21 |
印章制造装置 |
CN94190127.0 |
1994-03-15 |
CN1109607C |
2003-05-28 |
龟田登信; 加纳万智子; 近藤垒; 渡边健二; 市川智之; 谷口雄一郎; 会田智惠子 |
一专家以外的人亦能简单且在短时间内制造所要印章、门牌、名牌等的印章制造装置。该装置包括,一生成印影图案的发生装置;一用于形成印影图案的树脂构件,在外部加以物理刺激时,其一部分能发生变化,而另一部分不发生变化而可用物理的或化学的方法除去;一印影图案写入装置,选择性地对树脂构件给予物理刺激;一印影图案转印控制装置,相应印影图案资料发生装置所产生的图案,控制印影图案写入装置,在树脂印面构件上给予物理刺激。 |
22 |
印章制造装置 |
CN94190127.0 |
1994-03-15 |
CN1105504A |
1995-07-19 |
龟田登信; 加纳万智子; 近藤垒; 渡边健二; 市川智之; 谷口雄一郎; 会田智惠子 |
一专家以外的人亦能简单且在短时间内制造所要印章、门牌、名牌等的印章制造装置。该装置包括,一生成印影图案的发生装置;一用于形成印影图案的树脂构件,在外部加以物理刺激时,其一部分能发生变化,而另一部分不发生变化而可用物理的或化学的方法除去;一印影图案写入装置,选择性地对树脂构件给予物理刺激;一印影图案转印控制装置,相应印影图案资料发生装置所产生的图案,控制印影图案写入装置,在树脂印面构件上给予物理刺激。 |
23 |
一种铸造方法 |
CN201510945659.9 |
2015-12-17 |
CN106896639A |
2017-06-27 |
赵振荣 |
本发明公开了一种铸造方法,包括步骤:制造一个成型的光致聚合物模具;将液体引入该模具;固化所述液体;以及将光致聚合物模具移走。本发明还公开了一种铸造模具以及一种制造铸造模具的方法。 |
24 |
线栅偏光电极及其压印模具和制作方法、显示基板 |
CN201610965129.5 |
2016-10-28 |
CN106597762A |
2017-04-26 |
李明辉; 陈黎暄 |
本发明提供了一种线栅偏光电极及其压印模具和制作方法、显示基板,该偏光电极包括:采用纳米压印技术在基底上形成的:第一线栅,对应于像素开口区,用于透过入射光;第二线栅,覆盖于像素开口区周边的非开口区,用于遮挡入射光。本发明减少了传统的黑色矩阵制程,提高了遮光精度,节省了制作黑色矩阵所需的光罩、工艺及材料等成本,而且提高了生产效率。 |
25 |
一种薄膜图案及形成方法、显示装置 |
CN201610452270.5 |
2016-06-21 |
CN106094426A |
2016-11-09 |
张斌; 周婷婷; 何晓龙; 孙雪菲 |
本发明提供了一种薄膜图案及形成方法、显示装置,涉及显示技术领域,该方法无需采用转印和刻蚀即可形成薄膜图案,工艺简单,生产成本低、时间短;还可避免因多次转印产生的误差,提高薄膜图案的精度。该形成方法包括:将具有薄膜层的衬底基板与具有图案的压印模板接触,薄膜层的材料的熔点/软化点小于衬底基板的衬底和压印模板的材料的熔点/软化点;在加热条件下,采用压印模板对薄膜层进行压印,加热温度能够使得薄膜层软化或变为液态、衬底基板的衬底和压印模板保持原有状态;对压印后的压印模板和薄膜层降温,使得液态的薄膜层固化形成薄膜图案;将压印模板和形成有薄膜图案的衬底基板分离。本发明适用于薄膜图案的制作。 |
26 |
用于压印光刻的无缝大面积主模板的制造 |
CN201280062807.7 |
2012-12-19 |
CN104221127A |
2014-12-17 |
D·J·雷斯尼克; M·N·米勒; F·Y·徐 |
描述了形成可用于图案化包括例如线栅偏振器(WGP)的大面积光学装置的大面积模板的方法。这些方法提供这种大面积装置的无缝图案化。 |
27 |
压印存储器 |
CN201210319920.0 |
2012-09-01 |
CN103681511A |
2014-03-26 |
张国飙 |
高昂的数据掩膜版成本将极大地限制掩膜编程只读存储器(mask-ROM)的广泛应用。本发明提出一种压印存储器(imprintedmemory),尤其是三维压印存储器(three-dimensionalimprintedmemory,简称为3D-iP)。它采用采用压印法(imprint-lithography)来录入数据。压印法也称为纳米压印法(nano-imprintlithography,简称为NIL),其采用的数据模版(template)比光刻法采用的数据掩膜版成本价格更为低廉。 |
28 |
制造纳米压印模具的方法、利用由此制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及由此制造的发光二极管 |
CN201180037163.1 |
2011-10-28 |
CN103038038A |
2013-04-10 |
李钟览; 孙俊豪; 宋阳熙 |
本发明涉及制造纳米压印模具的方法、使用该纳米压印模具的发光二极管以及制造发光二极管的方法。本发明的制造发光二极管的方法包括:在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层的步骤;在p型氮化物半导体层上形成p型电极的步骤;在p型电极上形成导电基板的步骤;通过去除临时基板而露出n型氮化物半导体层的步骤;在n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层的步骤;通过将纳米压印模具按压在纳米压印抗蚀剂层上来将纳米图案转印到纳米压印抗蚀剂层上的步骤;将纳米压印模具与具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层分离开的步骤;以及通过刻蚀具有纳米图案的纳米压印抗蚀剂层的一部分来形成n型电极的步骤。本发明得到了一种制造可以有效地并经济地形成用于增强发光二极管的光提取效率的纳米压印模具的方法、制造发光二极管的方法以及利用纳米压印模具的发光二极管。 |
29 |
通过处理印模表面在基底上形成功能性材料的图案的方法 |
CN200880007421.X |
2008-03-20 |
CN101627337B |
2012-09-05 |
G·B·布朗谢特; 李喜现; G·D·杰科克斯 |
本发明提供了一种在基底上形成功能性材料的图案的方法。所述方法使用具有浮雕结构和至少10兆帕的弹性模量的弹性印模,所述浮雕结构具有凸起表面。对印模的至少凸起表面进行处理,处理方法是使印模暴露于热、辐射、电子、带电气流、化学流体、化学蒸汽、以及它们的组合以增强所述表面的润湿性。将功能性材料与液体的组合物施加到浮雕结构上,并移除所述液体以便在凸起表面上形成薄膜。弹性印模将功能性材料从所述凸起表面转移到基底上,从而在基底上形成功能性材料的图案。所述方法适于制造用于电子器件和组件的微电路。 |
30 |
制造母盘的方法以及制造光盘的方法 |
CN200910179414.4 |
2009-10-09 |
CN101714371B |
2012-02-29 |
增原慎; 中冲有克; 山崎刚; 行本智美 |
本发明涉及制造母盘的方法以及制造光盘的方法。一种制造母盘的方法包括以下步骤:在母盘形成衬底上形成无机抗蚀剂层,在无机抗蚀剂层的表面形成含有高折射率材料的保护薄膜以形成无机抗蚀剂母盘,其中高折射率材料的折射率n满足n≥曝光光学系统的NA,并且高折射率材料混合在光透过材料中;使用曝光光学系统从保护薄膜上方在无机抗蚀剂母盘上执行NA>1的近场曝光;将保护薄膜从经受了曝光的无机抗蚀剂母盘上分离;通过对分离了保护薄膜的无机抗蚀剂母盘的显影,形成包括曝光部分和未曝光部分的突起/凹陷图案。 |
31 |
模具制造方法 |
CN200610161878.9 |
2006-12-05 |
CN101097399B |
2012-01-04 |
金珍郁; 南研熙 |
本发明公开了一种通过容易地改变模具的表面能制造具有所需表面特性的模具的方法。该方法包括:在形成有第一图案的主基板和透明模具基板之间形成光可聚合树脂层;通过将所述树脂层曝光于透过所述透明模具基板的UV光而硬化该树脂层;以及通过在树脂层与模具基板结合的情况下将该已聚合的树脂层与所述主基板分离,形成具有凹陷形式的第二图案的模具,该凹陷是通过转印所述第一图案得到的,通过将已硬化的该树脂层直接曝光于第二UV光而第二次硬化已硬化的该树脂层,从而获得模具;其中,通过调节第一次和第二次硬化步骤中的第一和第二UV光强度和照射周期其中至少之一来改变该树脂层的表面能。 |
32 |
软模用抗蚀剂和使用其制造液晶显示器的方法 |
CN200710126891.5 |
2007-06-29 |
CN101097403B |
2011-04-20 |
南妍熙; 金珍郁 |
本发明提供软模用抗蚀剂和使用其制造液晶显示器的方法。本发明提供用于软光刻的软模抗蚀剂、制造软模的方法、以及使用软模来制造液晶显示装置的方法,其中,所述软模包括亲水液态预聚物、光引发剂以及表面活性剂。通过将软模抗蚀剂涂覆到底板或模板并且将预定图案从模板转印到软模抗蚀剂,从而形成软模。通过将软模施加于覆盖在薄膜上的刻蚀抗蚀剂层、并且将预定图案转印到刻蚀抗蚀剂、接着使用该刻蚀抗蚀剂作为掩模对薄膜进行刻蚀,从而形成显示器。执行附加的工艺步骤,以形成液晶显示装置。 |
33 |
用以产生具有嵌段共聚物的定向总成的纳米尺寸特征的方法 |
CN200980104066.2 |
2009-01-30 |
CN101971093A |
2011-02-09 |
丹·B·米尔沃德; 古尔特杰·S·桑胡 |
本发明提供用于制造用于对衬底进行图案化的印模和系统的方法,和由所述方法产生的装置。 |
34 |
用于制备微结构化制品的工具 |
CN200880106064.2 |
2008-09-02 |
CN101795961A |
2010-08-04 |
莫塞斯·M·大卫 |
本发明描述了一种用于制备微结构化制品的方法,该方法包括:(1)在基底上形成第一微结构化图形;(2)复制第一微结构化图形以在挠性材料中制备第二微结构化图形;(3)多次复制第二微结构化图形以在可交联的材料中形成第三微结构化图形,从而在第一载体上制备工具;以及(4)在聚合物中复制第三微结构化图形以制备至少一个微结构化制品。 |
35 |
软模用抗蚀剂和使用其制造液晶显示器的方法 |
CN200710126891.5 |
2007-06-29 |
CN101097403A |
2008-01-02 |
南妍熙; 金珍郁 |
本发明提供软模用抗蚀剂和使用其制造液晶显示器的方法。本发明提供用于软光刻的软模抗蚀剂、制造软模的方法、以及使用软模来制造液晶显示装置的方法,其中,所述软模包括亲水液态预聚物、光引发剂以及表面活性剂。通过将软模抗蚀剂涂覆到底板或模板并且将预定图案从模板转印到软模抗蚀剂,从而形成软模。通过将软模施加于覆盖在薄膜上的刻蚀抗蚀剂层、并且将预定图案转印到刻蚀抗蚀剂、接着使用该刻蚀抗蚀剂作为掩模对薄膜进行刻蚀,从而形成显示器。执行附加的工艺步骤,以形成液晶显示装置。 |
36 |
模具制造方法 |
CN200610161878.9 |
2006-12-05 |
CN101097399A |
2008-01-02 |
金珍郁; 南研熙 |
本发明公开了一种通过容易地改变模具的表面能制造具有所需表面特性的模具的方法。该方法包括:在形成有第一图案的主基板和透明模具基板之间形成光可聚合树脂层;通过将所述树脂层曝光于透过所述透明模具基板的UV光而硬化该树脂层;以及通过在树脂层与模具基板结合的情况下将该已聚合的树脂层与所述主基板分离,形成具有凹陷形式的第二图案的模具,该凹陷是通过转印所述第一图案得到的。 |
37 |
用于压印工艺中的改性金属模 |
CN200580017305.2 |
2005-05-27 |
CN101010632A |
2007-08-01 |
马赛厄斯·基尔; 戈兰·弗伦尼森; 马克·贝克; 巴巴克·海达里 |
本发明涉及具有抗粘特性的、包含基底金属模和抗粘层的新型金属模,所述抗粘层包含包括磷原子和烃基链的氟化烃基磷酸衍生物或氟化烃基多磷酸衍生物。所述抗粘层直接结合在所述基底金属模的表面上。所述基底金属模可为例如镍,和所述氟化烃基磷酸衍生物或所述氟化烃基多磷酸衍生物可选自膦酸、次膦酸、膦酸酯和膦酸盐、次膦酸酯和次膦酸盐,或它们各自的低聚物,从而使得所述磷原子直接偶联到所述烃基链上。 |
38 |
有关模板的制造方法和制成的模板 |
CN01809984.X |
2001-04-10 |
CN1236359C |
2006-01-11 |
巴贝克·海达里 |
一种模板制造的方法,优选用于纳米压印光刻,其中模板包括一个第一材料的平板(1)和布置在板上的第二材料的三维结构(6,8),在本方法中,为了形成所述结构,所述第二材料引入加在所述板上。依照本发明,通过至少150℃的热处理,所述第二材料然后与所述第一材料的板固定,用于制造所述模板。本发明还涉及用本方法制造的模板。 |
39 |
纳米压印光刻胶 |
CN03811209.4 |
2003-04-09 |
CN1653391A |
2005-08-10 |
W·史比斯; 北文雄; M·梅尔; A·吉尔; M·曼尼戈; P·W·奥利维拉; H·施密特 |
本发明涉及一种电子元件的微结构化方法,其提供高分辨率(≤200纳米)和良好纵横比,但明显比照相平版印刷法更为经济。根据本发明的方法包括下列步骤:i)制备如权利要求1的纳米复合材料组合物的未固化的平面溶胶膜;ii)制备由底涂层b)和载体c)组成的目标底材;iii)借助微结构化的转移压印冲头将得自i)的溶胶膜材料转移至ii)中的底涂层b)上;iv)将转移的溶胶膜材料予以固化;v)移除转移压印冲头,得到压印的微结构作为顶涂层a)。微结构化的半导体材料的制备另外包括下列步骤:vi)等离子体蚀刻残余的纳米复合材料溶胶膜层,优选用CHF3/O2等离子体,vii)等离子体蚀刻底涂层,优选用O2等离子体,viii)蚀刻半导体材料或者在经蚀刻区域掺杂半导体材料。 |
40 |
有关模板的制造方法和制成的模板 |
CN01809984.X |
2001-04-10 |
CN1434930A |
2003-08-06 |
巴贝克·海达里 |
一种模板制造的方法,优选用于纳米压印光刻,其中模板包括一个第一材料的平板(1)和布置在板上的第二材料的三维结构(6,8),在本方法中,为了形成所述结构,所述第二材料引入加在所述板上。依照本发明,通过至少150℃的热处理,所述第二材料然后与所述第一材料的板固定,用于制造所述模板。本发明还涉及用本方法制造的模板。 |