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序号	专利名	申请号	申请日	公开（公告）号	公开（公告）日	发明人
181	Method of bonding metal member and ceramic substrate	JP13920684	1984-07-06	JPS6036383A	1985-02-25	ARUNO NAIDEIHI; KURAUSU BUNKU; KAARUUHAINTSU TEIIRE; GEORUGU BAARU; JIENSU GOBUREHITO
In directly bonding a metal to ceramics, in accordance with the invention, that surface of a metal component which is to be bonded by heating to a ceramic substrate is provided with parallel-running grooves before the preoxidation. The grooves make it possible to optimize the quantity of oxygen available at the bonding location and provide good flow behavior of the melt. As a result, a bond with good adhesion is obtained. Moreover, there is no formation of a thicker oxide layer on the free smooth surface of the metal component.
182	JPS604154B2 -	JP9075776	1976-07-29	JPS604154B2	1985-02-01	DOMINIKU ANSONII KUSANO; JEMUSU ANSONII RAUFURAN; YUENNSHENGU EDOMONDO SAN

183	JPS5221980B2 -	JP1743172	1972-02-19	JPS5221980B2	1977-06-14
1371738 Soldering ASAHI GLASS CO Ltd 19 Feb 1973 [19 Feb 1972] 8131/73 Heading B3R [Also in Division C7] Glass, ceramics or metals with oxidized surfaces, e.g. Si, Ge, Al, Ti, Zr, Ta, are soldered at low temperatures not above 180‹ C. employing vibration, e.g. ultrasonic vibration and a solder alloy consisting of, by weight 2 to 98À45% lead 1 to 97À45% tin 0À5 to 60% cadmium 0À05 to 10% zinc with optional additions of antimony, bismuth, rare-earth metals, aluminium, silicon, titanium and/or beryllium. This solder alloy can be used as a base layer for conventional Pb/Sn solders. In one exemplified process, the article to be soldered is dipped into a molten solder bath.
184	JPS50132022A -	JP2569075	1975-03-04	JPS50132022A	1975-10-18

185	금속-세라믹 기판을 제조하기 위한 방법	KR1020167018396	2014-11-28	KR1020160122700A	2016-10-24	메이어,안드레아스; 하이어스테테르,파비안
본발명은제1 및제2 금속박막(3, 4) 및상기제1 및제2 금속박막(3, 4) 사이에포함되는적어도하나의세라믹층(2)을포함하는금속-세라믹기판(1)을제조하기위한방법에관한것이다. 유리하게는, 제1 및제2 금속층(5, 6)의프리에지부(5a, 6a)가상기세라믹층(2)의에지를지나각각돌출하는방식으로상기제1 및제2 금속층(5, 6)과세라믹층(2)은적층되며겹쳐지고, 상기제1 및제2 금속층(5, 6)은상기돌출하는프리에지부(5a, 6a)의영역에서서로를향해변형되고, 상기세라믹층(2)을수용하기위해용기내부(8)를둘러싸는기밀밀봉된금속용기(7)를형성하기위하여서로직접적으로연결된다. 그후, 상기용기내부에수용된세라믹층(2)을구비한금속용기(7)를형성하는금속층(5, 6)은, 상기금속층(5, 6) 중적어도하나와세라믹층(2)의바람직한편평한연결을이루기위하여, 500과 2000bar 사이의가스압력및 300℃와상기금속층(5, 6)의용융온도사이의공정온도에서처리챔버내에서열간정수압식으로함께가압되고, 상기제1 및제2 금속박막(3, 4)을형성하기위해상기금속층(5, 6)의서로연결된적어도돌출프리에지부(5a, 6a)는그 후에제거된다.
186	파워 모듈용 기판, 히트 싱크가 형성된 파워 모듈용 기판, 파워 모듈 및 파워 모듈용 기판의 제조 방법	KR1020147002677	2012-08-10	KR101586157B1	2016-01-15	구로미츠요시로우; 나가토모요시유키; 데라사키노부유키; 사카모토도시오; 마키가즈나리; 모리히로유키; 아라이이사오
본발명의파워모듈용기판 (10) 은, 절연기판 (11) 과, 이절연기판 (11) 의일방의면에형성된회로층 (12) 을구비한파워모듈용기판 (10) 으로서, 상기회로층 (12) 은, 상기절연기판 (11) 의일방의면에제 1 동판 (22) 이접합되어구성되어있고, 상기제 1 동판 (22) 은, 접합되기전에있어서, 적어도, 알칼리토류원소, 천이금속원소, 희토류원소중 1 종이상을합계로 1 ㏖ppm 이상 100 ㏖ppm 이하, 또는보론을 100 ㏖ppm 이상 1000 ㏖ppm 이하중 어느일방을함유하고, 잔부가구리및 불가피불순물로된 조성으로되어있다.
187	파워 모듈용 기판, 히트싱크가 부착된 파워 모듈용 기판 및 파워 모듈	KR1020147026866	2013-03-29	KR1020140147090A	2014-12-29	나가토모요시유키; 데라사키노부유키; 구로미츠요시로우
이 파워 모듈용 기판은, 절연 기판 (11) 과, 절연 기판 (11) 의 일방의 면에 형성된 회로층 (12) 과, 절연 기판 (11) 의 타방의 면에 형성된 금속층 (13) 을 구비한 파워 모듈용 기판 (10) 으로서, 회로층 (12) 은 구리 또는 구리 합금으로 구성되고, 이 회로층 (12) 의 일방의 면이 전자 부품 (3) 이 탑재되는 탑재면으로 되고, 금속층 (13) 은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 이루어지는 알루미늄판이 접합되어 구성되어 있고, 회로층 (12) 의 두께 t ₁ 이 0.1 ㎜ ≤ t ₁ ≤ 0.6 ㎜ 의 범위 내로 되고, 금속층 (13) 의 두께 t ₂ 가 0.5 ㎜ ≤ t ₂ ≤ 6 ㎜ 의 범위 내로 되고, 회로층 (12) 의 두께 t ₁ 과 금속층 (13) 의 두께 t ₂ 의 관계가 t ₁ ＜ t ₂ 로 되어 있다.
188	DCB 기판을 제조하기 위한 공정	KR1020147020815	2012-12-27	KR1020140119047A	2014-10-08	슐츠-하르더,유르겐; 슈미트,카르스텐; 엑셀,카를
본질적으로 질화 알루미늄(AlN)으로 이루어진 각각 하나 이상의 세라믹 레이어를 가지는 DCB 기판을 제조하기 위한 공정이되, 상기 레이어의 하나 이상의 표면부는 본질적으로 산화 알루미늄으로 이루어진 중간 레이어를 가지고 또한 상기 기판은 중간 레이어 위에 금속 레이어 또는 금속 호일에 의해 형성된 하나 이상의 금속배선을 가지는 공정.
189	산화물계 세라믹스 회로 기판의 제조 방법 및 산화물계 세라믹스 회로 기판	KR1020147001936	2012-07-26	KR1020140026632A	2014-03-05	나바다카유키; 사토히데키; 호시노마사노리; 고모리타히로시
산화물계 세라믹스 기판 상에 동판을 배치하여 적층체를 형성하는 공정과, 얻어진 적층체를 가열하는 공정에 의해, 산화물계 세라믹스 기판과 동판을 일체로 접합하는 산화물계 세라믹스 회로 기판의 접합 방법에 있어서, 상기 가열하는 공정은, 1065 내지 1085℃의 사이에 가열 온도의 극대값을 갖는 제1 가열 영역에서 적층체를 가열하는 공정과, 다음에 1000 내지 1050℃의 사이에 가열 온도의 극소값을 갖는 제2 가열 영역에서 적층체를 가열하는 공정과, 또한 1065 내지 1120℃의 사이에 가열 온도의 극대값을 갖는 제3 가열 영역에서 적층체를 가열하여 접합체를 형성하는 공정을 가지며, 그 후 접합체를 냉각 영역에서 냉각하는 것을 특징으로 한다. 상기 구성에 따르면, 내열 사이클(TCT) 특성이 우수한 산화물계 세라믹스 회로 기판이 얻어진다.
190	세라믹스 소결체 및 이를 사용한 반도체장치용 기판	KR1020117020506	2010-04-02	KR1020120022716A	2012-03-12	나가히로마사노리; 오가미준지; 고마쓰히로유키
기계적 강도가 높고 방열성이 우수하고 또한 동판과의 접합 계면에 보이드가 발생하기 어려운 세라믹스 소결체를 제공하는 것을 과제로 한다. 상기 과제는, 전자부품을 설치하기 위한 절연기판으로서 사용되는 세라믹스 소결체(1)로서, 세라믹스 소결체를 제조할 때에 사용하는 분체재료는, 주성분의 알루미나와, 부분안정화 지르코니아와 마그네시아를 함유하고, 부분안정화 지르코니아의 함유량의 상한은 분체재료의 전체 중량에 대하여 30wt％이며, 마그네시아의 함유량은 분체재료의 전체 중량에 대하여 0.05?0.50wt％의 범위 내이며, 세라믹스 소결체 중에 포함되는 지르코니아 결정 중 80?100%가 정방정상인 것을 특징으로 하는 세라믹스 소결체에 의하여 해결된다.
191	세라믹스-금속접합체	KR1019860007615	1986-09-09	KR1019890002161B1	1989-06-21	나가따미쯔히로; 다나까다다시; 마쯔무라가즈오
Cermaic-metal composite comprises a copper sheet joined on one or both faces to a ceramic substrate and several parallel grooves being formed on the copper surface being joined. Grooves have a width of 0.1-3mm, a pitch of 1-25mm and a depth of not less than 0.01mm and not more than 1/2 the thickness of the copper sheet. The warp inflicted on the ceramic substrate is not more than 20micron/50mm.
192	구리/세라믹 복합체	KR1020187025788	2017-02-16	KR1020180111940A	2018-10-11
본발명은, - 알루미늄산화물을포함하는세라믹기판, - 세라믹기판상에놓이고구리또는구리합금으로이루어진코팅물을포함하며, 구리또는구리합금이중간값 (d), 산술평균값 (d), 및대칭값 S(Cu) = d/d를갖는입도수 분포를가지며; 알루미늄산화물이중간값 (d), 산술평균값 (d), 및대칭값 S(AlO) = d/d를갖는입도수 분포를가지고; S(AlO) 및 S(Cu) 가다음의조건, 즉 0.7 ≤ S(AlO)/S(Cu) ≤ 1.4를충족시키는, 구리/세라믹복합체에관한것이다.
193	구리-세라믹 복합체	KR1020187025786	2017-02-16	KR1020180111938A	2018-10-11
본발명은: - 알루미나를포함하는세라믹기판; - 세라믹기판상의구리또는구리합금코팅물을포함하고, 알루미나가, 알루미나입자들의형상계수들 (R) 의산술평균으로서정의되는, 적어도 0.4의평균입자형상계수 R(AlO) 를가지는구리-세라믹복합체에관한것이다.
194	양면이 금속으로 입혀진 세라믹 기판의 제조방법	KR1020110055234	2011-06-08	KR101771256B1	2017-08-24	바이덴아우어,베르너; 닥터.스팬,토마스; 크놀,하이코
본발명은직접-접합공정에따라양면이금속으로입혀진세라믹기판을제조하는방법에관한것이다. 본발명에따른방법은적어도하나의세라믹기판 1이단 하나의공정에서상부면및 하부면에각각의경우금속판 또는포일 2, 3이각각접합되는것을가능하게한다. 이는접합되는복합재를특별히고안한캐리어 4 상에배치함으로써달성된다. 본발명에따라, 상기캐리어는다수의접촉점을형성하도록상부면이구조화되는것을특징으로한다. 본발명에따른캐리어의특별한구조로인하여, 접합공정후에금속판과세라믹기판의복합재가어떠한잔여물없이캐리어로부터분리될수 있게된다. 본발명에따른캐리어는부가적인분리층을필요로하지않는다는장점을제공한다.
195	세라믹스 소결체 및 이를 사용한 반도체장치용 기판	KR1020117020506	2010-04-02	KR101757648B1	2017-07-14	나가히로마사노리; 오가미준지; 고마쓰히로유키
기계적강도가높고방열성이우수하고또한동판과의접합계면에보이드가발생하기어려운세라믹스소결체를제공하는것을과제로한다. 상기과제는, 전자부품을설치하기위한절연기판으로서사용되는세라믹스소결체(1)로서, 세라믹스소결체를제조할때에사용하는분체재료는, 주성분의알루미나와, 부분안정화지르코니아와마그네시아를함유하고, 부분안정화지르코니아의함유량의상한은분체재료의전체중량에대하여 30wt%이며, 마그네시아의함유량은분체재료의전체중량에대하여 0.05∼0.50wt%의범위내이며, 세라믹스소결체중에포함되는지르코니아결정중 80∼100%가정방정상인것을특징으로하는세라믹스소결체에의하여해결된다.
196	세라믹스 회로 기판	KR1020137027479	2012-07-13	KR101522806B1	2015-05-26	호시노마사노리; 나카야마노리타카; 나바다카유키; 사토히데키; 고모리타히로시
본발명의세라믹스회로기판은, 알루미나기판위에금속회로판이접합된세라믹스회로기판에있어서, 상기알루미나기판은, 알루미나 AlO를 99.5질량% 이상및 소결전에배합된소결보조제로부터생성된소결보조제유래성분을 0.5질량% 미만포함하고, 상기소결보조제유래성분은나트륨을함유하는무기산화물이며, 상기소결보조제유래성분중의나트륨은산화나트륨 NaO으로환산한질량으로상기알루미나기판 100질량% 중에 0.001 내지 0.1질량% 포함되고, 상기알루미나기판은, 보이드의최대직경이 12㎛이하이고, 보이드평균직경이 10㎛이하이며, 비커스경도가 1500 이상이다.
197	금속-세라믹 기판 및 그러한 금속-세라믹 기판을 제조하는 방법	KR1020147013804	2013-02-13	KR1020140096074A	2014-08-04	마이어,안드레아스; 베헤,크리스토프; 슐츠-하더,위르겐; 슈미트,카르스텐
본 발명은 최소 하나의 세라믹 레이어 (2)를 포함하는 금속-세라믹 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것이며, 상기 금속-세라믹 기판은 제1 표면측 (2a)에 최소 하나의 제1 금속배선 (3)이 제공되고 제1 표면측 (2a)의 맞은편인 제2 표면측 (2b)에 제2 금속배선 (4)가 제공되고, 여기서 제1 금속배선 (3)은 구리 또는 구리 합금의 포일 또는 레이어에 의하여 형성되고 "직접 구리 접합" 공정의 도움으로 세라믹 레이어 (2)의 제1 표면측 (2a)에 접합된다. 특히 유리하게도 제2 금속배선 (4)는 알루미늄 또는 알루미늄 합금의 레이어에 의하여 형성된다.
198	세라믹스 회로 기판	KR1020137027479	2012-07-13	KR1020130137029A	2013-12-13	호시노마사노리; 나카야마노리타카; 나바다카유키; 사토히데키; 고모리타히로시
A ceramic circuit board having a metal circuit board joined onto an alumina substrate, wherein the alumina substrate contains at least 99.5 mass% of alumina (Al2O3) and less than 0.5 mass% of a sintering aid-derived component generated from a sintering aid admixed before sintering, the sintering aid-derived component is an inorganic oxide containing sodium, the sodium in terms of sodium oxide (Na2O) in the sintering aid-derived component is contained at 0.001-0.1 mass% for every 100 mass% of the alumina substrate, and the alumina substrate has a maximum void size of no greater than 12 µm, an average void size of no greater than 10 µm, and a Vickers hardness of at least 1500.
199	METHOD FOR POTTING CERAMIC CAPILLARY MEMBRANES	PCT/EP2010005193	2010-08-25	WO2011023371A4	2011-07-21	SCHIRRMEISTER STEFFEN; LANGANKE BERND; SCHIESTEL THOMAS; HOTING BJOERN
The invention relates to a module element comprising a high-temperature resistant base, said high-temperature resistant base having at least one metal or ceramic bottom that has at least one through-passage for introducing a ceramic capillary membrane, and at least one potting that is formed as a sufficiently gas-tight and high-temperature resistant connection between the metal or ceramic bottom and the at least one ceramic capillary membrane. The at least one through-opening of the at least one metal or ceramic bottom has an enlarged portion on at least one side of the metal or ceramic bottom for accommodating the sufficiently gas-tight and high-temperature resistant connection.
200	METHOD FOR THE PRODUCTION OF METAL-CERAMIC COMPOSITE MATERIALS, ESPECIALLY METAL-CERAMIC SUBSTRATES AND CERAMIC COMPOSITE MATERIAL PRODUCED ACCORDING TO SAID METHOD, ESPECIALLY A METAL-CERAMIC SUBSTRATE.	PCT/DE0203275	2002-09-05	WO03031372A3	2003-08-28	SCHULZ-HARDER JUERGEN
The invention relates to a method for the production of metal-ceramic composite materials, especially metal-ceramic substrates, wherein a wafer-like ceramic substrate and an oxidized metal film are used as joining elements and are connected to each other by direct bonding by heating them to a process temperature in a protective gas atmosphere. The joining elements are placed in a reaction chamber formed inside a capsule. Said reaction chamber is separated from the outer protective gas area by the capsule or the contact thereof with the outer protective gas atmosphere occurs exclusively via a small opening section.

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