子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种酸性蚀刻废液循环再生用添加剂及其使用方法 | CN202311623774.5 | 2023-11-29 | CN117904635A | 2024-04-19 | 高东瑞; 李强; 唐成明; 黄佳辉 |
| 本发明公开了一种酸性蚀刻废液循环再生用添加剂及其使用方法，属于酸性蚀刻液回收技术领域，本发明的酸性蚀刻废液循环再生用添加剂包括三氮唑类化合物、尿素类化合物和硫脲类化合物，通过在金属表面形成吸附膜，极性基团吸附在金属表面，改变双电层结构，提高金属离子化活化能；非极性基团远离金属表面并作定向排布，形成一层疏水薄膜，从而减缓蚀刻液中离子的扩散速度，降低了蚀刻液对金属层的攻击强度。又由于垂直方向喷嘴压力大，可以轻易击穿这层保护膜，而侧壁方向的水压小，不足以击穿该保护膜，从而蚀刻液对侧壁的腐蚀远远小于垂直方向。这样既能保证酸性蚀刻速率的同时减少侧蚀，提高蚀刻因子。该酸性蚀刻废液循环再生用添加剂的使用极大地延长了酸性蚀刻废液循环再生利用的寿命。 | ||||||
| 2 | 一种半导体钛蚀刻液、其制备方法与应用 | CN202311764348.3 | 2023-12-20 | CN117904632A | 2024-04-19 | 侯军; 武文东; 田继升; 李秋颖; 赵晓莹 |
| 本发明涉及一种半导体钛蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：过氧化氢8‑25份；有机多膦酸及其衍生物1‑20份；多羧酸铵盐1‑7份；磷酸酯醚类化合物0.5‑2份；超纯水40‑65份；本发明还公开了上述蚀刻液的制备方法与应用。本发明的钛蚀刻液利用磷酸酯醚和多羧酸铵盐在分散和乳化方面具有互补的作用以及磷酸酯醚和多羧酸铵盐还具有不同的表面活性和润湿性能协同增效实现蚀刻速率的提升。本发明中有机多膦酸及其衍生物可以延缓过氧化氢的分解，提升钛蚀刻液的稳定性，磷酸酯醚和多羧酸铵盐在环境适应性和稳定性方面具有互补的作用，使得稳定性进一步提升。 | ||||||
| 3 | 一种高耐磨铝合金外壳及其制备工艺 | CN202410058321.0 | 2024-01-16 | CN117900105A | 2024-04-19 | 陈建军 |
| 本发明涉及铝合金技术领域，具体是一种高耐磨铝合金外壳及其制备工艺，在铝合金表面通过多次浸渍处理，在其表面预先生长水滑石层，然后得到表面生长连续致密的沸石咪唑骨架的膜层，利用真空浸渍引入含氟胍基化氨基酸衍生缓蚀剂；以L‑半胱氨酸与S‑甲基异脲半硫酸盐为原料，制备得到含有巯基的胍基化中间制剂，然后与甲基丙烯酸全氟辛酯合成了含氟胍基化氨基酸衍生缓蚀剂；以羟基封端聚二甲基硅氧烷、聚乙二醇、异佛尔酮二异氰酸酯为原料，二月桂酸二丁基锡为催化剂制备聚氨酯预聚体，然后以含氟胍基化氨基酸衍生缓蚀剂为扩链剂，氨基化二硫化钼为封端剂，乙二胺为中和剂制备含氟有机硅改性聚氨酯。 | ||||||
| 4 | 铝或铝合金化学抛光废液的回收方法 | CN202110502660.X | 2021-05-09 | CN115385312B | 2024-04-19 | 唐瑜钟; 吉飞; 赖珏齐; 薛志强; 郑帅飞; 彭娟; 张庆喜 |
| 5 | 一种加氢缓蚀剂组合物及其制备方法 | CN202210440746.9 | 2022-04-25 | CN114717562B | 2024-04-19 | 杨巍; 孙贤芝 |
| 6 | 管道阴极保护装置 | CN202311774041.1 | 2023-12-21 | CN117888113A | 2024-04-16 | 和宏伟; 朱尘宇; 焦国栋; 曹云龙; 柳强; 刘清泉; 郑博; 马赛; 史其岩 |
| 本申请涉及管道保护技术领域，提供一种管道阴极保护装置。管道阴极保护装置包括绝缘壳体和试片，绝缘壳体形成有安装腔，绝缘壳体形成有参比电极，试片设于安装腔内，试片与参比电极相邻设置。根据本申请实施例的管道阴极保护装置，可以有效的降低土壤中杂散电流对管道阴极保护电位测量的影响，提高了测量结果的准确性。 | ||||||
| 7 | 一种海洋环境下生物防污联合外加电流阴极保护系统 | CN202410065833.X | 2024-01-17 | CN117888112A | 2024-04-16 | 邓培昌; 王沛林; 胡杰珍; 耿保玉; 胡欣; 曾俊昊; 刘大海 |
| 本发明提供了一种海洋环境下生物防污联合外加电流阴极保护系统，包括：被保护金属材料、阳极析氯电极、调节模块；被保护金属材料、阳极析氯电极分别与恒电位仪的负极和正极连接，与海水介质构成闭合回路；调节模块分别与被保护金属材料、阳极析氯电极连接，用于对被保护金属材料和阳极析氯电极的电位值进行调节。本系统在使用一个整流电源的情况下，同时实现被保护金属材料的腐蚀防护和防生物污损两项功能，既节省了电能消耗，也对被保护金属材料提供了更加全面的防护。 | ||||||
| 8 | 一种铜刻蚀液的制备方法与应用 | CN202311825094.1 | 2023-12-27 | CN117888107A | 2024-04-16 | 于天宝; 陈昆 |
| 本发明提供了一种铜刻蚀液的制备方法与应用，属于半导体刻蚀技术领域。本发明提供一种刻蚀液，其刻蚀速度适中、刻蚀效果良好，能够改善铜刻蚀液的刻蚀品质。本发明针对特殊基板的电镀覆铜及掺杂覆铜的表面刻蚀，制备的铜刻蚀液具有刻蚀速度适中、刻蚀效果良好等优点，能够使铜在刻蚀中更加均匀可控，不会导致表面光刻胶脱落，且不会在表面留下难以去除的棕色污渍；同时配制工艺简单、安全、高效、稳定，适合工业化生产。 | ||||||
| 9 | 表面硬化钢及其制造方法以及齿轮部件的制造方法 | CN202410111883.7 | 2017-05-31 | CN117888030A | 2024-04-16 | 安藤佳祐; 岩本隆; 富田邦和; 长谷和邦; 西村公宏 |
| 本申请提供一种表面硬化钢及其制造方法以及齿轮部件的制造方法，该表面硬化钢适合作为用于以较低成本制作具有高旋转弯曲疲劳强度和接触疲劳强度的机械结构用部件的原材料。 | ||||||
| 10 | 一种缓蚀剂、用于CO2输送环境的缓蚀组合物及其制备方法和应用 | CN202211229520.0 | 2022-10-08 | CN117886780A | 2024-04-16 | 蒋秀; 于超; 花靖; 谷成林 |
| 本发明涉及油气田用化学剂及金属材料的腐蚀与防护技术领域，具体涉及一种缓蚀剂、用于CO2输送环境的缓蚀组合物及其制备方法和应用。缓蚀剂的制备方法包括：在微波存在下，将苄基哌嗪、含有醛基的化合物和含有羟基的化合物进行反应；所述苄基哌嗪、含有醛基的化合物和含有羟基的化合物的用量的摩尔比为1‑1.7:1‑1.4:1。本发明所述的方法制备的缓蚀剂含有多个具有优异缓蚀功能的官能团，可在金属表面形成三键、N、O等多个吸附中心。利用该缓蚀剂、有改性剂、分散剂、溶剂等成分制备的用于CO2输送环境的缓蚀组合物可以达到高效耐高浓度CO2腐蚀的功能。 | ||||||
| 11 | 一种用于碳钢的绿色高效复配气相缓蚀剂制备方法 | CN202110754894.3 | 2021-07-05 | CN115584506B | 2024-04-16 | 宋海燕; 郎济凤; 刘光发; 梁爽 |
| 本发明公开了一种用于碳钢的绿色高效复配气相缓蚀剂制备方法，包括以下含量的复配缓蚀剂组分：苯甲酸钠11～13g/L、葡萄糖酸钠11～13g/L、植酸13～15g/L、柠檬酸钠3～5g/L。该气相缓蚀剂制备方法主要包括如下步骤：(1)测试苯甲酸钠、葡萄糖酸钠、植酸和柠檬酸钠四种缓蚀剂在烘干条件下的失重率；(2)将四种缓蚀剂用去离子水配制成浓度0～15g/L的单组份缓蚀剂溶液；(3)通过电化学实验确定主缓蚀剂苯甲酸钠并筛选出各单组份缓蚀剂的优选浓度范围；(4)将苯甲酸钠与其余3种缓蚀剂依次进行二元复配、三元复配和四元复配实验；(5)通过电化学实验和湿热实验确定四元复配缓蚀剂的优选配方。本发明缓蚀效果好、安全环保、成本较低、具有较好的产业化应用前景。 | ||||||
| 12 | 蚀刻液组合物 | CN202010646173.6 | 2020-07-07 | CN113073327B | 2024-04-16 | 金益儁; 朴相承; 金载烨; 李宝研; 金世训 |
| 本发明涉及选择性地蚀刻用作TFT‑LCD显示器的电极的铜膜和含钼膜的蚀刻液组合物，根据本发明，可以提供铜膜和含钼膜的蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物能够实现对铜膜和含钼膜的选择性的蚀刻，通过容易的蚀刻速度的控制，可以提供具有目标图案的直线性和锥角的金属配线，实现稳定的蚀刻轮廓，从而不仅可实现高处理张数，而且对大面积处理有效。 | ||||||
| 13 | 蚀刻液组合物 | CN202010646905.1 | 2020-07-07 | CN112342547B | 2024-04-16 | 朴相承; 金益儁; 金载烨; 李宝研; 金世训 |
| 本发明涉及选择性地蚀刻用作TFT‑LCD显示器的电极的铜膜和含钼膜的蚀刻液组合物，根据本发明，可以提供铜膜和含钼膜的蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物能够实现对铜膜和含钼膜的选择性的蚀刻，通过容易的蚀刻速度的控制，可以提供具有目标图案的直线性和锥角的金属配线，实现稳定的蚀刻轮廓，从而不仅可实现高处理张数，而且对大面积处理有效。 | ||||||
| 14 | 一种光伏太阳能N型氧化物半导体ITO化学镀铜制作工艺 | CN202410279898.4 | 2024-03-12 | CN117878196A | 2024-04-12 | 王运太; 王玉; 饶猛; 莫庆生; 赵子俊 |
| 本发明公开了一种光伏太阳能N型氧化物半导体ITO化学镀铜制作工艺，包括以下步骤：采用阳离子型调整剂对ITO薄膜进行表面调整处理，随后将其放置于氯化钠和盐酸的混合溶液中进行预浸处理，接着放置于胶体钯溶液中进行活化处理，再将ITO薄膜置于化学镀液中进行化学镀铜处理，水洗烘干后，在ITO薄膜表面上贴干膜，并通过LDI曝光机对干膜进行曝光显影后，得到线路图案，再对其电镀铜处理以加厚铜层；蚀刻处理，以去除电镀铜层之外的部分铜，形成所需的线路图案；本发明采用化学镀铜工艺在ITO薄膜上形成铜镀层，相比于传统的银浆印刷方式，不仅可避免产生银浆废料影响环境，还能避免在高温烘烤下对ITO薄膜的电转换率造成影响。 | ||||||
| 15 | 一种模具咬花加工设备 | CN202310295945.X | 2023-03-23 | CN117867500A | 2024-04-12 | 杨高博; 杨超华 |
| 本发明公开了一种模具咬花加工设备，涉及模具咬花装置技术领域，包括工作台，所述工作台的顶端通过焊接固定有固定座，所述工作台的顶端通过焊接固定有两个限位轨,还包括有限位机构。本发明通过设置限位机构，第一电机的输出端转动通过机械传动带动带动放置座移动，放置座移动带动挤压块向上移动，弹簧恢复原状并带动挤压块移动，挤压块移动通过机械传动带动挤压板移动，通过此结构有利于在模具进行咬花操作前，对模具外壁进行夹持限位的操作，避免模具在咬花时出现位置偏移的情况，同时工作人员手部不与加工中模具的外壁接触，进而避免了工作人员手部出现受伤的情况，安全性也相对增加。 | ||||||
| 16 | 一种耐温高缓蚀水溶性缓蚀剂的制备方法及其应用 | CN202311538699.2 | 2023-11-17 | CN117512599B | 2024-04-12 | 朱浩良; 潘勇 |
| 本发明涉及金属缓蚀技术领域，且公开了一种耐温高缓蚀水溶性缓蚀剂的制备方法及其应用，三羟乙基曼尼希碱季铵盐中间体与均苯四甲酸酐进行聚合反应，得到具有支化网络结构的耐温高缓蚀水溶性缓蚀剂。缓蚀剂含有亲水性的季铵盐、羧基基团，在水中具有良好的溶解性。缓蚀剂含有的曼尼希碱季铵盐和咪唑作为螯合配位体，含有的极性氮原子，其孤对电子与钢表面铁原子形成配位键；使得缓蚀剂紧紧地吸附在钢金属表面，从而在盐酸腐蚀介质和钢之间自组装形成稳定的空间网络结构的阻隔层；阻止蚀介质中的H+和水与钢表面接触，降低腐蚀反应速率，起到很好的防腐缓蚀作用。 | ||||||
| 17 | 用于有机分析仪器的不锈钢疏水耐磨纳米膜的制备方法 | CN202210560765.5 | 2022-05-23 | CN114807947B | 2024-04-12 | 尹辉; 孙永利; 马麒; 蒋明玲; 谭清 |
| 本发明公开了用于有机分析仪器的不锈钢疏水耐磨纳米膜的制备方法，包括如下步骤：步骤1：表面预处理；步骤2：表面微结构生成；步骤3：表面网状二氧化硅层生成；步骤4：低表面能化学修饰。本发明首先，对不锈钢表面进行预处理，除油、酸活化；然后，进行表面预镀铬、着色氧化、电解固膜，形成致密金属氧化物层，并暴露缺陷与硅羟基活性点；随后配制一定浓度的封闭打底试剂，通过浸泡、加热固化、表面去有机基团等，形成与不锈钢表面硅羟基相连的均匀致密网状结构的二氧化硅亲水打底层；最后，浸泡在低表面能试剂溶液中进行化学修饰。本发明制备的不锈钢表面具有缺陷少、致密均匀、疏水性佳、低VOC残留的优点。 | ||||||
| 18 | 一种多羟基阳离子高温耐氧缓蚀剂的制备及应用 | CN202011312097.1 | 2020-11-20 | CN114516834B | 2024-04-12 | 曾文广; 石鑫; 张江江; 冯一波; 郭玉洁; 秦飞; 李芳; 鄢宇杰; 魏晓静; 彭明旺; 陈友猛; 魏宏洋; 应海玲 |
| 本发明提供了一种多羟基阳离子高温耐氧缓蚀剂的制备及应用，涉及缓蚀剂的合成技术领域，多羟基阳离子缓蚀剂通过以下步骤制备：(1)中间体A的合成：将醇胺和溶剂混合后，再滴加环氧化合物，滴加结束后加热并搅拌，反应得到中间体A；(2)将中间体A与3‑(氯甲基)喹啉混合后加入溶剂，加热回流，反应得到多羟基阳离子缓蚀剂。该缓蚀剂具有环境友好性、耐高温，耐氧腐蚀，能显著降低钢质管道的腐蚀风险，延长其使用寿命，符合油田发展的需要。 | ||||||
| 19 | 薄膜晶体管及其制作方法和显示面板 | CN202211209419.9 | 2022-09-30 | CN117855043A | 2024-04-09 | 孔曾杰; 高玉杰; 刘信; 郭会斌 |
| 本发明提供了薄膜晶体管及其制作方法和显示面板。制作薄膜晶体管的方法包括：在基板的一侧依次形成栅极、栅绝缘层、半导体层、掺杂半导体层和金属层；在金属层的表面上形成光刻胶层，光刻胶层包括第一光刻胶层；通过第一光刻胶层依次进行第一次湿刻蚀、光刻胶灰化、干刻蚀和第二次湿刻蚀，得到源极、漏极、欧姆接触层和有源层，第一次湿刻蚀和第二次湿刻蚀中的至少之一所使用的刻蚀液为复合刻蚀液，复合刻蚀液包括刻蚀金属液和氟离子，复合刻蚀液可刻蚀金属层、杂半导体层和部分半导体层。上述制作工艺可以节省工艺流程，还可降低寄生电容和光照漏电流，进而可以有效改善显示面板水波纹、串扰等信赖性不良的缺陷，还有利于实现极窄边框。 | ||||||
| 20 | 一种显示面板用铜蚀刻液配方及其研制方法 | CN202410257897.X | 2024-03-07 | CN117854615A | 2024-04-09 | 王国洪; 王润杰; 许朱男; 颜禧历 |
| 本发明蚀刻液的配方发现方法，特别是一种显示面板用铜蚀刻液配方及其研制方法，通过模型读取成分属性信息和SEM图像的信息，综合了蚀刻速率，选择性和均匀性三个方面的目标来达到高效研发显示面板铜蚀刻液配方的目的。 | ||||||
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