101 |
具有可动部的电气设备及其制造方法 |
CN201180073766.7 |
2011-09-30 |
CN103858199B |
2017-04-05 |
井上广章; 宓晓宇 |
形成具有翘曲被抑制的可动部的电气设备。在形成在衬底上的第一种子层上并与第一空间区域相邻的位置,通过镀敷形成至少一个第二金属材料的台座部和相向电极,利用第一牺牲层填埋第一空间区域,利用相同的抗蚀图案,通过连续镀敷,形成从第一牺牲层上延伸至台座部的表面的一部分的金属材料的第二牺牲层以及在第二牺牲层上的具有与第二金属材料相同的组分、热膨胀系数的第三金属材料的下部结构体,露出未形成有第二牺牲层的台座部表面,在台座部、下部结构体上,通过镀敷形成与第二金属材料、第三金属材料具有相同的组分、热膨胀系数的第四金属材料的上部结构体,去除第一牺牲层、第二牺牲层,制成具有可动部的电气设备。 |
102 |
一种用于制备多层不等高微纳结构的方法 |
CN201610850447.7 |
2016-09-26 |
CN106542494A |
2017-03-29 |
何洋; 刘少维; 杨儒元; 周庆庆; 曾行昌; 朱宝; 徐玉坤; 刘谦; 李小婷; 王颖; 苑伟政; 吕湘连 |
本发明公开了一种柔性结构中的中的多层微纳结构制作方法。该方法将待制备的不等高微纳结构按照结构高度分类;采用PDMS对硅模版复型的方式制备最低高度部分的微纳结构;采用高保型转移方法,依次由低到高地将其余高度部分的微纳结构作为待转移PDMS结构,进行转移制备,直至最大高度的微纳结构部分制备完毕。本发明通过逐层转移单层结构到基层结构上的方法完成多层不等高微纳结构的制备。工艺过程简单,易于实现微纳结构集成,将广泛应用于仿生多层微纳结构的制作以及超疏水结构的制作中。 |
103 |
形成图案的方法 |
CN201480016295.X |
2014-04-09 |
CN105051870B |
2017-03-29 |
森北信也; 西村荣一; 山下扶美子 |
本发明提供在被处理体的基底层上形成图案的方法。该方法包括:(a)在基底层上形成包含第一聚合物和第二聚合物的能够自组织化的嵌段共聚物层的步骤;(b)对被处理体进行处理,以使得在嵌段共聚物层形成包含第一聚合物的第一区域和包含第二聚合物的第二区域的步骤;(c)在对被处理体进行处理的步骤之后,在电容耦合型的等离子体处理装置内对该第二区域进行蚀刻直至第二区域的膜厚的中途的步骤;(d)在对第二区域进行蚀刻的步骤之后,对等离子体处理装置的上部电极施加负的直流电压而从该上部电极产生二次电子,并将该二次电子照射到被处理体的步骤;和(e)在将二次电子照射到被处理体的步骤之后,在等离子体处理装置内进一步对第二区域进行蚀刻的步骤。 |
104 |
用于纳米压印的模具的制造方法 |
CN201280047054.2 |
2012-07-27 |
CN103842861B |
2017-03-22 |
刘庆钟; 李领宰; 金镇秀; 李俊 |
提供了一种用于纳米压印的模具的制造方法,所述方法包括:在基板上形成多个栅格图案;在所述栅格图案上形成金属栅格图案;在所述金属栅格图案上形成镀层;以及将由所述金属栅格图案和所述镀层组成的模具与所述栅格图案分离,这可以降低生产成本,提高工艺效率,并且提供具有改善的耐用性和可靠性的用于纳米压印的模具。 |
105 |
谐振式硅微传感器下膜片的加工方法 |
CN201611043129.6 |
2016-11-24 |
CN106495091A |
2017-03-15 |
张淑芬 |
本发明谐振式硅微传感器下膜片的加工方法涉及传感器领域,具体涉及谐振式硅微传感器下膜片的加工方法,包括以下步骤:选取双面抛光的N型硅晶片,电阻率为0.1-1Q·cm,厚度为2mm,热氧化生长一层1um厚的SiO2,然后利用低压化学气相淀积或者等离子增强化学气相淀积在单晶硅片的双面淀积一层1um厚的Si3N4薄膜;在单晶硅片背面的氮化硅薄膜上涂覆一层光刻胶,利用光刻工艺生成图形,开出腐蚀掩膜窗口,然后,在温度为85℃、含30%的KOH水溶液当中,进行单晶硅各向异性预腐蚀,腐蚀时间为12小时,然后换用腐蚀速率较低的S型EDP溶液,温度为115℃以下,进行各向异性腐蚀,膜片腐蚀到所需的厚度即可停止;本发明兼容性好,且加工效率高,有利于提高传感器的可靠性,降低生产成本,可批量生产。 |
106 |
锥形光纤表面制备单层胶体球阵列结构的方法 |
CN201611043014.7 |
2016-11-24 |
CN106495090A |
2017-03-15 |
闫卫国; 罗春丽; 刘志锋 |
本发明提供的锥形光纤表面制备单层胶体球阵列结构的方法,该方法包括以下步骤:微-纳光纤锥的制备;将微-纳光纤锥放入氧等离子清洗机中,使锥型微-纳光纤锥表面产生亲水性;单层胶体阵列结构的制备;将微-纳光纤锥浸入到单层胶体球阵列结构的液面下,单层胶体球阵列结构在水溶液蒸发过程中自然沉降,单层胶体球阵列结构被吸附在光纤锥的表面形成阵列结构。有益效果是采用该方法在锥形面上加工微-纳阵列结构的工艺流程简单,无需大型的设备。该方法不仅可以在锥形面上实现六边形微球阵列结构的分布,可以在任意的曲面上制备微纳阵列结构。微纳阵列结构的间距可实现有效的调节。方法简单,成本低,投资少,便于推广。 |
107 |
石墨烯填充硅橡胶复合材料压阻传感器及其研制方法 |
CN201610922482.5 |
2016-10-26 |
CN106495085A |
2017-03-15 |
王璐珩 |
一种石墨烯填充硅橡胶复合材料压阻传感器及其研制方法,属于测量技术领域。该方法将堆积密度为0.20g/cm3、直径为5μm、厚度小于15nm、碳含量大于98wt%的石墨烯作为导电填料,将介电常数为3.0、介电强度为15kV/mm的硅橡胶作为基体相,用溶液混合法和旋涂法制备出基于石墨烯填充硅橡胶复合材料的压阻薄膜,再用热压封装法将压阻薄膜和聚酰亚胺覆铜薄膜制备成石墨烯填充硅橡胶复合材料压阻传感器。利用本发明提出的方法所研制的压阻传感器压阻特性单调、灵敏度高、量程大、柔性好、可以应用于电子皮肤研制和曲面层间压力测量等领域中。 |
108 |
静电致动器和用于生产其的方法 |
CN201480030847.2 |
2014-05-26 |
CN105392733B |
2017-03-15 |
尼古拉斯·兰格; 弗兰克·维普曼 |
本发明涉及一种静电致动器,包括静止电极(22’)包括在重叠区域内与静止电极(14)相对设置并且沿静止电极(14)的方向能够移动的悬臂电极(29)。(14)和一端被紧固的弯折部分(22’),弯折部分 |
109 |
一种大面积纳米阵列的制备方法 |
CN201510274630.2 |
2015-05-26 |
CN104986728B |
2017-03-15 |
欧欣; 贾棋; 斯蒂芬·福斯柯; 王曦 |
本发明提供一种大面积纳米阵列的制备方法,包括步骤:首先,提供一衬底,采用低能离子束辐射所述衬底的表面,形成锯齿状纳米结构周期阵列;然后,采用沉积工艺在所述锯齿状纳米结构周期阵列的一侧沉积材料层,形成纳米结构阵列。本发明制备纳米阵列只需要两步,使传统制备纳米阵列的工艺大大简化。采用本发明的制备方法,可以快捷地得到有序纳米阵列,而不是散乱的纳米线或纳米管等,有利于进一步实现纳米器件的制备。此外,该方法可以在整片衬底上都产生纳米阵列结构,从而实现大面积的纳米阵列结构的制备,降低成本。 |
110 |
圆片级芯片尺寸封装的测试方法 |
CN201510686666.1 |
2015-10-21 |
CN105329850B |
2017-03-08 |
赵阳; 文彪; 蒋乐跃; 刘海东; 程安儒; 李斌 |
本发明提供一种圆片级芯片尺寸封装的测试方法,其包括:将一张圆片级芯片尺寸封装的圆片划片切割为多个圆片条带,每个圆片条带包括有多个未划片的芯片尺寸封装器件;将每个圆片条带放置于对应的条带载具上;利用测试设备对放置于所述条带载具上的圆片条带中的各个芯片尺寸封装器件进行测试;和将测试完成后的圆片条带划片分割成单个的芯片尺寸封装器件。由于不是将众多分割后的芯片一个一个装入插座,而是将有限的几个圆片条带放入条带载具,这样流程阻塞得以避免。 |
111 |
用于制造严密密封的腔的设备和方法 |
CN201380043579.3 |
2013-07-18 |
CN104641485B |
2017-03-08 |
埃尔温·兰; 蒂洛·罗伊施; 菲利普·施万布 |
一种设备,所述设备具有:第一载体,所述第一载体用至少一种ALD前驱体和/或至少一种MLD前驱体占据;第二载体,所述第二载体用与所述第一载体的至少一种ALD前驱体和/或MLD前驱体互补的至少一种ALD前驱体和/或至少一种MLD前驱体占据。第一载体与第二载体至少部分地借助于第一载体的ALD前驱体和第二载体的ALD前驱体之间的或者第一载体的MLD前驱体或者第二载体的MLD前驱体之间的原子键合部来连接,使得形成ALD层或者MLD层。 |
112 |
光学反射元件 |
CN201380023796.6 |
2013-04-24 |
CN104272167B |
2017-03-08 |
堀江寿彰; 平冈聪一郎; 中园晋辅; 小牧一树 |
本发明提供一种光学反射元件,具有:反射镜部、一对接合部、一对振动部、多个驱动部、和固定部。接合部分别具有与反射镜部的对置的各个位置连接的第1端、和该第1端的相反侧的第2端,沿第1轴延伸。振动部分别具有与接合部的一方的第2端连接的中央部。多个驱动部分别设置在一对振动部的各自上,使反射镜部转动。在固定部连结一对振动部的各两端。定义为与接合部的第1轴正交的方向的长度的梁宽,大于一对振动部各自的梁宽。 |
113 |
流体流通器和光化学反应器 |
CN201580035021.X |
2015-07-29 |
CN106470757A |
2017-03-01 |
宇佐美久尚; 黑田靖; 今泉光博 |
根据本发明,提供流体的流量大、制造成本低、容易维护的流体流通器和光化学反应器。本发明的流体流通器(1)包含外管(2)和内管(3),外管(2)具有外表面(21)和内表面(22),内管(3)具有外表面(31)和内表面(32),配置于外管(2)的内侧,由外表面(31)和外管(2)的内表面(22)形成流体的流路,外管(2)的壁厚方向上外管(2)的内表面(22)与内管(3)的外表面(31)之间的距离为100nm~5mm。本发明的光化学反应器包含本发明的流体流通器(1)和光催化剂,该光催化剂配置于外管(2)的内表面(22)和内管(3)的外表面(31)中的至少一面。 |
114 |
具有键合连接的微机械器件 |
CN201310516435.7 |
2013-10-28 |
CN103787258B |
2017-03-01 |
H·斯特尔; C·迪恩; H-P·贝尔 |
微机械器件包括衬底和衬底上的第一氧化层,其中,第一氧化层具有穿通部。此外,所述器件具有能够导电的功能层,所述功能层在穿通部的区域中施加在第一氧化层上,并且所述器件包括金属层,所述金属层施加在功能层上以建立键合连接。在此,在功能层的侧面上施加有用于功能层绝缘的第二氧化层。 |
115 |
微机械器件以及用于制造微机械器件的方法 |
CN201210410337.0 |
2012-10-24 |
CN103091510B |
2017-03-01 |
J·克拉森; A·克尔布尔; L·特布耶 |
本发明涉及一种微机械器件(101,301,401),包括:衬底(102);振动质量(103),其在第一悬架(105)上与衬底(102)连接;至少一个第一电极(117),用于检测振动质量(103)在第一方向上的运动,其中第一电极(117)在第二悬架(109)上与衬底(102)连接;至少一个第二电极(127;127a;127b),用于检测振动质量(103)在不同于第一方向的第二方向上的运动,其中第二电极127;127a;127b)在第三悬架(125)上与衬底102)连接,本发明规定,第一电极(117)借助支承臂(111)与第二悬架(109)机械连接并且与第二悬架(109)隔开间距地设置。本发明还涉及一种用于制造微机械器件的方法。 |
116 |
一种可在水中对MEMS微结构进行激励的聚焦激波激励装置 |
CN201610867459.0 |
2016-09-30 |
CN106430086A |
2017-02-22 |
佘东生; 杨一柳; 于震; 萨初荣贵; 李琨 |
本发明公开了一种可在水中对MEMS微结构进行激励的聚焦激波激励装置,包括设在基板上的支座和椭球腔体,椭球腔体由下腔体和上腔体连接而成且内腔形成多半个椭球面;在下腔体内设有安装座,在安装座上端设有二个针电极;二个针电极针尖位于椭球面第一焦点处的横截面上;在支座上通过手动三轴位移台安装微结构单元,微结构单元位于椭球面的第二焦点处;针电极分别与高压电容的两极电联接,针电极针尖之间距离小于高压电容充分充电后在水中的最大空气击穿间隙;高压电容两极分别电联接至高压电源正负极。该装置不仅能够实现在水中对MEMS微结构进行激励,而且能够避免底座结构的振动响应对测试结果的干扰,实现了对微结构的非接触式激励,激励效果好。 |
117 |
一种单个微纳米结构转移装置及其转移方法 |
CN201611019900.6 |
2016-11-18 |
CN106430084A |
2017-02-22 |
朱瑞; 徐军; 刘亚琪 |
本发明公开了一种单个微纳米结构转移装置及其转移方法。本发明巧妙地设计了具有周期性凸起平台和坐标标记的微纳结构中转基片,通过显微镜实时观察以及原位操纵微纳操纵器,实现单个微纳米结构的精确定点转移;一方面,在微纳结构中转基片上能够完成对微纳米结构的初步表征分析;另一方面,在显微镜的原位观察下,通过坐标标记原位查找待转移的单个微纳米结构,并能够通过微纳操纵器的转移探针将其从微纳结构中转基片上提取出来,再精确转移至目标衬底基片上的指定位置,转移定位精度能够优于1微米;此外,本发明的转移方法采用了静电吸附的原理,在保证转移探针的尖头探针清洁的情况下,不会在微纳米结构转移过程中引入不明杂质。 |
118 |
半导体结构以及半导体结构的形成方法 |
CN201610692196.4 |
2016-08-18 |
CN106430078A |
2017-02-22 |
赵波 |
一种半导体结构以及半导体结构的形成方法,形成方法包括:提供基底;在所述基底上形成第一金属层;在所述第一金属层上形成突起抑制导电层;在所述突起抑制导电层上形成第二金属层。本发明减小了在第二金属层上形成突起的数量以及体积,改善了形成的第二金属层的表面性能,从而使得形成的半导体结构的性能得到改善,例如,半导体结构的良率和可靠性得到提高。 |
119 |
一种传感器的制造方法 |
CN201611037812.9 |
2016-11-23 |
CN106430075A |
2017-02-22 |
王汉清 |
本发明提供了一种传感器的制造方法,包括以下步骤:(1)提供第一衬底,所述第一衬底包括具有第一光接收区的正面和与所述正面相对的背面;(2)所述第一衬底的背面制作凹槽,所述凹槽深度小于或等于所述第一衬底的厚度的一半;3)提供第二衬底,并将所述第二衬底固定于所述凹槽内,所述第二衬底包括具有第二光接收区的正面和与所述正面相对的背面,所述第二衬底的正面与所述第一衬底的背面共面。 |
120 |
排气阵列及制造方法 |
CN201380013497.4 |
2013-03-12 |
CN104169657B |
2017-02-22 |
A·J·霍利达 |
本发明涉及包括多个排气区域的排气阵列,排气区域包括多孔PTFE基底材料和包括具有多个穿孔的基质材料的无孔材料,其中,基质材料填充多孔PTFE基底的孔,以形成无孔区域,该无孔区域使多个排气区域互连。 |