子分类：
- H05H1/00： 等离子体的产生;等离子体的处理
- H05H11/00： 磁感应加速器,例如电子磁感应加速器
- H05H13/00： 磁共振加速器;回旋加速器{(strophotrons管, turbine管入H01J25/62)}
- H05H15/00： 其他类目不包含的用于带电粒子加速的方法或设备
- H05H2240/00： 检测
- H05H2242/00： 辅助系统
- H05H2245/00： 检测
- H05H2277/00： 应用
- H05H3/00： 中性粒子束,例如分子束或原子束,的产生或加速
- H05H5/00： 直流电压加速器;应用单脉冲的加速器(H05H3/06优先)
- H05H6/00： 用于产生核反应的靶(靶或被辐照目标物的支架入G21K5/08){氚的准备入 C01B4/00};{ 靶,例如通过激光或放电粒子束喷射进行聚变反应的小球入 H05H1/22}
- H05H7/00： H05H9/00,H01H11/00,H05H13/00各组包含的各种装置的零部件
- H05H9/00： 线性加速器
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 281 | 用于等离子体处理表面的工艺 | CN201110180474.5 | 2005-11-03 | CN102355789B | 2014-06-11 | 利亚姆·奥奈尔; 彼得·杜宾; 沃尔特·卡斯塔格那 |
| 在等离子体处理表面的工艺中，在具有入口和出口的介电壳体内产生非平衡大气压等离子体，通过该壳体工艺气体从入口流向出口。在至少部分由介质材料形成的容管从壳体出口向外延伸，其中容管的末端形成等离子体出口。待处理的表面位于等离子体出口附近，使得表面与等离子体接触并相对于等离子体出口而移动。 | ||||||
| 282 | 等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法 | CN200980138949.5 | 2009-09-03 | CN102172105B | 2014-06-04 | 冲野晃俊; 宫原秀一 |
| 本发明的课题在于提供等离子体温度控制装置和等离子体温度控制方法，其中，可形成室温以下，特别是零度以下的等离子体，并且在低温至高温的较宽的温度范围内，能够更正确地控制等离子体温度。该装置包括使等离子体用气体变为等离子体的等离子体产生部(40)；等离子体用气体温度控制部(30)，其控制供给等离子体产生部(40)的等离子体用气体的温度，控制等离子体用气体的温度，控制在等离子体产生部(40)中产生的等离子体的温度。 | ||||||
| 283 | 匹配谐振腔的谐振频率与输入电压的频率 | CN200880125832.9 | 2008-11-25 | CN101933406B | 2014-05-28 | 查尔斯·D·奥尼尔; 亚当·C·莫尔赞; 约翰·J·文森特 |
| 一种同步回旋加速器，包括：磁结构，用于限定谐振腔；源，用于向所述谐振腔提供粒子；电压源，用于向所述谐振腔提供射频(RF)电压；相位检测器，用于检测所述RF电压与所述谐振腔的随时间变化的谐振频率之间的相位差；和控制电路，响应相位差，控制所述电压源，从而所述RF电压的频率基本上匹配所述谐振腔的谐振频率。 | ||||||
| 284 | 等离子体用高频电源及使用它的ICP发光分光分析装置 | CN201310471413.3 | 2013-10-10 | CN103781272A | 2014-05-07 | 松下知义 |
| 提供一种等离子体用高频电源及使用它的ICP发光分光分析装置，能够充分冷却安装于高频电路板的元件并连续点亮等离子体火焰。该等离子体用高频电源(30)具备壳体(31)和配置在壳体(31)的内部的高频电路板(32)，在高频电路板(32)安装有用于对高频感应线圈(21)提供高频电流的元件，还具备冷却高频电路板(32)的冷却块(34)和将空气吹到高频电路板(32)的元件的风扇(33)，在冷却块(34)的表面形成有能够通过使空气流通来冷却空气的散热片(34b)，在壳体(31)中设置有用于将流过散热片(34b)的空气提供给风扇(33)的吸气侧的空气流路(31a)。 | ||||||
| 285 | 等离子装置 | CN200980157431.6 | 2009-05-19 | CN102326457B | 2014-05-07 | 加藤健治; 松原克夫; 角田孝典 |
| 本发明提供一种等离子装置。天线(1～4)以其一端贯穿反应容器(10)的盖(12)并与平板构件(31)相连接、另一端贯穿反应容器(10)的盖(12)并与平板构件(32)相连接的方式配置在反应容器(10)的内部。平板构件(31、32)以相互大致平行的方式配置在反应容器(10)的外部。匹配器(60)与平板构件(31)相连接，高频电源(70)与匹配器(60)相连接。平板构件(32)的与连接有匹配器(60)的平板构件(31)的一端位于相同侧的一端与接地电位(GND)相连接。 | ||||||
| 286 | 液冷式等离子焊炬用喷嘴、包括该喷嘴和喷嘴盖的液冷式等离子焊炬装置以及具有该装置的液冷式等离子焊炬 | CN200980112829.8 | 2009-03-23 | CN102007821B | 2014-05-07 | 法兰克·劳里施; 佛克·克林克; 提摩·葛伦克; 拉夫-彼得·瑞因克 |
| 本发明有关一种液冷式等离子焊炬，包括使等离子喷射物在喷嘴顶端处出泄的喷嘴孔，除了从喷嘴顶端方向的β角度看呈锥状延伸的至少一个偏斜部分外，还有从喷嘴顶端方向的α角度看外表面逐渐尖细成锥状的第一部分。本发明还有关于一种具有喷嘴盖的液冷式等离子焊炬装置，并有关于包括该装置的一种等离子焊炬。 | ||||||
| 287 | 具有优化水冷却的等离子体电弧割炬切割部件 | CN200880018060.9 | 2008-08-07 | CN101682979B | 2014-05-07 | 杨勇; D·J·库克 |
| 一种等离子体电弧割炬的喷嘴、保持帽或保护罩，包括形成与相邻割炬部件进行热传递的热传导接触部。该相邻割炬部件可以是保持帽、电极或喷嘴。喷嘴、保持帽或保护罩的表面也可至少部分地形成具有弧形表面的冷却通道。密封物部可位于热传导接触部和冷却通道之间。密封物部可形成或产生在冷却通道和热传导部之间流体阻挡结构。 | ||||||
| 288 | 用于处理气流的设备 | CN201280040000.3 | 2012-07-11 | CN103764261A | 2014-04-30 | C.J.P.克莱门茨; S.A.沃罗宁; J.L.比德; D.麦克格拉思 |
| 在用于处理气流(12)的设备(10)中，等离子生成器(14)包括用于使源气体通电以通过高电压的应用来生成等离子焰(16)的电极(22)。入口(24)允许气流(12)进入设备(10)中且将其引导到所生成的等离子(16)中。刮擦器(26)适于从退出电极(22)的第一位置往复移动到第二位置，以用于刮擦电极(22)的表面(28)以除去累积在表面(28)上的固体沉积物。 | ||||||
| 289 | 投射的等离子体源 | CN201280040741.1 | 2012-06-21 | CN103748972A | 2014-04-23 | D·J·霍夫曼; D·卡特; K·彼得森; R·格里利 |
| 本公开描述了用于经由远程等离子体源产生电离电磁场的系统、方法和装置，使得该场可控地穿过其中该场被衰减的场投射部分延伸到等离子体处理部分，其中该场被衰减，但仍然强到足以维持等离子体。等离子体具有低电压和RF能量，并可用于各种半导体和薄膜处理操作，该操作包括经由基团产生进行的室清洁、蚀刻和沉积。 | ||||||
| 290 | 用于处理气流的设备 | CN201280040090.6 | 2012-07-11 | CN103747848A | 2014-04-23 | S.A.沃罗宁; C.J.P.克莱门茨; J.L.比德 |
| 本发明涉及用于处理气流（12）的设备（10）。等离子生成器（14）生成等离子焰（16）。第一入口（18）将气流输送进入设备。反应室（20）位于在其中处理气体的等离子生成器的下游。第二入口（22）接收液体（32）进入设备，用于在反应室的内表面（26）上建立液体堰（24），以用于防止固体沉积物在内表面上积累。流体导向器（28）具有外环形表面（30），其用于在内表面上引导液体，以及内环形表面（34），其与外表面流体连通，使得液体从外表面流到内表面以防止在内表面上的沉积。 | ||||||
| 291 | 由钼金属靶材生产锝 | CN201280017639.X | 2012-04-10 | CN103733270A | 2014-04-16 | 约翰·威尔逊; 凯瑟琳·加格农; 斯蒂芬·麦奎里 |
| 回收适合于99mTc或94mTc的大规模回旋加速器生产的同位素富集的钼金属靶材包括：采用带电粒子辐射富集的钼金属靶材以生产锝同位素；在辐射钼之后分离锝同位素；使钼金属再生；以及重制用于另一辐射步骤的钼靶材。随后可重复该工艺。优选地，分离锝同位素通过以下过程实现：氧化溶解钼从而将其从靶材支撑板上去除，并形成钼酸盐和高锝酸盐。通过诸如ABEC工艺的各种方式离析锝同位素。需要额外步骤离析钼酸盐并使其还原为钼金属，从而再次利用钼。接下来可通过诸如以下的操作将重获的钼金属重制为靶材：压制、或压制和烧结，随后结合到一靶材支撑板上。 | ||||||
| 292 | 等离子体用高频电源及使用它的ICP发光分光分析装置 | CN201310401134.X | 2013-09-05 | CN103687268A | 2014-03-26 | 松下知义 |
| 本发明提供一种等离子体用高频电源及使用它的ICP发光分光分析装置，能够不发生结露地防止高频电路板的元件短路。该等离子体用高频电源(30)具备壳体(31)和配置在壳体(31)的内部的高频电路板(32)，在高频电路板(32)安装有用于向高频感应线圈(21)提供高频电流的元件，该等离子体用高频电源(30)还具备将高频电路板(32)冷却的冷却块(33)，在冷却块(33)的内部形成有用于使制冷剂流通的制冷剂流路(33a)，在提供高频电流时制冷剂在制冷剂流路(33a)中流通，在不提供高频电流时制冷剂不在制冷剂流路(33a)中流通。 | ||||||
| 293 | 电磁波导和等离子体源 | CN201310322699.9 | 2013-07-29 | CN103687266A | 2014-03-26 | J.皮兰斯; M.R.哈默; T.E.普鲁斯 |
| 一种方法包括：沿着第一和第二膜片隙槽之间的第一轴对准膜片的膜片腔内的等离子体焰炬，所述第一和第二膜片隙槽具有小于所述焰炬的直径的70%的高度；以及沿着第二轴生成具有场线的电磁场。所述场包括基本上横穿第一方向的分量。还描述了装置。 | ||||||
| 294 | 边沿缓变 | CN201310422559.9 | 2013-09-16 | CN103681194A | 2014-03-26 | 约翰·C·小瓦尔考; 布拉德福德·J·林达克; 安德鲁·S·方 |
| 本发明涉及边沿缓变，具体描述了用于执行边沿缓变的系统和方法。一种系统包括用于产生第一RF信号的主RF产生器。该第一RF信号从一种状态渡越到另一种状态。该第一RF信号从一种状态到另一种状态的渡越导致等离子体阻抗的改变。该系统进一步包括用于产生第二RF信号的次级RF产生器。该第二RF信号从一种状态渡越到另一种状态以稳定等离子体阻抗的改变。该系统包括耦合到次级RF产生器的控制器。该控制器用于提供参数值给次级RF产生器以在第二RF信号从一种状态渡越到另一种状态时执行第二RF信号的边沿缓变。 | ||||||
| 295 | 等离子体生成用电源装置以及等离子体生成参数设定方法 | CN201280033021.2 | 2012-08-03 | CN103650645A | 2014-03-19 | 藤本直也; 押田善之; 加藤规一 |
| 本发明提供一种等离子体生成用电源装置，其能够缩短到阻抗匹配为止的时间，能够提高处理效率。该等离子体生成用电源装置具备：基准信号生成部，其生成预定频率的基准信号；功率放大部，其对基准信号进行功率放大而生成高频功率信号；检测部，其检测高频功率信号中包括的行波功率和反射波功率；控制部，其使基准信号的频率发生变化，使功率放大部中的放大率发生变化，其中，进行以下的等离子体生成动作，即在第一时间，进行控制使得将基准信号固定为第一频率而反射波功率成为第一功率值以下，在其后的第二时间，扫描基准信号的频率使得反射波功率成为第二功率值以下，并且进行找出第一频率、第一时间、第二时间的最优值的等离子体生成参数设定动作。 | ||||||
| 296 | 空心件的等离子体处理 | CN201280032958.8 | 2012-06-04 | CN103649366A | 2014-03-19 | 斯蒂芬·内特斯黑姆; 达利斯·科塞克 |
| 本发明涉及一种用于空心件的等离子体处理的装置和方法。本发明尤其适用于小心地等离子体处理热敏空心件如塑料瓶的内表面。等离子体处理例如可以是化学活化、消毒、清理或涂覆。一个或多个空心件被送入处理室以便处理。该处理室与至少一个等离子体源流体连通。处理室的抽排装置与等离子体源相关地在处理室内产生负压，从而等离子体可从等离子体源膨胀到处理室和空心件中。 | ||||||
| 297 | 用于介质阻挡气体放电的电极装置 | CN201280030856.2 | 2012-06-06 | CN103648584A | 2014-03-19 | B·布塞; L·特鲁特威格; D·万德克; M·泽格尔; M·科普; M·诺尔特; J·沙夫; K-O·施托克 |
| 一种用于介质阻挡气体放电的柔性的、平面的电极装置，所述电极装置具有中央区域（3）和边缘区域并且具有引导高压电位的平面电极（14），所述平面电极嵌入形成上侧（10）和放置侧（6）的平面电介质中，所述电极装置通过以下方式能够实现电极装置的作用面积匹配于待处理的表面的大小：所述平面电介质至少在所述边缘区域中具有螺旋形缠绕的扁平条带（1）的形状，并且所述电极（14）通过至少一个沿所缠绕的条带（1）的纵向延伸并且通到所述条带（1）的端面（13）中的电导体形成。 | ||||||
| 298 | 等离子体生成方法及生成装置 | CN201280031442.1 | 2012-04-27 | CN103636294A | 2014-03-12 | 中岛秀之; 迫田达也; 马场诚二 |
| 本发明提供一种在流体和电介质管之间产生放电的等离子体生成方法及生成装置。所述等离子体生成方法通过对所供给的气体施加电压，利用电介质管内的放电而生成等离子体，其中，在该电介质管的内部或上方配置通水管，在该电介质管的外侧设置高电压电极，在该电介质管的内周具有间隙的状态下对通过通水管排出到该电介质管内的流体设置接地电极，并通过对与电源装置连接的该高电压电极和该接地电极施加电压而在该电介质管的内壁与流体之间、或者在该电介质管的内壁和该通水管之间产生放电。另外，所述电介质管、所述通水管、导入所述供给的气体的导入口的连结形成为抽吸结构。 | ||||||
| 299 | 一种用于放射性同位素生产系统的靶设备 | CN201280029863.0 | 2012-06-13 | CN103621189A | 2014-03-05 | J.诺尔林; T.埃里克松 |
| 本发明提供一种用于放射性同位素生产系统的靶设备。所述靶设备包括生产室，所述生产室配置成容纳启动液体。所述生产室配置成接纳粒子束，所述粒子束入射到所述启动液体上，从而产生放射性同位素并且将所述启动液体的一部分转换成蒸汽。所述靶设备还包括冷凝室和流体通道，所述流体通道将所述生产室和冷凝室流体连通，并且配置成允许所述蒸汽从所述生产室流动到所述冷凝室。所述冷凝室配置成将所述蒸汽转换成冷凝液体。 | ||||||
| 300 | 用于与流体高压隔离结合使用的电极在固体介质内的封装 | CN201280030726.9 | 2012-06-21 | CN103621187A | 2014-03-05 | S.克罗格; A.格劳佩拉; N.W.帕克; M.W.乌特劳特; A.B.威尔斯; J.B.麦金 |
| 一种用于带电粒子束系统的电感耦合等离子体源包括提供改进的电隔离与减少后的电容RF耦合的导电屏蔽以及使等离子体绝缘并且对其进行冷却的介电流体。可以将导电屏蔽封闭在固体介电介质内。可以通过泵使介电流体循环或不可以通过泵使其循环。热管可以用于对介电流体进行冷却。 | ||||||
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