴位移台，超声探头单元、激光器单元、遮挡板和微结构单元依次安装在四个手动三轴位移台上；超声探头单元包括探头安装板，在探头安装板上设有点聚焦空气耦合超声探头；激光器单元包括固定板和转动板，转动板上设有第一、第二手动角位移台，第二手动角位移台上设有激光器；遮挡板上设有圆锥孔，圆锥孔底面中心设有小直径微孔；微结构单元的MEMS微结构靠近遮挡板的微孔一侧；点聚焦空气耦合超声探头、激光器、遮挡板和MEMS微结构依次排列。优点是能够对尺寸较小的微结构表面指定区域进行激励，可提高检测到的微结构振动响应信号的信噪比。 | ||||||
| 89 | 用于施加抗粘附涂层的方法及设备 | CN201280051297.3 | 2012-10-05 | CN103889886B | 2017-05-03 | 珍·伯斯; 戴维·希尔德; 林燕华; 赖永尉; 廖瑞智; 陈毓豪; 纳格斯瓦拉·拉奥·泰德帕里; 杜燕; 刘建威; 理查德·彼得里 |
| 本发明提供用于制造机电系统EMS封装的设备、系统及方法。一种方法包含制造包含可释气抗粘附涂层的EMS封装。所述抗粘附涂层可为包含在干燥剂混合物的部分内的溶剂。在一些实施方案中，所述方法包含将EMS装置密封到封装中且接着使用使残余溶剂的至少一部分释气的温度分布来加热所述封装。所述方法可包含保温烘焙周期以将抗粘附材料分布到所述EMS封装中的显示元件。所述保温烘焙周期还可更均匀地分布所述EMS封装内的污染物以便减小其影响。 | ||||||
| 90 | 用于补偿正交误差的方法和系统 | CN201210168238.6 | 2012-05-28 | CN102889895B | 2017-05-03 | 卢卡·科洛纳多; 加布里埃莱·卡萨尼卡; 卡洛·卡米纳达; 曼努埃尔·桑托罗; 卢西亚诺·普兰迪; 戴米德·康迪利斯 |
| 本发明涉及微电子机械系统传感器和补偿微电子机械系统传感器中的正交误差的方法，其中该传感器用于检测基板运动，特别是检测基板的加速度和/或转动速率。至少一个放置于基板上的物体借助传动电极来驱动，并且物体相对于基板运动地安置。由于存在正交误差，所述至少一个物体执行的运动与预定运动间存在偏差。由于存在科里奥利力和正交误差，所述至少一个物体会发生偏移，该偏移可利用检测电极来检测。根据本发明，可以借助补偿电极检测电容变化，该变化取决于所述至少一个物体的传动运动。在补偿电极上会产生补偿电荷，其取决于所述传感器的正交误差。为了达到补偿效果，补偿电荷会与通过正交误差在检测电极上产生的虚假及错误的电荷相互抵消。 | ||||||
| 91 | 一种MEMS器件及其制备方法、电子装置 | CN201510666535.7 | 2015-10-15 | CN106586946A | 2017-04-26 | 王伟; 许继辉; 郑超 |
| 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供底部晶圆，在所述底部晶圆的正面形成有图案化的第一键合材料层；步骤S2：在所述第一键合材料层的两侧形成分别形成凸出的第一密封环和第二密封环，其中，所述第一密封环和所述第二密封环与所述第一键合材料层之间均具有间隙；步骤S3：提供顶部晶圆并与所述底部晶圆相接合。本发明具有以下优点：(1)能够防止MEMS中键合材料环的外溢。(2)能够提高MEMS器件的性能。 | ||||||
| 92 | 硅基力值探针及其制作方法 | CN201510684215.4 | 2015-10-20 | CN106586940A | 2017-04-26 | 李加东; 苗斌; 吴东岷 |
| 本发明公开了一种硅基力值探针及其制作方法，所述探针包括主体支撑结构、悬臂梁和针尖等。而所述的制作方法包括：提供双层顶层硅(100)型SOI硅片，所述硅片包括从上向下依次设置的第一层顶层硅、第一层二氧化硅埋层、第二层顶层硅、第二层二氧化硅埋层和底层硅，其中第一层、第二层顶层硅的厚度分别与所述探针的针尖高度及悬臂梁厚度相等；在所述硅片的第一层、第二层顶层硅上加工形成所述探针的针尖结构和悬臂梁结构；以及对所述硅片的底层硅进行加工，形成所述探针的主体支撑结构。本发明的硅基力值探针能实现准确定位，同时其制作方法简单易行，能够实现硅基力值探针的可控制备，且能有效提高力值标准件的成品率及性能。 | ||||||
| 93 | 包含弹簧和悬挂在其上的元件的装置及制造该装置的方法 | CN201410260339.5 | 2014-05-19 | CN104167433B | 2017-04-26 | 姗姗·顾-斯托普尔; 汉斯·约阿希姆·昆泽; 乌尔里奇·霍夫曼 |
| 本发明涉及一种MEMS结构，其具有由不同的层构成的叠层以及由所述叠层形成的、其厚度变化的弹簧‑质量系统，并且其中从所述叠层和所述基底的背侧开始，在横向不同的位置处移除基底、同时留下第一半导体层，或者移除基底、第一蚀刻停止层和第一半导体层，并且本发明涉及用于制造这样的结构的方法。 | ||||||
| 94 | 芯片封装体及其制造方法 | CN201410030527.9 | 2014-01-22 | CN103935952B | 2017-04-26 | H·托伊斯 |
| 在各种实施例中，提供了一种用于制造芯片封装体的方法。该方法包括：将芯片布置在基板之上，芯片包括传声器结构和通向传声器结构的开口；并且将芯片用包封材料包封，使得开口保持成至少部分地不具有包封材料。 | ||||||
| 95 | 微电子细胞分析电极及其制备方法 | CN201610945300.6 | 2016-11-02 | CN106564853A | 2017-04-19 | 曾绍海; 左青云; 朱建军; 李铭; 易春艳 |
| 本发明公开了一种微电子细胞分析电极的制备方法，包括：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上生长多层介质层；刻蚀所述多层介质层以在其中形成电极图形凹槽；在所述多层介质层上沉积扩散阻挡层和金属铜；去除所述多层介质层表面上方的扩散阻挡层和金属铜以形成微电子细胞分析电极；以及将所述微电子细胞分析电极整合到细胞检测板的底部。本发明制作工艺简单，成本低廉，适于大规模制造。 | ||||||
| 96 | 垂直集成系统 | CN201410454353.9 | 2011-12-22 | CN104269388B | 2017-04-12 | A·奥都奈尔; S·艾瑞阿尔特; M·J·姆菲; C·莱登; G·卡塞; E·E·恩格利什 |
| 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统，包括：在半导体管芯的前侧制造的有源层；在所述半导体管芯的背侧的能量收集层，所述能量收集层配置为将非电形式的能量转换为电荷；以及至少一条电气路径，配置为分配所述电荷以向所述集成电路系统中的部件供电。 | ||||||
| 97 | 带有覆盖式衬底的MEMS器件 | CN201310245334.0 | 2013-06-19 | CN104045047B | 2017-04-12 | 郑钧文; 朱家骅 |
| 本发明涉及了一种带有覆盖式衬底的MEMS器件，其包括设置在第一衬底上的介电层，该介电层具有形成在其中的牺牲凹部。该集成电路另外包括形成在介电层之上且悬置在牺牲凹部之上的膜层，以及与膜层相接合从而形成了第二凹部的覆盖式衬底，该第二凹部通过形成到膜层中的通孔与牺牲凹部相连接。 | ||||||
| 98 | 用于制造用于MEMS装置的光学窗装置的方法 | CN201310147950.2 | 2013-04-25 | CN103373701B | 2017-04-12 | S·平特 |
| 本发明提供一种用于制造用于MEMS装置的光学窗装置的方法，其具有以下步骤：在具有凹槽的衬底上施加由透明材料构成的层；使所述层变形，从而所述层被折叠并且所述层的经变形的区域构成光学窗。 | ||||||
| 99 | 半导体压力传感器 | CN201110008491.0 | 2011-01-06 | CN102243125B | 2017-04-12 | 吉川英治; 出尾晋一 |
| 本发明的目的在于获得一种能够提高膜片的破坏耐压的半导体压力传感器。包括：第一半导体基板(3)，该第一半导体基板(3)形成有在厚度方向上的一个表面开口的凹部(2)；第二半导体基板(4)，该第二半导体基板(4)配置为与第一半导体基板(3)的一个表面相对；以及第一氧化硅膜(6)，该第一氧化硅膜(6)介于第一半导体基板(3)和第二半导体基板(4)之间，形成有连通凹部(2)与第二半导体基板(4)之间的贯通孔(5)，若从与贯通孔(5)及凹部(2)的开口相对的一侧来看，贯通孔(5)的边缘部的至少一部分位于凹部(2)的开口边缘部的内侧。 | ||||||
| 100 | 对热机械应力敏感度降低的半导体材料的密封器件 | CN201610179771.0 | 2016-03-25 | CN106553991A | 2017-04-05 | A·托齐奥; C·瓦尔扎希纳; L·奎利诺尼; G·阿勒加托 |
| 本申请涉及对热机械应力敏感度降低的半导体材料的密封器件。提供一种半导体材料的密封器件，其中半导体材料的芯片(56)通过至少一个柱元件(60)固定至封装本体(51)的基础元件(52)，柱元件具有比芯片大的弹性和可变形性，例如低于300MPa的杨氏模量。在一个实例中，四个柱元件(60)固定为与芯片的固定表面(56A)的角部邻近并且操作为非耦合结构，这防止将基础元件的应力和变形传递至芯片。 | ||||||
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