序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
21 树脂、硅氧烷组合物和涂布的基底 CN201310270971.3 2007-06-13 CN103319718A 2013-09-25 朱弼忠
含有二甲烷基单元的硅氧烷树脂,含有该硅氧烷树脂的硅氧烷组合物,和包含硅氧烷树脂的固化产物或氧化产物的涂布的基底。
22 制备树脂-线型有机烷嵌段共聚物的方法 CN201180053371.0 2011-09-21 CN103201318A 2013-07-10 J·B·霍斯特曼; S·斯维尔
发明公开了一种通过如下步骤制备树脂-线型有机烷嵌段共聚物的方法:在第一步骤中使封端的线型有机硅氧烷与有机硅氧烷树脂反应形成树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物。然后在第二步骤中使所得的树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物交联,以使所述树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的平均分子量充分地增加至少50%。由本发明所公开的方法制备的所述树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物可提供光学固体组合物,所述组合物可被视为“可再加工的”。
23 膨胀性材料及使用方法 CN201080049898.1 2010-09-13 CN102712760A 2012-10-03 保罗·L·艾德密斯东
发明的一个方面包括一种膨胀性溶胶-凝胶组合物,所述组合物包含多个连通的有机纳米颗粒。本发明的另一方面包括一种膨胀性复合材料,所述材料包含多个连通的有机硅纳米颗粒和能与非极性或有机吸着物结合或反应的颗粒材料。干燥时,凝胶-溶胶组合物和膨胀性复合材料在接触非极性或有机吸着物时能够膨胀至其干燥体积的至少两倍。
24 表面改性剂及其应用 CN200680010443.2 2006-03-30 CN101189278B 2012-03-21 伊丹康雄; 桝谷哲也; 彼得·C·胡佩费尔德; 唐·李·克莱尔
一种含有由通式(A)和/或通式(B)表示的有机化合物的表面改性剂及其应用:F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″Si(X′)3-a(R1)a(A)和F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″(X′)2-a(R1)aSiO(F-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″(X′)1-a(R1)aSiO)zF-(CF2)q-(OC3F6)m-(OC2F4)n-(OCF2)o(CH2)pXX″(X′)2-a(R1)aSi(B),其中,q是1~3的整数;m、n和o独立地为0~200的整数;p是0、1或2;X是或者二价有机间隔基团;X″是二价有机硅酮间隔基团;X′是解性基团;以及当a为0或1时,z是0~10的整数。
25 增强的有机树脂 CN200880014328.1 2008-04-16 CN101675097B 2012-03-14 朱弼忠
一种包含至少两个聚合物层的增强的有机树脂膜,其中至少一个聚合物层包含至少一种含二甲硅烷单元的有机硅树脂的固化产物,和至少一个聚合物层包含纳米材料
26 组合物、用该组合物制备陶瓷制品的方法及所得陶瓷制品 CN200610092377.X 2003-05-27 CN100402469C 2008-07-16 H·德梅斯; H·法肯勒
发明提供含至少15wt%解的化合物和至少3wt%粘合剂材料的硅组合物。该硅组合物用于制造陶瓷。水解的硅化合物可例如是通过水解较高沸点的有机卤代硅烷而生产的凝胶,其中所述较高沸点的有机卤代硅烷是在通过直接法制造有机卤代硅烷或卤代硅烷中生产的。
27 组合物 CN200610092377.X 2003-05-27 CN1872795A 2006-12-06 H·德梅斯; H·法肯勒
发明提供含至少15wt%解的化合物和至少3wt%粘合剂材料的硅组合物。该硅组合物用于制造陶瓷。水解的硅化合物可例如是通过水解较高沸点的有机卤代硅烷而生产的凝胶,其中所述较高沸点的有机卤代硅烷是在通过直接法制造有机卤代硅烷或卤代硅烷中生产的。
28 具有空间位阻的反应剂在单组分固化体系中的应用 CN200510073553.0 2005-06-02 CN1704437A 2005-12-07 E·J·布洛克
发明提供了一种用于聚烷产物的一组分或单组分固化体系。该固化体系包括具有用于与交联反应剂反应的不饱和有机官能团的硅氧烷反应剂。该固化体系还包括具有用于与硅氧烷反应剂不饱和有机基团交联的硅烷基团的交联反应剂。硅氧烷反应剂的不饱和官能团,或交联反应剂的硅烷基团、或者两者都具有空间位阻。在催化剂存在下,硅氧烷反应剂与具有空间位阻的硅烷交联反应剂一起混合,形成单组分固化体系。本发明还提供了制造该聚硅氧烷产物的方法。
29 有机酸盐聚合体和含有该有机硅酸盐聚合体的绝缘膜 CN03814811.0 2003-06-27 CN1662578A 2005-08-31 姜晶元; 文明善; 高敏镇; 姜贵权; 申东析; 南惠映; 金永得; 催范圭; 金秉鲁; 朴相敃
发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物,特别涉及一种有机酸盐聚合体,所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备:混合在它的两个端用硅烷化合物封端的可热分解的有机硅烷化合物、普通硅烷化合物或者硅烷低聚物,然后加入和催化剂以进行水解和缩合,而且本发明涉及一种含有该有机硅酸盐聚合体的用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物,用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物还含有成孔有机物质,本发明涉及通过涂敷该组合物并固化制备半导体器件绝缘膜的方法,及含有通过该方法制备的低电介绝缘膜的半导体器件。根据本发明制备的一种具有优异的热稳定性和机械强度的有机硅酸盐聚合体;一种含有该有机硅酸盐聚合体的形成绝缘膜的组合物可用于低电介配线的中间层绝缘膜,其可提供高速半导体、减少功率消耗并显著地减少金属配线之间的相互干扰;通过将组合物施加到绝缘膜上得到的薄膜具有优异的涂覆性能,可阻止相分离,可容易地控制微孔,因为在固化过程中有机物质热分解形成孔,而且它具有优异的绝缘性能和显著降低的薄膜密度
30 用于清洗测试探针的设备和方法 CN03806365.4 2003-01-16 CN1643065A 2005-07-20 伊戈尔·K·汉斯罗斯; 本杰明·N·埃尔德雷奇; 特雷里安特·方; 盖坦·L·马蒂厄; 加里·W·格鲁比; 迈克尔·A·德鲁什; 克里斯托弗·C·巴克霍尔兹
一种用于清洗用来测试半导体晶粒的探针尖端的探针清洗设备,其具有一磨蚀基板层、一在该磨蚀基板层的磨蚀表面的顶部上的粘性凝胶层。通过以下步骤来清洗该探针尖端:使该探针尖端穿过该粘性凝胶层使得其与该磨蚀基板的磨蚀表面相接触,移动该探针尖端横穿该基板层的磨蚀表面,并接着从该清洗设备的连续层移除该探针尖端。该探针尖端自清洗设备露出,其上没有与测试半导体晶粒相关联的碎片。
31 单分散、可溶的有机聚烷颗粒 CN96103997.3 1996-04-01 CN1073586C 2001-10-24 迈克尔·盖克; 伯恩沃德·多布伊策尔; 曼弗雷德·施密特; 弗兰克·鲍曼
由一单一分子组成的有机聚烷颗粒被交联并具有5-200nm的平均直径。至少80%的颗粒具有与平均直径的偏移度不超过30%的直径。该颗粒在溶剂中的溶解度至少为5%(重量)。
32 树脂组合物、树脂膜和半导体装置及其制造方法 CN201580005434.3 2015-01-07 CN105960426A 2016-09-21 近藤和纪; 市冈扬一郎
发明涉及树脂组合物,其含有下述(A)、(B)和(C)成分:(A)具有由下述组成式(1)表示的结构单元的重均分子量为3,000~500,000的有机树脂、(B)环树脂固化剂、(C)填料,本发明能够提供树脂组合物及树脂膜,其能够将晶片汇总地进行成型(晶片成型),特别是对于大口径、薄膜晶片具有良好的成型性,同时在成型后提供低翘曲性和良好的晶片保护性能,进而能够良好地进行成型工序,能够适合用于晶片平封装。
33 光学装置表面处理方法以及由此制备的抗污迹制品 CN201180053953.9 2011-11-07 CN103221497B 2016-06-08 S·S·伊耶; R·M·弗林; R·V·拉加戈帕尔; E·D·奥尔森; K·J·曼斯科; M·M·戴维; J·A·凯利
发明提供了一种表面处理方法,包括(a)提供至少一种光学装置;(b)提供可固化的表面处理组合物,所述组合物包含(1)至少一种氟化有机烷化合物,所述氟化有机硅烷化合物包含(i)选自多氟烷基、多氟醚、多氟聚醚以及它们的组合的单价链段和(ii)包含至少一个甲硅烷基部分的单价端基,所述甲硅烷基部分包含至少一个选自可解基团、羟基以及它们的组合的基团,和(2)至少一种氟化有机硅烷化合物,所述氟化有机硅烷化合物包含(i)多价链段,所述多价链段选自多氟烷、多氟醚、多氟聚醚以及它们的组合,和(ii)至少两个单价端基,每个所述单价端基独立地包含至少一个甲硅烷基部分,所述甲硅烷基部分包含至少一个选自可水解基团、羟基以及它们的组合的基团;(c)将所述可固化表面处理组合物施加到所述光学装置上;以及(d)固化所述施加的可固化表面处理组合物。
34 嵌段阳离子有机聚 CN201480042692.4 2014-07-29 CN105408398A 2016-03-16 R·K·帕纳戴克; S·D·史密斯; R·J·麦凯恩; C·巴雷拉
本文公开了具有创造性的嵌段阳离子有机聚烷和包含此类有机聚硅氧烷的消费产品组合物。此类组合物可有效沉积到目标基底上,以递送消费者期望的有益效果诸如调理、抗皱、柔软和抗静电有益效果。
35 粘附促进剂 CN201310753600.0 2013-10-30 CN103788881B 2016-03-16 王子栋; M·K·加拉赫; K·Y·王; G·P·普罗科普维茨
可以用来改进涂料组合物—例如形成电介质膜的组合物—的粘附的组合物,其包含解的聚烷烷。这些组合物可以用于改进涂料组合物对基材的粘附力的方法中。
36 含有树脂-线型有机烷嵌段共聚物的热稳定组合物 CN201180053368.9 2011-09-22 CN103201317B 2015-05-27 J·B·霍斯特曼; R·施密特; S·斯维尔
发明公开了有机烷嵌段共聚物的固体组合物,其具有大于1.0MPa的抗张强度和大于40%的断裂伸长率百分比。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含:40至90摩尔%的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10至60摩尔%的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5至35摩尔%的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30基,R2独立地为C1至C20烃基,其中:所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段,每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2],所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段,并且至少30%的所述非线型嵌段彼此交联,每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段,并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000g/摩尔。
37 树脂-线型有机烷嵌段共聚物 CN201180053366.X 2011-09-21 CN103189420B 2015-05-27 S·斯维尔; J·B·霍斯特曼
发明公开了有机烷嵌段共聚物、由这些嵌段共聚物衍生而来的可固化组合物和固体组合物。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含:40摩尔%至90摩尔%的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10摩尔%至60摩尔%的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5摩尔%至35摩尔%的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30基,R2独立地为C1至C20烃基,其中:所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段,每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2],所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段,并且至少30%的所述非线型嵌段彼此交联,每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段,并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000g/mol。
38 膨胀性材料及使用方法 CN201080049898.1 2010-09-13 CN102712760B 2014-10-01 保罗·L·艾德密斯东
发明的一个方面包括一种膨胀性溶胶-凝胶组合物,所述组合物包含多个连通的有机纳米颗粒。本发明的另一方面包括一种膨胀性复合材料,所述材料包含多个连通的有机硅纳米颗粒和能与非极性或有机吸着物结合或反应的颗粒材料。干燥时,凝胶-溶胶组合物和膨胀性复合材料在接触非极性或有机吸着物时能够膨胀至其干燥体积的至少两倍。
39 含有树脂-线型有机烷嵌段共聚物的热稳定组合物 CN201180053368.9 2011-09-22 CN103201317A 2013-07-10 J·B·霍斯特曼; R·施密特; S·斯维尔
发明公开了有机烷嵌段共聚物的固体组合物,其具有大于1.0MPa的抗张强度和大于40%的断裂伸长率百分比。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含:40至90摩尔%的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10至60摩尔%的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5至35摩尔%的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30基,R2独立地为C1至C20烃基,其中:所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段,每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2],所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段,并且至少30%的所述非线型嵌段彼此交联,每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段,并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000g/摩尔。
40 有机烷嵌段共聚物 CN201180053369.3 2011-09-21 CN103189421A 2013-07-03 J·霍斯特曼; A·诺里斯; S·斯维尔
发明公开了一种有机烷嵌段共聚物,其包含65至90摩尔%的式为R12SiO2/2(I)的二有机硅氧烷单元。这些二有机硅氧烷单元以直链嵌段排布,每个所述直链嵌段具有平均10至400个二有机硅氧烷单元。所述有机硅氧烷嵌段共聚物还包含10至35摩尔%的平均式为R2x(OR3)ySiO(4-x-y)/2(II)的硅氧烷单元。所述硅氧烷单元以非直链嵌段排布,每个所述非直链嵌段具有至少2个硅氧烷单元,其中0.5≤x≤1.5并且0≤y≤1。此外,每个R1独立地为C1至C10基,每个R2独立地为芳基或C4至C10烃基,至少50摩尔%的R2为芳基,并且每个R3独立地为R1或H。并且,所述有机硅氧烷嵌段共聚物的透光率为至少95%。
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