| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 表面浮雕微结构、相关装置及其制造方法 | CN201080008146.0 | 2010-02-15 | CN102326102B | 2015-09-23 | M·伊本-哈吉; J·马特兹; H·塞伯勒; W·沃奈特 |
| 本发明涉及一种用于复制图案化的表面浮雕微结构的方法，该方法包括如下步骤：产生具有图案化的表面浮雕微结构的第一层；通过将第一层的微结构复制到第二层中来产生母版，从而涉及至少一个干法或湿法蚀刻步骤，其特征在于，该方法还包括附加步骤，在该附加步骤中，使母版的微结构与复制品材料进行接触，从而使母版的微结构在复制品材料中被再现。本发明还涉及根据该方法被制造为复制品的元件。表面浮雕微结构适于显示具有正向-负向和/或彩色图像翻转的图像。根据本发明的元件特别适用于保护文档和制品以免受伪造和纂改。 | ||||||
| 2 | 制造用于形成应用于家用电器外部的微图案膜的主模的方法，以及使用主模的膜的制造设备和方法 | CN201080039300.0 | 2010-09-03 | CN102712110B | 2015-07-22 | 郑锡在; 金暎奎; 金珠炫 |
| 公开了一种制造微图案膜的设备和方法。更具体地，公开了制造能够在应用于家用电器外部的膜上形成微图案的主模的方法、使用上述主模生产微图案膜的设备和方法、以及附着有这种微图案膜的电器。制造用于形成应用于家用电器外部的微图案膜的主模的方法包括：将光致抗蚀剂(110)施涂到STS基板(100)的表面，并使UV通过带图案的掩模(140)对其进行照射以使掩模(140)的图案转移到基板(100)；蚀刻图案已转移到其上的STS基板(100)，从蚀刻的STS基板(100)移除光致抗蚀剂(110)；以及在合成树脂基板(210)上翻印STS基板的图案。 | ||||||
| 3 | 用以产生具有嵌段共聚物的定向总成的纳米尺寸特征的方法 | CN200980104066.2 | 2009-01-30 | CN101971093B | 2014-10-22 | 丹·B·米尔沃德; 古尔特杰·S·桑胡 |
| 本发明提供用于制造用于对衬底进行图案化的印模和系统的方法，和由所述方法产生的装置。 | ||||||
| 4 | 一种利用纳米压印技术快速制备蓝宝石图形衬底的方法 | CN201210483894.5 | 2012-11-26 | CN103840050A | 2014-06-04 | 王怀兵; 蔡金; 王辉; 吴思; 崔峥; 高育龙 |
| 本发明揭示了一种纳米压印技术制备蓝宝石图形衬底的方法，包括如下步骤：采用硬模板和软模板两种方式制备纳米压印模板，在洁净的蓝宝石衬底上生长外延层，蒸渡SiO2或Cr得到目标片，然后在目标片表面涂覆适量的热压胶，匀胶后的目标片与纳米压印模板进行压印，将光刻胶表面图案转移到目标片表面，通过一系列后处理，得到所需蓝宝石图形衬底。本发明的有益效果主要体现在：突破了传统光刻在特征尺寸减小过程中的难题，制备具有纳米特征尺寸图形衬底，图形衬底尺寸小于500nm。实现了全新的NPSS衬底产业化技术，同时降低了衬底加工成本和外延生产成本，LED照明芯片生产成本降低15%等诸多优点。 | ||||||
| 5 | 感光性树脂组合物及其制造方法 | CN201180049572.3 | 2011-10-14 | CN103154053A | 2013-06-12 | 胜又彻; 斋藤大和; 岩仓宽子; 山崎长武 |
| 提供在需要回流焊工序的固体摄像元件或电子元件一体型产品的制造中，具有优异的耐温度冲击性的感光性透明树脂组合物，以及使用该组合物而成的微塑料透镜或液晶偏振板用光学元件成型物。该感光性树脂组合物含有：聚有机硅氧烷(a)：100质量份、和光聚合引发剂(b)：0.01～30质量份，所述聚有机硅氧烷(a)为通过使下述通式(1)：R1aR2bSi(OR3)4－a－b(1){R1、R2、R3、a和b在说明书中定义}的烷氧基硅烷化合物和催化剂混合并聚合的方法得到的、具有聚合性官能团的聚有机硅氧烷(a)，该聚有机硅氧烷(a)含有下述通式(2)：≡Si-O-X-Si≡(2){X在说明书中定义}的结构，并且该聚有机硅氧烷(a)所具有的Si原子数中5～60%包含在下述通式(2)所示的结构内。 | ||||||
| 6 | 镜片模仁的制造方法 | CN200910302066.5 | 2009-04-30 | CN101875532B | 2013-03-20 | 骆世平 |
| 一种镜片模仁的制造方法，其步骤包括：提供一基模，所述基模上形成有一压印面，所述压印面包括一成型面，所述成型面用于成型镜片的光学区域；在所述压印面上涂敷一层光阻剂；利用一光罩对所述压印面进行曝光及显影制程，以使所述成型面区域形成一光阻结构；在所述光阻结构周围填充硬质模具材料并固化；将所述光阻结构剥离所述基模，得到镜片模仁。本发明所提供的镜片模仁的制造方法在模仁上涂敷光阻剂，然后利用一光罩进行曝光显影确定成型面尺寸，制造出来的镜片模仁的成型面尺寸精度较高。 | ||||||
| 7 | 制造用于形成应用于家用电器外部的微图案膜的主模的方法,以及使用主模的膜的制造设备和方法 | CN201080039300.0 | 2010-09-03 | CN102712110A | 2012-10-03 | 郑锡在; 金暎奎; 金珠炫 |
| 公开了一种制造微图案膜的设备和方法。更具体地，公开了制造能够在应用于家用电器外部的膜上形成微图案的主模的方法、使用上述主模生产微图案膜的设备和方法、以及附着有这种微图案膜的电器。制造用于形成应用于家用电器外部的微图案膜的主模的方法包括：将光致抗蚀剂(110)施涂到STS基板(100)的表面，并使UV通过带图案的掩模(140)对其进行照射以使掩模(140)的图案转移到基板(100)；蚀刻图案已转移到其上的STS基板(100)，从蚀刻的STS基板(100)移除光致抗蚀剂(110)；以及在合成树脂基板(210)上翻印STS基板的图案。 | ||||||
| 8 | 模仁制造方法 | CN200810301420.8 | 2008-05-06 | CN101576712B | 2012-09-19 | 余泰成 |
| 本发明涉及一种模仁制造方法。该方法包括以下步骤：提供一个基板；在所述基板的一个表面上形成一个薄膜层；在所述薄膜层上设置一个光阻层；采用直写技术对所述光阻层曝光，对所述光阻层显影使得光阻层具有若干个形成于光阻层顶面的微结构及至少一个贯穿所述光阻层的孔，所述孔使得位于所述光阻层下面的所述薄膜层部分露出；在所述微结构的表面上以电铸方式通过露出的部分薄膜层形成一个电铸层；去除所述光阻层；将所述电铸层与所述基板分离，并将所述电铸层在所述光阻层的孔内形成的部分去除，获得模仁，所述模仁具有若干个与所述微结构相匹配的成型面。该模仁制造方法使得模仁的表面粗糙度较低。 | ||||||
| 9 | 快速复制方法及其中所使用的可辐射固化组合物 | CN200680023772.0 | 2006-06-29 | CN101213070B | 2012-06-27 | J·斯代姆普夫尔; H·格鲁贝尔; H·利希滕埃格; R·利斯卡; R·因菲尔 |
| 本发明涉及一种制备三维物体的方法，包括通过将组合物的各层相继选择性地固化成固体聚合材料来制备三维构架，其中所述各层是可见光和/或紫外光可固化的，随后使用所述三维构架来制备三维物体，然后从所述三维物体上或从所述三维物体中去除所述三维构架，特征在于所述三维构架的去除通过如下完成：化学裂解所述聚合物材料，和同时或相继地将所述材料溶解于溶剂或混合溶剂中和/或将所述材料熔化。 | ||||||
| 10 | 多层光刻模板 | CN03814162.0 | 2003-06-03 | CN1662852B | 2010-10-27 | 戴维·P.·曼斯尼; 道格拉斯·J.·瑞斯尼克 |
| 本发明涉及半导体器件、微电子器件、微机电器件、微流体器件、光子器件，更具体地涉及一种多层光刻模板、一种形成多层光刻模板的方法，以及一种使用多层光刻模板形成器件的方法。所述多层光刻模板(10/10′)具有第一凸版结构和第二凸版结构，从而限定了多层凸版图像。模板在半导体器件(40)制造中通过如下方式来影响器件(40)中的图案：在非常接近其上面形成有辐射敏感材料的半导体器件(40)处安置模板，并且施加压力使辐射敏感材料流入模板上存在的多层凸版图像中。然后，穿过多层模板施用辐射，使得进一步固化辐射敏感材料部分，并且进一步限定辐射敏感材料中的图案。然后，除去多层模板，完成半导体器件(40)的制造。 | ||||||
| 11 | 用于制造半导体装置的印模、掩模或模板的生产 | CN200880100347.6 | 2008-01-22 | CN101779164A | 2010-07-14 | J·弗兰斯 |
| 本发明提供制造基底的方法，该基底包括在基底表面上带相同或不同图形的至少两个区域。该过程包括步骤：提供基底；在基底上应用辐射敏感材料层；通过在整个基底(1)上的一次扫描中圆形地移动聚焦记录光斑，在至少两个区域(2a到2d)上的辐射敏感材料层中记录图形，通过在整个基底上的一次扫描中移动聚焦激光光斑，在敏感材料层中记录图形；以及，使敏感材料层显影。本发明进一步提供制造用于使用主盘制作过程制造半导体装置的至少两个印模或掩模的方法。 | ||||||
| 12 | 图案形成方法、由此形成的图案或模具 | CN200880016608.6 | 2008-05-22 | CN101681095A | 2010-03-24 | 寺崎敦则; 关淳一 |
| 一种图案形成方法，包括：在形成于基材上的薄膜的表面上形成抗蚀剂的图案的步骤；在抗蚀剂的图案上形成反转层的步骤；通过在去除反转层以露出抗蚀剂的表面之后去除抗蚀剂、形成与抗蚀剂的图案互补的反转层的反转图案的步骤；通过以反转层的反转图案为掩模蚀刻薄膜、形成包含其上形成反转层的薄膜的硬掩模层的步骤；以及以其上保留反转层的硬掩模层或其上已去除反转层的硬掩模层作为掩模蚀刻基材的步骤。 | ||||||
| 13 | 非球面模仁的制造方法 | CN200810301440.5 | 2008-05-06 | CN101576713A | 2009-11-11 | 骆世平 |
| 一种非球面模仁的制造方法，其包括以下步骤：提供一模仁基底；在所述模仁基底上形成正光阻层；利用直写技术在所述正光阻层上形成微小阶梯状结构，所述微小阶梯状结构整体呈类非球面形状；加热所述正光阻层，使其回流形成光滑非球面结构。该制造方法制程简单，提高了生产效率。 | ||||||
| 14 | 纳米压印光刻胶 | CN03811209.4 | 2003-04-09 | CN100517068C | 2009-07-22 | W·史比斯; 北文雄; M·梅尔; A·吉尔; M·曼尼戈; P·W·奥利维拉; H·施密特 |
| 本发明涉及一种电子元件的微结构化方法，其提供高分辨率(≤200纳米)和良好纵横比，但明显比照相平版印刷法更为经济。根据本发明的方法包括下列步骤：i)制备如权利要求1的纳米复合材料组合物的未固化的平面溶胶膜；ii)制备由底涂层b)和载体c)组成的目标底材；iii)借助微结构化的转移压印冲头将得自i)的溶胶膜材料转移至ii)中的底涂层b)上；iv)将转移的溶胶膜材料予以固化；v)移除转移压印冲头，得到压印的微结构作为顶涂层a)。微结构化的半导体材料的制备另外包括下列步骤：vi)等离子体蚀刻残余的纳米复合材料溶胶膜层，优选用CHF3/O2等离子体，vii)等离子体蚀刻底涂层，优选用O2等离子体，viii)蚀刻半导体材料或者在经蚀刻区域掺杂半导体材料。 | ||||||
| 15 | 细微模具和使细微模具再生的方法 | CN200710161280.4 | 2007-09-25 | CN101154035A | 2008-04-02 | 服部敦夫 |
| 一种细微模具包括再生目标膜和光屏蔽单元，其中再生目标膜形成成形表面的凸出部，光屏蔽单元构造在比成形表面的底部更深的位置，且光屏蔽单元使再生目标膜再生。具有三维结构的产品的制造成本可以得到降低。 | ||||||
| 16 | 一种制造用于产生光学表面的模型的方法、一种生产隐形眼镜的方法和一种供这些方法使用的设备 | CN200480019834.1 | 2004-07-06 | CN1822935A | 2006-08-23 | A·J·M·内利森; H·G·P·C·范多尔马伦; T·J·M·范德普滕 |
| 一种制造用于生产定制的光学表面的模型的方法，由此修改具有基本形状的模型(1，2)以获得所需模型的形状。通过光刻方法执行该修改，该光刻方法包括给模型表面涂上光致抗蚀剂层(16)、将该层曝光于曝光辐射(9)的预定图案和显影该曝光层，由此移除该层的部分以获得所需的模型形状(22)。这个方法用于生产小数量的光学表面，例如用于单独的隐形眼镜。 | ||||||
| 17 | 用于光导板的压模的生产方法 | CN200410103616.8 | 2004-12-29 | CN1786746A | 2006-06-14 | 崔泰现 |
| 公开了一种用于光导板的压模的生产方法，其中该方法包括以下步骤：清洁导体层淀积层；用导电材料来镀导体层；在镀层上旋涂光致抗蚀剂；放置所需的图形掩模，曝光并显影；在光致抗蚀剂被部分去除的部分中湿刻蚀镀层；去除剩余的光致抗蚀剂；通过镍镀所完成的图形表面来制造母版；以及脱模母版并再次镍镀所脱模的母版以生产压模。 | ||||||
| 18 | 多层光刻模板 | CN03814162.0 | 2003-06-03 | CN1662852A | 2005-08-31 | 戴维·P.·曼斯尼; 道格拉斯·J.·瑞斯尼克 |
| 本发明涉及半导体器件、微电子器件、微机电器件、微流体器件、光子器件，更具体地涉及一种多层光刻模板、一种形成多层光刻模板的方法，以及一种使用多层光刻模板形成器件的方法。所述多层光刻模板(10/10′)具有第一凸版结构和第二凸版结构，从而限定了多层凸版图像。模板在半导体器件(40)制造中通过如下方式来影响器件(40)中的图案：在非常接近其上面形成有辐射敏感材料的半导体器件(40)处安置模板，并且施加压力使辐射敏感材料流入模板上存在的多层凸版图像中。然后，穿过多层模板施用辐射，使得进一步固化辐射敏感材料部分，并且进一步限定辐射敏感材料中的图案。然后，除去多层模板，完成半导体器件(40)的制造。 | ||||||
| 19 | 硬化的纳米压印印模 | CN03148751.3 | 2003-06-24 | CN1498776A | 2004-05-26 | H·李; G·-Y·钟 |
| 公开了一种硬化纳米压印印模10及形成硬化纳米压印印模10的方法。硬化纳米压印印模10包括多个具有碳化硅、氮化硅或氮碳化硅硬化外壳20的硅基纳米尺寸部件12。通过等离子体碳化和/或等离子体氮化工艺可使硬化外壳20比位于其下的硅更坚硬。在等离子体处理过程中，碳C和/或氮N原子轰击并渗透纳米尺寸部件12的多个暴露表面(12e、12s、12t、12b、12f、13)中，并与硅(Si)发生化学反应形成碳化硅、氮化硅或氮碳化硅硬化外壳20。最终获得的硬化纳米压印印模10的寿命、耐久性、经济和精度都有所提高。 | ||||||
| 20 | 制造用于纳米压印光刻的亚光刻尺寸线和间隔图案的方法 | CN03122450.4 | 2003-04-23 | CN1453638A | 2003-11-05 | H·李 |
| 本发明披露了一种亚光刻尺寸线和间隔图案的制造方法。本方法包括对传统微电子处理技术的应用，如光刻图案化和蚀刻、多晶硅沉积、多晶硅氧化、多晶硅氧化蚀刻、多晶硅湿蚀刻和等离子体蚀刻，以及化学机械平面化。特征尺寸大于或等于光刻极限的多晶硅线特征在包括氧气的等离子体中被氧化。氧化形成了一个亚光刻尺寸多晶硅核和一个氧化多晶硅罩层，氧化硅多晶罩层包括同样具有亚光刻特征尺寸的沿着亚光刻尺寸多晶硅核的侧壁表面的一部分。当平面化和对多晶硅或氧化多晶硅进行选择性蚀刻后，就形成了若干亚光刻尺寸线和间隔图案。这些线和间隔图案可应用于纳米压印光刻的压印模。 | ||||||
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