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序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
1 用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略 CN201410111306.4 2007-09-20 CN103956336B 2019-08-16 J·A·罗杰斯; R·G·诺奥; M·梅尔特; 高興助; J·尹; E·梅纳德; A·J·巴卡
提供了如下的方法,其通过提供具有多个功能层和多个松脱层的多层结构,并通过利用分离一个或多个松脱层而将功能层从多层结构分离以产生多个可转移结构,来制造器件或器件构件。所述可转移结构被印刷到器件衬底或由器件衬底支撑的器件构件上。所述方法和系统提供了用于高质量且价格低廉地制造光电器件、可转移半导体结构、(光)电器件和器件构件的方式。
2 嵌段共聚物 CN201480074156.2 2014-12-08 CN106459326B 2019-08-13 金廷根; 李济权; 朴鲁振; 尹圣琇
发明可提供嵌段共聚物及其用途。本发明可提供具有优异的自组装特性和相分离特性且必要时任选地向其提供多种所需功能的嵌段共聚物。
3 热式空气流量传感器 CN201710138074.5 2013-06-10 CN106840291B 2019-08-09 土井良介; 中野洋; 半泽惠二
发明的目的在于在进行使半导体元件的一部分部分地露出的树脂封固的情况下,提高产品的可靠性。为了达成上述目的,本发明的热式空气流量传感器的特征在于,包括:半导体基板,其具有薄壁部、设置在上述薄壁部上的发热电阻体和设置在上述发热电阻体的上下游的测温电阻体;设置在上述半导体基板上的保护膜;和将上述半导体基板封固的树脂,上述树脂具有使包括上述薄壁部的区域部分地露出的露出部,上述保护膜设置成围绕上述发热电阻体,上述有机保护膜的外周端部比上述薄壁部靠外侧且位于上述露出部。
4 具有集成无源装置裸片的封装送话器系统 CN201380065740.7 2013-09-06 CN104956684B 2019-08-06 D.博洛尼亚; A.V.盖里
一种换能器系统(17)具有形成内部室(50)的封装(38)、和固定在内部室(50)内的MEMS换能器(42),例如,MEMS送话器。封装(38)形成孔口(52),孔口(52)用于允许对室(50)的内部和因而对MEMS换能器(42)的声学进入。系统(17)还具有两个裸片(44、46),即,系统(17)具有在内部室(50)内的主电路裸片(44)、和与主电路裸片(44)电连接的集成无源装置裸片(46)。主电路裸片(44)与MEMS换能器(42)电连接并且具有至少一个有源电路元件。
5 用于制造并组装可印刷半导体元件的方法和设备 CN201410647568.2 2005-06-02 CN104716170B 2019-07-26 R·G·纳佐; J·A·罗杰斯; E·梅纳德; 李建宰; 姜达荣; 孙玉刚; M·梅尔特; 朱正涛
发明提供用于制造可印刷半导体元件并将可印刷半导体元件组装至基片表面上的方法。本发明的方法和设备组件能在含有聚合物材料的基片上产生多种柔性电子光电子器件以及器件阵列。本发明还提供能在拉伸状态下具有良好性能的可拉伸半导体元件及可拉伸电子器件。
6 集积式CMOS及MEMS传感器制作方法与结构 CN201580047745.6 2015-07-06 CN106660782B 2019-07-23 P·斯迈斯
揭示一种提供CMOS‑MEMS结构的方法。本方法包含图型化MEMS致动器衬底上的第一顶端金属及CMOS衬底上的第二顶端金属。MEMS致动器衬底与CMOS衬底各于其上包括化层。本方法包括蚀刻MEMS致动器衬底及底座衬底上的各氧化层,利用第一接合步骤将MEMS致动器衬底的经图型化的第一顶端金属接合至底座衬底的经图型化的第二顶端金属。最后,本方法包括将致动器层蚀刻成MEMS致动器衬底,并且利用第二接合步骤将MEMS致动器衬底接合至MEMS握把衬底。
7 一种基于纳米管致动器的制备方法 CN201610890804.2 2016-10-12 CN107934909B 2019-07-12 马赫; 魏洋; 刘锴; 姜开利; 范守善
发明涉及一种致动器的制备方法,该方法包括以下步骤:提供一纳米管层;在所述碳纳米管层的表面设置一层;以及在含氧气氛中退火使所述氧化钒层转变为二氧化钒层。本发明的致动器采用碳纳米管层与二氧化钒层复合结构。由于二氧化钒层相变时形变较大,响应速率快,因此该致动器具有较大的形变和较快的响应速率。
8 一种基于纳米管致动器以及致动系统 CN201610890254.4 2016-10-12 CN107934904B 2019-07-12 马赫; 魏洋; 刘锴; 姜开利; 范守善
发明涉及一种基于纳米管致动器,其包括:一碳纳米管层;其中,进一步包括一与该碳纳米管层层叠设置的二层。本发明的致动器采用碳纳米管层与二氧化钒层复合结构。由于二氧化钒层相变时形变较大,响应速率快,因此该致动器具有较大的形变和较快的响应速率。本发明还涉及一种采用该致动器的致动系统。
9 用于垂直电极换能器的系统和方法 CN201611022323.6 2016-11-11 CN106946210B 2019-07-12 A.德赫; C.格拉策
发明涉及用于垂直电极换能器的系统和方法。根据实施例,一种操作具有薄膜的微机电系统(MEMS)换能器的方法包括:使用第一对静电驱动电极在薄膜的平面外偏转和第一对静电驱动电极上的电压之间转化。第一对静电驱动电极被形成在薄膜上,沿平面外方向延伸并且在第一对静电驱动电极之间形成可变电容。
10 半导体装置的制造方法 CN201680006742.2 2016-02-03 CN107209078B 2019-07-09 早川裕; 与仓久则
发明提供一种在第1基板(10)与第2基板(20)的凹部(20c)之间构成有真空的气密室(30)的半导体装置的制造方法,其中,具有下述工序:准备含有的所述第1及第2基板,对所述第1及第2基板进行接合,进行用于排出所述气密室内的氢气(31)的加热处理,在所述接合前在所述第1及第2基板的凹部的壁面上生成OH基。在所述接合中,使所述第1及第2基板的OH基共价键合。在所述加热处理中,以1℃/sec以下的升温速度进行加热,使所述第1及第2基板的生成有所述OH基的部分达到700℃以上而生成氢气,以所述氢气的扩散距离达到所述气密室的壁面与大气之间的最短距离以上的方式调整加热温度及加热时间,从而从所述气密室排出所述氢气。
11 具有受的弹性装置的复合构件 CN201611164411.X 2016-12-16 CN106896695B 2019-07-05 P·杜博瓦; Y·温克勒
发明涉及一种复合构件,其包括具有开口的元件,限制在一定体积的至少部分非晶态金属合金内的受的弹性装置延伸入所述开口,所述复合构件包括相对于所述受力的弹性装置定中心的通路。
12 微镜组件和投影装置 CN201580031689.7 2015-05-29 CN106461936B 2019-06-14 R·施特劳布; S·平特; J·巴德尔; A·迪尔; F·恩吉卡姆恩吉蒙齐; J·穆霍; H·格鲁茨埃克; S·马克
发明公开了一种微镜组件,所述微镜组件具有弹性悬挂的镜;具有至少一个止挡装置,该止挡装置构造成用于在所述镜从该镜的静止位置出发沿预给定方向运动时限制所述镜的运动。此外,本发明公开了一种投影装置。
13 一种微流控系统及其驱动方法 CN201710891272.9 2017-09-27 CN107527595B 2019-06-07 曹学友; 董学; 王海生; 丁小梁; 刘英明; 韩艳玲; 郭玉珍; 王鹏鹏; 郑智仁; 张平; 刘伟; 邓立凯; 李扬冰
发明公开了一种微流控系统及其驱动方法,采用包括光敏晶体管和第一选通晶体管的多个光敏检测单元进行液滴位置和大小的检测。在采集时间段,对第一扫描信号线加载截止信号,使各光敏晶体管处于关闭状态,同时对第二扫描线加载导通信号,使第一选通晶体管导通,根据有无液滴覆盖会导致光敏晶体管接收到的光强存在差异的特性,通过检测信号差异可以确定液滴位置,基于光敏特性进行检测可以避免信号干扰有利于提高检测精度。在驱动时间段,对第三扫描信号线加载导通信号,使驱动晶体管将驱动信号传输至驱动电极,以控制液滴的运动轨迹。由于上述微控制系统中的驱动单元和光敏检测单元均采用晶体管,无需设置其他检测器件,因此可以提高制作效率。
14 基于引线框架的MEMS传感器结构 CN201510276881.4 2015-05-27 CN105280561B 2019-06-07 C.加雷马尼; D.科尔; U.辛德勒; H.托伊斯
发明涉及基于引线框架的MEMS传感器结构。公开一种传感器结构。该传感器结构可以包含:用于支撑MEMS传感器的引线框架;在引线框架的表面中的凹部;以及耦合到引线框架的表面并且布置在凹部之上以形成腔的MEMS传感器。替选地,引线框架可以具有穿过它形成的穿孔并且MEMS传感器可以被耦合到引线框架的表面并且布置在穿孔的开口之上。
15 用于制造用于MEMS构件的罩的方法和具有这样的罩的混合集成部件 CN201310507867.1 2013-10-24 CN103771333B 2019-06-07 J·克拉森; A·弗兰克; J·弗莱; H·韦伯; F·菲舍尔; P·韦尔纳
发明提出一种用于罩的制造方法,通过所述方法在具有MEMS构件的垂直混合集成部件的框架中不仅可以实现具有低空穴内压的相对较大的空穴容积而且可以实现MEMS构件的微机械结构的可靠过载保护。按照本发明,在多级的各向异性刻蚀工艺中在面状的罩衬底中产生罩结构,所述罩结构包括至少一个装配框和罩内侧上的至少一个止挡结构,所述至少一个装配框具有至少一个装配面,所述至少一个止挡结构具有至少一个止挡面,其中,对于多级的各向异性的刻蚀工艺以至少两个由不同材料构成的掩蔽层掩蔽罩衬底的表面;其中,如此选择至少两个掩蔽层的布局和刻蚀步骤的数量和持续时间,使得装配面、止挡面和罩内侧位于罩结构的不同的面平上。
16 用于制造微柱阵列的系统和方法 CN201580061637.4 2015-11-19 CN107001030B 2019-05-31 S·乌尼克里西南; R·J·亨德里克斯
一种用于制造微柱阵列(20)的系统和方法。载体(11)被提供有金属油墨(20i)层。高能量光源(14)经由载体(11)和光源之间的掩模(13)照射金属油墨(20i)。掩模被配成将微柱阵列的横截面照射图像转移到金属油墨(20i)上,从而导致金属油墨(20i)的图案化烧结,以便在金属油墨(20i)层中形成微柱阵列(20)的第一分段层(21)。另一层金属油墨(20i)被施加在微柱阵列(20)的第一分段层(21)的顶部之上,并经由掩模(13)被照射以在上面形成微柱阵列的第二分段层(21)。该过程被重复以实现高纵横比的微柱20p。
17 声换能器及其分割方法和分割器件的方法 CN201410379432.8 2014-08-04 CN104415902B 2019-05-31 郑秉吉; 洪硕佑
发明提供了一种电容式微机械加工的超声换能器(CMUT)及其分割方法。分割CMUT可以包括:在器件晶片的限定多个超声换能器结构的区域中形成第一沟槽,器件晶片包括多个超声换能器结构;通过接合供应电到多个超声换能器的电极垫晶片和器件晶片来形成具有多个超声换能器的超声换能器晶片;以及通过切割在第一沟槽上的多个超声换能器结构和在第一沟槽下面的电极垫晶片,将超声换能器晶片切割成以形成多个超声换能器。
18 用于导向自组装的硬掩模层 CN201380031543.3 2013-04-15 CN104380194B 2019-05-31 王玉宝; M·A·霍基; D·J·古尔瑞罗; V·克里西那莫西; R·C·考克斯
提供了用于导向自组装图案化技术的组合物,其在工艺中无需独立的减反射涂层和刷中性层。还提供导向自组装的方法,其中可将自组装材料,例如导向自组装嵌段共聚物,直接施涂到硬掩模中性层,然后自组装以形成所需的图案。本文还批露了导向自组装图案化的结构。
19 复杂多变量晶片处理设备中实现机器学习的方法和过程 CN201780056833.1 2017-08-28 CN109715848A 2019-05-03 约翰·多尔蒂; 乔伊迪普·古哈; 瓦希德·瓦赫迪; 理查德·艾伦·戈特思酷
提供了用于控制等离子体反应器的处理状态以启动生产衬底的方法和系统。方法使用等离子体反应器的调节按钮的设置启动等离子体反应器中的衬底的处理,设置被逼近以实现期望的处理状态值。多个数据流被接收并用于识别当前的处理状态值。方法包括生成补偿矢量,补偿矢量识别当前的处理状态值与期望的处理状态值之间的差异。补偿矢量的生成使用机器学习来改善和修整期望的补偿的识别和数量,如在补偿矢量中所识别的。方法还将补偿矢量转换为对调节按钮的设置的调整且然后将调整应用于等离子体反应器的调节按钮。
20 转换器 CN201811000514.1 2018-08-30 CN109688525A 2019-04-26 井上匡志
一种转换器,维持背板的强度的同时,提高信噪比。转换器具备基板、与基板相对配置的背板、与背板相对配置的隔膜,背板具有主体部、支承主体部且与基板连接的支承部、贯通主体部的多个贯通孔,主体部具有:具有多个贯通孔的一部分的中央区域和连续或离散地包围中央区域且具有多个贯通孔的其它部分的三个以上的周边区域,各周边区域连续或离散地包围中央区域,中央区域及各周边区域的贯通孔的开口率相互不同,中央区域及各周边区域的开口率在中央区域内及各周边区域内为一定,中央区域的开口率比各周边区域的开口率高,主体部的外周侧的周边区域的开口率比中央区域侧的周边区域的开口率低。
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