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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 制备树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的方法 | CN201180053371.0 | 2011-09-21 | CN103201318B | 2016-08-17 | J·B·霍斯特曼; S·斯维尔 |
| 本发明公开了一种通过如下步骤制备树脂?线型有机硅氧烷嵌段共聚物的方法：在第一步骤中使封端的线型有机硅氧烷与有机硅氧烷树脂反应形成树脂?线型有机硅氧烷嵌段共聚物。然后在第二步骤中使所得的树脂?线型有机硅氧烷嵌段共聚物交联，以使所述树脂?线型有机硅氧烷嵌段共聚物的平均分子量充分地增加至少50％。由本发明所公开的方法制备的所述树脂?线型有机硅氧烷嵌段共聚物可提供光学固体组合物，所述组合物可被视为“可再加工的”。 | ||||||
| 2 | 包含树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的高折射率组合物 | CN201180053363.6 | 2011-09-22 | CN103189419B | 2015-05-27 | J·B·霍斯特曼; S·斯维尔 |
| 本发明公开了有机硅氧烷嵌段共聚物的固体组合物，其具有大于1.5的折射率。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含：40摩尔％至90摩尔％的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10摩尔％至60摩尔％的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5摩尔％至35摩尔％的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30烃基，R2独立地为C1至C20烃基，其中：所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段，每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]，所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段，并且至少30％的所述非线型嵌段彼此交联，每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段，并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000克/摩尔。 | ||||||
| 3 | 刺激响应性化合物、变形材料和驱动器 | CN201380039036.4 | 2013-08-08 | CN104508015A | 2015-04-08 | 大竹俊裕 |
| 本发明提供一种能够以低电压大幅发生位移的刺激响应性化合物、变形材料及使用其的驱动器。本发明的刺激响应性化合物具有：一对聚硅氧烷链、将一对聚硅氧烷链之间进行交联的交联部、和键合于聚硅氧烷链的液晶部；交联部具有：单元A，其具有作为旋转轴发挥作用的键、且具有位于该键的一端的第1基团和位于键的另一端的第2基团；配置于第1基团的第1键合部位的第1单元B；配置于第2基团的第1键合部位的第2单元B，第1单元C和第2单元C；第1单元C与一对聚硅氧烷链中的一条链键合，第2单元C与一对聚硅氧烷链中的另一条链键合，第1单元B与第2单元B通过还原反应而键合。 | ||||||
| 4 | 有机硅氧烷嵌段共聚物 | CN201180053369.3 | 2011-09-21 | CN103189421B | 2015-03-25 | J·霍斯特曼; A·诺里斯; S·斯维尔 |
| 本发明公开了一种有机硅氧烷嵌段共聚物，其包含65至90摩尔％的式为R12SiO2/2(I)的二有机硅氧烷单元。这些二有机硅氧烷单元以直链嵌段排布，每个所述直链嵌段具有平均10至400个二有机硅氧烷单元。所述有机硅氧烷嵌段共聚物还包含10至35摩尔％的平均式为R2x(OR3)ySiO(4-x-y)/2(II)的硅氧烷单元。所述硅氧烷单元以非直链嵌段排布，每个所述非直链嵌段具有至少2个硅氧烷单元，其中0.5≤x≤1.5并且0≤y≤1。此外，每个R1独立地为C1至C10烃基，每个R2独立地为芳基或C4至C10烃基，至少50摩尔％的R2为芳基，并且每个R3独立地为R1或H。并且，所述有机硅氧烷嵌段共聚物的透光率为至少95％。 | ||||||
| 5 | 聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法 | CN201280053477.5 | 2012-10-26 | CN103958573A | 2014-07-30 | 金宰显; 申景茂; 李泓瞮; 张伦珠; 陈善喆 |
| 本发明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法。更具体地，本发明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，其中构成该共聚物的硅氧烷单体的分子量维持在特别高的水平和因此在甚至低硅氧烷含量的情况下，可实现优良的低温抗冲击性，和维持共聚物的粘度在低的水平和因此可改进流动性和可模塑性；和涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物的制造方法。 | ||||||
| 6 | 粘附促进剂 | CN201310753600.0 | 2013-10-30 | CN103788881A | 2014-05-14 | 王子栋; M·K·加拉赫; K·Y·王; G·P·普罗科普维茨 |
| 可以用来改进涂料组合物——例如形成电介质膜的组合物——的粘附力的组合物，其包含水解的聚烷氧基硅烷。这些组合物可以用于改进涂料组合物对基材的粘附力的方法中。 | ||||||
| 7 | 硅氧烷树脂、硅氧烷组合物和涂布的基底 | CN201310270971.3 | 2007-06-13 | CN103319718A | 2013-09-25 | 朱弼忠 |
| 含有二甲硅烷氧烷基单元的硅氧烷树脂，含有该硅氧烷树脂的硅氧烷组合物，和包含硅氧烷树脂的固化产物或氧化产物的涂布的基底。 | ||||||
| 8 | 制备树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的方法 | CN201180053371.0 | 2011-09-21 | CN103201318A | 2013-07-10 | J·B·霍斯特曼; S·斯维尔 |
| 本发明公开了一种通过如下步骤制备树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的方法：在第一步骤中使封端的线型有机硅氧烷与有机硅氧烷树脂反应形成树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物。然后在第二步骤中使所得的树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物交联，以使所述树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的平均分子量充分地增加至少50％。由本发明所公开的方法制备的所述树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物可提供光学固体组合物，所述组合物可被视为“可再加工的”。 | ||||||
| 9 | 膨胀性材料及使用方法 | CN201080049898.1 | 2010-09-13 | CN102712760A | 2012-10-03 | 保罗·L·艾德密斯东 |
| 本发明的一个方面包括一种膨胀性溶胶-凝胶组合物，所述组合物包含多个连通的有机硅纳米颗粒。本发明的另一方面包括一种膨胀性复合材料，所述材料包含多个连通的有机硅纳米颗粒和能与非极性或有机吸着物结合或反应的颗粒材料。干燥时，凝胶-溶胶组合物和膨胀性复合材料在接触非极性或有机吸着物时能够膨胀至其干燥体积的至少两倍。 | ||||||
| 10 | 表面改性剂及其应用 | CN200680010443.2 | 2006-03-30 | CN101189278B | 2012-03-21 | 伊丹康雄; 桝谷哲也; 彼得·C·胡佩费尔德; 唐·李·克莱尔 |
| 一种含有由通式(A)和/或通式(B)表示的有机硅酮化合物的表面改性剂及其应用：F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″Si(X′)3-a(R1)a(A)和F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″(X′)2-a(R1)aSiO(F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″(X′)1-a(R1)aSiO)zF-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″(X′)2-a(R1)aSi(B)，其中，q是1～3的整数；m、n和o独立地为0～200的整数；p是0、1或2；X是氧或者二价有机间隔基团；X″是二价有机硅酮间隔基团；X′是水解性基团；以及当a为0或1时，z是0～10的整数。 | ||||||
| 11 | 增强的有机硅树脂膜 | CN200880014328.1 | 2008-04-16 | CN101675097B | 2012-03-14 | 朱弼忠 |
| 一种包含至少两个聚合物层的增强的有机硅树脂膜，其中至少一个聚合物层包含至少一种含二甲硅氧烷单元的有机硅树脂的固化产物，和至少一个聚合物层包含碳纳米材料。 | ||||||
| 12 | 硅组合物、用该组合物制备陶瓷制品的方法及所得陶瓷制品 | CN200610092377.X | 2003-05-27 | CN100402469C | 2008-07-16 | H·德梅斯; H·法肯勒 |
| 本发明提供含至少15wt%水解的硅化合物和至少3wt%粘合剂材料的硅组合物。该硅组合物用于制造陶瓷。水解的硅化合物可例如是通过水解较高沸点的有机卤代硅烷而生产的凝胶，其中所述较高沸点的有机卤代硅烷是在通过直接法制造有机卤代硅烷或卤代硅烷中生产的。 | ||||||
| 13 | 硅组合物 | CN200610092377.X | 2003-05-27 | CN1872795A | 2006-12-06 | H·德梅斯; H·法肯勒 |
| 本发明提供含至少15wt％水解的硅化合物和至少3wt％粘合剂材料的硅组合物。该硅组合物用于制造陶瓷。水解的硅化合物可例如是通过水解较高沸点的有机卤代硅烷而生产的凝胶，其中所述较高沸点的有机卤代硅烷是在通过直接法制造有机卤代硅烷或卤代硅烷中生产的。 | ||||||
| 14 | 具有空间位阻的反应剂在单组分硅氧烷固化体系中的应用 | CN200510073553.0 | 2005-06-02 | CN1704437A | 2005-12-07 | E·J·布洛克 |
| 本发明提供了一种用于聚硅氧烷产物的一组分或单组分固化体系。该固化体系包括具有用于与交联反应剂反应的不饱和有机官能团的硅氧烷反应剂。该固化体系还包括具有用于与硅氧烷反应剂不饱和有机基团交联的硅烷基团的交联反应剂。硅氧烷反应剂的不饱和官能团，或交联反应剂的硅烷基团、或者两者都具有空间位阻。在催化剂存在下，硅氧烷反应剂与具有空间位阻的硅烷交联反应剂一起混合，形成单组分固化体系。本发明还提供了制造该聚硅氧烷产物的方法。 | ||||||
| 15 | 有机硅酸盐聚合体和含有该有机硅酸盐聚合体的绝缘膜 | CN03814811.0 | 2003-06-27 | CN1662578A | 2005-08-31 | 姜晶元; 文明善; 高敏镇; 姜贵权; 申东析; 南惠映; 金永得; 催范圭; 金秉鲁; 朴相敃 |
| 本发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物，特别涉及一种有机硅酸盐聚合体，所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备：混合在它的两个端用硅烷化合物封端的可热分解的有机硅烷化合物、普通硅烷化合物或者硅烷低聚物，然后加入水和催化剂以进行水解和缩合，而且本发明涉及一种含有该有机硅酸盐聚合体的用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物，用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物还含有成孔有机物质，本发明涉及通过涂敷该组合物并固化制备半导体器件绝缘膜的方法，及含有通过该方法制备的低电介绝缘膜的半导体器件。根据本发明制备的一种具有优异的热稳定性和机械强度的有机硅酸盐聚合体；一种含有该有机硅酸盐聚合体的形成绝缘膜的组合物可用于低电介配线的中间层绝缘膜，其可提供高速半导体、减少功率消耗并显著地减少金属配线之间的相互干扰；通过将组合物施加到绝缘膜上得到的薄膜具有优异的涂覆性能，可阻止相分离，可容易地控制微孔，因为在固化过程中有机物质热分解形成孔，而且它具有优异的绝缘性能和显著降低的薄膜密度。 | ||||||
| 16 | 用于清洗测试探针的设备和方法 | CN03806365.4 | 2003-01-16 | CN1643065A | 2005-07-20 | 伊戈尔·K·汉斯罗斯; 本杰明·N·埃尔德雷奇; 特雷里安特·方; 盖坦·L·马蒂厄; 加里·W·格鲁比; 迈克尔·A·德鲁什; 克里斯托弗·C·巴克霍尔兹 |
| 一种用于清洗用来测试半导体晶粒的探针尖端的探针清洗设备，其具有一磨蚀基板层、一在该磨蚀基板层的磨蚀表面的顶部上的粘性凝胶层。通过以下步骤来清洗该探针尖端：使该探针尖端穿过该粘性凝胶层使得其与该磨蚀基板的磨蚀表面相接触，移动该探针尖端横穿该基板层的磨蚀表面，并接着从该清洗设备的连续层移除该探针尖端。该探针尖端自清洗设备露出，其上没有与测试半导体晶粒相关联的碎片。 | ||||||
| 17 | 单分散、可溶的有机聚硅氧烷颗粒 | CN96103997.3 | 1996-04-01 | CN1073586C | 2001-10-24 | 迈克尔·盖克; 伯恩沃德·多布伊策尔; 曼弗雷德·施密特; 弗兰克·鲍曼 |
| 由一单一分子组成的有机聚硅氧烷颗粒被交联并具有5-200nm的平均直径。至少80%的颗粒具有与平均直径的偏移度不超过30%的直径。该颗粒在溶剂中的溶解度至少为5%(重量)。 | ||||||
| 18 | 聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法 | CN201280053477.5 | 2012-10-26 | CN103958573B | 2016-05-11 | 金宰显; 申景茂; 李泓瞮; 张伦珠; 陈善喆 |
| 本发明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法。更具体地，本发明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，其中构成该共聚物的硅氧烷单体的分子量维持在特别高的水平和因此在甚至低硅氧烷含量的情况下，可实现优良的低温抗冲击性，和维持共聚物的粘度在低的水平和因此可改进流动性和可模塑性；和涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物的制造方法。 | ||||||
| 19 | 富含硅的抗反射涂层材料及其制备方法 | CN201380005761.X | 2013-01-17 | CN104066804A | 2014-09-24 | 明-新·邹; 萧冰·周 |
| 本发明提供了一种用于光刻法中的抗反射涂层(ARC)配方，所述配方包含分散于溶剂中的富含硅的聚硅烷硅氧烷树脂，以及具有涂覆有所述ARC配方的表面的基材和一种将所述ARC配方施加至所述表面以形成ARC层的方法。所述聚硅烷硅氧烷树脂包含由(R’)2SiO2的结构单元定义的第一组分；由(R”)SiO3的结构单元定义的第二组分以及由(R”’)q+2Si2O4-q的结构单元定义的第三组分。在这些聚硅烷硅氧烷树脂中，所述R’、R”和R”’独立地选择为烃或氢(H)；并且所述下标q为1或2。作为另外一种选择，所述R’、R”和R”’独立地选择为甲基(Me)或氢(H)。通常，所述第一组分以x的摩尔比存在，所述第二组分以y的摩尔比存在，并且所述第三组分以z的摩尔比存在，使得(x+y+z)＝1、x | ||||||
| 20 | 用于抗反射涂层的聚硅烷硅氧烷树脂 | CN201280012557.6 | 2012-03-08 | CN103517956A | 2014-01-15 | 萧冰·周; 埃里克·S·莫耶 |
| 本发明提供了聚硅烷硅氧烷共聚物或树脂及其制备方法。本发明还提供了将所述聚硅烷硅氧烷共聚物施加到基材上形成用于光刻法(193nm)的聚硅烷硅氧烷膜的方法。所述聚硅烷硅氧烷膜符合用于抗反射涂层(ARC)应用所期望或需要的所述基本性能标准。 | ||||||
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