| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | Method of directly combining metal to ceramics and metal | JP9075776 | 1976-07-29 | JPS5237914A | 1977-03-24 | DOMINIKU ANSONII KUSANO; JIEMUSU ANSONII RAUFURAN; YUENNSHIENGU EDOMONDO SAN |
| 162 | JPS4917381A - | JP4423773 | 1973-04-20 | JPS4917381A | 1974-02-15 | |
| A method is described for direct bonding of metallic members to non-metallic members at elevated temperatures in a controlled reactive atmosphere without resorting to the use of electroless plating, vacuum deposition or intermediate metals. The method comprises placing a metal member such as copper, for example, in contact with a non-metallic substrate, such as alumina, heating the metal member and the substrate to a temperature slightly below the melting of the metal, e.g., between approximately 1,065 DEG C. and 1,080 DEG C. for copper, the heating being performed in a reactive atmosphere, such as an oxidizing atmosphere, for a sufficient time to create a copper-copper oxide eutectic melt which, upon cooling, bonds the copper to the substrate. Various metals, non-metals and reactive gases are described for direct bonding. | ||||||
| 163 | セラミックス回路基板 | JP2013524003 | 2012-07-13 | JP6129738B2 | 2017-05-17 | 星野 政則; 中山 憲隆; 那波 隆之; 佐藤 英樹; 小森田 裕 |
| 164 | 金属セラミック基板を製造する方法 | JP2016538800 | 2014-11-28 | JP2017501883A | 2017-01-19 | マイアー アンドレアス; ヒアシュテッター ファビアン |
| 本発明は、第1メタライゼーション部(3)および第2メタライゼーション部(4)、および、第1メタライゼーション部(3)と第2メタライゼーション部(4)との間に収容された少なくとも1つのセラミック層(2)を含む金属セラミック基板(1)を製造する方法に関する。好適には第1および第2金属層(5,6)およびセラミック層(2)を重ねて積層し、しかも第1および第2金属層(5,6)の開放縁部部分(5a,6a)がそれぞれ、縁部側においてセラミック層(2)を突き出て、セラミック容器(2)を収容しかつ容器内部空間(8)を閉じ込める気密に閉鎖された容金属容器(7)を形成するため、第1および第2金属層(5,6)を,突き出した開放縁部部分(5a,6a)の領域において互いに変形させて、直接互いに接合されるように積層される。引き続いて、複数の金属層(5,6)のうちの少なくとも1つとセラミック層(2)との好適には平坦な接合が形成するため、金属容器(7)を構成する金属層(5,6)は、処理チャンバにおいて、容器内部に収容されたセラミック容器(2)と共に、500〜2000barのガス圧および300℃から金属層(5,6)の融解温度までのプロセス温度において互いに熱間静水圧加圧され、第1および第2メタライゼーション部(3,4)を形成するため、少なくとも、金属層(5,6)の互いに接合されかつ突出した、開放縁部部分(5a,6a)が最終的に除去される。 | ||||||
| 165 | 炭化珪素質耐火ブロック | JP2015042455 | 2015-03-04 | JP2016160158A | 2016-09-05 | 柳 憲治 |
| 【課題】耐食性の増す炭化珪素質耐火ブロックを提供する。 【解決手段】所定形状を有する炭化珪素質耐火物からなる耐火性ブロック本体1と該ブロック本体1の外表面部分を酸素雰囲気で加熱して少なくとも一部の炭化珪素を酸化して酸化珪素とした焼成被膜層2を有するブロックとした。焼成被膜層2が酸化珪素で焼結されて耐食性が増す。 【選択図】図1 |
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| 166 | 酸化物系セラミックス回路基板の製造方法および酸化物系セラミックス回路基板 | JP2013525748 | 2012-07-26 | JP5908473B2 | 2016-04-26 | 那波 隆之; 佐藤 英樹; 星野 政則; 小森田 裕 |
| 167 | ハニカム構造体、排ガス浄化用ハニカムフィルタ及び排ガス浄化装置 | JP2014507209 | 2012-03-29 | JPWO2013145245A1 | 2015-08-03 | 弘平 太田; 將平 島田; 寿英 伊藤 |
| 本発明は、800℃を超えた温度、特に1200℃以上の温度範囲で使用された場合であっても、スス等のパティキュレートが規制値以上に外部に漏れることのないハニカム構造体を提供することを目的とするものであり、本発明のハニカム構造体は、多数のセルがセル壁を隔てて長手方向に並設された炭化ケイ素質のハニカム焼成体が接着剤層を介して複数個結束され、前記セルを隔てるセル壁のいずれか一方の端部が目封じされたハニカム構造体であって、前記ハニカム焼成体を構成する炭化ケイ素粒子の表面には、ケイ素を含む酸化物層が形成されており、前記接着剤層は、少なくともアルミナファイバと無機バルーンとを含むことを特徴とする。 | ||||||
| 168 | セラミックス回路基板 | JP2013524002 | 2012-07-13 | JPWO2013008919A1 | 2015-02-23 | 星野 政則; 政則 星野; 佐藤 英樹; 英樹 佐藤; 裕 小森田; 中山 憲隆; 憲隆 中山; 隆之 那波 |
| 本発明のセラミックス回路基板は、アルミナ基板上に金属回路板が接合されたセラミックス回路基板において、前記アルミナ基板は、アルミナAl2O3を94〜98質量%、および焼結前に配合された焼結助剤から生成された焼結助剤由来成分を2〜6質量%含み、前記焼結助剤由来成分は、ケイ素を含む無機酸化物であり、前記焼結助剤由来成分中のケイ素は酸化ケイ素SiO2に換算した質量で前記アルミナ基板100質量%中に0.01〜1.5質量%含まれ、前記アルミナ基板は、ボイドの最大径が15μm以下であり、ボイド平均径が10μm以下であり、ビッカース硬度が1300以上である。 | ||||||
| 169 | ＤＣＢ基板の製造方法 | JP2014549360 | 2012-12-27 | JP2015503500A | 2015-02-02 | シュルツ−ハーダー，ユルゲン; シュミドト，カールステン; エクセル，カール |
| それぞれ少なくとも1つの実質的に窒化アルミニウム(AlN)からなるセラミック層を備え、そのセラミック層が少なくとも1つの表面に、実質的に酸化アルミニウムからなる中間層を有しており、及び少なくとも1つの、金属層又は金属箔から形成されたメタライゼーションを各中間層の上に備えている、DCB基板の製造方法。【選択図】図1 | ||||||
| 170 | 回路基板、及びそれを用いた半導体装置 | JP2012554801 | 2012-01-24 | JPWO2012102267A1 | 2014-06-30 | 俊章 守田; 英一 井出; 雄亮 保田; 拓司 安藤 |
| 本発明は、製造時の熱応力ないし熱ひずみを軽減し、低熱抵抗,低コストの回路基板およびそれを用いた半導体装置を提供することを目的とし、窒化物を含むセラミックス基板と、前記セラミックス基板の一方の面に接合層を介して接合された回路配線板と、前記セラミックス基板の他方の面に接合層を介して接合された金属支持部材と、を備え、前記接合層が銀または銅を含む焼結体であり、前記セラミックス基板と前記焼結体の接合界面に酸化物層を有し、前記酸化物層は前記セラミックス基板側が多結晶層で構成され、前記焼結体側が非晶質層で構成される回路基板を特徴とする。 | ||||||
| 171 | Potting method of a ceramic capillary membrane | JP2012525924 | 2010-08-25 | JP2013503028A | 2013-01-31 | シーラマイスター，シュテッフェン; ランガンケ，ベルント; シーステル，トーマス; ホーティング，ビョルン |
| 本発明は高温耐性の基部を具えるモジュール型部品に関連しており、当該高温耐性基部は、セラミックキャピラリ膜を導入するための少なくとも１の貫通路、及び金属又はセラミックの底部と少なくとも１のセラミックキャピラリ膜との間に十分な気密と高温耐性の接合部として形成される少なくとも１のポッティングを有する少なくとも１の金属又はセラミック底部を有している。 少なくとも１の金属又はセラミック底部の少なくとも１の貫通穴は、金属又はセラミック底部の少なくとも一面上に十分な気密と高温耐性の接合に対応するための拡張部を有している。
【選択図】図４ |
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| 172 | セラミックス焼結体およびそれを用いた半導体装置用基板 | JP2010516320 | 2010-04-02 | JPWO2010114126A1 | 2012-10-11 | 雅則 長廣; 大上 純史; 純史 大上; 敬幸 小松 |
| 【課題】機械的強度が高く、放熱性に優れ、かつ、銅板との接合界面にボイドが生じにくいセラミックス焼結体を提供する。【解決手段】電子部品を実装するための絶縁基板として用いられるセラミックス焼結体1であって、セラミックス焼結体を製造する際に用いる粉体材料は、主成分のアルミナと、部分安定化ジルコニアと、マグネシアとを含有し、部分安定化ジルコニアの含有量の上限は、粉体材料の全重量に対して30wt%であり、マグネシアの含有量は、粉体材料の全重量に対して0.05〜0.50wt%の範囲内であり、セラミックス焼結体中に含まれるジルコニア結晶のうち80〜100%が正方晶相であることを特徴とするセラミックス焼結体による。【選択図】図8 | ||||||
| 173 | The method for fabricating a metal substrate - Ceramic | JP2007519603 | 2005-04-23 | JP4764877B2 | 2011-09-07 | シュルツ−ハルダー，ユルゲン |
| 174 | Method for joining ceramic and metal member | JP2003559952 | 2003-01-09 | JP4486820B2 | 2010-06-23 | ウェイル、ケイ．，スコット; キム、ジン、ヨン; ハーディ、ジョン、エス． |
| A method of joining metal and ceramic parts, wherein an alumina forming metal part and a ceramic part are provided. A braze material in placed between the alumina forming metal part and the ceramic part, and the combination is then heated in an oxidizing atmosphere, preferably in air at a temperature of between 500° C. and 1300° C. The alumina forming metal parts are selected from the group consisting of high temperature stainless steels, such as Durafoil (alpha-4), Fecralloy, Alumina-coated 430 stainless steel and Crofer-22APU, and high temperature superalloys such as Haynes 214, Nicrofer 6025, and Ducraloy. The braze material is selected as a metal oxide-noble metal mixture, preferably Ag-CuO, Ag-V2O5, and Pt-Nb2O5, and more preferably between 30.65 to 100 mole % Ag in CuO. | ||||||
| 175 | Ceramic - method of manufacturing a copper composite substrate | JP2004505293 | 2003-05-03 | JP4368789B2 | 2009-11-18 | スチュルス−ハーダー，ジャーヘン |
| 176 | Method for manufacturing metal-ceramic matrix hybrid composite structure, method for manufacturing composite structure and laminated composite structure | JP2009053787 | 2009-03-06 | JP2009214540A | 2009-09-24 | CHAKRABARTI BUDDHADEV; LEHMAN LEANNE; YOUSEFIANI ALI; KEITH WILLIAM P |
| <P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a metal-ceramic matrix hybrid composite structure showing high durability and enhanced ductility against localized impact load. <P>SOLUTION: A laminated ceramic matrix composite structure is reinforced by at least one layer comprising a metal reinforcing material. The metal reinforcing material is selected so as to realize the optimum strength and the thermal compatibility with a ceramic matrix composite material. The metal reinforcing material contains an outer oxidized layer bonded to the ceramic matrix composite material and may also contain a protective layer useful for preventing further oxidation on the surface of a metal. This structure is formed using a standard composite material prepreg lay-up technique. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT | ||||||
| 177 | The method for fabricating a metal substrate - Ceramic | JP2007519603 | 2005-04-23 | JP2008505503A | 2008-02-21 | シュルツ−ハルダー，ユルゲン |
| 金属−セラミック基板を形成するための方法が、開示される。 前記方法によれば、金属層（３、４）が、ダイレクトボンディング工程によってセラミック基板あるいはセラミック層（２）の少なくとも一つの表面に設けられ、および、金属−セラミック基板あるいは部分的な基板が、その後のステップにおいて、およそ４００バールと２０００バールの間にわたるガス圧力（後処理圧力）およびおよそ４５０℃と１０６０℃の間にわたる後処理温度で、後処理される。
【選択図】図１ |
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| 178 | Seal member and a method of manufacturing the same for alumina arc tube | JP50779694 | 1993-09-16 | JPH08501270A | 1996-02-13 | チボドー、ロドリグ; イー フオイアーサンガー、アルフレツド; エツチ ローデス、ウイリアム |
| (57)【要約】 アルミナ発光管用シール部材は酸化イットリウムと酸化マグネシウムとをドープされた高純度の微細アルミナを含む。 シール部材は、、シールフリット又はろう付け合金を使用するか又は使用することなく、素地の半透明アルミナ発光管、予焼成された半透明アルミナ発光管又は十分に焼結された半透明アルミナ発光管とニオブリードアセンブリとに焼結ハーメチックシールを形成するのに使用される。 | ||||||
| 179 | Method for binding copper member to ceramic substrate | JP9654189 | 1989-04-18 | JPH01308885A | 1989-12-13 | DOMINIKU ANSONII KUSANO; JIEMUSU ANSONII RAUFURAN; YUENNSHIENGU EDOMONDO SAN |
| PURPOSE: To directly and securely join copper sheets and ceramic substrate by arranging the two copper sheets superposed on each other across a thin oxide layer of copper on the ceramic substrate, heating the laminate in an inert atmosphere and then cooling the same. CONSTITUTION: The two copper thin sheets 21C formed with the copper oxide layers 24C of a thickness 200 to 500 Å on at least one surface are superposed on each other. Both copper thin sheets 21C are moved in an arrow direction and are brought into contact with the ceramic substrate 22C. Both copper thin sheets 21C and the substrate 22C are then heated to a temp. range of 1065 to 1083°C in the inert atmosphere. Consequently, the specified melt arrives at the boundary between the lower copper thin sheet 21c and the substrate 22C. The copper thin sheets 21C are bonded by the melt between both after cooling and the lower copper thin sheet 21C and the substrate 22C are directly bonded by the melt between both. COPYRIGHT: (C)1989,JPO | ||||||
| 180 | Method of bonding copper member to ceramic substrate | JP19191684 | 1984-09-14 | JPS60155580A | 1985-08-15 | DOMINIKU ANSONII KUSANO; JIEMUSU ANSONII RAUFURAN; YUENNSHIENGU EDOMONDO SAN |
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