子分类：
- H05H1/00： 等离子体的产生;等离子体的处理
- H05H11/00： 磁感应加速器,例如电子磁感应加速器
- H05H13/00： 磁共振加速器;回旋加速器{(strophotrons管, turbine管入H01J25/62)}
- H05H15/00： 其他类目不包含的用于带电粒子加速的方法或设备
- H05H2240/00： 检测
- H05H2242/00： 辅助系统
- H05H2245/00： 检测
- H05H2277/00： 应用
- H05H3/00： 中性粒子束,例如分子束或原子束,的产生或加速
- H05H5/00： 直流电压加速器;应用单脉冲的加速器(H05H3/06优先)
- H05H6/00： 用于产生核反应的靶(靶或被辐照目标物的支架入G21K5/08){氚的准备入 C01B4/00};{ 靶,例如通过激光或放电粒子束喷射进行聚变反应的小球入 H05H1/22}
- H05H7/00： H05H9/00,H01H11/00,H05H13/00各组包含的各种装置的零部件
- H05H9/00： 线性加速器
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 181 | 用于控制谱法用等离子体的方法和装置 | CN201480007759.0 | 2014-03-13 | CN105190830A | 2015-12-23 | S·哈特维尔 |
| 一种用于控制光学发射光谱法或质谱法用电感耦合等离子体或微波诱导等离子体的温度的方法和装置，其中测量由该等离子体发射的两条辐射光谱线的强度，并且调整所提供的用于维持该等离子体的功率以使得这些强度的比率保持基本上恒定。 | ||||||
| 182 | 高频电源装置 | CN201080070267.8 | 2010-09-22 | CN103222344B | 2015-12-16 | 河藤荣三 |
| 本发明提供一种高频电源装置，用以向阻抗大幅变化的负载供应高频电力，不在驱动电路中产生过电流或过电压，而可始终维持稳定的高频电流。将定电流转换电路连接在感应-电容-电阻（LCR）串联谐振电路与半桥驱动电路之间，利用半桥驱动电路的电压来控制感应-电容-电阻串联谐振电路的高频电流，以便相对于负载的阻抗变动进行定电流动作。通过定电流转换电路的作用，在插入在感应-电容-电阻（LCR）串联谐振电路中的变压器使用并联电容器来对半桥驱动电路的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的门极进行驱动，将感应-电容-电阻串联谐振电路的高频电流与半桥驱动电路的输出的相位保持于固定。 | ||||||
| 183 | 用于污染物的除去的等离子体反应器 | CN201210279322.5 | 2012-07-13 | CN103028357B | 2015-12-16 | 许民; 李载玉; 姜宇石; 李大勋; 金冠泰; 宋永焄 |
| 本发明涉及用于污染物的除去的等离子体反应器。提供了用于污染物的除去的等离子体反应器，其被安装在处理室和真空泵之间且除去从处理室放出的污染物。等离子体反应器包括：至少一个介电体，在该介电体中形成了等离子体产生空间；接地电极，其被连接到介电体的至少一端；及至少一个驱动电极，其被固定到介电体的外周表面，且被连接至AC电源单元以接收AC驱动电压。接地电极具有沿着等离子体反应器的纵向方向的非均一直径。 | ||||||
| 184 | 用于使用直流来施加周期性电压的方法和装置 | CN201180034153.2 | 2011-05-11 | CN102985996B | 2015-12-16 | K·E·瑙曼; K·芬利; S·B·拉森; D·派莱利芒特 |
| 公开了用于将脉冲式DC功率施加给等离子体处理室的方法和装置。在一些实施方式中，改变所施加功率的频率，用以实现诸如沉积速率、电弧率和膜特性之类的期望处理效果。此外，公开了一种方法和装置，该方法和装置在特定周期的反向电势部分期间利用相对较高的电势，用以减少靶材上可能的结节。该周期中反向电势部分、溅射部分和恢复部分的相对持续时间是可调整的，用以实现期望的处理效果。 | ||||||
| 185 | 离子化装置及离子化分析装置 | CN201180009021.4 | 2011-02-09 | CN102792416B | 2015-12-16 | 平冈贤三; 陈力勤 |
| 在具有3个连接口的T字管41的一端部连接有试样喷嘴21，在另一端部连接有与分析装置50相连的离子供给管31，在又一端部连接有阻挡放电管11，其中央部为离子化室SP。离子化室SP是被封闭的空间，这里生成的离子经由离子供给管31被导入到分析装置50中。由此，几乎全部的离子被导入到分析装置内部。 | ||||||
| 186 | D类放大器 | CN201380075886.X | 2013-12-26 | CN105144577A | 2015-12-09 | 让原逸男; 相川谕; 大间亮介 |
| 在D类放大器中，抑制高频RF区域中的振荡现象，降低冲击电压。通过在D类放大电路的电源侧连接振荡吸收电路，由D类放大电路和连接的振荡吸收电路等价地构成振荡电路，并将振荡吸收电路所具备的电阻作为振荡电路的衰减电阻，来进行振荡现象的抑制和冲击电压的降低。振荡吸收电路由电阻和电感的RL并联电路构成。振荡吸收电路和D类放大电路构成振荡电路，振荡吸收电路的电阻在高频RF区域中构成振荡电路的衰减电阻。 | ||||||
| 187 | 切割电磁铁及粒子射线治疗装置 | CN201280001031.8 | 2012-02-13 | CN103370991B | 2015-12-09 | 菅原贤悟; 吉田克久; 大谷利宏; 益野真一; 加岛文彦 |
| 切割电磁铁构成为包括：磁轭(1)，该磁轭(1)呈弧状，具有在外周侧形成开口并沿周向延伸的空隙部(1s)，并且该磁轭(1)构成为能在轴向上的大致中央部进行分割；切割线圈(3)，该切割线圈(3)设置在空隙部(1s)内的径向的外侧，且有电流沿周向的一个方向流过；回程线圈(4)，该回程线圈(4)以隔着规定间隔与切割线圈(3)相对的方式设置在空隙部(1s)内的径向的内侧，且有与切割线圈(3)反向的电流流过；以及真空管道(2)，该真空管道(2)设置在切割线圈(3)和回程线圈(4)之间，切割线圈(3)形成为能与磁轭(1)的分割相对应地分离成第一部分(3u)和第二部分(3d)，并且，在切割线圈(3)和真空管道(2)之间设有辅助线圈(5)，在该辅助线圈(5)的与切割线圈(3)的第一部分(3u)和第二部分(3d)对应的部分(5u、5d)中有周向上的彼此反向的电流流过。 | ||||||
| 188 | 等离子体产生装置及等离子体处理装置 | CN200980117009.8 | 2009-05-21 | CN102027811B | 2015-12-09 | 江部明宪; 安东靖典; 渡边正则 |
| 在具有兼作真空容器一部分的长方形开口部的凸缘上，设有平板状的高频天线导体(13)，使其夹住围着该开口部的绝缘碍子框体并覆盖住该开口部。在这个构造中，高频天线导体的沿着长边的一端通过匹配箱连接高频电源，另一端接地，使得高频电流由高频天线导体的一端往另一端流动而供电。如此一来，能够降低高频天线导体的阻抗，并能够有效率地产生低电子温度的高密度等离子体。 | ||||||
| 189 | 中子捕捉疗法装置及核转换装置 | CN201510045476.1 | 2015-01-29 | CN105079982A | 2015-11-25 | 密本俊典; 菊地雄司 |
| 本发明的课题在于提供一种能够检测带电粒子束相对于靶的照射位置是否正常的中子捕捉疗法装置。一种中子捕捉疗法装置(1A)，其具备：加速器(10)，射出带电粒子束(P)；靶(T)，受到带电粒子束(P)的照射而产生中子束(N)；射束传输线路(48)，向靶(T)传输从加速器(10)射出的带电粒子束(P)；及电流检测部(60)，检测带电粒子束(P)的电流值，电流检测部(60)在射束传输线路(48)的内部以与射束传输线路(48)的内壁(48a)绝缘的状态沿着内壁(48a)设置。 | ||||||
| 190 | 一种空气净化装置及等离子发生器 | CN201280051519.1 | 2012-03-28 | CN104039362B | 2015-11-25 | 王玥 |
| 一种空气净化装置及等离子发生器，该等离子发生器包括：用于产生负高压的电源装置及至少一个等离子发生电极(10,10′)，所述等离子发生电极包括金属丝(110)及两个形状相同的金属板(121)，所述两个金属板的横截面为圆弧状，且均匀分布在所形成圆的圆周，所述两个金属板(121)的横截面的圆心角为30°～90°，所述两个金属板(121)的横截面的内径为35mm～80mm，所述金属丝(110)穿过所述圆的圆心且垂直于所述金属板(121)的横截面，所述金属丝(110)连接所述电源装置的输出端，所述两个金属板(121)接地。本发明的技术方案能高效处理污染空气。 | ||||||
| 191 | 以在两个能级之间可调的脉冲产生脉冲韧致辐射的方法和设备 | CN201180038971.X | 2011-07-04 | CN103314647B | 2015-11-25 | O·J·马斯列尼考夫; V·I·施韦杜诺夫 |
| 一种意在用于检测系统的以在两个能级之间可调的脉冲产生脉冲韧致辐射的方法和设备，对每个能级具有独立调整的剂量率。所述设备被赋予局部辐射屏蔽且产生撞击所述减速靶（12）的窄射束，以及能够高效地加速粒子。所述设备被赋予使用驻波的加速结构（7），驻波由具有低电压射束并由永磁体聚焦的紧凑多束速调管（22）送入。从一个脉冲到另一个脉冲，通过速调管（22）的功率输出级别和加速结构（7）中振幅二者的变化在相同频率调整带电粒子加速射束（19）的能量。从一个脉冲到另一个脉冲，通过电子枪（8）的控制电极（10）的电压和注入到加速结构（7）中的电流二者的变化调整所述剂量率。 | ||||||
| 192 | 一种电容耦合式的等离子体处理装置及其基片加工方法 | CN201110219413.5 | 2011-08-02 | CN102915902B | 2015-11-25 | 刘忠笃; 尹志尧 |
| 本发明涉及一种电容耦合式的等离子体处理装置，其通过在反应腔内设置电场调节元件--“电场透镜”，从而在反应腔内产生与原射频电场方向相反的再生电场，来消减原有射频电场产生的等离子体在基片表面刻蚀速率分布的不均匀性；电场调节元件--“电场透镜”还降低了反应腔体的等效品质因数Q值，从而展宽了射频频带，并防止高压电弧的产生。本发明还提供了一种利用该处理装置进行基片加工的方法。 | ||||||
| 193 | 长寿命核反应装置高效靶材的原位沉积和再生方法及系统 | CN200980112592.3 | 2009-02-27 | CN101990686B | 2015-11-25 | 罗博特安德鲁·斯特博; 布瑞恩艾迪沃德·尤尔奇克; 德瑞恩艾德曼·阿尔曼; 玛特鲁戴维德·考文垂; 迈克尔杰罗姆·思科斯 |
| 本发明的各方面涉及在中子发生器和类似的核反应设备中沉积和再生靶材的一些方法。靶材的原位沉积和再生减少了核反应设备的管退化并且覆盖在靶位置处的靶材表面上的杂质。本发明的进一步的各方面包括设计靶的方法，以便以高效率并以从中子能谱选择的中子能量生成中子。 | ||||||
| 194 | 等离子枪和包括等离子枪的加热装置 | CN201480010858.4 | 2014-02-25 | CN105075401A | 2015-11-18 | 兰伯特斯·约翰内斯·西奥多勒斯·范·费尔德霍芬; 理查德·阿里·尼古拉斯·维塞 |
| 本发明涉及一种等离子枪，用于加热气体，更特别为位于加热空间内的空气，该等离子枪包括喷嘴，所述喷嘴包括喷嘴壁和位于所述喷嘴壁内的喷嘴开口，所述喷嘴开口的截面的最大直径关于所述喷嘴开口的第一长度的比例大于2。此外，本发明涉及一种加热装置，包括加热空间和这种等离子枪，其中所述等离子枪被设置用于加热气体，更特别为空气，该气体位于所述加热空间内。另外，本发明涉及这样一种加热装置，其中所述等离子枪包括阴极、位于阴极和所述喷嘴壁之间的空间、以及用于在该空间的方向上引导水或含水液体的通道，并且所述加热装置进一步包括用于将所述等离子枪连接至供水系统的连接机构。 | ||||||
| 195 | 粒子射线治疗装置 | CN201380073590.4 | 2013-02-22 | CN105073191A | 2015-11-18 | 小田原周平; 原田久; 池田昌广; 菅原贤悟 |
| 本发明的粒子射线治疗装置具有旋转吊架(10)，该旋转吊架(10)构成为使照射装置(4)绕着转轴(XR)的周围旋转，由此来向被照射体照射粒子射线(B)，在该旋转吊架(10)中设置有入口侧偏转电磁铁(1)，该入口侧偏转电磁铁(1)具有使沿着转轴(XR)提供来的粒子射线(B)朝径向偏转从而导入照射装置(4)的偏转路径(1c)、以及与偏转路径(1c)自由切换并使所提供的粒子射线(B)直线前进的直进路径(1s)，该粒子射线治疗装置还包括轨道修正装置(5、6)，该轨道修正装置(5、6)具有在转轴(XR)方向的两侧夹着入口侧偏转电磁铁(1)而配置的两个位置传感器(5)。 | ||||||
| 196 | 用于减少有害物质的等离子体反应器 | CN201510212610.2 | 2015-04-29 | CN105047515A | 2015-11-11 | 许民; 姜宇石; 李载玉 |
| 本发明涉及用于减少有害物质的等离子体反应器。提供了一种用于在被安装在处理气体朝向真空泵的排气路径上时减少包括在处理气体中的有害物质的等离子体反应器。等离子体反应器包括绝缘体、第一接地电极、第二接地电极和驱动电极，该绝缘体具有管形状，处理气体穿过该管形状，该第一接地电极连接到绝缘体的面向处理腔室的前端，该第二接地电极连接到绝缘体的后端且设置有沿处理气体的移动方向面向绝缘体内部的中心的面向部件，该驱动电极被固定到绝缘体的外周表面且被连接到施加AC电压或RF电压的电源。 | ||||||
| 197 | 活性种供给装置以及表面等处理装置 | CN201180031925.7 | 2011-06-30 | CN103120031B | 2015-10-21 | 堀胜; 加纳浩之; 川角哲德; 吉田直史; 川尻明宏; 渡边智弘; 五十褄丈二 |
| 保护放电电极部免受处理气体影响，防止其氧化，延长其寿命。用电极罩（22P～25P）覆盖电极（22～25），并设置放电开口（22HL、HR～25HL、HR，其中，22HL、25HR被堵塞）。另外，在放电开口（22HL、HR～25HL、HR）的上游侧，在错开90°相位的位置设置保护气体流入口（22Q～25Q）。从保护气体流入口（22Q～25Q）流入的保护气体流过放电电极部（22S～25S）的周边而向放电空间流出。由于对放电电极部（22S～25S）供给保护气体，因此能够使放电电极部（22S～25S）难以接触处理气体。因此，能够抑制放电电极部（22S～25S）的氧化，延长其寿命。 | ||||||
| 198 | 带电粒子束照射系统和带电粒子束照射系统的运转方法 | CN201510160689.9 | 2015-04-07 | CN104971443A | 2015-10-14 | 冈崎贵美子; 西内秀晶; 森山国夫 |
| 本发明提供带电粒子束照射系统以及带电离子束照射系统的运转方法。缩短带电粒子束出射停止时的停止时间，并且抑制带电粒子束的运动量分散。首先，在射束出射开始时将加速用高频电压的振幅值保持在第一振幅值(V1)。如果射束出射的照射剂量达到了规定剂量，则使向加速空腔(15)施加的加速用高频电压的振幅值从第一振幅值(V1)增加到第二振幅值(V2)。然后，在照射剂量达到目标剂量(331)的时刻达到第二振幅值(V2)，并且原样地保持该值。接着，到下一次的照射开始之前使向加速空腔(15)施加的加速用高频电压的振幅值从第二振幅值(V2)减少到第一振幅值(V1)，在射束出射开始时保持在第一振幅值(V1)。 | ||||||
| 199 | 等离子体CVD装置 | CN201180060443.4 | 2011-11-25 | CN103249865B | 2015-10-14 | 玉垣浩; 冲本忠雄 |
| 本发明具备：真空腔室（4）；配置在该真空腔室（4）内，并且对作为成膜对象的基材（W）进行卷挂的一对成膜辊（2、2）；以及通过在成膜辊（2）的表面产生使等离子体发生的磁场，从而形成在被该成膜辊（2）卷挂的基材（W）上形成皮膜的成膜区域的磁场生成部（8、15），一对成膜辊（2、2）由第一成膜辊（2）和第二成膜辊（2）构成，所述第二成膜辊（2）以轴心与该第一成膜辊（2）相互平行的方式与该第一成膜辊（2）空开间隔进行设置，磁场生成部（8、15）以如下方式配置，即，作为成膜区域，在一对成膜辊（2、2）之间的相向空间（3）内形成第一成膜区域（19），并且在该相向空间（3）以外的空间的、与成膜辊（2）的表面邻接的区域形成第二成膜区域（20）。 | ||||||
| 200 | 带电粒子线治疗装置及带电粒子线的射程调整方法 | CN201510032773.2 | 2015-01-22 | CN104922803A | 2015-09-23 | 岩永慎二 |
| 本发明提供一种带电粒子线治疗装置及带电粒子线的射程调整方法，其目的在于缩短切换照射带电粒子线的层时的切换时间且缩短带电粒子线治疗的时间。控制部(130)在切换照射带电粒子线的被照射体的层时通过控制降能器(18)来降低带电粒子线的能量，并且提高在电磁铁电源(27)与电磁铁(25)之间串联连接的半导体(50)的电阻。由于半导体(50)能够在减少流向电磁铁(25)的电流时在必要时刻提高电阻来加大负载时间常数，因此能够缩短降低电流所需的时间。即，能够缩短切换照射带电粒子线的层时的切换时间，从而缩短带电粒子线治疗的时间。 | ||||||
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