| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 121 | 陶瓷生片用浆料组合物及其制造方法以及层叠型陶瓷电子部件及其制造方法 | CN200780005681.9 | 2007-10-23 | CN101384521A | 2009-03-11 | 岸田和雄 |
| 本发明提供不易发生凝胶化和粘度上升的同时，脱脂性良好的包含含有硼和碱土金属的陶瓷原料粉末和粘合剂成分的有机溶剂类的陶瓷生片用浆料组合物。包含含有硼和碱土金属的陶瓷原料粉末、丙烯酸类粘合剂成分、作为螯合剂的β－二酮及有机溶剂，β－二酮的含量相对于陶瓷原料粉末中的硼和碱土金属的总含量以重量比计设为0.020～0.040倍。该浆料组合物例如可以良好地用于形成多层陶瓷基板(1)中具备的陶瓷层(3)。 | ||||||
| 122 | 带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器及其制造方法 | CN200780000848.2 | 2007-05-31 | CN101341558A | 2009-01-07 | 谷晋辅; 川本光俊 |
| 本发明提供一种带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器，对于形成半导体陶瓷层(1a～1g)的半导体陶瓷而言，Sr位点与Ti位点的配合摩尔比m满足1.000＜m≤1.020，在结晶粒子中固溶有La或Sm等施主元素，并且，在晶界层中存在相对于所述Ti元素100摩尔在0.5摩尔以下(优选为0.3～0.5摩尔)的范围的Mn、Co、Ni、Cr等受主元素，且结晶粒子的平均粒径为1.0μm以下(优选为0.5～0.8μm)。由此，可实现具有良好电气特性、比电阻与电气耐压良好、可靠性也出色且能够薄层化和小型化的带可变阻功能的层叠型半导体陶瓷电容器。 | ||||||
| 123 | 透光性陶瓷及其制造方法和光学元件 | CN01808268.8 | 2001-12-18 | CN100418919C | 2008-09-17 | 田中伸彦; 樋口之雄; 胜部正嘉; 须部满 |
| 使透光性陶瓷用陶瓷原料粉末和粘结剂一起成形，将所得成形体埋入与上述陶瓷原料粉末组成相同的陶瓷粉末中，以此状态除去粘结剂后，在氧浓度高于除粘结剂时的氧浓度的氛围气中进行烧结处理，获得通式I：Ba[(SnuZr1-u)xMgyTaz]vOw、通式II：Ba(ZrxMgyTaz)vOw、通式III：Ba[(SnuZr1-u)x(ZntMg1-t)yNbz]vOw表示的折射率在1.9以上、且显现常介电性的透光性陶瓷。 | ||||||
| 124 | 陶瓷浆料的制备方法、生片材和多层陶瓷部件 | CN200480026352.9 | 2004-08-31 | CN100415689C | 2008-09-03 | 小林央始; 佐藤茂树 |
| 提供陶瓷浆料的制备方法、使用利用该方法得到的浆料制备的生片材、和使用该生片材制备的多层陶瓷部件，其中，所述陶瓷浆料可使生片材的表面平滑，而且可得到片材强度充分、剥离性等作业性优良的生片材。本发明为至少含有陶瓷粉体和粘合剂树脂溶液的陶瓷浆料的制备方法，其高压分散处理陶瓷粉体、和作为上述粘合剂树脂溶液的一部分的前添加用清漆，以使剪切速度为1×107～1×108[l/sec]，准备预备浆料，在经高压分散处理的上述预备浆料中至少添加未高压分散处理的后添加用清漆。 | ||||||
| 125 | 生片材用涂料、生片材、生片材的制备方法及电子部件的制备方法 | CN200480026347.8 | 2004-08-26 | CN100408513C | 2008-08-06 | 小林央始; 佐藤茂树 |
| 提供生片材用涂料、生片材及方法，其中所述涂料可制备生片材极薄但具有能够耐受从支持体剥离的强度、且表面平滑性优良、无针孔的生片材，适用于电子部件的薄层化和多层化。本发明提供生片材用涂料，其含有陶瓷粉末、以缩丁醛系树脂为主成分的粘合剂树脂、和溶剂。上述溶剂含有将对粘合剂树脂的溶解性参数数值化的SP值为10以上的第1溶剂、和上述SP值为8以上但不足10的第2溶剂。上述涂料中，相对于溶剂的总质量100质量%，含有20～60质量%、优选25～60质量%的第2溶剂。 | ||||||
| 126 | 利用化学气相渗透致密化制造合成材料件的方法和衬底以及获得的合成材料件 | CN200680019660.8 | 2006-06-01 | CN101189447A | 2008-05-28 | B·贝尔纳; S·古雅尔; S·贝特朗; J·泰博 |
| 一种按照以下方法制造的合成材料件：形成纤维预成品(20)，形成从预成品的至少一个表面延伸到预成品内部的孔(22)以及由至少部分通过化学气相渗透(CVI)型工艺得到的基体来致密化该预成品。通过从预成品中移除纤维材料并破坏纤维来形成孔(22)，例如通过加压喷射水流加工，纤维在带有孔的预成品中的排列方式与孔形成之前的初始排列方式相比基本没有变化。这可以显著降低致密化梯度，而且可以在单个致密化周期内获得在现有技术中需要多个周期(被中间除去表层的过程隔开)才能得到的密度。 | ||||||
| 127 | 陶瓷多层基板及其制造方法 | CN200580036374.8 | 2005-10-25 | CN101049058A | 2007-10-03 | 近川修 |
| 在专利文献1及2所述的多层陶瓷基板的情况下，由于对内装片状陶瓷电子元器件的陶瓷生片层叠体进行烧结，得到多层陶瓷基板，因此利用烧结而得到的多层陶瓷基板的内装片状陶瓷电子元器件会产生裂纹，或者有时片状陶瓷电子元器件甚至损坏。本发明的陶瓷多层基板的制造方法，是通过同时烧结层叠多层陶瓷生片111A而形成的陶瓷生片层叠体111、以及配置在该陶瓷生片层叠体111的内部而且具有外部端子电极部113B的片状陶瓷电子元器件113，来制造内装片状陶瓷电子元器件13的陶瓷多层基板10，这时预先使糊料层115介于片状陶瓷电子元器件113与陶瓷生片层叠体111之间，将这三者进行烧结。 | ||||||
| 128 | 厚膜生片用涂料、厚膜生片用涂料的制造方法、厚膜生片的制造方法、厚膜生片以及电子部件的制造方法 | CN200480044155.X | 2004-08-04 | CN101039887A | 2007-09-19 | 外海透; 佐藤茂树; 小林央始 |
| 本发明提供可涂布较厚的膜，涂布后形成的片的切割性(可切割的强度)优异，并且片的透气性良好，操作性优异，并且可形成粘合力高的片的厚膜生片用涂料、厚膜生片用涂料的制造方法、厚膜生片的制造方法、厚膜生片和电子部件的制造方法。本发明中，所述厚膜生片用涂料具有陶瓷粉体，以缩丁醛系树脂作为主要成分的粘结剂用树脂和溶剂，其中溶剂含有良好溶解粘结剂用树脂的良溶剂和与良溶剂相比对粘结剂用树脂的溶解性低的贫溶剂，贫溶剂相对于溶剂总体以30－60质量％范围含有。良溶剂为醇，贫溶剂为甲苯、二甲苯、矿油精、乙酸苄基酯、溶剂石脑油等。 | ||||||
| 129 | 氧化物陶瓷材料、陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块 | CN200410004014.7 | 2004-02-05 | CN100336771C | 2007-09-12 | 井上修; 原田健史; 奥山浩二郎 |
| 提供了一种氧化物陶瓷材料，其含有氧化铝作为主要组分，并且含有下面所示的A和B中的至少一种作为辅助组分：A：氧化铌和氧化铜。B：氧化铜、氧化钛和氧化银。由此可以提供一种在低温下具有可烧结性并具有高的导热率的氧化物陶瓷材料，本发明还提供了使用该氧化物陶瓷材料的陶瓷基片、陶瓷层压设备和功率放大器模块。 | ||||||
| 130 | 陶瓷电容器及其制造方法 | CN200580032267.8 | 2005-09-07 | CN101027735A | 2007-08-29 | 森分博纪; 平田和希; 长井淳夫; 小松和博 |
| 制备具有在1.009到1.011的范围的c轴/a轴比和0.5μm以下的平均粒径、BaTiO3作为主成分并具有四方钙钛矿晶体的晶体结构的原料粉末。通过向该原料粉末混合添加物，获得具有在1.005到1.009的范围的c轴/a轴比和0.5μm以下的平均粒径、BaTiO3作为主成分并具有四方钙钛矿晶体的晶体结构的介电体层。在该介电体层上形成电极从而获得陶瓷电容器。该陶瓷电容器具有大的电容量，并显示小的电容量减少率。 | ||||||
| 131 | 基于钛酸钡的介电材料组合物 | CN03810808.9 | 2003-05-19 | CN1328732C | 2007-07-25 | D·汉宁斯; B·施雷内马彻尔; U·马肯斯 |
| 本发明涉及基于在钙钛矿结构中与Ba(Zn1/3Nb2/3)O3共存的钛酸钡的介电材料组合物，该介电材料组合物的平均粒度d50为0.2μm-0.5μm，微晶粒度d10＜0.3μm。 | ||||||
| 132 | 可低温烧结的电介质陶瓷组合物及使用它的多层陶瓷片状电容器 | CN03149100.6 | 2003-06-26 | CN1327462C | 2007-07-18 | 金俊熙; 许康宪; 朴海成; 金钟翰; 金佑燮 |
| 可低温烧结的电介质陶瓷组合物和多层陶瓷片状电容器。所述的电介质陶瓷组合物由通式：aBaTiO3-bMgCO3-cY2O3-dCr2O3-eV2O5-f(xZrO2-y(K，Li)2O-zSiO2)(x+y+z＝1；0.05≤x≤0.18，0.01≤y≤0.08，以及0.74≤z≤0.93)表示，其中a，b，c，d，e和f为摩尔比；a＝100，1.0≤b≤2.0，0.2≤c≤2.0，0.02≤d≤0.3，0.02≤e≤0.3以及0.5≤f＜2。所述的多层陶瓷片状电容器使用所述的电介质陶瓷组合物来制备。本发明的电介质组合物可以低温烧结，但介电常数不减小，这使得制造超薄层电介质成为可能。 | ||||||
| 133 | 可低温烧结的电介质陶瓷组合物、多层陶瓷片状电容器及陶瓷电子器件 | CN03149099.9 | 2003-06-26 | CN1326168C | 2007-07-11 | 徐东焕; 金宗熙; 姜晟馨; 崔洵牧; 尹赫晙 |
| 可低温烧结的电介质陶瓷组合物、以及多层陶瓷片状电容器和陶瓷电子器件。该电介质陶瓷组合物含有由通式：x{αBaO，(1-α)SrO}-y{SiO2}-z{(1-β)ZrO2，βAl2O3}(其中x，y和z为重量百分数；x+y+z＝100，55≤x≤75，10≤y≤35，以及5≤z≤30，α和β为摩尔；0.4≤α≤0.8以及0.01≤β≤0.07)表示的主成分，并且以每100重量份主成分为基准，含有2—10重量份Zn-B-硅酸盐玻璃成分。多层陶瓷片状电容器和电子器件用的多层陶瓷电路板具有多个电介质陶瓷层，配置在电介质陶瓷层内的内电极，以及与内电极电连接的外电极，其特征在于，电介质陶瓷层是上述电介质陶瓷组合物的烧结体，并且内电极由导电贱金属材料制成。 | ||||||
| 134 | 压电陶瓷组合物和使用该组合物的积层压电装置及其制造方法 | CN03812784.9 | 2003-06-02 | CN1323983C | 2007-07-04 | 南诚一; 后藤泰司; 奥田和弘 |
| 本发明提供压电陶瓷组合物，其是Pb(Zn1/3Nb2/3)O3与PbTiO3与PbZrO3的三种成分体系、且基本组成式是Pb(Zn1/3Nb2/3)xZryTizO3、0.90＜x+y+z＜1.0组合物，该组合物烧成温度可以低到900℃左右，结合系数Kp大于等于0.5、居里温度大于等于300℃，具有优异压电特性与耐热性。本发明还提供使用该组合物的压电装置，其能够使用廉价的银或含银率高的银-钯合金，廉价且具有优异的特件。 | ||||||
| 135 | 制造陶瓷叠层制品的方法,叠层电子元件及其制造方法 | CN02130393.2 | 2002-05-25 | CN1308978C | 2007-04-04 | 岩井田智广; 小泉成一 |
| 本发明提供了一种制造陶瓷叠层制品的方法，包括以下步骤：将陶瓷浆料施加到载膜上形成陶瓷生片；通过将导电浆料印刷到所说的陶瓷生片的主表面上保持预定的间距形成许多在其侧面具有倾斜面的导电图；通过印刷陶瓷浆料而在导电图之间形成陶瓷图，在陶瓷图的侧面处形成倾斜面；陶瓷图与导电图保持不小于10微米的间距和叠加在其上形成所说的导电图和所说的陶瓷图的陶瓷生片。本发明的效果是即使通过降低层的厚度而增加层的数量，导电图的厚度也不造成高度上的差异，并能抑制陶瓷叠层制品变形以及抑制绝缘阻抗下降和出现短路。 | ||||||
| 136 | 多层陶瓷电子元件的制造方法 | CN02802059.6 | 2002-04-12 | CN1307666C | 2007-03-28 | 日比贵子; 中野幸惠; 由利俊一; 牛岛孝嘉; 佐藤阳; 高原弥; 吉井昌子 |
| 一种制造多层陶瓷电子装置的方法，其具有用于焙烧预焙烧基体的焙烧步骤，其中，交替地布置多个绝缘层和包含贱金属的内电极层，其特征在于：焙烧步骤具有用于将温度升高到焙烧温度的温度升高步骤；以及从所述温度升高步骤时刻开始连续地导入氢气。根据该方法，可提供一种制造多层陶瓷电子装置例如多层陶瓷电容器的方法，其中，即使在绝缘层较薄且叠层较多的情况下，也不会发生形状各向异性和其它结构缺陷，提高了电性能并抑制了其性能的退化。 | ||||||
| 137 | 叠层型陶瓷电容器 | CN200580008135.1 | 2005-02-23 | CN1930102A | 2007-03-14 | 伊东和重; 原治也; 井口俊宏; 佐藤茂树; 佐藤阳; 小岛隆 |
| 本发明提供一种叠层型陶瓷电容器，其电容温度特性满足EIA标准的X8R特性，而且，电容的时效变化小。因此，将电介质层的组成设定为：相对于作为主成分的钛酸钡100摩尔，选自MgO、CaO、BaO及SrO中的至少一种所组成的第一副成分：0.1～3摩尔，含有以氧化硅为主成分的第二副成分：2～10摩尔，选自V2O5、MoO3及WO3中的至少一种所组成的第三副成分：0.01～0.5摩尔，由R1的氧化物(其中R1为从Sc、Er、Tm、Yb及Lu中选择的至少一种)所组成的第四副成分：0.5～7摩尔(其中为R1单独的比率)，由CaZrO3或CaO+ZrO2所组成的第五副成分：0＜第五副成分≤5摩尔，由R2的氧化物(其中，R2为从Y、Dy、Ho、Tb、Gd及Eu中选择的至少一种)所组成的第六副成分：0＜第六副成分≤9摩尔，构成上述电介质层结晶粒子的平均粒径设定为0.2μm～0.55μm。 | ||||||
| 138 | 感光性陶瓷组合物以及使用该组合物的多层基板的制造方法 | CN02821890.6 | 2002-10-28 | CN1297852C | 2007-01-31 | 山铺智也; 上冈武则; 榛叶充代 |
| 本发明涉及感光性陶瓷组合物以及使用该组合物的多层基板的制造方法。本发明的陶瓷多层基板及其制造方法，适合用于高频无线用陶瓷多层基板等电路材料和部件等。本发明是以无机粉末和感光性有机成分为必须成分的感光性陶瓷组合物，其特征在于，在该无机粉末表面至少一部分上形成有由比该无机粉末内层部分折射率低的无机材料形成的部分。 | ||||||
| 139 | 叠层型陶瓷电容器 | CN200510081355.9 | 2005-06-27 | CN1889210A | 2007-01-03 | 伊東和重; 佐藤阳 |
| 本发明的叠层型陶瓷电容器的构成为，在构成电介质层的结晶粒子中使第1稀土族元素(R1)和第2稀土族元素(R2)分别扩散，在平均粒径的结晶粒子中，相对于结晶粒子的直径D，第1稀土族元素(R1)距结晶粒子表面的扩散层深度d1所占比例为X1(％)、且相对于结晶粒子的直径D，第2稀土族元素(R2)距结晶粒子表面的扩散层深度d2所占比例为X2(％)时，第2稀土族元素(R2)的扩散层深度d2比第1稀土族元素(R1)的扩散层深度d1扩及更深部，X1＝10～35％、且X2＞X1(与d2＞d1意义相同)的关系成立，因此作为容量经时变化指标的容量温度特性满足EIA标准X8R特性(－55～150℃，ΔC/C＝±15％以内)，且在加速试验中电阻变化率小(IR平均寿命长)、可靠性优良。 | ||||||
| 140 | 具有假对称构形的低温共焙烧陶瓷结构的约束烧结方法 | CN200510127152.9 | 2005-11-22 | CN1887594A | 2007-01-03 | C·B·王; K·W·汉; C·R·尼兹 |
| 本发明涉及平坦无翘曲、零收缩的低温共焙烧陶瓷(LTCC)体、复合物、模块或组件的制备方法，由在层叠物z轴以独特或假对称排列的构形的三种或更多种不同介电带化学性能的前体素料(未焙烧)的层叠物得到。 | ||||||
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