首页 / 国际专利分类库 / 作业;运输 / 层状产品 / 层状产品,即由扁平的或非扁平的薄层,例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品 / 主要由陶瓷组成的层状产品,例如耐火材料({由无机材料制成的半渗透膜入B01D71/02;玻璃上的陶瓷涂层入C03C17/00;陶瓷层的连接入C04B37/00;陶瓷的涂覆入C04B41/45;金属材料上的陶瓷涂覆入C23;用于半导体目的的硅上的陶瓷涂覆入H01L})
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
61 一种微晶玻璃陶瓷复合砖的生产方法 CN201410530180.4 2014-10-10 CN104309215A 2015-01-28 赵明; 夏昌奎; 彭西洋; 郁建荣; 王磊; 郭弟
发明公开了一种微晶玻璃陶瓷复合砖的生产方法,包括以下步骤:(1)高原料的制备;(2)低粘度玻璃熔和高粘度玻璃熔块的制备;(3)按常规方法制备微晶玻璃陶瓷复合砖坯体粉料;(4)按常规方法将步骤(3)制得的微晶玻璃陶瓷复合砖坯体粉料制备成微晶玻璃陶瓷复合砖基板;(5)微晶玻璃陶瓷复合砖的制备;(6)后处理。本发明制备的微晶玻璃陶瓷复合砖通过析晶区域与透明和/或半透明区域的交错分布,改变以往整个表面均为析晶花纹的单调纹理,花纹层次感更丰富,装饰效果更好;本发明所述生产方法的烧成温度更低、烧成周期更短,可以大幅度降低能耗、减少排放、节约制造成本;表面气孔少,防污性好、产品耐磨性高。
62 多层膜和包括该多层膜的光伏组件 CN201180063818.2 2011-12-02 CN104220255A 2014-12-17 金贤哲; 权润京
发明提供了一种多层膜,用于光伏组件的背板,制备该多层膜的方法和包括所述多层膜的光伏组件。可以设置所述多层膜,从而使包含基于氟的聚合物和含有噁唑啉基团的聚合物的树脂层形成在基板上。因此,包含基于氟的聚合物的树脂层可以具有优异的耐久性和耐候性,并且对基板显示高的界面粘结强度。在所述多层膜的制备过程中,在相对低的温度下还可以进行干燥步骤,从而可以降低制造成本并且可以防止由于热变形或热冲击导致的产品质量劣化。所述多层膜可以被有效地用作用于多种光伏组件的背板。
63 功率模基板及其制造方法 CN201380015335.4 2013-03-27 CN104170077A 2014-11-26 长濑敏之; 北原丈嗣; 村中亮
发明提供一种减少接合部的微小空隙来防止发生剥离的功率模基板及其制造方法。所述功率模块用基板在陶瓷基板的至少一面通过钎焊接合由或铝合金构成的金属板而成,在自金属板的侧边至200μm宽度的区域内用扫描型电子显微镜以3000倍率的视场观察自金属板与陶瓷基板的接合界面至5μm深度范围内的金属板的截面时,沿着接合界面连续存在2μm以上的连续残留化物的总计长度相对于视场长度为70%以下。
64 宝石层合体 CN201380011629.X 2013-03-04 CN104159738A 2014-11-19 C·D·普瑞斯特; D·N·米米林; D·A·帕库拉; R·H·M·迪恩; V·延
本文讨论了各种蓝宝石结构和层合体结构。一个实施例可采用如下形式的蓝宝石结构,该蓝宝石结构具有第一蓝宝石片和第二蓝宝石片,所述第一蓝宝石片具有形成主表面的第一蓝宝石平面类型,所述第二蓝宝石片具有形成主表面的第二不同的蓝宝石平面类型。第一蓝宝石片和第二蓝宝石片熔合在一起以形成所述蓝宝石结构。
65 复合层叠陶瓷电子部件 CN201380009293.3 2013-02-05 CN104144898A 2014-11-12 藤田诚司; 足立大树; 金子和广; 足立聪; 坂本祯章
发明提供一种具备被共烧成的低介电常数陶瓷层和高介电常数陶瓷层、且在低介电常数陶瓷层以及高介电常数陶瓷层的各个层中可得到相应的特性的复合层叠陶瓷电子部件。由玻璃陶瓷构成低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4),在低介电常数陶瓷层(3)和高介电常数陶瓷层(4)中使玻璃等的含有比率不同,其中该玻璃陶瓷包含:由MgAl2O4和/或Mg2SiO4构成的第一陶瓷;由BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)以及TiO2构成的第二陶瓷;分别包含44.0~69.0重量%的RO(R为土类金属)、14.2~30.0重量%的SiO2、10.0~20.0重量%的B2O3、0.5~4.0重量%的Al2O3、0.3~7.5重量%的Li2O、以及0.1~5.5重量%的MgO的玻璃;和MnO。
66 用于将陶瓷绝热材料连结到金属结构上的构造 CN201410144447.6 2014-04-11 CN104097360A 2014-10-15 G.E.韦茨; M.霍伊贝; H-P.博斯曼恩
发明涉及用于将陶瓷绝热材料连结到金属结构上的构造。用于将包括绝热材料的陶瓷层(1)连结到金属层(2)上的构造,该构造(10)包括由金属材料制成的界面层(11),界面层(11)位于陶瓷层(1)与金属层(2)之间,界面层(11)在其侧部中的面对陶瓷层(1)的一侧上包括多个联元件(20),陶瓷层(1)包括目的在于与界面层(11)的对应的联锁元件(20)连接的多个腔(30),构造(10)还包括钎焊层(40),借助于钎焊层(40),界面层(11)连结到金属层(2)上。本发明还涉及一种用于获得此类构造(10)的方法。
67 纤维增强碳复合材及其制造方法 CN201110222444.6 2011-08-04 CN102372492B 2014-10-15 加藤秀树; 鹿野治英; 安藤友行
发明提供一种纤维增强碳复合材及其制造方法,目的在于提供即使在与通常的石墨材料等其它部件一同使用时也不易由于热膨胀差等的相互作用而产生裂痕、即使由于反应性气体而生成碳化物也不易由于热应的产生而发生剥离和/或裂痕的C/C复合材。本发明的碳纤维增强碳复合材为含有碳纤维和碳质基体的碳纤维增强碳复合材,该碳纤维增强碳复合材的特征在于:上述碳纤维为以单丝状态存在于上述碳质基体内的、平均纤维长不足1.0mm的直线状纤维;上述碳纤维增强碳复合材的堆积密度为1.2g/cm3以上。
68 电介质陶瓷组合物及包括其的多层陶瓷电容器 CN201310626974.6 2013-11-28 CN104072126A 2014-10-01 崔斗源; 宋旻星; 朴宰成; 姜晟馨; 金昶勋
发明公开一种电介质陶瓷组合物,该电介质陶瓷组合物包括由(Ba(1-x)+REx)mTiO(3+x)(在此,0.995≤m≤1.010,0.001原子)或Bam(Ti+REx)O(3-x)(在此,0.995≤m≤1.010,0.001化物可确保高介电常数(介电常数为1800或更大)及高温可靠性。
69 半导体制造装置用部件 CN201410100477.7 2014-03-18 CN104064494A 2014-09-24 大场教磨; 川尻哲也; 片居木俊
发明的课题是提供一种半导体制造装置用部件,其为将陶瓷零件与金属零件通过热固化片进行接合的半导体制造装置用部件,其能够充分耐受在高温时的应用。本发明的半导体制造装置用部件(10)为将制的静电卡盘(12)与铝制的冷却板(14)通过热固化片(16)进行接合的半导体制造装置用部件。热固化片(16)是使环氧-丙烯酸系混合的粘结剂固化而成的热固化片。粘结剂含有(A)能够进行氢转移型加聚的环氧树脂、(B)丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯的聚合物、(C)固化剂。
70 制造陶瓷基质复合材料的方法和由此形成的陶瓷基质复合材料 CN201280064845.6 2012-12-07 CN104010992A 2014-08-27 G.H.科比; J.D.斯泰贝尔; N.D.戈斯
发明涉及制造含CMC制品的方法。所述方法需要在化硅(SiC)纤维上沉积一个或多个涂层,牵拉所述涂布的SiC纤维穿过浆料以产生涂有浆料的纤维材料,且随后加工所述涂有浆料的SiC纤维材料以形成单向预浸渍带。将所述带堆叠且随后烧制以产生多孔预成型件。随后所述多孔预成型件通过浸渗其中的孔隙而进一步致密化,从而产生CMC制品。浸渗可通过一系列聚合物浸渗和热解(PIP)步骤、通过在用碳或一种或多种难熔金属填充在所述预成型件中的孔隙之后而熔体浸渗(MI)、通过化学气相浸渗(CVI)或通过这些浸渗技术的组合来实现。
71 透明层叠膜 CN201280014183.1 2012-12-27 CN103930267A 2014-07-16 犬塚正隆; 楢崎彻司; 池野翔一; 广濑雅史; 牛尾元法; 竹内哲也
发明提供一种透明层叠膜,其在具有良好的遮阳性、透明性、绝热性、耐擦伤性的同时,能够缓和施工时的橡胶刮板应,并且可抑制由盐腐蚀导致的劣化。透明高分子膜10在透明高分子膜12的面上按顺序具有金属化物薄膜与金属薄膜交替层叠而成的透明层叠部14、和与透明层叠部14邻接的粘合剂层16、和与粘合剂层16邻接的聚烯层18、和固化树脂层20。
72 介电陶瓷组合物、多层介电基板电子部件和介电陶瓷组合物的制备方法 CN201080013795.X 2010-03-19 CN102365249B 2014-06-04 益川纯一; 市川耕司
发明公开了一种具有高介电常数和经抑制的低热膨胀系数的介电陶瓷组合物。还公开了一种使用该介电陶瓷组合物的多层介电基板,和电子部件。具体地公开了一种含有ATiO3(其中A代表Ca和/或Sr中任一种)相和AAl2Si2O8相,所述的介电陶瓷组合物的特征在于:介电常数在3GHz下不小于10以及在40-600℃温度内的平均热膨胀系数小于7ppm/℃。
73 层叠线圈部件及其制造方法 CN201280039831.9 2012-08-10 CN103733280A 2014-04-16 内藤修; 小和田大树; 山本笃史
发明提供一种层叠线圈部件,该层叠线圈部件在未导致直流电阻增大的情况下提高直流叠加特性且降低可产生于磁体内的应。该层叠线圈部件(11)具有:磁体层层叠而形成的磁体部(2),以及将配置于磁体层间的多个导体图案层贯通磁体层而相互连接成线圈状并埋设于磁体部(2)而形成的导体部(3),其中,导体部(3)由含有的导体形成,磁体部(2)由含有Fe2O3、NiO、ZnO、CuO的烧结体材料形成,磁体部(2)的导体部附近区域的Cu含量(换算成CuO)相对于磁体部(2)的中央区域的Cu含量(换算成CuO)的比为0.2~0.5。
74 一种获得低温的隔热材料结构 CN201310412235.7 2013-09-11 CN103727358A 2014-04-16 陈照峰; 王璐
一种获得低温的隔热材料结构,其特征在于由表层,C/C或C/SiC层,Nextel/Al2O3层,复合气凝胶层和真空绝热板5层叠层组成;表层接触高温,高温大于2000℃,真空绝热板内侧为低温,小于25℃;该发明从结构和材料两方面同时进行设计,具有质轻、高强度、抗氧化性、抗热震性、高温稳定性、优良的耐腐蚀、耐磨损性、可重复使用等优点,整体具备多层热反射和热阻隔层,绝热性能优异,保证其内侧获得低温,可应用于航空航天等高端领域。
75 玻璃陶瓷组合物 CN201280024387.3 2012-02-13 CN103547544A 2014-01-29 金子和广; 坂本祯章; 足立大树; 足立聪; 藤田诚司
发明提供一种玻璃陶瓷组合物,其绝缘可靠性高、且仅通过调整组成即可在低相对介电常数至高相对介电常数的宽范围内容易地得到所需相对介电常数的制品。本发明的玻璃陶瓷组合物,其用于例如陶瓷多层模(1)中具备的多层陶瓷基板(2)的陶瓷层(3),所述玻璃陶瓷组合物包含:包含MgAl2O4和Mg2SiO4中的至少一方的第1陶瓷;包含BaO、RE2O3(RE为稀土类元素)和TiO2的第2陶瓷;分别包含44.0~69.0重量%的RO(R为土类金属)、14.2~30.0重量%的SiO2、10.0~20.0重量%的B2O3、0.5~4.0重量%的Al2O3、0.3~7.5重量%的Li2O和0.1~5.5重量%的MgO的玻璃;以及MnO。
76 具有弯曲性的陶瓷层叠片及其制造方法 CN201310290609.2 2013-07-11 CN103547135A 2014-01-29 刘日焕; 金镇哲; 金泰庆; 李东圭; 李柔镇
发明提供一种陶瓷层叠片,其作为包含形成有多个开裂的陶瓷片以及形成在所述陶瓷片的一面或两面上的高分子树脂层的陶瓷层叠片,所述多个开裂分别从所述陶瓷片一面贯穿到另一面,从而所述陶瓷片分割成多个碎片,在所述陶瓷片的一面及另一面上不存在用于形成所述开裂的槽。本发明的陶瓷层叠片由于不形成用于形成开裂的槽,因而能够在极大地节省工序时间及费用的同时,保有与现有同等平以上的陶瓷材质特性。另外,陶瓷层叠片的弯曲性优秀,即使在附着工序等中的变形或冲击下,也没有材质特性的下降,不仅能够附着于平坦的设备,还容易附着于曲面形态或柔性的设备,而且发挥优秀的陶瓷特性。
77 陶瓷多层基板及其制造方法 CN201280012049.8 2012-03-02 CN103404241A 2013-11-20 大坪喜人
发明提供一种能高效地制造出即使在高密度地配设表面电极、内部电极的情况下也相邻电极之间也无短路的可靠性高的陶瓷多层基板的陶瓷多层基板的制造方法、以及利用该制造方法制造出的可靠性高的陶瓷多层基板。陶瓷多层基板(20)包括将多个陶瓷层(1)进行层叠而成的陶瓷基板(10)、以及配设在陶瓷层(1)上的电极(表面电极(2)、内部电极(3)),在该陶瓷多层基板(20)中,在任一所述陶瓷层的主面上,利用电极和其周围的陶瓷层(1)来设置凹部(5)。电极(表面电极(2)、内部电极(3))埋没在陶瓷层(1)内。而且,表面电极(2)的周边部被覆盖陶瓷层所覆盖。
78 陶瓷粉末和层叠陶瓷电容器 CN201310104032.1 2013-03-28 CN103360058A 2013-10-23 水野洋一
发明提供一种陶瓷粉末和层叠陶瓷电容器。该陶瓷粉末特别是对1μm以下的薄层电介质层的形成有用,能够制造实现了兼顾电容和寿命特性的MLCC的、以具有矿构造的钛酸钡为主成分的陶瓷粉末,并且提供能够由此实现电容和寿命特性优秀的MLCC产品。该陶瓷粉末为包含通过SEM观察测定的平均粒径(中值径)为200nm以下的具有钙钛矿构造的钛酸钡的陶瓷粉末,是该钛酸钡的通过TEM观察测定的孪晶缺陷比例小于10%、晶格的c/a为1.0075以上的陶瓷粉末。
79 一种镍锌软磁体及其制备方法 CN201210094838.2 2012-04-01 CN103360042A 2013-10-23 徐斌; 向其军
发明提供了一种镍锌软磁体,包括主成分和辅助成分,所述主成分包括Fe2O3、NiO、ZnO和CuO,辅助成分包括Al2O3、V2O5和CaO;所述主成分中Fe2O3的含量为51~52mol%,NiO的含量为14.5~16mol%,ZnO的含量为15~18mol%,CuO的含量为14~18mol%。本发明通过对镍锌铁氧体各组分含量进行优化,并采用流延工艺成型坯片,烧结后制成厚度小于0.2mm的磁片,使磁片在厚度较薄的情况下仍可使天线模具有较高的通讯距离。
80 陶瓷变换元件、具有陶瓷变换元件的半导体芯片和用于制造陶瓷变换元件的方法 CN201280007472.9 2012-01-17 CN103339223A 2013-10-02 U.利波尔德; D.艾泽特
说明一种具有活性的陶瓷层(2)的陶瓷变换元件(1),所述陶瓷层(2)适于将第一波长范围的辐射转换成与第一波长范围不同的第二波长范围的辐射。此外,陶瓷变换元件(1)包括载体层(3),其对于第一波长范围的辐射和/或第二波长范围的辐射来说是可透过的。
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