子分类：
- H05H1/00： 等离子体的产生;等离子体的处理
- H05H11/00： 磁感应加速器,例如电子磁感应加速器
- H05H13/00： 磁共振加速器;回旋加速器{(strophotrons管, turbine管入H01J25/62)}
- H05H15/00： 其他类目不包含的用于带电粒子加速的方法或设备
- H05H2240/00： 检测
- H05H2242/00： 辅助系统
- H05H2245/00： 检测
- H05H2277/00： 应用
- H05H3/00： 中性粒子束,例如分子束或原子束,的产生或加速
- H05H5/00： 直流电压加速器;应用单脉冲的加速器(H05H3/06优先)
- H05H6/00： 用于产生核反应的靶(靶或被辐照目标物的支架入G21K5/08){氚的准备入 C01B4/00};{ 靶,例如通过激光或放电粒子束喷射进行聚变反应的小球入 H05H1/22}
- H05H7/00： H05H9/00,H01H11/00,H05H13/00各组包含的各种装置的零部件
- H05H9/00： 线性加速器
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 321 | 离子源、重粒子线照射装置及方法、离子源的驱动方法 | CN201310070318.2 | 2013-03-06 | CN103313502A | 2013-09-18 | 角谷晶子; 桥本清; 佐藤洁和; 吉行健; 来栖努 |
| 本发明涉及能够在使用激光的离子源中始终监视真空容器内的离子中的与目标离子不同的非目标离子的离子源、重粒子线照射装置、离子源的驱动方法以及重粒子线照射方法。激光烧蚀等离子体产生装置（27）使得从真空容器（1）内的包含有元素的靶（2）产生激光烧蚀等离子体（4）。离子束引出部（18）通过将激光烧蚀等离子体（4）中包含的离子从真空容器（1）内引出来生成离子束（5）。离子检测器（9）检测真空容器（1）内的离子中的与元素被离子化后的目标离子不同的非目标离子，作为检测结果而输出检测信号（14），该检测信号（14）表示非目标离子的数量，或者表示作为非目标离子相对于目标离子的混合比的值。 | ||||||
| 322 | 等离子处理装置 | CN200980118537.5 | 2009-05-14 | CN102037791B | 2013-08-21 | 岸本克史; 福冈裕介 |
| 一种等离子处理装置，包括：反应室；用于对反应室导入反应气体的气体导入部；用于从反应室排出反应气体的排气部；由在反应室内配置成相对状且在反应气体中等离子放电的第1电极和第2电极的组构成的3组以上的放电部；用于水平状或垂直状支撑各组的所述第1电极和所述第2电极且使它们并排的支撑部；以及对全部组的放电部提供电力的电源部，所述电源部包括高频发生器、以及用于放大来自该高频发生器的高频电力而提供给第1电极的放大器，所述放电部中，一个放电部的第1电极和与该放电部相邻的其他放电部的第1电极经由单独的放大器连接到同一个高频发生器，或者经由放大器连接到不同的高频发生器，各放电部中的第2电极分别接地。 | ||||||
| 323 | 等离子体CVD装置 | CN201180060443.4 | 2011-11-25 | CN103249865A | 2013-08-14 | 玉垣浩; 冲本忠雄 |
| 本发明具备：真空腔室（4）；配置在该真空腔室（4）内，并且对作为成膜对象的基材（W）进行卷挂的一对成膜辊（2、2）；以及通过在成膜辊（2）的表面产生使等离子体发生的磁场，从而形成在被该成膜辊（2）卷挂的基材（W）上形成皮膜的成膜区域的磁场生成部（8、15），一对成膜辊（2、2）由第一成膜辊（2）和第二成膜辊（2）构成，所述第二成膜辊（2）以轴心与该第一成膜辊（2）相互平行的方式与该第一成膜辊（2）空开间隔进行设置，磁场生成部（8、15）以如下方式配置，即，作为成膜区域，在一对成膜辊（2、2）之间的相向空间（3）内形成第一成膜区域（19），并且在该相向空间（3）以外的空间的、与成膜辊（2）的表面邻接的区域形成第二成膜区域（20）。 | ||||||
| 324 | 感应耦合等离子体用天线部件、处理装置以及处理方法 | CN201310049788.0 | 2013-02-07 | CN103249242A | 2013-08-14 | 东条利洋; 佐藤亮 |
| 本发明涉及感应耦合等离子体用天线部件、处理装置以及处理方法，在平面状地邻接设置多个天线的情况下，确保良好的等离子体控制性。感应耦合等离子体用天线部件(50)具有用于在等离子体处理装置的处理室内生成对基板(G)进行等离子体处理的感应耦合等离子体的天线，在该感应耦合等离子体用天线部件(50)中，天线(131)被配置成具有与基板(G)相对置地形成的、生成有助于生成等离子体的感应电场的平面区域(141)。并且，平面区域(141)由多个天线段(61、71)构成，该多个天线段(61、71)是在与基板(G)交叉的方向上纵向螺旋状地卷绕天线线材(62、72)而构成的，具有形成平面区域(141)的一部分的平面部(63、73)。 | ||||||
| 325 | 旋转电容器 | CN201310018228.9 | 2013-01-17 | CN103227050A | 2013-07-31 | 户内丰 |
| 本发明提供一种旋转电容器，其能够降低在旋转叶片中流过的涡电流而抑制发热。本发明的旋转电容器通过改变对置的一对电极的对置面积来改变电容量，其中，在从旋转轴的周面伸出的旋转叶片的缘部设置缺口。由此，抑制涡电流的流动。将旋转叶片设为层叠结构，并设为具备由绝缘体构成的电极板主体及被覆电极板主体表面的由导电体构成的表面层的结构。改变旋转叶片厚度而在旋转叶片的缘部形成比中央部更薄的薄壁部。 | ||||||
| 326 | 用于产生等离子体与离子间反应的质谱装置及方法 | CN201310099524.6 | 2013-03-26 | CN103219220A | 2013-07-24 | 贾滨; 徐国宾; 杨芃原 |
| 本发明提供了一种用于产生等离子体与离子间反应的装置，该装置至少包括：常压下工作的质谱离子源（如ESI、APCI等）；常压电离气室，气室设有辅助气通路和废气、废液排出口；玻璃或陶瓷等绝缘材料制成的可离子传输管；加在离子传输管外表面，用于激发等离子体的射频电极及电源；以及放置于离子传输管后的质谱仪。本发明采用玻璃等绝缘材料作为离子传输管，并通过射频电源激发离子传输管中的待测离子和辅助气体，使其发生等离子体-离子反应。相较现有技术，该装置利用离子传输管中的低真空环境，可以激发空气或其他反应气体，产生高密度等离子体，发生离子-等离子体反应，供后续质谱分析。 | ||||||
| 327 | 用于焊接设备的保护气体流量控制器 | CN200880114251.5 | 2008-09-01 | CN101855039B | 2013-07-24 | A·哈尔沃森; M·法尔斯塔德 |
| 用于电弧焊接设备的保护气体流量控制器(100)插入于保护气体源(200)与电弧焊接设备的保护气体阀(800)之间的保护气体供应管线内，该流量控制器具有：保护气体(200)输入和保护气体输出(600)；可控气体阀(110)，其连接于保护气体输入与输出之间且具有控制输入(170)；以及，控制器机构，其具有第一输入(400)和气体流量设置控制(300)机构，第一输入(400)用于接收焊接信号，焊接信号代表在焊接操作期间焊接设备的电焊弧电流(900)，且气体流量设置控制(300)机构适于生成流量设置输出，流量设置输出是焊接信号的函数、且代表所希望的保护气体流量。该保护气体流量控制器还包括：输入压力传感器(120)，其连接到保护气体输入、且布置成向第二控制器机构输入提供保护气体输入压力测量(150)；输出压力传感器(140)，其连接到保护气体输出、且布置成向第三控制器机构输入(160)提供保护气体输出压力测量；以及，流量设置输出修改装置，其适于基于保护气体输入和输出压力测量、焊接信号和可控阀的特征来修改气体流量设置控制机构的流量设置输出到控制信号(170)内，以用于输入到可控气体阀的控制输入，以便在焊接操作期间在到焊接设备的保护气体供应管线中维持对应于流量设置输出的基本上恒定的保护气体流量，这实质上与分别在保护气体输入和输出的实际保护气体输入和输出压力无关。 | ||||||
| 328 | 用于改变带电粒子束的方向的方法和设备 | CN201280003164.9 | 2012-05-25 | CN103180912A | 2013-06-26 | 姆拉丁·阿布比奇罗维奇·库马科夫 |
| 本发明涉及包括用于定向带电粒子、实现其加速和交互、以及产生由其运动引起的辐射的手段（即，用于改变加速带电粒子束的方向的方法、用于实现所述方法的设备）、波荡器电磁辐射源、带电粒子的线性和循环加速器、以及对撞机和用于产生由加速带电粒子流创建的磁场的装置的组。该方法以及实现该方法的设备基于对用于传送粒子的由能够充电的材料制成的弯曲通道（1）的使用、以及与粒子种类相同的电荷在通道内表面上的形成。这些发明的特征在于，它们需要维持使粒子的能量和电荷与通道的几何参数（特别是其纵轴（14）的曲率半径R）以及壁材料的电气强度相关的条件。该组中的其他设备包括用于改变射束方向的设备，该设备根据相应设备的功能将粒子的轨迹限定在这些设备内部以产生所需形状，并且使射束聚焦。技术效果是有可能具体地通过消除对磁体以及这些设备的电源电压源和控制电压源的需求来在不损失强度的情况下使射束旋转大角度、显著地简化设计、以及同时减小所有设备的质量和尺寸。 | ||||||
| 329 | 质量分析装置及质量分析方法 | CN201210570071.6 | 2012-12-25 | CN103177928A | 2013-06-26 | 西村和茂; 桥本雄一郎; 杉山益之; 山田益义; 诸熊秀俊 |
| 本发明提供质量分析装置及质量分析方法，其能够同时实现有效的离子化和高灵敏度的质量分析。质量分析装置的特征在于，具备：离子源，包括第一电极、第二电极、和具有试样的导入部及排出部并且设置在所述第一电极与所述第二电极之间的电介质部；电源，对所述第一电极和所述第二电极的任一方施加交流电压，并且通过在所述第一电极与所述第二电极之间发生的放电对所述试样进行离子化；质量分析部，分析从所述排出部排出的离子；以及光照射部，对发生所述放电的区域照射光。 | ||||||
| 330 | 机翼后边缘等离子流控制设备和方法 | CN200810108806.7 | 2008-05-26 | CN101332871B | 2013-06-26 | 布拉德利·A·奥斯本; 克里斯托弗·D·威尔逊 |
| 一种尤其非常适于用在康达表面上的流动控制系统和方法，例如机翼后边缘等离子流控制设备和方法。在一个实施例中，多个等离子作动器布置在航空器的机翼的康达表面之上。作动器选择性地赋能以要么延迟边界层流动从康达表面的分离的开始，要么促进流动分离。一实施例公开在康达表面上使用双模式等离子作动器。所述系统和方法可应用到很多期望对后边缘表面之上的边界层流动分离进行控制的空气动力表面。 | ||||||
| 331 | 等离子处理装置 | CN201080068816.8 | 2010-09-06 | CN103155718A | 2013-06-12 | 江部明宪; 渡边正则 |
| 本发明目的在于廉价地提供一种维护检修容易且能够稳定地供给等离子的内部天线方式的等离子处理装置。本发明的等离子处理装置具备在真空容器(11)的上壁(111)上设置多个的天线单元(20)，天线单元(20)具备：从真空容器(11)的上壁(111)向真空容器(11)内凸出地设置的电介质制的框体(21)；具有将框体内的气氛向真空容器的外部排出的第二气体排出口(25)的盖(22)；以及经由馈通体(24)而固定于盖(22)且在管壁上具有气体通过孔(232)的由导体管构成的高频天线(23)。向高频天线(23)的管内供给不活泼气体，通过气体通过孔(232)而将框体(21)的内部充满，通过第二气体排出口(25)向真空容器(11)的外部排出。 | ||||||
| 332 | 控制流体流动的静电流体加速器和方法 | CN201010582462.0 | 2003-06-23 | CN102078842B | 2013-06-05 | I·A·克里克塔弗维奇; V·L·格罗伯特斯 |
| 控制流体流动的静电流体加速器和方法。一用于处理流体的装置包括一电晕放电装置(602)和一电源(601)。电晕放电装置(602)包括至少一个电晕放电电极(603)和至少一个收集器电极(605)，它们彼此靠近定位，以便提供在预定范围内的总的极间电容。电源(601)加以连接而将一电功率信号供应到电晕放电电极和收集器电极(603、605)，以便造成电晕电流流过电晕放电电极和收集器电极(603、605)之间。发生的电功率信号的电压的交变分量的幅值不大于电功率信号的电压的常量分量的幅值的1/10。电压的交变分量是这样的幅值和频率：电压的最高谐波的交变分量的幅值除以电压的常量分量的幅值获得的比，相当地小于电晕电流的最高谐波的交变分量的幅值除以电晕电流的常量分量的幅值获得的比，即，(Vac/Vdc)＜(Iac/Idc)。 | ||||||
| 333 | 等离子生成装置及等离子处理装置 | CN200980109110.9 | 2009-03-25 | CN101970710B | 2013-06-05 | 椎名祐一 |
| 本发明的目的是提供一种能够更有效地除去混入到等离子中的微滴，能够谋求由高纯度等离子进行的成膜等的表面处理精度的提高的等离子生成装置及使用了它的等离子处理装置。在本发明中，设置在等离子行进路上的微滴除去部，由与等离子发生部(A)连接的等离子直行管(P0)；与等离子直行管(P0)呈弯曲状地连接的第一等离子行进管(P1)；与第一等离子行进管(P1)的终端相对于其管轴以规定弯曲角倾斜配置地连接的第二等离子行进管(P2)；与第二等离子行进管(P2)的终端呈弯曲状地连接并从等离子出口排出等离子的第三等离子行进管(P3)构成。 | ||||||
| 334 | 用于等离子弧气炬的适配件 | CN201180043483.8 | 2011-09-09 | CN103109585A | 2013-05-15 | R·J·西梅克; J·马瑟; P·J·特瓦罗格; S·T·艾克霍夫 |
| 揭示了用于延长等离子弧气炬的设备和方法。该设备包括等离子气炬适配件，用于相对于等离子弧气炬重新定位等离子气炬耗材的安装位置。适配件构造成安装在等离子弧气炬与等离子气炬耗材之间。适配件可连接到气炬的耗材接口，并包括具有第一端和第二端的大致纵向本体。适配件包括本体第一端的第一连接件，该第一连接件适于与耗材接口匹配。该适配件还包括本体第二端的第二连接件，第二连接件用于与一组等离子气炬耗材匹配，从而以与第一连接件间隔开的关系形成用于耗材的第二安装位置，该安装位置与第二连接件相邻。 | ||||||
| 335 | 对称等离子体处理室 | CN201210548948.1 | 2012-10-08 | CN103094045A | 2013-05-08 | 詹姆斯·D·卡达希; 哈密迪·塔瓦索里; 阿吉特·巴拉克利斯纳; 陈智刚; 安德鲁·源; 道格拉斯·A·小布什伯格; 卡尔蒂克·贾亚拉曼; 沙希德·劳夫; 肯尼思·S·柯林斯 |
| 本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。 | ||||||
| 336 | 基板处理设备以及阻抗匹配方法 | CN201210425796.6 | 2012-10-31 | CN103094042A | 2013-05-08 | 哈鲁秋恩·梅利基扬; 孙德铉; 朴源泽; 成晓星 |
| 提供一种基板处理设备和阻抗匹配方法。该基板处理设备包括：高频功率源，其用于产生高频功率；处理室，其用于通过使用高频功率来执行等离子体处理；匹配电路，其用于对处理室的变化阻抗进行补偿；以及变压器，其被设置在处理室和匹配电路之间，以减少处理室的阻抗。 | ||||||
| 337 | 等离子体处理设备 | CN201180041127.2 | 2011-11-21 | CN103081073A | 2013-05-01 | 池田真义; 坂本清尚; 泽田明宏; 佐护康实; 长谷川雅己; 栗田资三 |
| 本发明提供一种等离子体处理设备，其能够通过校正等离子体密度分布的不均匀来使基板处理均匀。该设备具有下面的结构：利用等离子体处理基板，减压容器设置有围绕容器的外周所配置的环形天线，由电源容器和处理容器形成减压容器，其中，将基板置于处理容器中，并且处理容器与电源容器的内部空间连通。通过提供至天线的射频电力在电源容器中生成等离子体。通过围绕天线的外周所配置的螺线管线圈的磁场使等离子体扩散至处理容器中。通过利用倾斜调整部件调整螺线管线圈相对于处理基板的倾斜，来调整螺线管线圈所生成的磁场的倾斜，并进行基板处理。 | ||||||
| 338 | 等离子体灭菌装置和方法 | CN200880101779.9 | 2008-08-04 | CN101772354B | 2013-05-01 | 林信哉; 北崎训 |
| 本发明提供一种用于在作为灭菌对象物的长条状细管内生成等离子体，来进行长条状细管内部的灭菌处理的等离子体灭菌装置和方法。特别是提供一种即使对内径是5mm以下的长条状细管也能高效率地进行灭菌处理，并且能够防止损伤长条状细管的内壁，且能抑制二次感染的危险性，还能够抑制由电极的溅射造成对长条状细管的污染的等离子体灭菌装置和方法。等离子体灭菌装置的特征在于，包括：能收容作为灭菌对象物的长条状细管(1)、并且能调整内部压力的容器(2)；以及配置在该长条状细管的至少一方的端部的电极(5)，通过在调整了该长条状细管的内部或外部的压力的状态下对该电极施加交流电压，使得在该长条状细管的内部和外部具有规定的压力差，从而在该长条状细管内生成等离子体。 | ||||||
| 339 | 直流电源装置 | CN201180039583.3 | 2011-08-12 | CN103069928A | 2013-04-24 | 堀下芳邦; 松原忍; 小野敦 |
| 本发明提供一种直流电源装置，其可施加正电压对电弧放电进行消弧，而且在对电弧放电消弧后，在恢复正常工作时可确保抑制再次发生电弧放电。直流电源装置具有向靶施加电力的直流电源部、电弧检测部、串联安装在负输出上的第一开关元件SW1、并联安装在正负两输出间的第二开关元件SW2和施加反向电压的反向电压施加部、以及控制装置4。正常工作时，在通过第二开关元件已停止反向电压施加部对电极施加反向电压的状态下通过第一开关元件对所述电极通电。如果检测到电弧放电，则通过第二开关元件从反向电压施加部向电极通电施加规定时间的反向电压，在该时间经过后通过第一开关元件阻断对电极的通电，之后再次开始对电极的通电。 | ||||||
| 340 | X射线装置 | CN200780102379.5 | 2007-12-21 | CN101978795B | 2013-04-24 | K·J·布朗; M·G·汤普森; D·A·罗伯茨; P·M·埃文斯; V·N·汉森 |
| X射线装置包括：线性加速器，适于以至少两个可选择能量之一产生电子射束并且被控制以周期性改变所选择的能量；以及靶，所述射束被引到所述靶从而产生x辐射射束，所述靶是非均匀的并且被驱动以与所选择的能量的改变同步周期性地运动。以此方式，靶能够运动以使得当不同脉冲到达时不同的部分被暴露于电子射束。这使得能够根据所选择的能量采用适当的靶材料。靶的周期性运动的最容易形式可能是旋转运动。靶可以被浸没在诸如水之类的冷却剂流体中。线性加速器可以为在WO2006/097697A1中公开的类型。靶优选地包含至少一个钨暴露区和/或至少一个碳暴露区。这些可以表现为构成靶的材料的不均匀性，诸如碳插入钨衬底中(反之亦然)、碳和钨的交替分段、碳和钨插入第三材料的衬底中、或者涉及除了碳和/或钨之外的或者代替碳和/或钨的其它材料的布置。可替换地，靶可以为均匀材料但是在其厚度上具有不均匀性以适应不同的电子能量。相同的概念可以应用于滤波器。可以提供与能量变化同步地操作的检测器。这样的x射线装置可以形成放射疗法装置的一部分，在这种情况下第一选择的能量可以是诊断能量而第二选择的能量是治疗能量。 | ||||||
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