| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法 | CN201380049625.0 | 2013-07-15 | CN104684968B | 2017-06-13 | 宋炫知; 朴银秀; 林相学; 郭泽秀; 金古恩; 金美英; 金补宣; 金奉焕; 罗隆熙; 裵镇希; 徐珍雨; 尹熙灿; 李汉松; 田钟大; 韩权愚; 洪承希; 黄丙奎 |
| 本发明揭示改质氢化聚硅氧氮烷、组合物及其制法、绝缘层及其制法。改质氢化聚硅氧氮烷是藉由氢化聚硅氧氮烷和选自聚硅烷、聚环硅烷与硅烷低聚物的硅烷化合物的反应而制备。改质氢化聚硅氧氮烷的氮原子相较于硅原子有较小的摩尔数比，且从而，改质氢化聚硅氧氮烷可应用在用于形成氧化硅为主的绝缘层的组合物中，用以形成氧化硅为主的绝缘层时，可以显著降低膜收缩率。 | ||||||
| 2 | 隐形眼镜材料、隐形眼镜及其制造方法 | CN201510698657.4 | 2015-10-23 | CN106256842A | 2016-12-28 | 詹凡丹; 刘培毅 |
| 本发明涉及隐形眼镜材料、隐形眼镜及其制造方法。一种隐形眼镜材料，包括：以式(I)表示的第一硅氧烷聚合物，在式(I)中，R1、R2与R3为C1-C4烷基，R4为C1-C6烷基，R5为C1-C4亚烷基，R6为-OR7O-或-NH-，R7、R8为C1-C4亚烷基，而m为1-2的整数，n为4-80的整数；以式(II)表示的第二硅氧烷聚合物，在式(II)中，R9、R10、R11为C1-C4烷基，R12、R13、R15为C1-C3亚烷基，R14为脂肪族或芳香族的二异氰酸酯移除NCO基而获得的残基，o为4至80的整数，p为0至1的整数，q为1至20的整数；至少一种亲水性单体以及引发剂。 | ||||||
| 3 | 聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法 | CN201280053477.5 | 2012-10-26 | CN103958573B | 2016-05-11 | 金宰显; 申景茂; 李泓瞮; 张伦珠; 陈善喆 |
| 本发明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物及其制造方法。更具体地，本发明涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物，其中构成该共聚物的硅氧烷单体的分子量维持在特别高的水平和因此在甚至低硅氧烷含量的情况下，可实现优良的低温抗冲击性，和维持共聚物的粘度在低的水平和因此可改进流动性和可模塑性；和涉及聚硅氧烷-聚碳酸酯共聚物的制造方法。 | ||||||
| 4 | 包含具有异氰尿酸酯环骨架、环氧基以及SiH基的硅倍半氧烷骨架的化合物及其应用 | CN201280033135.7 | 2012-06-28 | CN103687897B | 2016-04-13 | 川畑毅一; 田岛晶夫; 松尾孝志; 渡边良子; 阿山亨一 |
| 本发明提供一种密着赋予材料，其最适于兼具耐热透明性与高折射率、且包含硅倍半氧烷与有机聚硅氧烷的反应物的加成硬化型组合物。本发明是涉及一种包含具有异氰尿酸酯环骨架、环氧基以及SiH基的硅倍半氧烷骨架的化合物及其应用，其是藉由使下述(A)与(B)及视需要与(C)进行硅氢化加成反应而获得的化合物。(A)包含有机聚硅氧烷或硅倍半氧烷骨架且一分子中具有3个以上的SiH基的化合物；(B)一分子中具有1个脂肪族不饱和基的环氧衍生物；(C)一分子中具有2个烯基的数均分子量为100～500000的有机聚硅氧烷、或一分子中具有2个烯基的异氰尿酸酯化合物。 | ||||||
| 5 | 有机硅聚合物及其固体电解质和固态锂离子电池 | CN201210337626.2 | 2012-09-13 | CN103682427B | 2016-01-20 | 周小平 |
| 本发明公开了一种有机硅聚合物，包含该有机硅聚合物的固体电解质，以及相应的固态锂离子电池。本发明提供的有机硅聚合物是一类既含有无机主链结构又含有有机侧链结构的高分子化合物，兼具有机聚合物和无机聚合物的特性，具有许多独特的性能。以该有机硅聚合物制备而成的固体电解质及其固态锂离子电池因此具有诸多优良的特性，包括优良的导锂离子能力，更好的耐高温性能，更宽的工作温度范围以及更好的热稳定性能。 | ||||||
| 6 | 用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法 | CN201110425397.5 | 2011-12-16 | CN102585516B | 2014-12-10 | 林相学; 金奉焕; 吴正堈; 郭泽秀; 裵镇希; 尹熙灿; 韩东一; 金相均; 李真旭 |
| 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。 | ||||||
| 7 | 破乳化组合物以及使用该组合物分离乳液的方法 | CN200980163355.X | 2009-11-30 | CN102741325B | 2014-07-30 | K.科克佐; B.法尔克; A.帕拉姆博; M.普坎 |
| 本发明提供破乳化组合物，其包含以下组分的反应产物：包含至少两个环氧乙烷或环氧丙烷基团的环氧乙烷或环氧丙烷化合物(I)；包含硅和一个或多个氨基的化合物(II)；和任选的多胺(III)；和仲胺(IV)。 | ||||||
| 8 | 光学材料用固化性组合物 | CN201080031628.8 | 2010-07-14 | CN102471580B | 2014-06-18 | 藤原雅大 |
| 本发明涉及一种光学材料用固化性组合物，该光学材料用固化性组合物含有(A)1分子中含有至少2个对SiH基有反应性的碳-碳双键的数均分子量10000以下的有机化合物、(B)双官能以上的有机化合物和聚硅氧烷化合物反应得到的、1分子中含有至少2个SiH基的聚硅氧烷化合物、(C)氢化硅烷化催化剂、及(D)相对于(A)成分和(B)成分的总量100重量份为0.005～10重量份的、具有下述通式R1nSiO(4-n)/2(R1为氢或碳原子数1～50的一价有机基团，可以被氧、氮、硫、或卤素原子取代，各R1可以不同，也可以相同。n为1～3的整数。)表示的结构、且1分子中含有至少2个SiH基和/或对SiH有反应性的碳-碳双键的有机硅化合物。 | ||||||
| 9 | 包含具有异氰尿酸酯骨架、环氧基以及SiH基的有机聚硅氧烷或硅倍半氧烷骨架的化合物以及含有该化合物作为密着赋予材料的热硬化性树脂组合物、硬化物以及光半导体用密封材料 | CN201280033135.7 | 2012-06-28 | CN103687897A | 2014-03-26 | 川畑毅一; 田岛晶夫; 松尾孝志; 渡边良子; 阿山亨一 |
| 本发明提供一种密着赋予材料，其最适于兼具耐热透明性与高折射率、且包含硅倍半氧烷与有机聚硅氧烷的反应物的加成硬化型组合物。本发明是涉及一种包含以异氰尿酸酯环骨架及环氧基作为必需成分且具有SiH基残基的有机聚硅氧烷或硅倍半氧烷骨架的化合物，其是藉由使下述(A)与(B)及视需要与(C)进行硅氢化加成反应而获得的化合物。(A)包含有机聚硅氧烷或硅倍半氧烷骨架且一分子中具有3个以上的SiH基的化合物；(B)一分子中具有1个脂肪族不饱和含有基的环氧衍生物；(C)一分子中具有2个烯基的数均分子量为100～500000的聚有机硅氧烷、或一分子中具有2个烯基的异氰尿酸酯化合物。 | ||||||
| 10 | 有机硅聚合物及其固体电解质和固态锂离子电池 | CN201210337626.2 | 2012-09-13 | CN103682427A | 2014-03-26 | 周小平 |
| 本发明公开了一种有机硅聚合物，包含该有机硅聚合物的固体电解质，以及相应的固态锂离子电池。本发明提供的有机硅聚合物是一类既含有无机主链结构又含有有机侧链结构的高分子化合物，兼具有机聚合物和无机聚合物的特性，具有许多独特的性能。以该有机硅聚合物制备而成的固体电解质及其固态锂离子电池因此具有诸多优良的特性，包括优良的导锂离子能力，更好的耐高温性能，更宽的工作温度范围以及更好的热稳定性能。 | ||||||
| 11 | 聚氨酯铵和/或聚碳酸酯化合物 | CN200980116942.3 | 2009-03-05 | CN102027042B | 2013-12-11 | R·瓦格纳; K-H·佐克尔; W·西蒙 |
| 本发明涉及新的化合物，特别是聚氨酯铵和/或聚碳酸酯化合物，特别是聚氨酯铵-聚二有机硅氧烷和/或聚碳酸酯-聚二有机硅氧烷化合物，其制备方法及其用途。 | ||||||
| 12 | 环状聚有机硅氧烷的制备方法、固化剂、固化性组合物及其固化物 | CN200880114794.7 | 2008-11-07 | CN101848914B | 2013-09-11 | 一柳典克; 藤田雅幸 |
| 本发明的课题在于提供一种可制备可适用于光学材料用途的耐热耐光透明性、抗裂性优异的固化物的固化剂、固化性组合物、使固化性组合物固化而获得的固化物。而且提供一种环状聚有机硅氧烷的制备方法，可选择性地以高产率获得作为所述固化剂成分的具有特定结构的环状聚有机硅氧烷。因此，于含有(A)在1分子中具有至少2个与SiH基具有反应性的碳-碳双键的有机系化合物、(B)在1分子中具有至少2个SiH基的化合物、(C)硅氢化催化剂作为必需成分的固化性组合物中，使用特定的环状聚有机硅氧烷的反应产物、即在1分子中具有至少2个SiH基的改性聚有机硅氧烷化合物(B)作为所述(B)在1分子中具有至少2个SiH基的化合物。 | ||||||
| 13 | 光学装置表面处理方法以及由此制备的抗污迹制品 | CN201180053953.9 | 2011-11-07 | CN103221497A | 2013-07-24 | S·S·伊耶; R·M·弗林; R·V·拉加戈帕尔; E·D·奥尔森; K·J·曼斯科; M·M·戴维; J·A·凯利 |
| 本发明提供了一种表面处理方法，包括(a)提供至少一种光学装置；(b)提供可固化的表面处理组合物，所述组合物包含(1)至少一种氟化有机硅烷化合物，所述氟化有机硅烷化合物包含(i)选自多氟烷基、多氟醚、多氟聚醚以及它们的组合的单价链段和(ii)包含至少一个甲硅烷基部分的单价端基，所述甲硅烷基部分包含至少一个选自可水解基团、羟基以及它们的组合的基团，和(2)至少一种氟化有机硅烷化合物，所述氟化有机硅烷化合物包含(i)多价链段，所述多价链段选自多氟烷烃、多氟醚、多氟聚醚以及它们的组合，和(ii)至少两个单价端基，每个所述单价端基独立地包含至少一个甲硅烷基部分，所述甲硅烷基部分包含至少一个选自可水解基团、羟基以及它们的组合的基团；(c)将所述可固化表面处理组合物施加到所述光学装置上；以及(d)固化所述施加的可固化表面处理组合物。 | ||||||
| 14 | 树脂-线型有机硅氧烷嵌段共聚物 | CN201180053366.X | 2011-09-21 | CN103189420A | 2013-07-03 | S·斯维尔; J·B·霍斯特曼 |
| 本发明公开了有机硅氧烷嵌段共聚物、由这些嵌段共聚物衍生而来的可固化组合物和固体组合物。所述有机硅氧烷嵌段共聚物包含：40摩尔％至90摩尔％的式[R12SiO2/2]二甲硅烷氧基单元10摩尔％至60摩尔％的式[R2SiO3/2]三甲硅烷氧基单元0.5摩尔％至35摩尔％的硅烷醇基团[≡SiOH]其中R1独立地为C1至C30烃基，R2独立地为C1至C20烃基，其中：所述二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]排列成线型嵌段，每个线型嵌段平均具有10至400个二甲硅烷氧基单元[R12SiO2/2]，所述三甲硅烷氧基单元[R2SiO3/2]排列成分子量为至少500g/mol的非线型嵌段，并且至少30％的所述非线型嵌段彼此交联，每个线型嵌段连接至至少一个非线型嵌段，并且所述有机硅氧烷嵌段共聚物的分子量(Mw)为至少20,000g/mol。 | ||||||
| 15 | 具有可控微结构的含硅材料 | CN201180049239.2 | 2011-10-14 | CN103154094A | 2013-06-12 | D·安; 杰里米·M·毕比 |
| 在各个实施例中，提供含硅涂层；包含响应一种或者多种刺激的微结构的含硅涂层；所述含硅涂层的氧化产物；成块固体；氧化固体和粉末；制备这类涂层、固体和粉末的方法；以及包含所提供的涂层的基材。 | ||||||
| 16 | 可聚合组合物 | CN200980126386.8 | 2009-06-18 | CN102083890B | 2013-03-06 | A·塔登; S·克莱林格; R·舍恩菲尔德; Y·亚哲; B·基斯卡恩; A·宾努尔 |
| 本发明涉及可聚合组合物，其包括作为组分A的至少一种硅有机化合物和作为组分B的至少一种苯并噁嗪化合物，所述硅有机化合物具有至少两个在氢化硅烷化反应中具有活性的≡Si-H基团，所述苯并噁嗪化合物具有至少两个在和组分A的氢化硅烷化反应中具有活性的不饱和碳-碳键。本发明的另外的目的包括含有根据本发明的可聚合组合物的粘合剂、密封剂或涂布剂，和所述组分的聚合产物。 | ||||||
| 17 | 具有有机软链段的聚二有机硅氧烷-聚酰胺共聚物 | CN200880021482.1 | 2008-06-06 | CN101687998B | 2012-11-21 | 奥德蕾·A·舍曼; 斯蒂芬·A·约翰逊; 理查德·G·汉森 |
| 本发明提供了具有有机软链段的聚二有机硅氧烷-聚酰胺嵌段共聚物和制备所述共聚物的方法。 | ||||||
| 18 | 用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法 | CN201110425397.5 | 2011-12-16 | CN102585516A | 2012-07-18 | 林相学; 金奉焕; 吴正堈; 郭泽秀; 裵镇希; 尹熙灿; 韩东一; 金相均; 李真旭 |
| 本发明提供用于形成硅基绝缘层的组合物及其制造方法、硅基绝缘层及其制造方法。该组合物包括氢化聚硅氧硅氮烷，该氢化聚硅氧硅氮烷包括化学式1的部分和化学式2的部分，且氯浓度为1ppm或更低。在化学式1和2中，R1至R7各自独立为氢、取代或未取代C 1至C30烷基、取代或未取代C3至C30环烷基、取代或未取代C6至C30芳基、取代或未取代C7至C30芳烷基、取代或未取代C 1至C30杂烷基、取代或未取代C2至C30杂环烷基、取代或未取代C2至C30烯基、取代或未取代烷氧基、取代或未取代羰基、羟基或它们的组合，条件是R1至R7中至少一个为氢。利用本发明组合物可形成有少量缺陷的硅基绝缘层。<化学式1>、<化学式2>如下所示。 | ||||||
| 19 | 形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法 | CN201110430768.9 | 2011-12-20 | CN102569060A | 2012-07-11 | 尹熙灿; 郭泽秀; 金奉焕; 裵镇希; 吴正堈; 林相学; 韩东一; 金相均; 李真旭 |
| 本发明涉及形成硅氧层的组合物及其生产方法、利用其的硅氧层及生产硅氧层的方法。更具体地，本文公开了一种用于形成硅氧层的组合物，其包含选自氢化聚硅氮烷、氢化聚硅氧硅氮烷以及它们的组合中的一种，其中折算为聚苯乙烯时，重均分子量大于或等于约50000的氢化聚硅氮烷和氢化聚硅氧硅氮烷的总和的浓度范围为小于或等于约0.1wt％。当利用根据本发明的包括氢化聚硅氧硅氮烷的用于形成硅氧层的组合物来形成硅氧层时，缺陷显著减少，从而提高硅氧层所需的绝缘特性和间隙填充性能。 | ||||||
| 20 | 硅-和聚甲硅烷基氰白尿酸酯以及-氰尿酸酯、它们的制备方法以及它们的用途 | CN200680021204.7 | 2006-06-08 | CN101228211B | 2012-05-23 | 埃德温·罗尔夫·巴尔杜因·克罗克; 马库斯·罗尔夫·施瓦茨; 纳迪亚·伊马姆阿利加梅尔 |
| 本发明涉及新一类低聚和聚合均三嗪和均草怕津(s-heptazine)衍生物，并且还涉及其作为中间体的用途，例如用作制造Si/(M)/C/N/(O)陶瓷的前体化合物(前体)，作为中孔性材料，例如用于储存气体的催化剂载体，或者用作色谱的固定相，用作阻燃剂、塑料添加剂或用于其它有机/无机功能材料。 | ||||||
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