首页 / 专利分类库 / 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
181 超高速激光熔覆的全非晶无裂纹基非晶涂层及制备方法 CN202410003544.7 2024-01-02 CN117867490A 2024-04-12 魏先顺; 梁严; 张玲珑; 张欣怡
发明涉及一种超高速激光熔覆的全非晶无裂纹基非晶涂层及制备方法。对待熔覆工件进行预热处理,将预热好的待熔覆工件用卡盘夹住,平放在旋转载具上;调整熔覆装置的送粉速度、载气流量、保护气流量;调整熔覆头和待熔覆工件之间的距离、激光焦点、粉末流焦点,设置熔覆头移动速度;旋转载具带动待熔覆工件旋转,由外到内开始进行激光熔覆,在待熔覆工件表面形成超高速激光熔覆的全非晶无裂纹铁基非晶涂层。本发明通过调控超高速激光熔覆工艺参数,筛选出适合加工非晶涂层的参数,在保证涂层完全非晶的同时实现了涂层的快速冷却以及无缺陷制备。涂层具有高耐蚀性以及优异的机械性能。
182 一种利用合金粉末提高镁砖模具服役寿命的激光加工方法 CN202311836642.0 2023-12-28 CN117867489A 2024-04-12 黄圣坤; 曹伟业
发明公开了一种利用合金粉末提高镁砖模具服役寿命的激光加工方法,包括如下步骤:变形预热、激光熔覆、升温匀化及球化降温,激光熔覆阶段采用的A类合金粉末组分为:C、Cr、Co、Mn、W、B、Si、O、S、P、Fe;B类合金粉末组分为:C、Co、O、S、P、W,该方法能彻底解决镁碳砖模具在服役寿命短、堆焊变形大、熔覆层开裂倾向大、功能层硬度波动大,耐磨性不足等方面的行业痛点,使模具能够在5万次打砖的生产过程中不出现掉和畸变超差的现象,在降低了生产成本与劳动强度的同时,极大提高了生产效率。
183 多能辅助激光熔覆沉积高温合金的装置及方法 CN202311752739.3 2023-12-19 CN117867487A 2024-04-12 夏云鹏; 韩林; 于亚辉; 郭津瑞; 蔡军钊
发明涉及一种三维打印技术,尤其是涉及一种多能场辅助激光熔覆沉积高温合金的装置及方法。一种多能辅助激光熔覆沉积高温合金的装置,包括基板平台与激光器,基板平台的上表面为加工工位,激光器上设有机械手,机械手的外端部连激光头,激光头通过光纤连接接激光器,机械手控制激光头的空间位置,使激光头对准加工位置,其特征在于:机械手上固定交流线圈,与交流线圈产生的感应磁场的变化率也是变化的。有益效果:相对于现有技术,本发明设有本交流线圈,通入交流电后,实现交流电场、磁场对熔池内部搅拌作用,可起到细化晶粒的作用。
184 缸套内壁激光熔覆耐磨涂层的制备方法和应用 CN202211237824.1 2022-10-11 CN117867486A 2024-04-12 刘二勇; 杜双明; 孟令光
发明公开了一种缸套内壁激光熔覆耐磨熔覆层的制备方法及应用。本发明的技术方案具体为:采用旋转激光熔覆方法将基粉末熔覆在不可旋转的铝缸套内壁,获得具有高硬度和油润滑、干摩擦等环境中优异的摩擦学性能,从而实现铝发动机气缸的内壁强化。其中,所述铁基粉末包作为基础组分的Fe以及C、Cr、Mn、Mo和Ni等元素。本发明的激光铁基耐磨熔覆层还适用于不可旋转的非回转体零部件内壁强化,获得较常用的喷涂内壁强化涂层具有更高结合和更低孔隙率的激光熔覆耐磨熔覆层,特别适用于汽车发动机、无人机发动机、工程机械发动机等能源动力机械发动机缸体内壁的表面强化。
185 一种特定膜重的石油套管用磷化膜的制备方法 CN202311821496.4 2023-12-27 CN117867485A 2024-04-12 樊俊珍; 胡海青; 米永峰; 刘志强; 田伟; 张海燕; 杨军; 刘国辉; 李金龙; 沙慧英
发明公开了一种特定膜重的石油套管用磷化膜的制备方法,包括以下步骤:1).工件A经过声波清洗+化学除油处理后得到工件B;2).工件B进行酸洗得到工件C;3).工件C进行表调处理得到工件D;4).工件D进入磷化液,在工件表面生成一层致密均匀的磷化膜,反应完成后,得到工件E;5).工件E进行皂化处理,磷化膜自然晾干得到成品F。本发明所制备的成品F的磷化膜,外观质量均匀致密,附着好,经膜重检测,其膜重在15±10g/m2,晶粒度8‑15微米。
186 一种不锈铆钉表面处理装置 CN202410187369.1 2024-02-20 CN117867482A 2024-04-12 丘茂林; 魏春秀
发明公开一种不锈铆钉表面处理装置,涉及不锈钢铆钉处理技术领域;而本发明包括工作台,通过第一电机驱动轴的相互配合,使第一电机带着驱动轴转动,然后通过驱动轴与第三同步轮的相互配合,进而使驱动轴带着第三同步轮转动,然后通过第三同步轮与同步带的相互配合,使第三同步轮带着同步带转动,然后通过同步带与第一同步轮的相互配合,进而使同步带驱动第一同步轮转动,然后通过第一同步轮与转轴的相互配合,进而使第一同步轮带着转轴转动,然后通过滑与滑槽的相互配合进而使转轴带着钝化框转动,从而使钝化框内的不锈钢铆钉转动,从而能够使不锈钢铆钉与酸洗钝化液能够充分的接触,从而能够提高对不锈钢铆钉处理的效果。
187 一种薄膜沉积设备 CN202410275172.3 2024-03-12 CN117867474A 2024-04-12 沈康; 吴磊; 涂乐义; 梁洁; 王兆祥
申请涉及半导体加工技术领域,公开了一种薄膜沉积设备。该薄膜沉积设备包括腔体、加热装置和筒状结构。腔体包括内腔以及与内腔连通的进气通道,进气通道用于向内腔中通入工艺气体;加热装置包括朝向进气通道、用于承载晶圆的载物台,以及用于加热晶圆的加热单元;筒状结构设置在加热装置外围,筒状结构设置有连通至外界气源的气体通道,以及与气体通道连通、且朝向晶圆周边的吹气口,辅助气体经过气体通道后,自吹气口吹向晶圆周边位置,筒状结构两端相互贯通。本申请提供的薄膜沉积设备,能够避免加热装置热应形变的发生,保障了对晶圆加热的均匀性,进而保证了晶圆上薄膜沉积厚度的均匀性。
188 一种气相沉积设备 CN202410101030.5 2024-01-24 CN117867473A 2024-04-12 邢志刚; 刘雷; 张志明; 周慧娟
发明提供了一种气相沉积设备,包括反应腔;第一气体注入机构位于反应腔顶部的中间区域;第二气体注入机构位于反应腔顶部的外围区域并环绕第一气体注入机构设置;遮挡件环绕反应腔的内侧壁设置,遮挡件与反应腔的内侧壁、第二气体注入机构之间适配地围设成一个环形腔,第二气体注入机构向环形腔中注入吹扫气体;遮挡件与第一气体注入机构适配地围设成一个径向尺寸由上至下逐渐增大空间区域,遮挡件的最下端的外径与反应腔的内径相适配,吹扫通道分布设于遮挡件上以向空间区域导入吹扫气体。本发明提供的气相沉积设备可以提高设备生长材料的产出效率和质量,延长反应腔的维护周期。
189 衬底处理设备中改善的气体混合物的气体入口管组件 CN202311313668.7 2023-10-11 CN117867472A 2024-04-12 A·托塔普佩利; D·郑; J·金
提出了一种气体入口管组件。该组件包括:配置为引入第一处理气体的第一入口和配置为引入第二处理气体的第二入口;以及气体入口管,其配置为混合来自第一入口的第一处理气体和来自第二入口的第二处理气体,气体入口管与衬底处理设备的反应室流体连通,并且包括上段和下段;其中第一入口和第二入口位于气体入口管的上段中,并且彼此直接相对,上段为渐缩锥形,下段为渐扩锥形,并且上段底部的长度与下段底部的长度比率可以为0.1~0.9,优选为0.15~0.25。
190 沉积过渡金属二硫属化物的方法 CN202311315410.0 2023-10-11 CN117867469A 2024-04-12 B·格罗文; V·沃罗涅科夫; D·弗朗克克斯
本公开涉及一种过渡金属二硫属化物的沉积方法,该方法包括:通过金属有机化学气相沉积工艺在基底上沉积过渡金属二硫属化物层,包括将所述基底暴露于包含过渡金属前体和硫属前体的反应气体混合物,其中,所述混合物还包括基于气相卤素的反应物,以使沉积在基底上的过渡金属吸附原子挥发。
191 化锌薄膜的制备方法 CN202311712377.5 2023-12-13 CN117867468A 2024-04-12 张圳; 庄明宇
发明属于透明导电膜技术领域,公开了一种掺化锌薄膜的制备方法。该掺铝氧化锌薄膜的制备方法包括:提供一基底;在基底上制备氧化铝薄膜;对氧化铝薄膜进行煮和烘干处理,得到微纳结构,微纳结构为草状氧化铝;在微纳结构上制备掺铝氧化锌薄膜。本发明提供的掺铝氧化锌薄膜的制备方法,先在基底上制备氧化铝薄膜,再对氧化铝薄膜进行水煮烘干处理,得到微纳结构,即草状氧化铝,草状氧化铝疏松多孔且杂乱无序,具备较高的比表面积,在草状氧化铝上制备得到的掺铝氧化锌薄膜具有较高的透过率和更低的方阻,且该制备方法操作简单、经济环保、对环境要求低、生产成本低、设备兼容性高,适用于大规模推广。
192 一种防渗漏炼金石墨坩埚生产用气相沉积工艺及装置 CN202410269716.5 2024-03-11 CN117867466A 2024-04-12 李伟
发明公开了一种防渗漏炼金石墨坩埚生产用气相沉积工艺及装置,属于气相沉积技术领域,装置包括外壳,外壳的上方和下方分别转动安装有上安装板和下安装板,上安装板与下安装板固定安装在中间立柱上,中间立柱的轴线方向上设置有多组支管,每一组支管在中间立柱的圆周方向均匀分布,支管上设置有出气孔,每一个支管两侧均设置有夹持驱动组件和转动驱动组件,用于驱动坩埚在每个支管外侧转动,以此实现均匀沉积,外壳上设置有输送组件,输送组件用于将坩埚放置在支管的外侧;通过本发明提出的工艺使得气相沉积效果更加均匀。
193 一种连续制备负极材料的方法、硅碳负极材料及其应用 CN202311667292.X 2023-12-06 CN117867464A 2024-04-12 冯荣标; 简正军; 吴建华; 易慧芝; 吴易华; 周军浩; 梁泳君; 梁浩宏; 叶丹丹; 江晴晴
发明公开了一种连续制备负极材料的方法、硅碳负极材料及其应用,属于二次电池材料技术领域。上述方法包括:S1.将碳基体和沉积气源在沉积混料装置中混合,并将所得混合物在沉积流化床中进行硅沉积;S2.将步骤S1所得产物和包覆气源在包覆混料装置中混合,并将所得混合物在包覆流化床中进行碳包覆;S3.将步骤S2所得产物转移至尾部混料装置中进行后处理;方法中,物料转移均采用管道运输;沉积混料装置、包覆混料装置和尾部混料装置之间通过连通。该方法可有效降低硅碳负极材料的制备成本,提高产能,提升硅碳负极材料的电化学性能。本发明还提供了上述方法制得的硅碳负极材料及其应用。
194 具有高沉积环及沉积环夹具的处理配件 CN202311689865.9 2016-07-01 CN117867462A 2024-04-12 威廉·约翰森; 希兰库玛·萨万戴亚; 阿道夫·米勒·艾伦; 王新; 帕拉沙特·帕布
本文提供处理配件及包含此处理配件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中,处理配件包括沉积环,所述沉积环被配置而设置在基板支撑件上,所述基板支撑件被设计为用于支撑具有给定宽度的基板,所述沉积环包含:环形带,所述环形带被配置为搁置在所述基板支撑件的下突出部分上;内唇,所述内唇从所述环形带的内缘向上延伸,其中所述内唇的内表面与所述环形带的内表面一起形成具有小于所述给定宽度的宽度的中央开口,并且其中所述环形带的上表面与所述内唇的上表面之间的深度是介于约24mm与约38mm之间;通道,所述通道设置在所述环形带的径向外侧;及外唇,所述外唇向上延伸且设置在所述通道的径向外侧。
195 一种磁控溅射真空膜装置 CN202311842860.5 2023-12-28 CN117867458A 2024-04-12 孙桂红; 黄国兴; 梁红; 祝海生; 李俊杰; 李新栓; 寇立; 薛闯; 桂丹; 刘柏桢; 黄乐
发明公开了一种磁控溅射真空膜装置,包括安装在镀膜腔室内的旋转架和安装在镀膜腔室侧壁上的一组以上靶材组件,旋转架上安装有多用于放置基片的矩形挂板,多块矩形挂板环绕旋转架的转动轴线均匀间隔布置,各组靶材组件包括两靶并排设置的靶材,每靶靶材内设有中间磁棒和位于中间磁棒两侧的两根侧部磁棒,中间磁棒和两根侧部磁棒的两端分别为S极和N极,中间磁棒的S极端和两根侧部磁棒的N极端位于靶材一端,中间磁棒的N极端和两根侧部磁棒的S极端位于靶材另一端,两根侧部磁棒分别通过度调节组件以能绕靶材轴线调节角度的方式安装在靶材内。采用该磁控溅射真空镀膜装置便于改善镀膜均匀性。
196 一种靶材及GaN HEMT器件的制作方法 CN202311588162.7 2023-11-24 CN117867455A 2024-04-12 何钞; 游庭淋; 王宇; 李光伟; 谢文元
发明公开了一种靶材及GaN HEMT器件的制作方法。靶材用于在磁控溅射工艺中形成GaN HEMT器件的栅极,所述靶材的第一表面包括位于所述靶材的中心的中央凸起以及环绕所述中央凸起的至少一个环形凸起。本发明实施例可以降低GaN HEMT器件的阈值电压的差异,提升制作成品率。
197 PVD提高金属膜回流效率的装置 CN202410278561.1 2024-03-12 CN117867454A 2024-04-12 许磊; 王世宽; 宋永辉
发明提供一种PVD提高金属膜回流效率的装置,包括溅射腔、升降载台部、副腔、盖件;溅射腔用于晶圆覆膜;升降载台部包括能够沿竖直方向升降的晶圆加热载台、位于晶圆加热载台顶部的静电吸附件、贯穿所述晶圆加热载台和静电吸附件的气路;副腔位于溅射腔的一侧面并连通于溅射腔;盖件运转于溅射腔和副腔之间,所述盖件顶部中心处设置有排气孔;其中,当所述盖件运转至溅射腔内时,所述盖件罩住晶圆并在盖件和静电吸附件之间形成辅热腔室,热气从气路进入辅热腔室内,先后流经晶圆背面、晶圆侧面、晶圆正面,最后从排气孔排出辅热腔室。本申请实现晶圆表面均匀受热受压,减少金属膜回流填孔的时间,提高晶圆膜的效率。
198 一种平面靶材绑定的方法 CN202410093226.4 2024-01-23 CN117867453A 2024-04-12 张倍维; 黄誓成; 陆映东; 宋春华; 黄作; 莫斌; 王凯; 覃丽莉
发明涉及平面靶材领域,具体公开了一种平面靶材绑定的方法,将背板、金属铟、靶材逐层层叠,在背板和金属铟之间插入金属丝,金属丝的首尾两段连接声波振动器,初次校正靶材和背板的方位,背板升温、超声波振动器带动金属丝振动,开始绑定靶材,绑定结束后在高温状态下微调靶材和背板的方位,最后降温完成加工。该绑定方法操作简单,常温下对靶材进行初步定位,在后续升温后只需微调方位,既可以提高靶材的贴合率,又降低了搬运、绑定导致的作业险。
199 掩膜及其制造方法、约瑟夫森结的制造方法 CN202311650949.1 2023-12-05 CN117867444A 2024-04-12 请求不公布姓名; 贾志龙
发明公开了一种掩膜及其制造方法、约瑟夫森结的制造方法。掩膜包括:形成在衬底上,具有贯通的窗口的第一光刻胶层;形成于第一光刻胶层上,对应窗口的区域内形成有连通窗口的预设图形集合的第二光刻胶层,预设图形集合包括多个分布于相同方向上的窗口图形;各个窗口图形在第一方向上的宽度均小于第一距离;各个窗口图形与在第一方向上相邻的窗口图形之间距离均小于第一距离。基于此,利用该掩膜进行约瑟夫森结制造时,可实现每个窗口图形在衬底的第二投影区域仅与相邻的窗口图形在衬底的第一投影区域存在重叠,在重叠区域形成约瑟夫森结,极大提高制造约瑟夫森结的效率。
200 一种高强度光伏边框及其制备工艺 CN202311803480.0 2023-12-26 CN117867443A 2024-04-12 任君明
发明涉及型材加工技术领域,具体为一种高强度光伏边框及其制备工艺。具体制备工艺为:先对铝型材浸锌处理,促进其后续渗氮,渗氮后,再进行阳极化处理,对铝型材的综合性能进行增强,使其具有更高的强度和耐腐蚀性能;最后配制了聚酯涂料,将其涂覆到铝型材表面对其进行保护,进一步赋予铝型材耐腐蚀性能和抗紫外防老化性能,使其能够长期维持较高的强度,最终加工制成高强度光伏边框。该光伏边框具有优异的耐腐蚀性能和强度,能够适应更为恶劣的室外环境,具有极大应用价值。
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