子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 具有弯曲接触表面的质量块定位结构 | CN201280060813.9 | 2012-11-09 | CN104145185B | 2017-07-11 | G·奥布赖恩 |
| 微机电系统(MEMS)包括衬底、位于衬底表面上方位置的第一曲面和沿着平行于衬底的表面的第一轴线与第一曲面大致相对的第二曲面，其中所述第一曲面能够沿着第一轴线在朝向第二曲面的方向上移动。 | ||||||
| 62 | 微机电的元件以及用于制造这样的微机电的元件的方法 | CN201110426205.2 | 2011-12-19 | CN102538773B | 2017-07-04 | M.哈塔斯; D.C.梅塞尔; M.凯克 |
| 本发明涉及一种微机电的元件，该微机电的元件包括一个基片和至少两个微机电的传感器，其中所述基片和所述至少两个微机电的传感器以彼此上下堆放的方式来布置并且其中至少两个微机电的传感器布置在所述基片的同一面上。本发明同样涉及一种用于制造微机电的元件的方法以及微机电的元件的使用。 | ||||||
| 63 | MEMS器件、其条带测试方法及其测试条带 | CN201210385087.X | 2012-10-08 | CN103033699B | 2017-06-30 | M·阿佐帕迪; C·卡奇雅; S·波兹 |
| 本申请涉及一种MEMS器件、其条带测试方法、及其测试条带。更具体地，公开了一种用于测试MEMS器件(1)的条带(10)的方法，该MEMS器件(1)至少包括耦合至共同的基板(3)的内部表面(3a)并且由保护材料(5)覆盖的半导体材料的相应裸片(6；7)；该方法构思了：检测由MEMS器件(1)响应于至少一个测试激励而生成的输出值；以及在检测步骤之前，至少部分地分隔条带(10)中的邻接的MEMS器件(1)。该分隔步骤包括在邻接的MEMS器件(1)之间限定分隔沟槽(14)，该分隔沟槽(14)延伸穿过保护材料(5)的整个厚度并且穿过从基板(3)的内部表面(3a)开始的、基板(3)的表面部分。 | ||||||
| 64 | 具有掩埋的导电区域的微机电器件及其制造工艺 | CN201280053446.X | 2012-10-30 | CN103917482B | 2017-06-23 | R·坎佩代利; R·佩祖托; S·洛萨; M·曼托瓦尼; M·阿兹佩提亚乌尔奎亚 |
| 一种由下列各项形成的MEMS器件(17)：本体(2)；空腔(25)，在本体上方延伸；移动和固定结构(18、19)，在空腔上方延伸，并且经由锚固区域(16)物理连接到本体；以及电连接区域(10a、10b、10c)，在本体(2)与锚固区域(16)之间延伸，并且电连接到移动和固定结构。电连接区域(10a、10b、10c)由导电多重层形成，该导电多重层包括第一半导体材料层(5)、由半导体材料和过渡金属制成的二元化合物的复合层(6)、和第二半导体材料层(7)。 | ||||||
| 65 | 液体注入型超滑表面及其激光精密微加工方法 | CN201710017934.X | 2017-01-10 | CN106865487A | 2017-06-20 | 于化东; 廉中旭; 许金凯; 于占江; 王志超; 张向辉; 李一全; 李晓舟; 弯艳玲; 于天琪; 刘启蒙; 李雪峰; 杨建 |
| 本发明涉及一种液体注入型超滑表面及其激光精密微加工方法，属于功能材料技术领域。本发明的液体注入型超滑表面是以金属作为基底，首先采用激光刻蚀的方式在金属表面制备微纳复合结构，通过烘烤得到超疏水表面，再将注入液体覆盖在超疏水表面，获得液体注入型超滑表面。测试液滴包括水滴、酸溶液、碱溶液、湖水、海水、血清、甘油和番茄酱，本发明的液体注入型超滑表面具有很小摩擦阻力，且可以很容易在表面滑落，降低水滴等测试液体在表面的滞留时间与概率。本发明的液体注入型超滑表面激光精密微加工方法采用激光精密加工技术在金属表面制备微纳复合结构，工艺流程简单易操作，无需其他化学添加剂，无毒副作用及污染，适用于大范围大规模生产。 | ||||||
| 66 | 阵列基板及其制作方法、显示装置 | CN201710065876.8 | 2017-02-06 | CN106865484A | 2017-06-20 | 杨照坤; 刘莎; 冯翔; 张强; 胡伟频; 杨瑞智 |
| 本发明提供一种阵列基板，包括：基底、绝缘层、微电子机械系统开关和像素电极；所述微电子机械系统开关包括：栅极、源极和漏极；所述栅极设置在所述基底的第一表面上；所述绝缘层设置在所述基底的第一表面上，并覆盖所述栅极；所述源极、所述漏极和所述像素电极均设置在所述绝缘层的第一表面上；所述漏极和所述像素电极连接；其中，在所述栅极未加载电压的状态下，所述源极和所述漏极之间具有间隙；在所述栅极加载电压的状态下，所述源极和所述漏极接触。本发明还提供一种阵列基板的制作方法和显示装置。本发明的阵列基板在栅极未加载电压的状态下，源极和漏极之间具有间隙，不会产生漏电流。 | ||||||
| 67 | 用于微流体系统的一次性盒 | CN201480000803.5 | 2014-01-06 | CN104321143B | 2017-06-20 | D·霍夫梅耶; T·雷; T·李; M·N·费格林; W·豪格; A·R·克普夫-西尔 |
| 一种用于数字微流体系统(1)的一次性盒(2)，所述一次性盒(2)包括：带有第一疏水性表面(17’)的底层(3)，带有第二疏水性表面(17”)的刚性盖板(12)，以及两者之间的间隙(6)。底层(3)是柔性膜，该柔性膜平铺在数字微流体系统(1)的盒容纳站(8)的最上表面(52)上，并被抽空空间(46)内的欠压吸引到所述最上的表面(52)和铺展在该表面上。一次性盒(2)可在盒容纳站(8)处进行组装，然后，通过互相接触，刚性盖板(12)的下表面(48’)和柔性底层(3)彼此密封地附连。组装好的一次性盒(2)以单件形式从盒容纳站(8)中移去，该单件包括底层(3)、平面的刚性盖板(12)和可能包括试样和处理流体的间隙(6)。数字微流体系统(1)包括基座单元(7)和带有电极阵列(9)的盒容纳站(8)，电极阵列(9)包括多个个别的电极(10)。数字微流体系统(1)包括中央控制单元(14)，用于控制对单个电极(10)的选择，以及用于对这些电极(10)提供个别的电压脉冲，以通过电润湿来操纵盒子(2)的间隙(6)内的液体液滴。 | ||||||
| 68 | 一种改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘结的方法 | CN201611245912.0 | 2016-12-29 | CN106829851A | 2017-06-13 | 姚嫦娲 |
| 本发明公开了一种改善MEMS器件牺牲层刻蚀粘连的方法。通过刻蚀预处理基底层上表面和牺牲层上表面，增加基底层上表面和上层薄膜下表面的粗糙度，使空腔结构或者悬臂梁结构的上层薄膜所受的向下的拉力减小，从而避免了上层薄膜与基底的粘结、上层薄膜破裂坍塌等现象的发生，以确保MEMS器件结构的完整有效。 | ||||||
| 69 | 具有至少一个MEMS组件的部件及其制造方法 | CN201110439985.4 | 2011-12-23 | CN102659069B | 2017-06-13 | R·艾伦普福特; U·肖尔茨 |
| 本发明提出一些措施，这些措施能够成本有利地且节约空间地实现具有MEMS组件和通向MEMS组件的膜片结构的进入通道的部件。所述部件包括MEMS组件，其膜片结构构造在组件上侧中。MEMS组件以组件背面安装在支承件上并至少部分地嵌入到模塑物质中。在模塑物质中构造有进入开口。根据本发明，部件还包括具有至少一个通孔的至少一个另外的半导体组件，其在MEMS组件上方并且与膜片结构间隔开地容纳到模塑物质中，从而在半导体组件与膜片结构之间形成空腔。模塑物质中的进入开口通到半导体组件的通孔中并且与通孔以及半导体组件与膜片结构之间的空腔一起形成通向膜片结构的进入通道。 | ||||||
| 70 | 一种微流控芯片制作方法及装置 | CN201710197874.4 | 2017-03-29 | CN106809801A | 2017-06-09 | 郭钟宁; 陈戈; 王冠; 罗红平; 邓宇 |
| 本发明公开了一种微流控芯片制作方法和装置，包括：在同一模具中同时制作基片和盖片，成型开模后，移动模具将基片与盖片的对准；在成型模温的基础上，对基片与盖片施加键合压力的同时，施加超声波。本发明所提供的微流控芯片模内键合技术直接在模具内完成基片和盖片的对准和键合，省略了芯片的冷却、钻孔、清洗、干燥、退火处理和再次加热升温等诸多工序，有效地缩短了聚合物微流控芯片的制备周期，提高了芯片键合的成功率，使聚合物微流控芯片低成本、大批量和快速生产成为可能。在超声的辅助下的模内热键合不但保留原有的自动化程度，并且还可以保证微结构变形量更小，键合强度更高，提升键合质量。 | ||||||
| 71 | 加速度传感器及其制造方法 | CN201510849497.9 | 2015-11-27 | CN106809799A | 2017-06-09 | 缪建民; 郭帅 |
| 本发明提供一种加速度传感器及其制造方法。所述制造方法包括：在单晶硅基底上刻蚀包括为z轴向加速度敏感电容提供空间的第一腔体；在刻蚀了各所述腔体的单晶硅基底上生成氧化硅层；在生成氧化硅层后的所述单晶硅基底上采用硅硅键合方式覆盖单晶硅基板，并予以减薄，以形成敏感器件层；所述敏感器件层用于形成包含z轴向加速度敏感电容的敏感电容；在所述敏感器件层上生成氧化硅薄膜，并将除所述z轴向加速度敏感电容结构中悬臂梁处以外的氧化硅薄膜腐蚀掉；在敏感器件层上沉淀与各敏感电容相连的金属电极；按照预设的包含竖直轴向加速度敏感电容的结构图案，将位于相应腔体上的敏感器件层进行刻蚀。本发明解决了z轴加速度传感器灵敏度低的问题。 | ||||||
| 72 | 具有可调节通风开口的MEMS结构及MEMS装置 | CN201310251221.1 | 2013-06-21 | CN103517169B | 2017-06-09 | 阿尔方斯·德赫; 沃尔夫冈·弗里扎; 斯特凡·巴泽恩; 马蒂亚斯·弗里德里克·赫尔曼; 沃尔夫冈·克莱因; 乌尔里希·克鲁姆贝因; 马丁·乌策 |
| 本发明涉及具有可调节通风开口的MEMS结构，该MEMS结构包括后板、膜和可调节通风开口，该可调节通风开口被配置为减少接触膜的第一空间与接触膜的相对侧的第二空间之间的压力差。该可调节通风开口根据第一空间与第二空间之间的压力差而被被动地致动。 | ||||||
| 73 | 用于制造包括多孔表面的微米和/或纳米机械结构的方法 | CN201410056864.5 | 2014-02-19 | CN103991838B | 2017-06-06 | 埃里克·奥利耶 |
| 本发明提供了一种用于制造包括多孔表面的微米和/或纳米机械结构的方法。该方法包括由包含支撑基板和牺牲层的元件开始的以下步骤：a）形成第一层，所述第一层的至少一部分是多孔的，b）在所述第一层上形成提供结构的机械特性的由一种（或多种）材料制成的层，称为中间层，c）在所述中间层上形成第二层，所述第二层的至少一部分是多孔的，d）在由所述第一层、中间层和第二层构成的堆叠中形成所述结构，e）通过至少部分地去除所述牺牲层来剥离所述结构。 | ||||||
| 74 | 传感器、包括传感器的过滤元件和这样的过滤元件的应用 | CN201580045566.9 | 2015-07-23 | CN106796151A | 2017-05-31 | T·凯撒; R·塔珀; S·海因茨; M·纽伯特 |
| 本发明涉及一种传感器(2、2'、2")，其具有设置在功能体积(3)内的电子芯片(4、4'、4")和传感器芯片(5、5'、5")，所述功能体积最多4mm至5mm长、最多2mm至3mm宽并且最多0.5mm至0.8mm高，其解决如下任务，即，给出一种具有紧凑的传感器的成本低的过滤元件。 | ||||||
| 75 | 一种利用电子动态调控制备硅纳米线结构的方法 | CN201710022243.9 | 2017-01-12 | CN106744662A | 2017-05-31 | 姜澜; 李晓炜; 施耀明; 谢乾 |
| 本发明涉及一种利用电子动态调控化学刻蚀辅助双脉冲飞秒激光贝塞尔光束可控加工硅纳米线结构的方法，属于飞秒激光应用技术领域。本发明通过对飞秒激光进行时域和空域整形，调控激光作用区域的局部瞬时电子动态(主要为自由电子密度分布)，从而调控被加工材料化学特性，实现高准直度的硅纳米线结构制备。与传统飞秒激光加工方法对比，利用电子动态调控化学刻蚀辅助双脉冲飞秒激光贝塞尔光束加工硅纳米线结构，纳米线准直度可提高数倍，其加工结构尺寸突破了光学衍射极限。 | ||||||
| 76 | 一种可拉伸柔性电子器件的制作方法 | CN201611217047.9 | 2016-12-26 | CN106744660A | 2017-05-31 | 林媛; 颜卓程; 潘泰松; 陈昌勇; 黄龙; 薛苗苗; 高敏; 袁瑛; 江家豪 |
| 一种可拉伸柔性电子器件的制作方法，属于柔性电子领域。首先在刚性基底上制作图形化的柔性介质/金属交替形成的多层结构，然后通过热释放胶带将多层结构从刚性基底上完全剥离，再将带多层结构的热释放胶带粘到可拉伸基底上，加热使热释放胶带失去黏性，即可在可拉伸基底上得到柔性电子器件。本发明提出的柔性电子器件的制作方法不仅简单易行，成本低，同时得到了质量好、厚度薄、性能优良的柔性电子器件，为实现柔性电子大规模工业化生产提供了一种有效的方法。 | ||||||
| 77 | 微电容式加速度传感器中梁的加工方法 | CN201611138872.X | 2016-12-12 | CN106744658A | 2017-05-31 | 张淑芬 |
| 本发明微电容式加速度传感器中梁的加工方法涉及传感器领域，具体涉及微电容式加速度传感器中梁的加工方法，包括以下步骤：选取P型单晶硅片生长二氧化硅掩模，硅晶片主要是为了制作重掺杂的硼硅膜，用做电容的一个电极，先在硅片的两面氧化出5～6um的氧化层，光刻相应的沟槽形状，然后用四甲基氢氧化氨水溶液腐蚀得到2um的真空腔；选用固态硼源硼扩，然后用BHF液除去硅片另一面用作保护的氧化层，浓硼扩散其实首先是在上步骤所刻出的槽中采用套刻出二氧化硅的掩模来；玻璃是传感器的衬底，也是电容的另一个电极，本发明操作简单，方便加工，且能保证加工质量，满足工况要求。 | ||||||
| 78 | MEMS芯片封装结构以及封装方法 | CN201611184472.2 | 2016-12-20 | CN106744646A | 2017-05-31 | 王之奇; 王宥军; 沈志杰 |
| 本发明提供一种MEMS芯片封装结构以及封装方法，包括：基板，所述基板上设置有通孔以及互连线路；MEMS芯片，所述MEMS芯片的正面具有功能区和位于功能区周边的多个焊垫，所述焊垫与所述功能区电连接，所述MEMS芯片设置于所述基板的正面且位于所述通孔中，所述焊垫与所述互连线路电连接；ASIC芯片，覆盖于所述通孔上且位于所述基板的背面，所述ASIC芯片与所述互连线路电连接。降低了MEMS芯片封装结构尺寸，提高MEMS芯片封装的集成度且便于MEMS芯片与其他尺度的电路电连接。 | ||||||
| 79 | 收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头及制备方法 | CN201710009218.7 | 2017-01-06 | CN106744642A | 2017-05-31 | 何常德; 薛晨阳; 张文栋; 张斌珍; 贾利成 |
| 本发明公开了一种收发平衡的宽频带混合式超声换能器面阵探头，包括硅衬底（1），所述硅衬底（1）的上表面为氧化层（2），所述氧化层（2）的上表面开设有若干空腔（3），若干空腔（3）成排、列布置，所述氧化层（2）的上表面键合振动薄膜（4），所述振动薄膜（4）的上表面设隔离层（5），围绕隔离层（5）的四周边缘处及其内部开设有下沉的隔离槽（6），所述隔离槽（6）贯穿隔离层（5）和振动薄膜（4）后，其槽底开设于氧化层（2）上；所述隔离层（5）的上表面上正对每个空腔（3）的中心位置处设有上电极（7）。本发明超声探头结构新颖、体积小、频带宽、灵敏度高，噪声低，稳定性好，收发性能平衡。 | ||||||
| 80 | 一种高效可控加工大面积硅微纳结构的方法 | CN201611079148.4 | 2016-11-30 | CN106735947A | 2017-05-31 | 姜澜; 谢乾; 李晓炜 |
| 本发明涉及一种高效可控加工大面积硅微纳结构的方法，属于飞秒激光应用技术领域。本发明基于化学刻蚀辅助飞秒激光加工及飞行时间打孔的方法，有效利用飞秒激光超快、超强、超精密的加工特点，在较短时间内高效可控加工大面积微纳结构；具体是在单个激光脉冲作用下使得硅表面形成局部改性区，激光辐照区域的化学活性急剧下降，从而能够在后续化学刻蚀过程中起到掩膜的作用，进而实现无掩膜高效高质量硅微纳结构的加工。对比现有技术，本发明省略了在加工材料表面镀掩膜层步骤，降低成本的同时提高了加工效率，同时也便于操作及控制，实现不同形貌及尺寸下的大面积硅表面微纳结构精密、可控性加工；加工速度只受限于激光脉冲重复频率。 | ||||||
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