子分类：
- H05H1/00： 等离子体的产生;等离子体的处理
- H05H11/00： 磁感应加速器,例如电子磁感应加速器
- H05H13/00： 磁共振加速器;回旋加速器{(strophotrons管, turbine管入H01J25/62)}
- H05H15/00： 其他类目不包含的用于带电粒子加速的方法或设备
- H05H2240/00： 检测
- H05H2242/00： 辅助系统
- H05H2245/00： 检测
- H05H2277/00： 应用
- H05H3/00： 中性粒子束,例如分子束或原子束,的产生或加速
- H05H5/00： 直流电压加速器;应用单脉冲的加速器(H05H3/06优先)
- H05H6/00： 用于产生核反应的靶(靶或被辐照目标物的支架入G21K5/08){氚的准备入 C01B4/00};{ 靶,例如通过激光或放电粒子束喷射进行聚变反应的小球入 H05H1/22}
- H05H7/00： H05H9/00,H01H11/00,H05H13/00各组包含的各种装置的零部件
- H05H9/00： 线性加速器
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 341 | 冷等离子体种子处理设备 | CN201210523536.2 | 2012-12-07 | CN103039151A | 2013-04-17 | 邵汉良; 董元华; 缪琴; 钱海波 |
| 本发明公开了一种冷等离子体种子处理设备，包括真空装置以及设置在真空装置内的放电装置和传输装置，在真空装置上设置有筒体进料口和筒体出料口，还包括一进料装置和一出料装置，进料装置包括第一进料斗和第二进料斗，第一进料斗和第二进料斗分别设置有进料盖、进料斗放气阀、进料斗出料口以及进料斗抽真空蝶阀，第一进料斗和第二进料斗的进料斗出料口以及筒体进料口分别通过一进料斗蝶阀与一三通管连接；在所述的第一进料斗和第二进料斗的进料斗抽真空蝶阀上连接有第一抽真空泵机组，出料装置包括第一出料斗和第二出料斗。本发明适用于处理各种作物的种子，处理成本低、速度快、无污染，且作物抗旱、抗病虫害等抗逆能力得到提高，增产效果显著。 | ||||||
| 342 | 用于污染物的除去的等离子体反应器 | CN201210279322.5 | 2012-07-13 | CN103028357A | 2013-04-10 | 许民; 李载玉; 姜宇石; 李大勋; 金冠泰; 宋永焄 |
| 本发明涉及用于污染物的除去的等离子体反应器。提供了用于污染物的除去的等离子体反应器，其被安装在处理室和真空泵之间且除去从处理室放出的污染物。等离子体反应器包括：至少一个介电体，在该介电体中形成了等离子体产生空间；接地电极，其被连接到介电体的至少一端；及至少一个驱动电极，其被固定到介电体的外周表面，且被连接至AC电源单元以接收AC驱动电压。接地电极具有沿着等离子体反应器的纵向方向的非均一直径。 | ||||||
| 343 | 超导加速空腔的端口部件 | CN201180036638.5 | 2011-08-31 | CN103026801A | 2013-04-03 | 仙入克也 |
| 本发明提供一种超导加速空腔的端口部件，能够使整体尺寸小型化且使工作效率提高从而使制造成本降低。超导加速空腔的拾波端口(23)的一端部通过焊接与形成在高次谐波耦合器(13)的端口部(27)接合，另一端部与拾波天线(22)法兰结合，高次谐波耦合器(13)设置在空腔主体的端部，端口主体(33)以及法兰部(35)由低纯度的铌材、或者铌以外的成分低于规定比例的铌合金一体形成，利用快速接头(41)来进行法兰结合。 | ||||||
| 344 | RF功率分配装置和RF功率分配方法 | CN201180036298.6 | 2011-04-22 | CN103026800A | 2013-04-03 | 金宰显; 李相元; 李容官 |
| 本发明提供一种RF功率分配装置和RF功率分配方法。所述装置包括：阻抗匹配网络，其传送来自RF功率源的功率；以及功率分配单元，其向至少一个产生容性耦合等离子体的电极分配来自阻抗匹配网络的输出功率。功率分配单元包括：第一电抗元件，其串联连接至第一电极；可变电容器，其一端与所述第一电抗元件和所述第一电极并联连接，且另一端接地；以及第二电抗元件，其一端连接至第一节点，且另一端连接至第二节点，其中，所述可变电容器的一端和所述第一电抗元件的一端在第一节点处彼此接触，第二电极和所述阻抗匹配网络的输出端在第二节点处连接。 | ||||||
| 345 | 用于测量等离子体中电特性组的装置 | CN201210476899.5 | 2006-06-13 | CN103021781A | 2013-04-03 | 克里斯托弗·金博尔; 埃里克·赫德森; 道格拉斯·凯尔; 阿列克谢·马拉赫塔诺夫 |
| 公开了一种探针装置，其配置为测量等离子体处理室内的电特性组，该等离子体处理室包括配置为暴露于等离子体的等离子体室表面组。该探针装置包括收集盘结构，其配置为暴露于所述等离子体，由此，收集盘结构与该等离子体室表面组中的至少一个是共面的。该探针装置还包括传导路径，其配置为将该电特性组由该收集盘结构传输到转换器组，其中由该等离子体的离子通量产生该电特性组。该探针装置进一步包括绝缘阻挡部，其配置为大体上将收集盘结构和传导路径与所述等离子体室表面组电分离。 | ||||||
| 346 | 微波处理装置及其控制方法 | CN201210330294.5 | 2012-09-07 | CN103000554A | 2013-03-27 | 芦田光利 |
| 本发明提供一种微波处理装置及其控制方法，能够使多个微波源与处理容器之间的阻抗匹配的精度提高。微波处理装置（1）具备：收容晶片（W）的处理容器（2）；生成用于处理晶片（W）的微波并导入到处理容器（2）的微波导入装置（3）；和控制微波导入装置（3）的控制部（8）。微波导入装置（3）具有：生成微波的多个磁控管（31）；和将在多个磁控管（31）中生成的微波传送到处理容器（2）的多个波导管（32），多个微波能够同时被导入处理容器（2）。控制部（8）在将多个微波同时导入处理容器（2）的第一状态继续的期间，有选择地且暂时地切换为在多个磁控管（31）中的1个中生成微波，仅将该微波导入处理容器（2）的第二状态。 | ||||||
| 347 | 具有等离子体发生器的家用器具及其运行方法 | CN201180015862.6 | 2011-04-14 | CN102970913A | 2013-03-13 | H·埃格迈尔; A·哈瑙; H·绍布 |
| 本发明涉及一种家用器具（1），其具有容器（4，11，18，22，24）和等离子体发生器（3），所述容器在所述家用器具工作时遭受湿气并且倾向于在家用器具的内表面（29）上形成生物膜，其中，所述等离子体发生器（3）能够产生冷的大气压-等离子体并且距离所述容器（4，11，18，22，24）的倾向于形成生物膜的内表面（29）以小于5cm的间距设置。本发明还涉及一种用于运行所述家用器具的方法。 | ||||||
| 348 | 控制带电粒子束的技术 | CN200880109201.8 | 2008-09-12 | CN101809714B | 2013-03-06 | 皮尔·R·卢比克; 拉塞尔·J·罗; 约瑟·C·欧尔森; 安东尼·雷诺 |
| 本文揭示了一种控制带电粒子束的技术。在一特定示范性实施例中，此技术可实现成带电粒子加速/减速系统。此带电粒子加速/减速系统可包括加速柱体。此加速柱体可包括具有孔径的多个电极，其中带电粒子束可穿过此孔径。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极的多个电阻器。带电粒子加速/减速系统还可包括电性耦接到多个电极以及多个电阻器的多个开关，多个开关中的每一个可构造成分别选择性接通多个操作模式。 | ||||||
| 349 | 等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和等离子体处理装置 | CN201180024693.2 | 2011-04-20 | CN102939404A | 2013-02-20 | 鹭坂圭亮; 野口义文 |
| 本发明的目的在于提供使利用转动等离子体进行的等离子体处理稳定且可以控制、并可以提高等离子体处理质量的等离子体流生成方法、等离子体处理方法、等离子体发生装置和使用它的等离子体处理装置。4个象限（Z1～Z4）中的各频率被设定为7、15、6、20Hz。利用该频率可变，可以使被分割成4个的转动角区域中的等离子体的转动速度不同。由于等离子体（P2、P4）的周向转动速度比等离子体（P1、P3）快，所以可以照射边描绘圆轨道（C）边从等离子体（P1）到（P2）、（P3）、（PB4）周期性变速转动的转动等离子体，可以在第一象限（Z1）～第四象限（Z4）中实施均匀的成膜处理。 | ||||||
| 350 | 用于提供活性气体流的设备 | CN201180029523.3 | 2011-04-13 | CN102934527A | 2013-02-13 | T.B.霍尔贝切; R.T.赖希; P.多布森; C.J.德维里; A.R.T.塔塔雷克 |
| 一种通常为手持式的设备（10）提供部分电离的气态等离子体流以便对治疗部位进行治疗。该设备包括容纳微型等离子体单元（16）的施加器头（52）和多个电极（26、28），在微型等离子体单元（16）中，从气源（22）流动通过单元的气体能够被激励以形成非热气态等离子体，多个电极（26、28）用于从电能的源接收电能以便激励单元中的等离子体形成区（18）中的气体以形成所述等离子体。施加器头（52）能够从该设备拆卸并且可以具有使得其能够被插入人或动物口腔中的尺寸和构造。 | ||||||
| 351 | 等离子体反应器 | CN200780034250.5 | 2007-08-10 | CN101534930B | 2013-02-13 | 闵兴植; 安永斤; 梁成珍 |
| 本发明提供了一种能够持久产生稳定和均匀等离子体的等离子体反应器。由于该反应器在由系统要求的位置具有允许在该系统中进行简单和有效安装和操作的结构，所以该反应器具有各种优点例如增大商业应用的范围。该反应器包括通过连续地堆叠正电极和负电极以及隔离物所构成的叠层以及设置在该叠层的一端用于固定该叠层的反应器体。利用隔离物交替地布置正电极和负电极以定义允许气体通过的通道。正电极和负电极的每个具有变形防止装置，用于分散电极的应力以及防止通过热膨胀和收缩所导致的局部热应力，由此增大抗热冲击性能。连接到正电极和负电极的外部端子设置在反应器体上。凸起在垂直于该叠层的堆叠方向的方向上形成于该反应器体的表面上从而反应器能够容易地固定到壳。 | ||||||
| 352 | 用于接触启动式等离子弧焊炬的电极和使用这种电极的接触启动式等离子弧焊炬 | CN201210398687.X | 2007-02-20 | CN102917528A | 2013-02-06 | J·马瑟; S·T·艾克霍夫; J·罗伯特 |
| 用于接触启动式等离子弧焊炬的电极包括由导电材料形成的细长电极本体。电极本体可相对于焊炬移动。弹性件用于在等离子弧焊炬的引导电弧操作期间使基本上所有的引导电弧电流通过电源、与电源电连通的电源连接件以及电极本体之间。电极和焊炬可包括具有第一表面和第二表面的接触元件，第一表面与电源接触件电连通，第二表面用于在转移电弧模式其间与电极本体的相应接触表面直接接触和电连通以使基本上所有的转移电弧电流通过电源和电极本体之间。 | ||||||
| 353 | 一种电容耦合式的等离子体处理装置及其基片加工方法 | CN201110219413.5 | 2011-08-02 | CN102915902A | 2013-02-06 | 刘忠笃; 尹志尧 |
| 本发明涉及一种电容耦合式的等离子体处理装置，其通过在反应腔内设置电场调节元件——“电场透镜”，从而在反应腔内产生与原射频电场方向相反的再生电场，来消减原有射频电场产生的等离子体在基片表面刻蚀速率分布的不均匀性；电场调节元件——“电场透镜”还降低了反应腔体的等效品质因数Q值，从而展宽了射频频带，并防止高压电弧的产生。本发明还提供了一种利用该处理装置进行基片加工的方法。 | ||||||
| 354 | 安装机构 | CN201080066794.1 | 2010-05-18 | CN102907182A | 2013-01-30 | 休特博特·拉姆伯格; 皮埃尔·保尔奎恩; 伊夫·库韦特; 毛里兹奥·瓦瑞特纳尔 |
| 本发明公开了一种安装机构，例如通过细长保持元件(14)安装设在漂移管加速器容器(10)中的漂移管的安装机构。该安装机构包括偏置机构，该偏置机构包括一个或多个盘形弹簧构件(46)，用于相对于容器使细长保持元件(14)朝向安装位置轴向地偏置。该安装机构还包括螺栓(58)，该螺栓(58)具有头部(60)和杆部，该杆部包括用于拧进细长保持元件(14)中的螺纹部分(64)。该安装机构还包括套管(66)，套管(66)包括套筒部分(68)，套筒部分(68)接纳螺栓杆部的至少一部分并且使一个或多个盘形弹簧构件(46)与螺栓杆部分开。螺栓头部(60)配置为接收由一个或多个盘形弹簧构件(46)产生的轴向偏置力。 | ||||||
| 355 | 使用脉冲传热流体流动的等离子体处理设备中的温度控制 | CN201180019903.9 | 2011-06-03 | CN102907180A | 2013-01-30 | 哈密迪·塔瓦索里; 逍平·周; 沙恩·C·尼维尔; 道格拉斯·A·布池贝尔格尔; 费纳多·M·斯李维亚; 巴德·L·梅斯; 蒂娜·琼; 科坦·马哈德斯瓦拉萨瓦米; 亚莎斯维尼·B·帕特; 达·D·源; 沃特·R·梅丽 |
| 本发明描述通过脉冲式施加加热功率和脉冲式施加冷却功率来控制等离子体处理腔室中的温度的方法和系统。在实施例中，温度控制至少部分地基于前馈控制信号，前馈控制信号源自输入到处理腔室中的等离子体功率。在另一实施例中，部分地通过耦接两个储器的被动平衡管，来维持热储器与冷储器各自的液位，两个储器耦接至温度受控部件。在另一实施例中，随着取决于加热/冷却工作循环值和比例循环的脉冲宽度，打开数字式传热流体流量控制阀，比例循环具有提供良好温度控制性能的持续时间。 | ||||||
| 356 | 叠层的等离子体致动器 | CN201180019659.6 | 2011-03-11 | CN102892671A | 2013-01-23 | J·S·塞尔金; D·J·修特尔; B·A·奥斯博恩 |
| 本发明公开一种方法和设备，该设备包括第一数量的柔性材料层（803，804），第二数量的介电材料层（805，806），连接于该第一数量的层（803，804）的表面层的第一电极（808），和连接于该第一数量的层和第二数量的层的其中之一中的第二层的第二电极（809）。该第一数量的层（803，804）与第二数量的层（805，806）间布；该第一电极（808）和第二电极（809）构造成响应电压形成等离子体。 | ||||||
| 357 | 电源装置 | CN200980125503.9 | 2009-06-17 | CN102076878B | 2013-01-16 | 堀下芳邦; 松原忍; 小野敦 |
| 提供一种电源装置，其可抑制基板充电引发的异常放电，可在大面积基板上形成良好的薄膜。本发明的电源装置(E)配置有：第一放电电路(E1)，其通过以规定频率交替性地使极性反转，对与等离子接触的一对靶(T1)、(T2)外加规定电位；第二放电电路(E2)，其对前述一对电极中未从第一放电电路外加电位的电极与接地间外加规定电位。第二放电电路具有反向电位外加装置(3)，其在极性反转时至少对前述电极的一方外加与输出电位相反的电位。 | ||||||
| 358 | 等离子体处理装置 | CN201180020058.7 | 2011-04-19 | CN102860139A | 2013-01-02 | 李庆镐 |
| 本发明公开了一种等离子体处理装置。等离子体处理装置（1）包括：反应室（100）；上部电极（200），配置在反应室（100）的内部，被施加电源以产生等离子体；多个调节部（400），与上部电极（200）连接，用于调节上部电极（200）的形状；以及下部电极（300），配置在反应室（100）的内部，用于搭载并支承基板（10）。等离子体处理装置（1）能够将用于施加高频的上部电极的形状调节成作业者所需形状，因此，能够反应室（100）内部的各部位均匀地产生等离子体。 | ||||||
| 359 | 使用远程等离子体源的介电沉积 | CN201180019997.X | 2011-03-22 | CN102859028A | 2013-01-02 | 拉尔夫·霍夫曼; 马耶德·A·福阿德 |
| 本发明提供一种溅射沉积系统，所述溅射沉积系统包括：真空腔室，所述真空腔室包括用于在所述真空腔室中维持真空的真空泵；进气口，所述进气口用于供应工艺气体到真空腔室；在真空腔室之内的溅射靶材和基板支撑器；和等离子体源，所述等离子体源附着于所述真空腔室且定位于距溅射靶材较远位置，所述等离子体源被配置为形成延伸至真空腔室中的高密度等离子体束。等离子体源可包括矩形截面源腔室、电磁铁和射频线圈，其中矩形截面源腔室和射频线圈被配置为使高密度等离子体束具有细长卵形截面。此外，溅射靶材表面可被设置为非平面形式，以提供均匀等离子体能量沉积至靶材中和/或在基板支撑器上的基板表面处提供均匀溅射沉积。溅射沉积系统可包括用于整形高密度等离子体束的等离子体扩散系统，从而完全且均匀覆盖溅射靶材。 | ||||||
| 360 | 等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体 | CN200810189270.6 | 2008-12-30 | CN101547549B | 2013-01-02 | 中尾贤; 守谷修司; 上坂裕之 |
| 本发明提供可只对配管等具有足够长的环状构件、具有复杂内部形状的构件的内表面进行成膜处理的等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体。该等离子体处理装置包括：用于产生电磁波的电磁波产生源；将上述电磁波引导到等离子体点火区域的电磁波引导部；利用被引导到上述等离子体点火区域的电磁波在内部空间内对电磁波激励等离子体点火的电介质制的真空容器；具有与上述真空容器真空连接的内部空间的被处理体；对上述被处理体施加用于在上述被处理体的内表面上形成衬层的规定电压的电压施加部件，该等离子体处理装置用由形成在上述被处理体的内表面上的衬层引导到上述被处理体的内部的电磁波激励等离子体来处理上述被处理体的内表面。 | ||||||
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