首页 / 国际专利分类库 / 电学 / 其他类目不包含的电技术 / 等离子体技术(聚变反应堆入G21B;离子束管入H01J27/00;磁流体发电机入H02K44/08;涉及生成等离子体的产生X射线的入H05G2/00);加速的带电粒子或中子的产生(从放射源获取中子的入G21,例如:G21B,G21C,G21G);中性分子或原子射束的产生或加速(原子钟入G04F5/14;受激发射器件入H01S;通过与由分子、原子或亚原子粒子的能级所确定的基准频率相比较而进行频率调整的入H03L7/26)
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
301 同位素产生系统和具有减少的杂散磁场的回旋加速 CN201080031037.0 2010-03-25 CN102461346B 2014-03-05 J·诺尔林; T·埃里克松
一种回旋加速器,其包括磁轭和磁体组件,该磁轭具有环绕加速室的轭体。该磁体组件配置成产生磁场来沿着期望的路径引导带电粒子。该磁体组件位于该加速室中。磁场传播通过该加速室并且在该磁轭内。磁场的一部分逃到该磁轭的外部作为杂散场。该磁轭尺寸适于使得杂散场在离外部边界1米的距离处不超出5高斯。
302 基材的等离子体处理 CN201280019444.9 2012-04-16 CN103609203A 2014-02-26 弗朗索瓦兹·马辛内斯; 托马斯·高迪; 皮埃尔·德斯坎普斯; 帕特里克·里姆波尔; 文森特·凯撒
发明公开了一种用于等离子体处理基材的方法,所述方法包括对位于具有入口和出口的电介质外壳内的至少一个电极施加射频高电压,同时使工艺气体(通常包含氦气)从所述入口经过所述电极流动到所述出口,由此生成非平衡大气压等离子体。将雾化的或气态的表面处理剂掺入所述非平衡大气压等离子体。将所述基材邻近所述等离子体出口定位,以使得其表面与所述等离子体接触并相对于所述等离子体出口移动。流经电极的工艺气体的速度低于100m/s。还以高于100m/s的速度向电介质外壳中注入工艺气体。以高于100m/s的速度注入的工艺气体相对以低于100m/s流经电极的工艺气体的体积比率为1∶20至5∶1。
303 调谐器和微波等离子体 CN201080013874.0 2010-03-23 CN102365785B 2014-02-26 河西繁; 池田太郎; 长田勇辉
发明提供一种使腔室内的负荷的阻抗与微波电源的特性阻抗自动匹配的调谐器(60),其包括:主体(51),其具有呈筒状的外侧导体(52)和在其中同轴设置的、呈筒状的内侧导体(53),成为微波传送路径的一部分;心(61a、61b),其设置于外侧导体(52)与内侧导体(53)之间,沿着内侧导体(53)的长度方向能移动,是环状,由电介质形成;和使铁心(61a、61b)移动的驱动机构,驱动机构的驱动传送部、驱动引导部、构成保持部的滑动部件(63)和铁心移动轴(64a、64b)被收容在内侧导体(53)的内部。
304 表面加工装置以及表面加工方法 CN201180071576.1 2011-06-13 CN103597912A 2014-02-19 小林岳人; 上野纪幸; 仓地克弥
发明为一种表面加工装置以及表面加工方法,其通过使被施加于在等离子产生部(1)中所设置的导电性壳体(2)与棒状电极(3)这两个放电电极之间的主电压频率、和被施加于导电性壳体(2)与被加工物(5)之间的偏压的频率有所不同,从而对通过等离子的照射而被形成在被加工物(5)的表面上的凹凸的形成形态进行控制。
305 等离子体加工设备 CN200810224715.X 2008-12-09 CN101754564B 2014-02-19 韦刚
发明提供一种等离子体加工设备,包括:相对设置的第一电极板和第二电极板,匹配装置,功率分配装置和电源装置;第一电极板包括至少两个相互绝缘的子电极板,电源装置通过匹配装置与功率分配装置连接,功率分配装置与第一电极板连接,用于将电源装置的功率分配输入到各个子电极,功率分配装置至少包括电容和/或电感。等离子体加工设备,通过功率分配装置电源的功率被分配成与第一电极板的子电极数量对应的若干个部分,每一部分的功率都单独输入到对应的子电极,在每个子电极板和第二电极板之间获得独立的电场分布,从而实现对大面积衬底上方不同区域电场强度的控制,使等离子体在整个衬底上方的分布可调,提高大面积等离子体加工的均匀性。
306 MeV-电子 CN201310301203.X 2013-07-15 CN103582277A 2014-02-12 S.米勒; S.塞特泽
发明涉及一种MeV-电子源,包括:-带有可转换的控制单元(2)的电子源(1),-带有耦合谐振器的线性加速器(3),在所述谐振器中由电子源(1)产生的电子被加速至可预先指定能量,并且在正面出射孔(5)作为电子束(4)射出,和-高频源(8),其中-在高频源(8)和线性加速器(3)之间安置有可变功率分配器(9),其至少具有一个反射系数可通过操控单元(20)调节的高频元件(10),且其中-通过可调节的反射系数,在毫秒范围内可任意选择输入到线性加速器(3)的高频功率(Pin),和/或通过电子源(1)的可转换的控制单元(2),在毫秒范围内可任意选择电子流(I)。
307 加固焊嘴的方法以及焊嘴 CN201310146216.4 2013-04-24 CN103567615A 2014-02-12 宫坂四志男
为了以简单的方式延长焊嘴的寿命,通过以100m/s或更高的喷射速度将金属粉末颗粒至少喷在由、铜合金或分散有陶瓷的铜中的任一材料形成的焊嘴1(11、12)的内周表面上以形成表面加固层2。所述金属粉末颗粒的平均颗粒直径为40μm至150μm并且硬度等于或大于焊嘴1(11、12)的材料的硬度。随后,通过进一步以200m/s或更高的喷射速度将平均颗粒直径为10μm至100μm的且其上形成有膜的锡粉末喷到表面加固层2上,以在表面加固层2上形成半导体膜3。
308 用于材料供应设备的过滤器 CN201280024335.6 2012-03-20 CN103561839A 2014-02-05 I·V·福缅科夫; W·N·帕特洛; G·O·瓦斯恩冦; W·奥尔德姆
一种在目标材料供应设备中使用的过滤器,该过滤器包括具有第一平坦表面和第二平坦表面以及多个通孔的薄片。第一平坦表面与保持有目标混合物的储蓄容器流体连接,该目标混合物包括目标材料和非目标微粒。通孔从第二平坦表面延伸并在第二平坦表面处流体联接至喷嘴孔。薄片具有暴露于目标混合物的表面积,该暴露表面积不大于与该薄片具有相同横向范围的烧结过滤器的暴露表面积的百分之一。
309 X射线产生装置以及X射线产生装置的控制方法 CN201280018764.2 2012-01-24 CN103493604A 2014-01-01 宫本明启; 神纳祐一郎; 石井伸也; 青井辰史; 渡部聪
发明提供一种X射线产生装置以及X射线产生装置的控制方法。X射线产生装置(10)具备:电子枪(12),其产生电子束;线性加速器(14),其通过微波对由电子枪(12)产生出的电子束进行加速;X射线靶(16),其通过被照射由线性加速器(14)进行加速后的电子束,从而产生X射线;微波产生装置,其产生导入线性加速器(14)的微波;和脉冲调制器,其对微波产生装置进行控制,以使得微波功率发生变化。由于线性加速器(14)具有多个聚束腔(40),因此即使由于微波功率降低而产生从加速相位偏离了的电子,也能够使该电子在下一个时间周期的加速相位进行加速,因此即使微波功率降低,也能控制射出的电子束的强度降低。
310 等离子体处理装置 CN201180070316.2 2011-09-22 CN103493602A 2014-01-01 铃木正康
发明提供一种等离子体处理装置,包括:阳极电极阴极电极,在与阳极电极相向的面具有设置着开口部的贯通孔;气体供给装置,对阳极电极与阴极电极间导入工艺气体;以及交流电源,对阳极电极与阴极电极间供给交流电,在阳极电极与阴极电极间使工艺气体成为等离子体状态。
311 在可变电抗电路中使用BJT开关的阻抗匹配网络 CN201280014097.0 2012-01-12 CN103444078A 2013-12-11 G·范齐尔; G·G·古罗夫
本公开描述了用于对从射频发生器向半导体处理室中的等离子体负载发射的射频功率进行阻抗匹配的系统、方法和设备。经由具有可变电抗电路的匹配网络进行阻抗匹配。可变电抗电路能够包括一个或多个电抗元件,全部都连接到第一端子并经由开关有选择地短接到第二端子。开关能够包括具备偏置电路控制的双极结型晶体管(BJT)或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。在导通状态中,对BJT基极-发射极结进行正向偏置,在集电极端子和基极端子之间传导AC。于是,AC主要从集电极向基极通过BJT,而不是从集电极向发射极通过。此外,可以修改用于真空可变电容器的经典匹配网络拓扑,使得电压不会在修改的拓扑中使BJT过载。
312 线性加速 CN201280013266.9 2012-03-13 CN103430633A 2013-12-04 J.艾伦; T.A.拉奇
发明提供一种线性加速器,其中,采用可旋转的导电叶片来改变在相邻加速单元之间的电磁耦合。利用绝缘隔壁来隔绝叶片与线性加速器的其余部分,因此在叶片周围的压可高于线性加速器的其余部分中的压力,这极大地简化了可用于控制叶片旋转的机构,允许在制造中更高的烘烤温度和在使用中更高的旋转速率。
313 用于等离子电弧焊炬的高电流电极 CN201280010542.6 2012-02-28 CN103430632A 2013-12-04 N·胡萨里; C·J·孔韦; D·H·麦肯齐
通过本发明的教导提供一种用于等离子电弧焊炬的电极。在一种形式中,电极包括导电体、多个变形的发射插入物以及浅凹。在一种形式中,多个发射插入物围绕导电体的中心线同中心地嵌入,并且浅凹围绕导电体的中心线同中心地定位。多个发射插入物和浅凹增加了电极的寿命。
314 涂层以及用于涂层的方法和装置 CN201280012705.4 2012-03-15 CN103415644A 2013-11-27 米夏埃尔·比斯格斯; C·沃尔夫鲁姆; M·格莱布; 马库斯·鲁普雷希特
发明涉及将涂层施涂到基材(20)上的方法和装置,其中,通过引导工作气体(3)穿过激发区来产生低温等离子体的等离子体流(2)。该等离子体流对准基材(20)并且在等离子体流(2)中供给小片状颗粒(10),所述小片状颗粒具有10nm至50000nm的平均厚度(H)和在10至2000取值范围内的形状系数(F)。供给等离子体流(2)利用载气(14)来进行。等离子体流(2)通过利用交流电压或脉冲直流电压激发该工作气体(3)来产生。
315 制造用于等离子电弧焊炬的高电流电极的方法 CN201280010538.X 2012-02-28 CN103404238A 2013-11-20 N·胡萨里; C·J·孔韦
提供一种制造用于等离子电弧焊炬的电极的方法,该方法包括形成导电体以定义近端部分、远端部分、设置在远端部分处的远端面、中央腔以及设置在靠近远端部分的中央腔内的中央突起部。多个发射插入物通过远端面插入并插入到中央突起部中。多个发射插入物被压入中央突起部中并且中央突起部的近端部分和多个发射插入物两者变形使得多个发射插入相对于远端部分成度地从远端部分径向向外的延伸。
316 用于表面热涂覆的装置 CN201280004725.7 2012-01-06 CN103379965A 2013-10-30 利安得·施拉姆; 亚历山大·施文克; 恩里科·豪瑟
发明涉及用于表面热涂覆的装置,该装置具有用于提供金属丝(5)的金属丝供应单元(4)、用于生成等离子气体流的等离子气体源、具有喷嘴开口(3)的喷嘴本体(2)、以及第二电极(7),其中,金属丝(5)作为第一电极,等离子气体流通过喷嘴开口(3)引导为到金属丝端部(8)的等离子气体喷射流,第二电极(7)安置在进入喷嘴开口(3)之前的等离子气体流中。本发明的特征在于金属丝供应单元(4)是可调的,从而位于喷嘴开口(3)前面的金属丝端部(8)可以按一定的调节行程移动。这样,能够容易地补偿装置内的安装公差,并且获得品质高且均一的涂层。
317 便携式自给材料加工系统 CN200880106744.4 2008-09-10 CN101849443B 2013-10-30 E·M·希普勒斯基; N·A·桑德斯; M·霍法; J·L·杰森
一种便携式等离子体电弧焊炬系统可用于加工材料。该系统包括可替换或可充电的电源和可替换或可充气的气源。控制器与电源或气源中的至少一个通信。等离子体输送装置经由控制器接收来自电源的电流和来自气源的气体,以在等离子输送装置的输出端处产生等离子体电弧。该等离子体电弧可用于加工诸如金属加工件之类的材料。该等离子体电弧焊炬可包括可穿戴式的便携式组件,其包括可替换或可充装的电源和气源。等离子体输送装置从该组件中的电源接收电流,且从该组件中的气源接收气体以产生等离子体电弧。
318 用于等离子体电弧炬的成型的屏蔽孔 CN200780038587.3 2007-08-24 CN101530000B 2013-10-30 N·A·赫萨利; C·J·康韦; T·R·雷诺特; D·H·麦肯齐
提供一种供在等离子体电弧炬中使用的元件,所述元件包括沿着元件延伸的连续成型的表面,该表面以预定的度导引保护气流,以便在工件上产生特定的穿孔或者切割位置。在一种形式中,元件是防护罩,所述防护罩包括贯穿防护罩的中心部分延伸的喷口,喷口限定入口部分和出口部分,及一个连续成型的表面在所述入口部分和出口部分之间延伸。连续成型的表面可以是收敛、发散、或者按照本公开的原理所述的收敛和发散的组合。此外,防护罩可以包括单个整体式构件,或者可供选择地是多个构件或元件。
319 具有带内部通道的电极的等离子电弧焊炬 CN200580038586.X 2005-11-02 CN101084701B 2013-10-23 P·J·特瓦罗格; C·M·哈克特; D·J·库克; B·P·阿尔托贝利; D·L·布蒂利耶
一种用于等离子电弧切削焊炬的电极,它最小化高发射率材料在喷嘴上的沉积、减少电极磨损并改进切削质量。电极具有带有第一端、相对于第一端隔开的第二端和从第一端延伸到第二端的外表面的主体。主体具有设置于第二端上的端面。电极也包括从主体中的第一开口延伸到端面中的第二开口的至少一个通道。控制器可根据等离子电弧焊炬参数控制电极气体流过通道。公开了用于操作具有此电极的等离子电弧切削焊炬的方法。
320 带有放射性物质的树脂减容处理装置及其工作方法 CN201180067306.3 2011-02-15 CN103348414A 2013-10-09 片桐源一
发明使等离子体的点燃容易化,并防止等离子体的熄灭。本发明的几种方案的减容处理装置(110)包括有载置被处理树脂(22)的载物台(112)、CCP用电源(180)、ICP用电源(190)。在本发明一种方案的减容处理装置(110)中包括有供给机构(122),CCP用电源(180)在减压状态下向真空容器(114)供给被处理树脂时继续工作。并且,在本发明一种方案的减容处理装置(110)中变更向真空容器(114)供给气体的供给条件时CCP用电源(180)继续工作。
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