1.一种器件，其包括：
半导体晶片，所述半导体晶片具有顶表面并具有侧壁和在所述顶表面中形成的凹进表面，所述侧壁从顶表面延伸至晶片中的所述凹进表面；
沟槽，所述沟槽在半导体晶片中形成，所述沟槽位于邻近所述凹进表面；以及沉积到半导体晶片的顶表面上的光刻胶材料，所述光刻胶材料覆盖所述半导体晶片的顶部拐角，所述顶部拐角包括顶表面和侧壁之间的接合处，光刻胶材料从所述顶表面沿着所述侧壁延伸至所述凹进表面，其中通过对光刻胶材料的沿着侧壁延伸至顶部拐角的一部分进行支撑，所述凹进表面保持顶部拐角的覆盖度。
2.根据权利要求1所述的器件，还包括在半导体晶片的顶表面中形成的腔。
3.根据权利要求1所述的器件，还包括邻近凹进表面的由半导体晶片的顶表面形成的一个或多个拐角。
4.根据权利要求1所述的器件，其中所述顶表面是键合表面。
5.根据权利要求1所述的器件，其中所述半导体晶片是微机电系统(MEMS)晶片。
6.根据权利要求5所述的器件，其中所述半导体晶片是微机电系统(MEMS)封帽晶片。
7.根据权利要求1所述的器件，其中侧壁具有从凹进表面起20度至90度的倾斜角。
8.根据权利要求1所述的器件，其中侧壁的从凹进表面起的倾斜角为54度至55度。
9.根据权利要求1所述的器件，还包括在顶表面上沉积的金属，其中半导体晶片的顶部拐角没有所述金属，顶部拐角包括顶表面和侧壁之间的接合处。
10.根据权利要求9所述的器件，其中所述金属进一步位于凹进表面上，凹进表面上的所述金属至少部分地被吸气剂材料覆盖。
11.根据权利要求10所述的器件，其中从凹进表面起金属和吸气剂的组合高度小于从凹进表面起的顶表面的高度。
12.一种方法，其包括：
提供晶片；
在晶片中形成沟槽；和
在晶片中形成侧壁和凹进表面，侧壁从晶片的顶表面延伸至晶片中的凹进表面，所述凹进表面邻近所述沟槽；以及
在晶片上且附在晶片的顶部拐角上地沉积光刻胶，所述顶部拐角包括顶表面和侧壁之间的接合处，沉积的光刻胶材料从所述顶表面沿着所述侧壁延伸至所述凹进表面，其中通过对光刻胶材料的沿着侧壁延伸至顶部拐角的一部分进行支撑，所述凹进表面保持顶部拐角的覆盖度。
13.根据权利要求12所述的方法，还包括：
在晶片的表面中形成腔。
14.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述侧壁包括以从凹进表面起20度至90度的倾斜角形成所述侧壁。
15.根据权利要求14所述的方法，其中侧壁的从凹进表面起的倾斜角为54度至55度。
16.根据权利要求12所述的方法，还包括：
在顶表面上沉积金属，其中半导体晶片的顶部拐角没有沉积的金属，顶部拐角包括顶表面和侧壁之间的接合处。
17.根据权利要求16所述的方法，还包括：
在凹进表面上沉积所述金属；和
利用吸气剂材料至少部分地覆盖凹进表面上的所述金属。
18.一种微机电(MEMS)器件，其包括：
处理器或传感器至少之一；和
可操作地耦接至所述处理器或传感器至少之一的器件，所述器件包括：
半导体晶片，所述半导体晶片具有顶表面并具有侧壁和在所述顶表面中形成的凹进表面，所述侧壁从顶表面延伸至晶片中的所述凹进表面，所述侧壁具有从凹进表面起20度至
90度的倾斜角；
沟槽，所述沟槽在半导体晶片中形成，所述沟槽位于邻近所述凹进表面；以及在所述半导体晶片上沉积的金属，其中所述半导体晶片的顶部拐角没有金属，所述顶部拐角包括顶表面和侧壁之间的接合处。