子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 含硅膜的高温原子层沉积 | CN201980073823.8 | 2019-10-04 | CN112969817B | 2024-04-19 | 王美良; 雷新建 |
| 82 | 具有自定心特征的两件式快门盘组件 | CN201980018889.7 | 2019-04-15 | CN111902922B | 2024-04-19 | C-H·蔡; A·朱普迪; S·巴布 |
| 83 | 一种镀锌钢丝表面处理方法及装置 | CN202010185258.9 | 2020-03-17 | CN111394674B | 2024-04-19 | 顾争光; 彭安华; 胡一夫; 唐学飞 |
| 84 | 一种TD处理工艺 | CN201810023751.3 | 2018-01-10 | CN108315689B | 2024-04-19 | 谭奇林 |
| 85 | 磁控溅射卷绕镀膜机 | CN201810185267.0 | 2018-03-06 | CN108165949B | 2024-04-19 | 王军生 |
| 86 | 真空处理装置、静电吸盘和运送辊 | CN202380013279.4 | 2023-10-26 | CN117897517A | 2024-04-16 | 菊池亨; 前平谦; 小山晃一; 桥本雄介; 藤本信也; 中村慎太郎 |
| 本发明的一个方式的真空处理装置具有真空腔室、支承体以及表面处理单元。所述支承体具有基底部和表面层。所述基底部配置在所述真空腔室内，由导电体构成。所述表面层由电介质构成，覆盖所述基底部的表面。所述表面层具有对作为处理对象的基材进行静电吸附的支承面。所述表面处理单元对吸附在所述支承面的所述基材的表面进行处理。所述表面层的厚度为200μm以上且800μm以下，所述支承面的表面粗糙度(Ra)为0.06μm以上且0.2μm以下，并且截面高度50％以上的支承长度率为90％以上。 | ||||||
| 87 | 一种氧化物混合忆阻器及制备方法、存储芯片及识别系统 | CN202410060148.8 | 2024-01-15 | CN117897042A | 2024-04-16 | 李阳; 潘建勇; 牛闳森; 张春伟; 高嵩 |
| 本发明涉及忆阻器技术领域，提出了一种氧化物混合忆阻器及制备方法、存储芯片及识别系统，制备方法，包括以下步骤：将带有氧化铟锡涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯清洗设定时间，得到底部电极和柔性衬底；钨靶材和钛靶材通过直流磁控共溅射在底部电极上，生长得到氧化钨和氧化钛混合薄膜，形成功能层；银靶材通过覆盖掩模板和直流磁控溅射得到银顶电极，形成顶部电极。通过简单的制备方法向氧化钨掺杂氧化钛制备了性能稳定、均一性和可重复性良好、高电阻调节范围的神经形态忆阻器，采用柔性衬底增加了所制备器件在可穿戴设备、软体机器人以及生物医学传感器等领域的应用场景。 | ||||||
| 88 | 一种复合富锂材料及其制备方法和应用 | CN202311673657.X | 2023-12-06 | CN117894987A | 2024-04-16 | 何高雄; 万远鑫; 裴现一男; 孔令涌; 王亚雄; 华涛 |
| 本申请涉及锂离子电池技术领域，提供了一种复合富锂材料及其制备方法和应用，该复合富锂材料包括富锂颗粒以及多根碳纤维，富锂颗粒分布在由多根碳纤维形成的三维框架中。本申请提供的复合富锂材料包含有多根碳纤维形成的三维框架，且将富锂颗粒笼罩隔离在该三维框架内，一方面，可以利用三维框架较强的导电能力增强富锂颗粒向外传输锂离子的能力，另一方面，可以缓解复合富锂材料在充放电过程中材料晶体各向异性的膨胀收缩，从而减少复合富锂材料颗粒产生裂纹，使得复合富锂材料具有较高的结构稳定性。 | ||||||
| 89 | 近腔室等离子体馈入装置、半导体工艺腔室和设备 | CN202410045663.9 | 2024-01-11 | CN117894660A | 2024-04-16 | 伊藤正雄; 林源为 |
| 本发明提供一种近腔室等离子体馈入装置、半导体工艺腔室和半导体工艺设备，该装置包括：边缘进气环，在边缘进气环中设置有环状空腔，用于与气源连接；多个进气组件，沿边缘进气环的内周分布，每个进气组件中均设置有进气通道，进气通道的进气口与环状空腔连通，进气通道的出气口朝靠近边缘进气环的轴线的方向延伸；至少一个射频线圈，设置于边缘进气环的外部，射频线圈用于与射频源电连接，以激发环状空腔中的工艺气体形成等离子体。本方案既可以解决因等离子体腔室较大，导致等离子体清洗的效率较低的问题，又可以解决因RPS系统对腔室内远离其接入位置一侧的区域的清洁作用较弱，导致其清洁不均衡的问题。 | ||||||
| 90 | 一种高分子复合导电膜及制备系统、电池和保护隔离膜 | CN202311663139.X | 2023-12-06 | CN117894509A | 2024-04-16 | 臧世伟 |
| 本发明提供一种高分子复合导电膜及制备系统、电池和保护隔离膜，该高分子复合导电膜包括：原膜；以及通过真空镀膜的方式层积在所述原膜的上表面和/或下表面的导电材料层；导电材料层的导电材料的平均晶粒尺寸在50nm至200nm之间，导电材料与所述原膜的结合力大于等于3N/m。本发明实施例中，导电材料与原膜的结合力在3N/m以上时，整个高分子复合导电膜在一定拉力下，使整个高分子复合导电膜的拉伸形变为5％以内，其方阻变化率会小于5％，当拉伸回弹方阻变化率小于5％时，表明高分子复合导电膜在拉伸拉伸形变为5％以内就其表面导电性能不变，有利于对高分子复合导电膜的后续处理。 | ||||||
| 91 | 一种极紫外光源收集镜的制备方法及加工设备 | CN202410066128.1 | 2024-01-17 | CN117891139A | 2024-04-16 | 张志宇; 王晨; 徐凯; 胡海翔; 张学军 |
| 本发明涉及一种极紫外光源收集镜的制备方法及加工设备，该方法包括步骤：镜坯制作；基底表面初步加工；制备硅改性层；硅改性层表面抛光；对收集镜的面型精度与粗糙度进行检测；光刻加工收集镜表面的光栅结构；光栅结构加工精度检测；在光栅结构表面镀膜；检测收集镜的参数。本发明采用碳化硅材料制作收集镜基底，减小了收集镜基底工作中的热变形，并使用硅在基底表面进行改性，提升了收集镜基底与改性层的线膨胀系数的一致性。采用光刻加工收集镜表面光栅结构，降低对超精密加工设备的要求，解决了超精密车床加工经过硅改性的收集镜表面光栅结构精度不足的问题。设计使用了专用的曲面曝光设备，解决曲面曝光难题，进一步提升光栅结构加工精度。 | ||||||
| 92 | 抛光方法及抛光系统 | CN202410064772.5 | 2024-01-16 | CN117891138A | 2024-04-16 | 林岳明 |
| 本发明提供一种抛光方法及抛光系统。其中，所述抛光方法包括：提供一衬底；采用离子束抛光工艺抛光所述衬底表面；采用化学干刻工艺刻蚀并抛光所述衬底表面。相较于现有技术，本发明提供的所述抛光方法将离子束抛光工艺和化学干刻工艺相结合。先采用离子束抛光工艺抛光衬底表面，以利用离子束引发的溅射效应和流动效应，实现对所述衬底的原子级抛光，提高所述衬底表面的平坦度；再采用化学干法刻蚀工艺刻蚀并抛光所述衬底的表面，以提高所述衬底表面的粗糙度，从而兼顾了平坦度、粗糙度和缺陷度这三个指标，有效提高抛光效果。 | ||||||
| 93 | 一种气体传感器及其制作方法 | CN202410302441.0 | 2024-03-18 | CN117890441A | 2024-04-16 | 王子栋; 孔庆凯; 王清坤; 辛宏伟 |
| 本发明公开一种气体传感器及其制作方法，涉及气体检测技术领域，以解决气体传感器的制作成本高，稳定性低的问题。该气体传感器包括衬底；形成在衬底上的热阻挡层；形成在热阻挡层背离衬底的表面的微加热器层；形成在微加热器层背离热阻挡层的表面的叉指电极层以及位于叉指电极层上的气体敏感层；以及形成在微加热器层背离热阻挡层的表面的接触电极，接触电极与叉指电极层的端部接触；气体传感器还包括绝缘层，绝缘层形成在微加热器层与叉指电极层之间。本发明提供的气体传感器及其制作方法用于环境监测。 | ||||||
| 94 | 一种吸收紫外激光涂层材料及其制备方法 | CN202311835625.5 | 2023-12-28 | CN117889572A | 2024-04-16 | 徐源; 徐煜清; 徐传龙; 冯维娥 |
| 一种吸收紫外激光涂层材料及其制备方法，包括设置在基材表面的金属膜层，在金属膜层表面设置有MoS2‑Al2O3复合薄膜层，在MoS2‑Al2O3复合薄膜层表面涂覆有MoSi2‑SiO2减反射层。以导电金属靶为溅射靶材，在基材上采用磁控溅射的方式制备金属膜层；以铝靶和硫化钼靶作为溅射靶材，在金属膜层上进行磁控共溅射制备MoS2‑Al2O3复合薄膜层；将MoSi2‑SiO2减反层涂覆在MoS2‑Al2O3复合薄膜层表面。具有低反射率、高吸收率的特点，高热稳定性和化学稳定性可以提高吸收涂层的热稳定性和服役寿命。其吸收率≥0.96，反射率≤0.09，具有较好的吸收紫外激光性能。 | ||||||
| 95 | 一种三元复合终端金刚石材料及制备方法 | CN202410052498.X | 2024-01-12 | CN117888190A | 2024-04-16 | 任泽阳; 李逸江; 张金风; 苏凯; 李俊鹏; 王晗雪; 马源辰; 吴勇; 王东; 张进成; 郝跃 |
| 本发明涉及一种三元复合终端金刚石材料及制备方法，制备方法包括步骤：提供非故意掺杂单晶金刚石衬底；在单晶金刚石衬底上制备B掺杂的单晶金刚石外延层，形成p型金刚石外延层；在p型金刚石外延层表面制备硅材料层；将沉积硅材料层的样品在氢气等离子体氛围中进行退火处理，使得活化的H原子、Si原子、B原子分别与单晶金刚石的碳原子之间发生化学反应，形成C‑H、C‑Si、C‑B化学键；将退火后的样品在空气中静置目标时间，形成三元复合终端金刚石材料。与现有金刚石导电终端相比，该制备方法制得的三元复合终端金刚石材料实现了较高的迁移率和载流子浓度，进而实现低方阻金刚石样品。 | ||||||
| 96 | 一种高温腐蚀去除氧化镓多晶的方法 | CN202311662946.X | 2023-12-06 | CN117888187A | 2024-04-16 | 董增印; 张力江; 王英民; 赖占平; 程红娟; 张嵩; 李贺; 孙科伟; 王再恩 |
| 本发明公开了一种高温腐蚀去除氧化镓多晶的方法。在高温条件下，该方法采用腐蚀性气体对氧化镓多晶进行腐蚀，氧化镓多晶被分解成金属镓、氯化镓和水，并随着尾气一同排出HVPE腔室，达到去除石英件及基座上附着氧化镓多晶的目的。该方法简单、有效，不仅能够保证腔室的洁净度，避免氧化镓多晶掉落在样品表面，也有利于提升内衬石英管和基座的重复利用次数，降低了实验成本。该方法也可以用来去除LPCVD、Mist‑CVD、MOCVD等氧化镓外延设备中基座或者石英件上附着的氧化镓多晶。 | ||||||
| 97 | 一种用于复杂形状折弯机钢部件的耐腐蚀处理技术 | CN202311835752.5 | 2023-12-28 | CN117888168A | 2024-04-16 | 包燕平 |
| 本发明属于金属耐腐蚀处理领域，具体公开了一种用于复杂形状折弯机钢部件的耐腐蚀处理技术，包括以下步骤：1）去杂质、2）打磨、3）碱腐蚀、4）中和、5）氧化、6）蒸汽处理、7）固化、8）防腐涂层处理等八个步骤，本耐腐蚀处理工艺工艺流程短，对设备要求不高，处理温度比传统工艺低，不含有机溶剂，节能环保效果好；并且本发明所述的防腐涂层含有增强黏附层，可以将无机的基体氧化物涂层牢固的结合在钢部件表面，附着力高，寿命长，长期在折弯机这种恶劣工况环境情况下使用也可以保护钢部件表面不受腐蚀侵害而破损，可节省大量保养费用。 | ||||||
| 98 | 一种降低铝材质加工件阳极氧化前表面粗糙度的方法 | CN202410053571.5 | 2024-01-15 | CN117888166A | 2024-04-16 | 戎家亮; 何桥 |
| 本发明公开了一种降低铝材质加工件阳极氧化前表面粗糙度的方法，包括以下步骤：步骤1、脱脂；步骤2、纯水浸泡；步骤3、吹干；步骤4、砂纸研磨；步骤5、化学精磨；步骤6、纯水浸泡；步骤7、吹干；步骤8、强光手电检查；步骤9、粗糙度测量：对产品表面粗糙度进行测量，若Ra大于0.2μm则返回步骤4，直至Ra小于0.2μm；步骤10、上挂阳极；本发明采用脱脂、粗磨、化学精磨、强光检查、粗糙度测量的整个完整流程清洗检测，利用化学和物理方式，干法与湿法研磨相结合，可有效在阳极氧化前降低产品的粗糙度，100％达到阳极氧化时要求的粗糙度，完全避免了氧化后打磨造成的氧化层露白及返工风险。 | ||||||
| 99 | 一种金属植入物及其制造方法 | CN202311749359.4 | 2023-12-18 | CN117888115A | 2024-04-16 | 杜策之; 王成勇; 朱欣娜; 李梓琪; 袁辉露 |
| 本发明涉及医疗设备领域，特别涉及一种金属植入物及其制造方法。该方法包括获取金属植入物，在所述金属植入物表面制造微沟槽；对所述微沟槽表面进行热处理，使所述微沟槽表面发生晶体相变；对所述金属植入物的非微沟槽区域表面照射第一激光，并使得所照射区域形成纳米结构。本申请提供的方案是在植入物表面制备微沟槽结构，并对其进行热处理实现晶体相变。利用金属植入物不同晶体结构之间的电位差，从而在人体环境中构建电荷极化表面，并通过植入物表面的微纳结构，促使早期炎症反应时的巨噬细胞与设定电性的表面接触，复合调控巨噬细胞的表型，促使巨噬细胞向M2型极化，促进组织愈合。 | ||||||
| 100 | 一种金属蚀刻液及其制备方法和蚀刻方法 | CN202311556981.3 | 2023-11-21 | CN117888109A | 2024-04-16 | 罗光洲; 罗先宇 |
| 本发明属于金属蚀刻技术领域，公开了一种金属蚀刻液及其制备方法和蚀刻方法。该金属蚀刻液，按重量份数计，包括氯化物5‑12份、有机酸1‑5份、无机酸2‑6份、氧化剂0.1‑2份、复合添加剂1‑6份、水80‑200份；复合添加剂包括N‑月桂基氮杂环庚烷‑2‑酮，以及聚氧乙烯脂肪醇醚、脂肪酸聚氧乙烯醚硫酸钠中的至少一种；有机酸包括氨基酸，以及邻苯二甲酸、均苯三甲酸中的至少一种。该金属蚀刻液，即使针对镍含量波动范围为55％至85％的镍铬合金，对应的蚀刻速度变化也很小，且蚀刻效率高，对铜也几乎不腐蚀，有利于工业蚀刻工艺的控制，有助于提高生产效率。 | ||||||
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