1.用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于对锗锭、石英管、PBN坩埚及籽晶腐蚀清洗，具体包括以下步骤：
(1)锗锭清洗：将高纯度6N区熔锗锭放入第一溶液腐蚀，然后依次进行去离子水第一次冲洗、去离子水超声清洗和去离子水第二次冲洗，再用无水乙醇脱水，最后烘干；
所述第一溶液为氢氟酸和过氧化氢的水溶液，所用氢氟酸浓度为48.8％～49.2％，过氧化氢浓度为30％～32％，体积比为V (HF): V(H2O2):V(H2O)=1:1.5:9，腐蚀温度为常温，时间为15～30分钟；
 (2)石英管清洗：将石英管放入第二溶液腐蚀，然后用去离子冲洗，最后用无水乙醇脱水；
第二溶液为氢氟酸水溶液，所用氢氟酸浓度为48.8％～49.2％，体积比为V (HF):V(H2O)=1:7，腐蚀温度为常温，时间为20分钟；
(3) PBN坩埚清洗：用1500＃砂纸擦净PBN坩埚表面污点，然后将PBN坩埚放入第三溶液腐蚀，腐蚀后用去离子第一次冲洗，再放入第四溶液腐蚀，然后用去离子水第二次冲洗，用去离子水超声清洗，去离子水第三次冲洗，最后无水乙醇脱水；
第三溶液为王水，所用硝酸浓度为69％～72％，盐酸浓度为36％～38％，体积比为V (HNO3):V(HCl)=1:3，腐蚀温度为常温，时间为20～30分钟；
第四溶液为氢氟酸和氟化铵的水溶液，所用氢氟酸浓度为48.8％～49.2％，氟化铵浓度为10mg/L，体积比为V (HF):V(NH4F):V(H2O)=1:1:10，腐蚀温度为常温，时间为15～25分钟；
(4) 籽晶清洗：将籽晶放入第五溶液腐蚀，然后用去离子冲洗，最后用无水乙醇脱水；
第五溶液为硝酸和氢氟酸的混合溶液，所用硝酸浓度为69％～72％，氢氟酸浓度为
48.8％～49.2％，体积比为V (HNO3):V(HF)=1:2，腐蚀温度为常温，时间为2分钟。
2.如权利要求1所述的用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于步骤(1)锗锭清洗中用去离子水第一次冲洗时间为2分钟以上；常温下用去离子水超声清洗的次数为2～
4次，每次超声清洗时间为30分钟，超声波频率为40KHz；用去离子水第二次冲洗时间为2分钟以上；烘干的时间为90分钟，温度为200℃。
3.如权利要求1所述的用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于在步骤(2)石英管清洗中用去离子水冲洗时间为3分钟。
4.如权利要求1所述的用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于在步骤(3)PBN坩埚清洗中用去离子水第一次和第二次冲洗时间都为2～4分钟；用去离子水超声清洗的次数为4次，第一次超声清洗时间为2小时，超声波频率为40 KHz，温度为常温，第二、第三和第四这三次的超声清洗时间都为20分钟，超声波频率为60 KHz，温度为55℃； 用去离子水第三次冲洗时间为2分钟。
5.如权利要求1所述的用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于在步骤(4)籽晶清洗中用去离子水冲洗时间为2～5分钟。
6.如权利要求1所述的用VGF法生长锗单晶体的预清洗方法，其特征在于上述步骤(1)～(4)中所述无水乙醇的纯度为99.9％。