子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 聚硅烷硅氧烷共聚物以及转化为二氧化硅的方法 | CN201280012559.5 | 2012-03-09 | CN103415552A | 2013-11-27 | 萧冰·周 |
| 本发明提供了无机聚硅烷硅氧烷(PSSX)共聚物及其制备方法，以及将其施加到基底的表面的方法。这些PSSX共聚物有利于在温和氧化条件下在基底上形成致密二氧化硅层。所述PSSX共聚物包含SixOy(OH)z单元，其中y和z由关系式(2y+z)<(2x+2)限定，且x为4或5。更具体地讲，所述PSSX共聚物不包含Si-C共价键。 | ||||||
| 22 | 光学装置表面处理方法以及由此制备的抗污迹制品 | CN201180053953.9 | 2011-11-07 | CN103221497A | 2013-07-24 | S·S·伊耶; R·M·弗林; R·V·拉加戈帕尔; E·D·奥尔森; K·J·曼斯科; M·M·戴维; J·A·凯利 |
| 本发明提供了一种表面处理方法，包括(a)提供至少一种光学装置；(b)提供可固化的表面处理组合物，所述组合物包含(1)至少一种氟化有机硅烷化合物，所述氟化有机硅烷化合物包含(i)选自多氟烷基、多氟醚、多氟聚醚以及它们的组合的单价链段和(ii)包含至少一个甲硅烷基部分的单价端基，所述甲硅烷基部分包含至少一个选自可水解基团、羟基以及它们的组合的基团，和(2)至少一种氟化有机硅烷化合物，所述氟化有机硅烷化合物包含(i)多价链段，所述多价链段选自多氟烷烃、多氟醚、多氟聚醚以及它们的组合，和(ii)至少两个单价端基，每个所述单价端基独立地包含至少一个甲硅烷基部分，所述甲硅烷基部分包含至少一个选自可水解基团、羟基以及它们的组合的基团；(c)将所述可固化表面处理组合物施加到所述光学装置上；以及(d)固化所述施加的可固化表面处理组合物。 | ||||||
| 23 | 树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物 | CN201180053366.X | 2011-09-21 | CN103189420A | 2013-07-03 | S·斯维尔; J·B·霍斯特曼 |
| 本发明公开了有机硅氧烷嵌段共聚物、由这些嵌段共聚物衍生而来的可固化组合物和固体组合物。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含：40摩尔％至90摩尔％的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10摩尔％至60摩尔％的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5摩尔％至35摩尔％的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30烃基，R2独立地为C1至C20烃基，其中：所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段，每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]，所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段，并且至少30％的所述非线型嵌段彼此交联，每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段，并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000g/mol。 | ||||||
| 24 | 磷硅氧烷树脂以及包含磷硅氧烷树脂的可固化有机硅组合物、自立式膜和层合物 | CN201180040657.5 | 2011-08-23 | CN103068886A | 2013-04-24 | B·朱 |
| 本发明公开了一种磷硅氧烷树脂，其包含多个选自磷硅氧烷单元SiR23-O-P(=O)(R1)-(OR3)q(O1/2-)p和有机硅氧烷单元R2m(OR3)nSiO(4-m-n)/2的共价键合的单体单元。R1和每个R2独立地选自氢、C1至C10烃基和C1至C10亚烃基；每个R3独立地选自氢和C1至C10烃基；p为0或1；q=1-p；m为0、1、2、3或4；n为0、1或2；并且m+n为0、1、2、3或4。本发明还公开了可固化有机硅组合物，所述组合物包含具有多于一个硅键合的烯基的磷硅氧烷树脂、具有至少两个硅键合的氢原子的有机硅化合物和硅氢化催化剂。本发明还公开了纤维增强自立式膜，所述膜可包含分散在所述有机硅组合物的固化产物中的纤维。本发明还公开了层合基底，所述层合基底包括至少一种纤维增强自立式膜。 | ||||||
| 25 | 抗蚀乙硅烷和饱和烃桥接的含硅聚合物及制备和使用方法 | CN200810090419.5 | 2008-03-31 | CN101302346B | 2012-12-26 | 沙赫罗赫·莫塔莱比; 林相学 |
| 本发明涉及抗蚀乙硅烷和饱和烃桥接的含硅聚合物及制备和使用方法。本发明还涉及一种组合物，其包含共聚物，该共聚物含有具有结构(A)、(B)和(C)以及结构(D)或(E)之一或更多的单体单元的混合物：HSiO(3-a)/2(OH)a (A)；SiO(3-b)/2(OH)b-(CH2)n-SiO(3-c)/2(OH)c (B)；R1SiO(3-d)/2(OH)d (C)；MeSiO(3-e)/2(OH)e (D)；R2SiO(3-f)/2(OH)f (E)。其中，a、b、c、d、e和f独立地为0至2，n是0至约10，R1是生色团，R2是亲水基团。 | ||||||
| 26 | 新型聚硅氧烷聚醚共聚物和其制备方法 | CN201010236898.4 | 2010-07-21 | CN101962444A | 2011-02-02 | F·亨宁; F·舒伯特; W·克诺特; H·杜齐克 |
| 本发明涉及新型聚硅氧烷聚醚共聚物及其制备方法，具体地，本发明提供式1的反向结构的新型聚硅氧烷聚醚共聚物，其特征在于，在共聚物中不存在因副反应产生的不饱和的官能团或其转化产物，还提供其制备方法，其中在水解和缩合反应中采用末端和/或侧端用烷氧基甲硅烷基改性的聚醚与带有一个或多个易水解基团的硅烷和/或硅氧烷反应。 | ||||||
| 27 | 纳米材料填充的有机硅组合物和增强的有机硅树脂膜 | CN200880014218.5 | 2008-04-16 | CN101675096A | 2010-03-17 | 朱弼忠 |
| 包含含二甲硅氧烷单元的有机硅树脂、碳纳米材料和有机溶剂的纳米材料填充的有机硅组合物；和包含所述有机硅树脂的固化产物和分散在该固化产物中的碳纳米材料的增强的有机硅树脂膜。 | ||||||
| 28 | 制备硅氧烷树脂的方法 | CN200780026639.5 | 2007-06-13 | CN101646716A | 2010-02-10 | 朱弼忠 |
| 本发明涉及制备硅氧烷树脂的方法，所述方法包括以下步骤：使至少一种卤代乙硅烷和任选的至少一种卤代硅烷与至少一种醇在有机溶剂的存在下反应以生产醇解产物；使所述醇解产物与水反应以生产水解产物；和加热所述水解产物以生产所述树脂。 | ||||||
| 29 | 有机硅树脂、有机硅组合物、涂覆基材和增强有机硅树脂膜 | CN200880002938.X | 2008-01-25 | CN101595166A | 2009-12-02 | 朱弼忠 |
| 含有二(甲硅氧烷)单元和具有颗粒形式的硅氧烷单元的有机硅树脂；含有有机硅树脂的有机硅组合物；包括有机硅树脂的固化产物或氧化产物的涂覆基材；和增强有机硅树脂膜。 | ||||||
| 30 | 有机硅酸盐聚合体和含有该有机硅酸盐聚合体的绝缘膜 | CN03814811.0 | 2003-06-27 | CN1326912C | 2007-07-18 | 姜晶元; 文明善; 高敏镇; 姜贵权; 申东析; 南惠映; 金永得; 催范圭; 金秉鲁; 朴相敃 |
| 本发明涉及一种形成用于半导体器件的低电介绝缘膜的组合物，特别涉及一种有机硅酸盐聚合体，所述的有机硅酸盐聚合体通过如下制备：混合在它的两个端用硅烷化合物封端的可热分解的有机硅烷化合物、普通硅烷化合物或者硅烷低聚物，然后加入水和催化剂以进行水解和缩合，而且本发明涉及一种含有该有机硅酸盐聚合体的用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物，用于半导体器件绝缘膜的涂层组合物还含有成孔有机物质，本发明涉及通过涂敷该组合物并固化制备半导体器件绝缘膜的方法，及含有通过该方法制备的低电介绝缘膜的半导体器件。根据本发明制备的一种具有优异的热稳定性和机械强度的有机硅酸盐聚合体；一种含有该有机硅酸盐聚合体的形成绝缘膜的组合物可用于低电介配线的中间层绝缘膜，其可提供高速半导体、减少功率消耗并显著地减少金属配线之间的相互干扰；通过将组合物施加到绝缘膜上得到的薄膜具有优异的涂覆性能，可阻止相分离，可容易地控制微孔，因为在固化过程中有机物质热分解形成孔，而且它具有优异的绝缘性能和显著降低的薄膜密度。 | ||||||
| 31 | 用于接枝共聚的可溶性有机聚硅氧烷自由基大分子起始物 | CN94119008.0 | 1994-12-17 | CN1112576A | 1995-11-29 | 约亨·道斯; 凯瑟琳·奥里吉尼; 伯恩瓦德·德伯泽 |
| 本发明涉及部分交联的有机聚硅氧烷，它溶于有机溶剂、含有成基基团，并由通式(1)所示的单元和另外的有机硅氧烷单元组成[RaSi(O(3-a)/2)-R1-X-R1-Si(O(3-a)/2)Ra](1)式中X代表选自-N＝N-，-O-O-。-S-S-和-C(C6H5)2-C(C6H5)-的基团，R、R1、R2、a和b的规定同权利要求1，该有机聚硅氧烷用作烯族不饱和单体接枝共聚的自由基大分子起始物。 | ||||||
| 32 | 树脂组合物、树脂膜和半导体装置及其制造方法 | CN201580005434.3 | 2015-01-07 | CN105960426A | 2016-09-21 | 近藤和纪; 市冈扬一郎 |
| 本发明涉及树脂组合物，其含有下述(A)、(B)和(C)成分：(A)具有由下述组成式(1)表示的结构单元的重均分子量为3,000～500,000的有机硅树脂、(B)环氧树脂固化剂、(C)填料，本发明能够提供树脂组合物及树脂膜，其能够将晶片汇总地进行成型(晶片成型)，特别是对于大口径、薄膜晶片具有良好的成型性，同时在成型后提供低翘曲性和良好的晶片保护性能，进而能够良好地进行成型工序，能够适合用于晶片水平封装。 | ||||||
| 33 | 光学装置表面处理方法以及由此制备的抗污迹制品 | CN201180053953.9 | 2011-11-07 | CN103221497B | 2016-06-08 | S·S·伊耶; R·M·弗林; R·V·拉加戈帕尔; E·D·奥尔森; K·J·曼斯科; M·M·戴维; J·A·凯利 |
| 本发明提供了一种表面处理方法，包括(a)提供至少一种光学装置；(b)提供可固化的表面处理组合物，所述组合物包含(1)至少一种氟化有机硅烷化合物，所述氟化有机硅烷化合物包含(i)选自多氟烷基、多氟醚、多氟聚醚以及它们的组合的单价链段和(ii)包含至少一个甲硅烷基部分的单价端基，所述甲硅烷基部分包含至少一个选自可水解基团、羟基以及它们的组合的基团，和(2)至少一种氟化有机硅烷化合物，所述氟化有机硅烷化合物包含(i)多价链段，所述多价链段选自多氟烷烃、多氟醚、多氟聚醚以及它们的组合，和(ii)至少两个单价端基，每个所述单价端基独立地包含至少一个甲硅烷基部分，所述甲硅烷基部分包含至少一个选自可水解基团、羟基以及它们的组合的基团；(c)将所述可固化表面处理组合物施加到所述光学装置上；以及(d)固化所述施加的可固化表面处理组合物。 | ||||||
| 34 | 嵌段阳离子有机聚硅氧烷 | CN201480042692.4 | 2014-07-29 | CN105408398A | 2016-03-16 | R·K·帕纳戴克; S·D·史密斯; R·J·麦凯恩; C·巴雷拉 |
| 本文公开了具有创造性的嵌段阳离子有机聚硅氧烷和包含此类有机聚硅氧烷的消费产品组合物。此类组合物可有效沉积到目标基底上，以递送消费者期望的有益效果诸如调理、抗皱、柔软和抗静电有益效果。 | ||||||
| 35 | 粘附促进剂 | CN201310753600.0 | 2013-10-30 | CN103788881B | 2016-03-16 | 王子栋; M·K·加拉赫; K·Y·王; G·P·普罗科普维茨 |
| 可以用来改进涂料组合物—例如形成电介质膜的组合物—的粘附力的组合物，其包含水解的聚烷氧基硅烷。这些组合物可以用于改进涂料组合物对基材的粘附力的方法中。 | ||||||
| 36 | 含有树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的热稳定组合物 | CN201180053368.9 | 2011-09-22 | CN103201317B | 2015-05-27 | J·B·霍斯特曼; R·施密特; S·斯维尔 |
| 本发明公开了有机硅氧烷嵌段共聚物的固体组合物，其具有大于1.0MPa的抗张强度和大于40％的断裂伸长率百分比。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含：40至90摩尔％的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10至60摩尔％的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5至35摩尔％的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30烃基，R2独立地为C1至C20烃基，其中：所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段，每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]，所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段，并且至少30％的所述非线型嵌段彼此交联，每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段，并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000g/摩尔。 | ||||||
| 37 | 树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物 | CN201180053366.X | 2011-09-21 | CN103189420B | 2015-05-27 | S·斯维尔; J·B·霍斯特曼 |
| 本发明公开了有机硅氧烷嵌段共聚物、由这些嵌段共聚物衍生而来的可固化组合物和固体组合物。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含：40摩尔％至90摩尔％的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10摩尔％至60摩尔％的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5摩尔％至35摩尔％的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30烃基，R2独立地为C1至C20烃基，其中：所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段，每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]，所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段，并且至少30％的所述非线型嵌段彼此交联，每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段，并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000g/mol。 | ||||||
| 38 | 膨胀性材料及使用方法 | CN201080049898.1 | 2010-09-13 | CN102712760B | 2014-10-01 | 保罗·L·艾德密斯东 |
| 本发明的一个方面包括一种膨胀性溶胶-凝胶组合物，所述组合物包含多个连通的有机硅纳米颗粒。本发明的另一方面包括一种膨胀性复合材料，所述材料包含多个连通的有机硅纳米颗粒和能与非极性或有机吸着物结合或反应的颗粒材料。干燥时，凝胶-溶胶组合物和膨胀性复合材料在接触非极性或有机吸着物时能够膨胀至其干燥体积的至少两倍。 | ||||||
| 39 | 含有树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物的热稳定组合物 | CN201180053368.9 | 2011-09-22 | CN103201317A | 2013-07-10 | J·B·霍斯特曼; R·施密特; S·斯维尔 |
| 本发明公开了有机硅氧烷嵌段共聚物的固体组合物，其具有大于1.0MPa的抗张强度和大于40％的断裂伸长率百分比。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含：40至90摩尔％的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10至60摩尔％的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5至35摩尔％的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30烃基，R2独立地为C1至C20烃基，其中：所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段，每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]，所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段，并且至少30％的所述非线型嵌段彼此交联，每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段，并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000g/摩尔。 | ||||||
| 40 | 有机硅氧烷嵌段共聚物 | CN201180053369.3 | 2011-09-21 | CN103189421A | 2013-07-03 | J·霍斯特曼; A·诺里斯; S·斯维尔 |
| 本发明公开了一种有机硅氧烷嵌段共聚物，其包含65至90摩尔％的式为R12SiO2/2(I)的二有机硅氧烷单元。这些二有机硅氧烷单元以直链嵌段排布，每个所述直链嵌段具有平均10至400个二有机硅氧烷单元。所述有机硅氧烷嵌段共聚物还包含10至35摩尔％的平均式为R2x(OR3)ySiO(4-x-y)/2(II)的硅氧烷单元。所述硅氧烷单元以非直链嵌段排布，每个所述非直链嵌段具有至少2个硅氧烷单元，其中0.5≤x≤1.5并且0≤y≤1。此外，每个R1独立地为C1至C10烃基，每个R2独立地为芳基或C4至C10烃基，至少50摩尔％的R2为芳基，并且每个R3独立地为R1或H。并且，所述有机硅氧烷嵌段共聚物的透光率为至少95％。 | ||||||
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