首页 / 国际专利分类库 / 作业;运输 / 层状产品 / 层状产品,即由扁平的或非扁平的薄层,例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品 / 主要由陶瓷组成的层状产品,例如耐火材料({由无机材料制成的半渗透膜入B01D71/02;玻璃上的陶瓷涂层入C03C17/00;陶瓷层的连接入C04B37/00;陶瓷的涂覆入C04B41/45;金属材料上的陶瓷涂覆入C23;用于半导体目的的硅上的陶瓷涂覆入H01L})
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
141 具有假对称构形的低温共焙烧陶瓷结构的约束烧结方法 CN200510127146.3 2005-11-22 CN1887593A 2007-01-03 C·B·王; K·W·汉; C·R·尼兹
发明涉及平坦无翘曲、零收缩的低温共焙烧陶瓷(LTCC)体、复合物、模或组件,由在层叠物z轴以独特或假对称排列的构形的三种或更多种不同介电带化学性能的前体素料(未焙烧)的层叠物得到。
142 多层正温度系数热敏电阻和其设计方法 CN200480032254.6 2004-09-13 CN1875437A 2006-12-06 新见秀明; 安藤阳
发明提供一种通过降低由BaTiO3半导体陶瓷构成的陶瓷层的厚度可以可靠地降低电阻和获得与从多层结构计算出的电阻接近的电阻的多层PTC热敏电阻。调整热敏电阻以满足条件5≤X≤18和4≤X·Y≤10,其中X为内电极(3)之间的每个陶瓷层(2)的厚度(μm),和Y为在构成陶瓷层(2)的酸钡半导体陶瓷中的给电子体的含量(%),所述Y用(给电子原子数/Ti原子数)×100表示。
143 生片材用涂料、生片材、生片材的制备方法及电子部件的制备方法 CN200480026347.8 2004-08-26 CN1849278A 2006-10-18 小林央始; 佐藤茂树
提供生片材用涂料、生片材及方法,其中所述涂料可制备生片材极薄但具有能够耐受从支持体剥离的强度、且表面平滑性优良、无针孔的生片材,适用于电子部件的薄层化和多层化。本发明提供生片材用涂料,其含有陶瓷粉末、以缩丁树脂为主成分的粘合剂树脂、和溶剂。上述溶剂含有将对粘合剂树脂的溶解性参数数值化的SP值为10以上的第1溶剂、和上述SP值为8以上但不足10的第2溶剂。上述涂料中,相对于溶剂的总质量100质量%,含有20~60质量%、优选25~60质量%的第2溶剂。
144 具有高介电常数陶瓷材料芯体的多组件LTCC基材及其开发方法 CN200610004648.1 2006-01-26 CN1812691A 2006-08-02 C·R·尼兹; K·M·奈尔; M·F·麦库姆斯
发明涉及生产共焙烧金属化的高介电常数陶瓷芯体的方法,该方法包括:提供包含至少一层芯带的前体素层压物,其中所述芯带的介电常数至少为20;和焙烧所述前体素坯层压物。方法还涉及生产低温共焙烧陶瓷结构的方法,该方法包括:提供包含至少一层芯带的前体素坯层压物,其中所述芯带的介电常数至少为20;在第一次焙烧中焙烧所述前体素坯层压物,形成高介电常数陶瓷芯体;提供一层或多层金属化的低介电常数初级带;将一层或多层所述金属化的低介电常数初级带层压到所述芯体上;和在第二次焙烧中焙烧所述芯体和初级带层。
145 压制玻璃用模具的制造方法 CN200480013548.4 2004-03-22 CN1791558A 2006-06-21 田中秀治; 江刺正喜
一种压制玻璃用模具的制造方法,其特征在于:将堆积在硅模具的表面上,然后将堆积的碳化硅与碳化硅基板接合,接着通过蚀刻除去硅模具。此外,在该压制玻璃用模具的制造方法中,通过在堆积在硅模具的表面的该碳化硅与碳化硅基板之间插入金属薄膜,可以提高该碳化硅与该碳化硅基板之间的接合性。
146 温度稳定型的贱金属内电极多层陶瓷电容器介电材料 CN02131431.4 2002-10-14 CN1252755C 2006-04-19 王晓慧; 陈仁政; 桂治轮; 李龙土
发明公开了属于电容器材料制备技术范围的一种温度温度型贱金属内电极多层陶瓷电容器介电材料。包括BaTiO3主料和作CaO、CaTiO3、BaO、SiO2、SrO、MnO2、MgO、Co2O3和Y2O3,以及一种或一种以上的稀土化物作添加物,然后加入玻璃料,按比例配制而成陶瓷材料;并用低价格金属Ni、Cu或合金作多层电容器的内电极,在还原气氛中,在1200℃到1350℃进行烧结,获得性能优良的X7R型MLCC材料,材料的室温介电常数在2000和3500之间,容温变化率≤±15%,室温介电损耗≤2%,陶瓷的晶粒在1000nm范围内,性能稳定,适用于生产大容量、超薄介电层的多层陶瓷电容器。
147 多层陶瓷复合材料 CN200380110161.6 2003-11-19 CN1758953A 2006-04-12 F·埃伦; O·宾克勒; R·农宁格
在一种用于制造陶瓷复合材料的方法中,在一个生的载体层上涂覆一个第二生层,其陶瓷颗粒具有一个x≤100nm的尺寸。在共同烧结各生层时第二颗粒层压缩成一个无缺陷的细孔的功能层。
148 用于粘合的陶瓷元件的生产方法,用于粘合的陶瓷元件,真空开关,和真空容器 CN02145746.8 2002-10-08 CN1244259C 2006-03-01 牧野友亮
一种用于粘合的陶瓷元件的生产方法,该方法包括:如下方式的第一步骤:使用第一混合物制备下层膏体,第一混合物包括镍、钨和钼,将下层膏体涂敷到为烧结陶瓷的陶瓷基础物表面上,和在涂敷之后干燥获得的涂料层以形成下层;如下方式的第二步骤:使用第二混合物制备上层膏体,第二混合物包括镍和化镍中的一种和、氧化铜、锰和氧化锰中的至少一种,将上层膏体涂敷到下层上,和在涂敷之后干燥获得的涂料层以形成上层;和如下方式的第三步骤:加热下层和上层以焙烧下层和上层。
149 组装陶瓷本体的方法 CN02801355.7 2002-02-20 CN1239313C 2006-02-01 G·扎斯拉维斯基; C·S·诺尔达尔; J·V·利马; A·赫克
提供一种用于制造陶瓷本体的方法,其中,将陶瓷部件在它们的未焙烧状态下相连接。该方法包括在将要连接的表面上实施加热以导致粘接材料的局部熔化。然后将这些表面结合一起并通过交替地施加压缩和拉伸作用而连接。该方法特别有利于形成用于高强度放电发光(HID)应用场合的整体的陶瓷电弧管本体。
150 磁性化物烧结体及使用该烧结体的高频电路部件 CN01808774.4 2001-08-03 CN1232471C 2005-12-21 梅田秀信; 村濑琢
可以提供下述磁性化物烧结体及使用该烧结体的高频电路部件,所述磁性氧化物烧结体中Y型六方晶素体占至少80%,它含有主成分和副成分,主成分含有预定摩尔%的钴氧化物、氧化物、铁氧化物和AO(AO为BaO或SrO中的至少一种),更优选主成分含有预定摩尔%的MO(MO为NiO、ZnO、MgO中的至少一种),副成分含有预定重量%的氧化铋(Bi2O3)、酸玻璃、硼硅酸锌玻璃或铋玻璃,因此到数百MHz-GHz的高频带仍具有良好磁特性而可被使用,并且尽量不含Y型六方晶铁素体以外的异相,可以在不超过1000℃特别是在900℃附近烧成。
151 复合陶瓷生基板及其制造方法、陶瓷烧结主体及气体传感器 CN200510052821.0 2005-02-28 CN1694599A 2005-11-09 都筑正词; 粟野真也
一种复合陶瓷生基板,包括:包括第一基板材料的第一基板部;以及包括第二基板材料第二基板部,所述第二基板部在烧制性能上不同于第一基板部;混合部,在所述第一和第二基板部之间,包括第一和第二基板材料的混合物,具有复合陶瓷基板的厚度至少两倍的宽度,其中而所述第一和第二基板部通过混合部在扩展方向彼此结合在一起。
152 陶瓷的制造方法 CN02119065.8 2002-05-08 CN1226235C 2005-11-09 小川弘纯; 木村雅彦; 安藤阳
发明提供一种陶瓷的制造方法,该方法在烧结中可以采用通常的烧结炉,如果采用相同的材料,可以制造取向度比采用TGG法制造的取向陶瓷的取向度高的取向陶瓷。将板状陶瓷粉末与陶瓷原料的煅烧粉末混合,得到混合粉末。然后,得到含有混合粉末、溶剂粘合剂的陶瓷生料。将陶瓷生料成形,形成片。将层压了多个片的层压物L在模具10中沿单轴方向加压,使层压物L的与加压轴平行方向的长度比加压之前小,使层压物L的与加压轴垂直面的面积比加压之前大,形成取向成形体。烧成该取向成形体,进行烧结。
153 合成多层陶瓷电子部件及其制造方法 CN01143780.4 2001-12-19 CN1215502C 2005-08-17 杉本安隆; 近川修; 森直哉
一种合成多层陶瓷电子部件,它包括相互层迭的高介电常数层和至少一个低介电常数层。高介电常数层包括一种高介电常数材料,相对介电常数εγ的为20或更大,低介电常数层包括一种低介电常数材料,相对介电常数εγ约为10或更小。高介电常数材料主要包含BaO-TiO3-ReO3/2介质,与第一玻璃成分,BaO-TiO3-ReO3/2介质表示为xBaO-yTiO3-zReO3/2介质,x、y与z为%克分子并满足8≤x≤18,52.5≤y≤65,20≤z≤40,且x+y+z=100,Re为稀土元素,低介电常数材料包含由陶瓷与第二玻璃成分组成的合成物。该合成多层陶瓷电子部件在不同类材料界面处防脱层或变形,能以低温烧制,适合高频应用。
154 陶瓷零件及其制造方法 CN02802130.4 2002-06-18 CN1207249C 2005-06-22 胜村英则; 齐藤隆一; 若林都加佐; 加贺田博司
发明的目的是,提供一种高可靠性、高尺寸精度的陶瓷零件,在用热收缩抑制板夹住玻璃陶瓷层压体进行烧成的高尺寸精度烧成工艺中,不使电气特性受到很大损失的情况下,可以抑制在烧成后的基板内部电极周边上产生裂纹等的缺陷。为达到这个目的,本发明陶瓷零件的制造方法包括:在玻璃陶瓷基板上印刷具有与所述玻璃陶瓷基板相同的烧结速度的导体膏的导体印刷工序、和层压多个所述玻璃陶瓷基板形成层压体的层压工序、在所述层压体的单面或双面上进一步层压以无机物为主要成份的热收缩抑制基板而制成复合层压体的复合层压工序、从所述复合层压体上燃烧除去有机物的脱除粘合剂的工序、使所述玻璃陶瓷基板和导体膏的烧结特性相匹配后烧结所述除去有机物后的复合层压体的烧成工序、以及除去所述热收缩抑制基板中的无机物的工序。
155 电介质陶瓷组合物及使用其的层压型陶瓷零件 CN200410104734.0 2004-09-24 CN1623958A 2005-06-08 梅本卓史; 野野上宽; 田沼俊雄; 胁坂健一郎
一种含有结晶玻璃、无定形玻璃和陶瓷填充材料的电介质陶瓷组合物,其特征在于,结晶玻璃的软化点比无定形玻璃的软化点高,并且为900℃或其以下,含有27重量%或其以上的结晶玻璃,不足20重量%的无定形玻璃,结晶玻璃和无定形玻璃合计为60重量%或其以下,并且含有40重量%或其以上的陶瓷填充材料。
156 绝缘陶瓷压 CN01122799.0 2001-07-20 CN1197822C 2005-04-20 近川修; 森直哉; 杉本安隆
一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压,玻璃粉末包含约13-50%重量的按SiO2计算的、约8-60%重量的按B2O3计算的氧化、0-约20%重量的按Al2O3计算的氧化和约10-55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得,可以和Ag或Cu烧结制得,具有低的介电常数和高Q值,适合在高频范围使用。
157 绝缘陶瓷压 CN200410043458.1 2001-07-20 CN1548393A 2004-11-24 近川修; 森直哉; 杉本安隆
一种包括(A)MgAl2O4、Mg3B2O6和/或Mg2B2O5的陶瓷粉末和(B)玻璃粉末的烧制混合物的绝缘陶瓷压,玻璃粉末包含约13-50%重量的按SiO2计算的、约8-60%重量的按B2O3计算的氧化、0-约20%重量的按Al2O3计算的氧化和约10-55%重量的按MgO计算的氧化镁。该绝缘陶瓷压块可通过在约1000℃或更低温度下烧制获得,可以和Ag或Cu烧结制得,具有低的介电常数和高Q值,适合在高频范围使用。
158 多层陶瓷衬底的制造方法 CN02107891.2 2002-03-26 CN1177517C 2004-11-24 原田英幸
制备具有空腔的生片堆叠体,制备包含无机粉末材料的收缩减小片,该无机粉末材料在烧结生片堆叠体的步骤中不会被烧结。放置收缩减小片以便封闭空腔的腔口且覆盖生片堆叠体的片堆叠方向的端面。在片堆叠方向通过弹性件对生片堆叠体加压,以便切割收缩减小片,将由收缩减小片的切开部分形成的收缩减小片置于空腔的底表面上。在收缩减小片置于空腔的底表面上的状态下烧结生片堆叠体。
159 片保持体及其制造方法 CN99102471.0 1999-03-02 CN1163955C 2004-08-25 汤盐泰久; 仲田博彦; 夏原益宏
一种层叠多个氮化陶瓷衬底与高熔点金属层和粘附层而获得片保持体及其制造方法,该氮化铝陶瓷衬底包括3a族元素化合物,剩余部分为氮化铝(AlN),3a族元素占重量的0.01到1%。其中AlN晶体的平均颗粒大小为从2到5μm。材料粉末混合,模制,在非化气氛下1600到2000℃下焙烧,形成衬底,而后层叠多个衬底,其间插入高熔点金属层和粘附层,在上述气氛中1500到1700℃下焙烧层叠体以及修整,制成保持体。
160 金属-陶瓷的结合 CN02801901.6 2002-05-24 CN1486289A 2004-03-31 J·W·维坎普; D·K·迪肯; T·J·M·J·范根尼普
一种连接金属(1)与陶瓷材料(2)的方法包括在该陶瓷材料中设置通孔(3)和将待连接到陶瓷材料(2)上的金属(1)贴近带有通孔(3)的陶瓷材料(2)放置的步骤。然后,金属(1)熔化贴近通孔(3)的(7)。在陶瓷(2)远离金属的一侧和在该金属(1)远离陶瓷材料(2)的一侧之间出现压差。在金属(1)远离陶瓷材料(2)的一侧出现较大的压。该压差导致熔化部分(7)被压入陶瓷材料(2)中的通孔(3)。通孔(3)具有这样的形状,即在固化之后,固化的材料(14)和通孔(3)具有互补定的形式。
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