| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 一种多层壳芯复合结构零件的制备方法 | CN201010299138.8 | 2010-10-08 | CN102009175A | 2011-04-13 | 李亚东; 李亚军 |
| 本发明公开了一种多层壳芯复合结构零件的制备方法，包括下列步骤：(1)分别配制芯层、过渡层和壳层的注射成形用喂料；芯层和壳层喂料中的粉末选自金属粉末、陶瓷粉末或增韧陶瓷粉末中的一种或多种的混合物，且两者不相同，过渡层喂料中的粉末为梯度复合材料粉末；(2)采用粉末注射成形方法分别逐层制作多层壳芯复合结构零件的生坯；(3)对生坯进行脱脂处理；(4)对生坯进行烧结，获得所述多层壳芯复合结构零件。本发明通过采用粉末注射成形方法，制备获得了多层壳芯复合结构的零件，零件表面硬度高、耐磨，壳层厚度均匀，性能稳定持久，壳层和芯层经过渡层结合，结合力强，整体抗弯强度好，冲击韧性好，不易开裂。 | ||||||
| 102 | Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末、生片和烧结体 | CN200880013154.7 | 2008-04-22 | CN101668720A | 2010-03-10 | 冈野洋司; 土手智博; 杉田典生 |
| 本发明提供一种通过添加硅酸锌而获得优良的直流叠加特性的Ni-Zn-Cu系铁氧体材料。上述课题通过如下方式解决，提供一种由尖晶石型铁氧体和硅酸锌构成的Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末，该Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末的组成以氧化物换算计，包括36.0～48.5mol％的Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>、7.0～38mol％的NiO、4.5～40mol％的ZnO、5.0～17mol％的CuO、1.0～8.0mol％的SiO<sub>2</sub>，来自硅酸锌的113面的X射线衍射强度相对于来自尖晶石型铁氧体的311面的X射线衍射强度的比为0.01～0.12，以及提供一种使用该Ni-Zn-Cu系铁氧体粉末进行制膜而形成的生片和Ni-Zn-Cu系铁氧体烧结体。 | ||||||
| 103 | 膨胀石墨膜以及使用了该膨胀石墨膜的碳质坩埚的保护方法以及单晶拉制装置 | CN200880012190.1 | 2008-04-11 | CN101657570A | 2010-02-24 | 广濑芳明; 幸哲也 |
| 本发明提供一种提高了抗拉强度的膨胀石墨膜。另外，提供一种碳质坩埚的保护方法以及单晶拉制装置，在碳质坩埚的保护方法中，将提高了抗拉强度的膨胀石墨膜用作碳质坩埚的中垫，由此作业时间显著地降低，且能够不使膜破损而无间隙地覆盖在坩埚的内表面，并且适用于坩埚的大型化。膨胀石墨膜(10)的特征在于，在由膨胀石墨材料构成的基材(11)的至少单面上以层叠状形成有由碳纤维构成的增强材料(12)。所述碳质坩埚的保护方法的特征在于，将膨胀石墨膜(10)夹设在石英坩埚和载置该石英坩埚的碳质坩埚之间而用作覆盖碳质坩埚的内表面的中垫。 | ||||||
| 104 | 电介体瓷器及层叠陶瓷电容器 | CN200880009615.3 | 2008-03-26 | CN101641305A | 2010-02-03 | 山崎洋一; 大铃英之; 藤冈芳博; 福田大辅 |
| 一种电介体瓷器，其具有：具有芯壳结构且以钛酸钡为主成分的晶粒和在该晶粒之间存在的晶界相，分别以规定的比例含有钒、镁及稀土类元素及锰，将居里温度设为80～90℃的范围，由此能够得到高介电常数且相对介电常数的温度特性的稳定性优越，并且，绝缘阻抗的电压依赖性小的电介体瓷器。 | ||||||
| 105 | 叠层型陶瓷电容器 | CN200510081355.9 | 2005-06-27 | CN100565726C | 2009-12-02 | 伊東和重; 佐藤阳 |
| 本发明的叠层型陶瓷电容器的构成为，在构成电介质层的结晶粒子中使第1稀土族元素(R1)和第2稀土族元素(R2)分别扩散，在平均粒径的结晶粒子中，相对于结晶粒子的直径D，第1稀土族元素(R1)距结晶粒子表面的扩散层深度d1所占比例为X1(%)、且相对于结晶粒子的直径D，第2稀土族元素(R2)距结晶粒子表面的扩散层深度d2所占比例为X2(%)时，第2稀土族元素(R2)的扩散层深度d2比第1稀土族元素(R1)的扩散层深度d1扩及更深部，X1＝10～35%、且X2＞X1(与d2＞d1意义相同)的关系成立，因此作为容量经时变化指标的容量温度特性满足EIA标准X8R特性(-55～150℃，ΔC/C＝±15%以内)，且在加速试验中电阻变化率小(IR平均寿命长)、可靠性优良。 | ||||||
| 106 | 多层正温度系数热敏电阻和其设计方法 | CN200480032254.6 | 2004-09-13 | CN100562950C | 2009-11-25 | 新见秀明; 安藤阳 |
| 本发明提供一种通过降低由BaTiO3半导体陶瓷构成的陶瓷层的厚度可以可靠地降低电阻和获得与从多层结构计算出的电阻接近的电阻的多层PTC热敏电阻。调整热敏电阻以满足条件5≤X≤18和4≤X·Y≤10，其中X为内电极(3)之间的每个陶瓷层(2)的厚度(μm)，和Y为在构成陶瓷层(2)的钛酸钡半导体陶瓷中的给电子体的含量(%)，所述Y用(给电子原子数/Ti原子数)×100表示。 | ||||||
| 107 | 介电陶瓷，制造该介电陶瓷的方法，以及独石陶瓷电容器 | CN200410002931.1 | 2004-01-20 | CN100559523C | 2009-11-11 | 中村友幸; 小中宏泰; 加藤成; 武藤和夫; 佐野晴信 |
| 一种介电陶瓷，该介电陶瓷在组成上包括含Ba、Ca和Ti的通式为ABO3的钙钛矿型化合物，和含Si、R(La等)和M(Mn等)的添加剂组分，添加剂组分没有被固体溶解，而且主要组分存在于每个晶粒的至少90%的横截面中，这样的晶粒数目占介电陶瓷所含的所有晶粒数目的至少85%，在介电陶瓷晶粒界面至少85%的分析点上至少包含Ba、Ca、Ti、Si、R和M。 | ||||||
| 108 | 层叠线圈器件 | CN200880001316.5 | 2008-01-22 | CN101568978A | 2009-10-28 | 佐藤明子 |
| 本发明提供一种开放磁路型层叠线圈器件，该层叠线圈器件可以抑制、防止在磁性层与非磁性层的界面产生裂痕、破损、剥离、和层叠体产生翘曲等，磁饱和难以发生，直流叠加特性较好。开放磁路型的层叠线圈器件(1)包括：将磁性层、非磁性层或者低磁导率层层叠而成的层叠体(11)；以及配置在其内部的线圈导体(5)，在构成层叠体(11)的非磁性层或者低磁导率层中含有氧化锆。低磁导率层的氧化锆的含有量为重量的0.02％以上，不到重量的1.0％。另外，在磁性层中也含有比例为不到重量的1.0％的氧化锆。磁性层由以Ni－Cu－Zn类铁氧体为主成分的材料制成，非磁性层或者低磁导率层由以Cu－Zn类铁氧体为主成分的材料制成。 | ||||||
| 109 | 陶瓷基板制造方法以及使用该陶瓷基板的电子元件模块 | CN200410098382.2 | 2004-12-08 | CN100551208C | 2009-10-14 | 小西正夫; 伊藤雅纪; 松崎直生 |
| 本发明的一种陶瓷基板制造方法包括：在收缩抑制层上设置孔的第一工序；用厚膜材料充填孔的第二工序；将充填了厚膜材料的收缩抑制层层合在准备工序中烧结的陶瓷基板最外层上，接着进行挤压由此获得层合体的第三工序；烧结层合体的第四工序；去除收缩抑制层的第五工序。由此，能增加形成在陶瓷基板最外层上突出部的种类。 | ||||||
| 110 | 电介质陶瓷组合物及电子部件 | CN200510129197.X | 2005-08-30 | CN100548917C | 2009-10-14 | 伊东和重; 佐藤阳; 村濑琢 |
| 本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其含有：包含组成式{(Me1-xCax)O}m·(Zr1-yTiy)O2表示的电介质氧化物的主成分，其中Me是Sr、Mg和Ba中的至少一种，m、x和y具有0.995≤m≤1.020、0＜x≤0.15、0≤y≤1.00的关系；含有R氧化物(其中，R是稀土尖元素)的第一副成分；含有Mg氧化物的第二副成分；含有Mn氧化物的第三副成分；其中各副成分相对于100mol主成分的比率是：第一副成分：0.1～6mol；第二副成分；1～5mol；第三副成分：0.1～2.5mol；该电介质陶瓷组合物还含有A氧化物(其中，A是选自6配位时有效离子半径为0.065nm～0.085nm的阳离子元素组中的至少一种)作为第四副成分。 | ||||||
| 111 | 平面陶瓷膜组件以及氧化反应器体系 | CN200410030134.4 | 2004-03-19 | CN100528800C | 2009-08-19 | M·F·卡罗兰; P·N·德耶; M·A·威尔逊; T·R·奥赫恩; K·E·克奈德; D·彼得森; C·M·陈; K·G·拉克斯 |
| 一种平面陶瓷膜组件，其包含混合-传导多组分金属氧化物材料致密层其中，致密层具有第一面和第二面，与致密层的第一面接触的混合-传导多组分金属氧化物材料多孔层，与致密层的第二面接触的陶瓷通道载体层。本发明还涉及使用该平面陶瓷膜组件的陶瓷片组件以及陶瓷膜组件的制备方法及其用于烃氧化的方法。 | ||||||
| 112 | 厚膜生片用涂料、厚膜生片用涂料的制造方法、厚膜生片的制造方法、厚膜生片以及电子部件的制造方法 | CN200480044155.X | 2004-08-04 | CN100519481C | 2009-07-29 | 外海透; 佐藤茂树; 小林央始 |
| 本发明提供可涂布较厚的膜，涂布后形成的片的切割性(可切割的强度)优异，并且片的透气性良好，操作性优异，并且可形成粘合力高的片的厚膜生片用涂料、厚膜生片用涂料的制造方法、厚膜生片的制造方法、厚膜生片和电子部件的制造方法。本发明中，所述厚膜生片用涂料具有陶瓷粉体，以缩丁醛系树脂作为主要成分的粘结剂用树脂和溶剂，其中溶剂含有良好溶解粘结剂用树脂的良溶剂和与良溶剂相比对粘结剂用树脂的溶解性低的贫溶剂，贫溶剂相对于溶剂总体以30-60质量%范围含有。良溶剂为醇，贫溶剂为甲苯、二甲苯、矿油精、乙酸苄基酯、溶剂石脑油等。 | ||||||
| 113 | 对低温共焙烧的具有表面电路图案的陶瓷进行无压强制烧结的改进工艺 | CN200780022144.5 | 2007-06-13 | CN101480115A | 2009-07-08 | C·B·王; M·A·史密斯 |
| 本发明涉及一种制造无裂纹、非拱形、无变形、零收缩、低温共焙烧的陶瓷(LTCC)体、复合物、模块或封装的方法，所述陶瓷体、复合物、模块或封装由具有一种或多种不同电介质带状化学材料的多层结构的前体生坯(未焙烧的)层叠物制成，所述电介质带状化学材料用可共焙烧的厚膜电路材料进行图案化，厚膜电路材料例如是用于各带层的导体，通孔填充，电容器，电感器或电阻，所述带层包括与牺牲隔离带直接接触的顶表面带层和底表面带层。 | ||||||
| 114 | 层叠型陶瓷电子元器件 | CN200780021843.8 | 2007-06-12 | CN101467221A | 2009-06-24 | 西泽吉彦 |
| 由于铁氧体的基本性质，包括具有由铁氧体形成的层叠结构的陶瓷层叠体的层叠型陶瓷电子元器件具有比较脆的问题。陶瓷层叠体(5)由同时煅烧的、陶瓷基材层(2)和配置在其两主面上的陶瓷辅助层(3及4)构成。陶瓷基材层(2)以及陶瓷辅助层(3及4)互相由相同组成系的铁氧体形成，实质上具有互相相同的晶体结构，但陶瓷辅助层(3及4)的线膨胀系数比陶瓷基材层(2)的线膨胀系数更小。 | ||||||
| 115 | 纳米纤维带和板以及加捻和无捻纳米纤维纱线的制造和应用 | CN200580046210.3 | 2005-11-09 | CN101437663A | 2009-05-20 | 张梅; 房少立; R·H·鲍曼; A·A·扎希多夫; K·R·阿特金森; A·E·阿利耶夫; S·利; C·威廉斯 |
| 本发明涉及纳米纤维纱线、带和板，制造所述纱线、带和板的方法，以及所述纱线、带和板的应用。在一些实施例中，纳米管纱线、带和板包括碳纳米管。本发明的这些碳纳米管纱线提供了独特特性和特性组合，例如极高的韧度，对结头处失效的抵抗力，高的导热和导电性，高的可逆能量吸收，与其它具有相似韧度的纤维的百分之几的失效应变相比高达13％的失效应变，对蠕变的极高抗性，甚至在450℃下在空气中加热1小时时都保持强度，以及甚至在空气中照射也极高的辐射和UV抗性。另外，这些纳米管纱线可以被纺成直径1微米的纱线，并随意合股成双股、四股和更多股的纱线。另外的实施例提供了具有任意大宽度的纳米纤维板的纺织。在另外的实施例中，本发明涉及利用和/或包括本发明的纳米纤维纱线、带和板的应用和器件。 | ||||||
| 116 | 金属-陶瓷复合衬底的生产方法和用于这种方法的钎焊料 | CN02151430.5 | 1998-03-11 | CN100488689C | 2009-05-20 | 樱庭正美; 木村正美; 高原昌也; 中村润二 |
| 本发明通过使用糊状钎焊料将金属板接合到陶瓷衬底上生产金属-陶瓷复合衬底，上述钎焊料通过将10-14重量份的液料添加到100重量份的粉末中制备，上述粉末固体物包括90.0-99.5%的Ag粉末、0-9.5%的Cu粉末和0.5-4.0%的活泼金属粉末，如果需要，以及0.0-0.9%的氧化钛粉末。 | ||||||
| 117 | 石墨粘土复合材料及其生产方法、包含该复合材料的衬热或垫圈、及用于该复合材料的粘土分散液 | CN200780015740.0 | 2007-04-03 | CN101432135A | 2009-05-13 | 蛯名武雄; 长谷川泰久; 水上富士夫; 手岛畅彦; 塚本胜朗 |
| (课题)提供一种石墨粘土复合材料及其生产方法、包含该复合材料的衬垫或垫圈、及用于该复合材料的粘土分散液。可以用于宽领域的各种用途，包括：接合垫片、衬垫、垫圈等密封材料，散热薄片，电磁波屏蔽材料，隔音薄片等。(方案)一种复合材料，主要包括石墨和粘土，其中所述粘土叠于石墨层上和/或侵入石墨层中。一种复合材料的制造方法，包括以下步骤：将包含粘土颗粒的粘土分散液涂敷于膨胀石墨的薄片和/或薄膜，或者涂敷于从所述薄片和/或薄膜获得的结构；和/或将所述膨胀石墨的薄片和/或薄膜，或从所述薄片和/或薄膜获得的结构浸渍于所述粘土分散液中，使得所述粘土层叠于所述膨胀石墨上，和/或侵入所述膨胀石墨中。并且，该复合材料用于制造衬垫或垫圈。 | ||||||
| 118 | 生产含有具低可烧结性的二氧化钛的物品的方法 | CN200780014172.2 | 2007-04-20 | CN101426645A | 2009-05-06 | K·库尔塔基斯 |
| 本发明提供一种生产含有低可烧结性二氧化钛颜料的物品的方法。低可烧结性二氧化钛(粉末)作为在防潮印刷电路板、具有高尺寸稳定性的陶瓷基质和抵抗与相邻层一起烧结的陶瓷层中的成分是合乎需要的。根据此文揭露的方法，低可烧结性二氧化钛可通过在生产二氧化钛的氯化物法的氯化钛氧化期间引入硅来生产。 | ||||||
| 119 | 多层陶瓷电容器 | CN200410095182.1 | 2004-10-22 | CN100483578C | 2009-04-29 | 梅田裕二; 佐藤阳 |
| 一种多层陶瓷电容器，其具有内部电极层和介电体层，其特征在于，上述介电体层的厚度在2.0μm以下，通过用上述介电体层的厚度除以构成上述介电体层的介电体粒子的平均粒径来求得的介电体层的每一层的平均粒子数在3个以上、6个以下。 | ||||||
| 120 | 陶瓷印刷电路基板的层压装置和层压方法 | CN200410104785.3 | 2004-05-13 | CN100473256C | 2009-03-25 | 佐佐田和哉; 三泽博一 |
| 陶瓷印刷电路基板的层压装置和层压方法：在制造陶瓷印刷电路基板的方法和装置中，有选择的通过第一和第二抽引辊子将第一和第二长条形陶瓷印刷电路基板导引到通常所用的冲压台上。在冲压台上，冲压出长条形陶瓷印刷电路基板的预定区域，从而形成具有预定尺寸的陶瓷印刷电路基板分割块。冲压顶点固持的分割块被搬运到邻近冲压台的层压台上，在那里进行层压和压接。 | ||||||
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