子分类：
- G03F7/0002： .{应用除那些涉及放射线曝光方法外的背景重叠方法的平版印刷加工;例如压印}
- G03F7/0005： .{就以平版印刷加工或因此所使用的材料来区分的光学设备或元件的产品}
- G03F7/0012： .{制造过程中黏性平版印刷材料的用途,例如:用于安装;平版印刷材料的包装;通过加工照相平版印刷材料获得的包装}
- G03F7/0015： .{光圈装置的生产,多微孔系统或印记}
- G03F7/0017： .{用于压纹,切割或或类似装置的生产;用于铸造装置的生产}
- G03F7/002： .{应用包括微囊的材料;准备或加工此类材料,例如:通过加压;因此专门设计的装置或设备}
- G03F7/0035： .{多次加工,例如:对在前一步骤中已有保护层的加更深的保护层,加工有图案或纹路的表面}
- G03F7/0037： .{三维立体图像产品}
- G03F7/004： .感光材料(G03F7/12,G03F7/14优先)
- G03F7/12： .网屏印刷模或类似印刷模的制作,例如,镂花模版的制作
- G03F7/14： .珂罗版印刷模的制作
- G03F7/16： .涂层处理及其设备(用于基底材料涂层一般入B05;用于摄影目的而施加到基底上的感光成分入G03C1/74)
- G03F7/20： .曝光及其设备(复制用照相印制设备入G03B27/00)
- G03F7/26： .感光材料的处理及其设备(G03F7/12至G03F7/24优先)
- G03F7/70： .{用于显微光刻的曝光装置}
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 一种制备微流控芯片模板的方法 | CN201610827921.4 | 2016-09-18 | CN106154746A | 2016-11-23 | 吴志刚; 刘振华; 徐文超; 张硕; 彭鹏; 张攀; 邓杰 |
| 本发明公开了一种制备微流控芯片模板的方法，其包括如下步骤：S1将光刻胶涂覆在平面基底上，光刻胶的涂覆厚度为1微米～100微米；S2对涂覆在平面基底的光刻胶进行前烘处理，以挥发掉光刻胶内部的溶剂，从而使光刻胶固化而表面变得平整；S3将设计好的微流控芯片模板的图案发送到紫外激光器中，紫外激光在激光器中聚焦成一束光斑，根据设计好的图案驱动光斑移动对步骤S2中覆盖在基底上的光刻胶直接进行曝光；S4清洗掉不需要的光刻胶，获得微流控芯片模板。本发明方法通过激光直写技术和光刻技术，快速灵活地加工微流控芯片模板，从而能降低芯片的加工成本，缩短芯片加工周期。 | ||||||
| 62 | 钝化组合物及其应用 | CN201610785312.7 | 2014-01-21 | CN106125414A | 2016-11-16 | 陈威凯; 吴督宜 |
| 一种钝化组合物以及使用该组合物以形成导电图案的方法，其中该组合物包含一氧化剂、一具通式M(OH)n的无机碱以及一溶剂，其中M为金属离子且n为该金属离子的价数，该方法包含以下步骤：(a)于一基材上形成一聚合物导电层，以提供一导电基材，其中该聚合物导电层包括一对应于导电图案的导电区域的第一区域及一对应于导电图案的非导电区域的第二区域；以及(b)使用该钝化组合物对该第二区域进行一钝化处理，以降低该第二区域的导电度。 | ||||||
| 63 | 组合物和用于制备基材上图案的方法 | CN201310390794.2 | 2013-08-30 | CN103665726B | 2016-08-17 | 顾歆宇; 张诗玮; R·夏尔马; V·靳兹伯格; P·赫斯塔德; J·温霍尔德; P·特雷福纳斯 |
| 本发明提供了一种共聚物组合物和一种加工基材以在基材上形成线条间距特征的方法。 | ||||||
| 64 | 抗蚀剂下层膜形成用组合物和使用了该组合物的抗蚀剂图案的形成方法 | CN201180055104.7 | 2011-11-11 | CN103221888B | 2016-06-29 | 坂本力丸; 藤谷德昌; 远藤贵文; 大西龙慈; 何邦庆 |
| 本发明的课题在于：本发明的目的是得到虽然包含苯环等芳香族环，但干蚀刻速度的选择比大、而且对降低在EUV(波长13.5nm)光刻中成为大问题的LER有用的用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。另外，本发明的目的是得到使抗蚀剂下层膜上的抗蚀剂图案形成所期望的形状的、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为本发明的解决问题的方法是，一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其特征在于，包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的。 | ||||||
| 65 | 嵌段共聚物自组装制造纳米结构的方法 | CN201610066983.8 | 2016-01-29 | CN105565260A | 2016-05-11 | 孟令款; 闫江 |
| 本发明提供了一种嵌段共聚物自组装制造纳米结构的方法，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成掩模层；在所述掩模层上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成嵌段共聚物；对所述嵌段共聚物进行定向自组装，分别形成由所述嵌段共聚物的第一组分和第二组分构成的第一区域和第二区域；在所述第二区域中选择性沉积金属氧化物，形成增强的第二区域；选择性地去除所述第一区域并保留所述增强的第二区域以形成预定图案；利用所述预定图案对所述缓冲层进行刻蚀以形成缓冲层图案；以所述缓冲层图案为掩模，对所述掩模层进行刻蚀，以形成掩模层图案。由于在本发明的方法中引入了缓冲层，能够得到高保真和重复性好的刻蚀结构。 | ||||||
| 66 | 一种电润湿制备工艺过程中基板表面残留物的检测方法 | CN201610015667.8 | 2016-01-08 | CN105467578A | 2016-04-06 | 周国富; 吴昊; 李发宏; 罗伯特·安德鲁·海耶斯 |
| 本发明公开了一种电润湿制备工艺过程中基板表面残留物的检测方法，通过在非器件区域设置若干测试区域，测试区域经过和器件区域同样的处理，作为参照，由于测试区域面积足够，便于测量，这样可以在制备过程中，即时获得基板的表面接触角，得知其表面性质，检测残留物，及时作出处理。从而提高了器件的良率，改善了产品质量。 | ||||||
| 67 | 检测器、压印装置以及物品制造方法 | CN201510210155.2 | 2012-10-16 | CN104792344A | 2015-07-22 | 岩井俊树; 三岛和彦; 前田普教; 箕田贤 |
| 一种检测器、压印装置以及物品制造方法，该检测器用于检测由形成在第一和第二物体上的标记衍射的衍射光分量的干涉光，该检测器包括：照明光学系统，被配置为形成包括第一极和第二极的强度分布，第一极和第二极对布置在第一物体上的第一标记和布置在第二物体上的第二标记进行照明；以及检测光学系统，被配置为检测由被照明光学系统照明的第一标记和第二标记衍射的光分量的干涉光。检测光学系统检测当第一极的光被照射在第一标记和第二标记上并被第一标记和第二标记衍射时生成的衍射光分量的干涉光。检测光学系统不检测当第二极的光被照射在第一标记和第二标记上并被第一标记和第二标记衍射时生成的衍射光分量。 | ||||||
| 68 | 定向自组装图案形成方法和组合物 | CN201410858452.3 | 2014-12-31 | CN104749905A | 2015-07-01 | 朴钟根; 孙纪斌; C·D·吉尔默; 张洁倩; P·D·胡斯塔德; P·特雷弗纳三世; K·M·奥康纳 |
| 一种通过定向自组装形成图案的方法，包括：(a)提供半导体基材，其包括一个或多个将被图案化的层；(b)在一个或多个将被图案化的层上施加可交联的底层组合物以形成可交联底层，其中所述可交联的底层组合物包括可交联聚合物，其包括具有以下通式(I-A)或(I-B)的第一单元：其中：P是可聚合官能团；L是单键或m+1价连接基团；X1是单价供电子基团；X2是二价供电子基团；Ar1和Ar2分别为三价和二价芳基，且环丁烯的环碳原子与Ar1或Ar2的相同芳环上的邻近碳原子键合；m和n均为1以上的整数；且每个R1是独立的单价基团；(c)加热可交联底层以形成交联的底层；(d)在交联的底层上形成包括嵌段共聚物的自组装层；和(e)将自组装层退火。所述方法和组合物被发现特别适用于形成高分辨率图案的半导体装置和数据存储装置的制备。 | ||||||
| 69 | 图案形成方法、压模的制造方法以及磁记录介质的制造方法 | CN201410165545.8 | 2014-04-23 | CN104732987A | 2015-06-24 | 泷泽和孝; 岩崎刚之; 竹尾昭彦 |
| 本发明的目的在于得到图案尺寸精度良好的图案形成方法。根据实施方式，可得到一种图案形成方法，其中，包含：在基板上形成被加工层的工序；将含有金属微粒与溶剂的金属微粒涂敷液涂敷到被加工层上以形成金属微粒层的工序；通过第1蚀刻降低金属微粒周围的保护基量的工序；暴露于包含C与F的气体中并使气体吸附于金属微粒周围而形成保护层的工序；以及通过第2蚀刻将凸图案向该被加工层复制的工序。 | ||||||
| 70 | 纳米尺度下大面积散射场的快速测量方法及装置 | CN201410855944.7 | 2014-12-31 | CN104501738A | 2015-04-08 | 刘世元; 杜卫超; 张传维; 谭寅寅 |
| 本发明公开了一种纳米尺度下快速大面积海量散射场测量的装置，包括：起偏端，用于将光束进行调制得到一定偏振态的光束；检偏端，用于将偏振态光束进行解调以获得样品信息；还包括物镜和第一透镜，待测样品位于物镜的前焦面上，偏振态光束经过该第一透镜聚焦在物镜的后焦面，待测样品散射光被物镜收集并成像于其后焦面，进而成像于图像采集装置上；以及扫描振镜，用于使得所述物镜出射到样品上的光束角度改变，获得待测样品不同入射角下的散射场分布图像，实现对待测样品纳米尺度下的快速精确的形貌测量。本发明还公开了相应的测量方法。本发明可以实现对待测样品多入射角下散射场快速采集，获得待测样品散射场在物镜后焦面上分布。 | ||||||
| 71 | 硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置 | CN201410063061.2 | 2014-02-24 | CN104253024A | 2014-12-31 | 崔有廷; 金润俊; 金古恩; 金永珉; 金惠廷; 文俊怜; 朴曜徹; 朴裕信; 朴惟廷; 宋炫知; 辛乘旭; 尹龙云; 李忠宪; 洪承希 |
| 本发明公开了硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置，其中该硬掩模组合物包括由以下化学式1表示的单体、包含由以下化学式2表示的部分的聚合物、包含由以下化学式3表示的部分的聚合物、或者它们的组合，以及溶剂。在以下化学式1至3中，A、A′、A″、L、L′、X、X′、m、n、Ar、B、Xa以及Xb与具体实施方式中限定的相同。[化学式1][化学式2][化学式3] | ||||||
| 72 | 形成取样光栅的方法以及制作激光二极管的方法 | CN201210230062.2 | 2012-07-04 | CN102866443B | 2014-07-16 | 柳沢昌辉 |
| 本发明公开了一种形成取样光栅的方法以及制作激光二极管的方法。形成取样光栅的方法包括下述步骤：制备衬底；制备纳米压印模具，其包括其上周期性地形成有凸起和凹陷的图案表面；制备掩模，其包括交替地设置的光遮挡部分和光透射部分；将光致抗蚀剂层和树脂部按序形成在衬底上；通过按压模具的图案表面使其与树脂部接触并且在保持接触的同时硬化树脂部来形成具有凸起和凹陷的图案化树脂部；通过利用通过掩模和图案化树脂部的曝光光来照射光致抗蚀剂层而曝光光致抗蚀剂层的一部分；通过显影光致抗蚀剂层来形成图案化光致抗蚀剂层；以及使用该图案化光致抗蚀剂层蚀刻衬底。 | ||||||
| 73 | 硬掩模组合物的单体、硬掩模组合物及形成图案的方法 | CN201310535509.1 | 2013-11-01 | CN103910610A | 2014-07-09 | 李范珍; 金润俊; 赵娟振 |
| 本发明披露了一种硬掩模组合物的单体、硬掩模组合物及形成图案的方法。具体地，本发明披露了由以下化学式1表示的用于硬掩模组合物的单体、包含该单体的硬掩模组合物、以及利用硬掩模组合物来形成图案的方法。在化学式1中，A1至A4、X1至X3、M和n与在具体实施方式中描述的相同，[化学式1] | ||||||
| 74 | 超疏水薄膜片材的制备方法 | CN201280045937.X | 2012-07-19 | CN103814428A | 2014-05-21 | 李东原; 高建; 朴昇桓; 李使命; 朴终成 |
| 本发明涉及一种超疏水薄膜片材的制备方法。本发明的目的在于提供一种超疏水薄膜片材的制备方法，其通过调节光致抗蚀剂的固化时间及次数来生成形成有突起的结构物，使得所述结构物具有如实际荷叶般的超疏水效果，并通过涂覆具有疏水性的透明材质的聚合物聚二甲基硅氧烷，从而具有超疏水性表面。用于实现这种目的的本发明包括如下工序：（a）清洗硅晶圆的表面；（b）利用旋涂法，在硅晶圆的上部涂覆光致抗蚀剂即感光剂-AZ4620，并利用烘箱实施软烘焙；（c）利用掩模对准器，对通过所述（b）工序制得的结构物进行曝光；（d）利用光致抗蚀剂显影液-AZ400K进行显影；（e）在通过所述（d）工序制得的结构物的上部实施聚二甲基硅氧烷模压成型；以及（f）通过利用丙酮去除光致抗蚀剂-AZ4620来完成其末端具有突起的超疏水薄膜片材。 | ||||||
| 75 | 薄膜图案的制造方法、显示基板 | CN201410015561.9 | 2014-01-14 | CN103760749A | 2014-04-30 | 徐利燕; 田明; 王俊伟 |
| 本发明提供薄膜图案的制造方法、显示基板，涉及显示技术领域。在显示基板的生产和加工过程中，能够避免掩膜板的使用。通过在基板上形成待图案化的第一薄膜层，并在该第一薄膜层的表面形成第一覆盖层，通过光束熔损的方法形成第一覆盖层图案，然后将上述第一覆盖层图案未覆盖的第一薄膜层去除掉，从而形成第一薄膜层图案。 | ||||||
| 76 | 组合物和用于制备基材上图案的方法 | CN201310390794.2 | 2013-08-30 | CN103665726A | 2014-03-26 | 顾歆宇; 张诗玮; R·夏尔马; V·靳兹伯格; P·赫斯塔德; J·温霍尔德; P·特雷福纳斯 |
| 本发明提供了一种共聚物组合物和一种加工基材以在基材上形成线条间距特征的方法。 | ||||||
| 77 | 在聚合物基材表面形成可以剥离的弹性体掩模板的方法 | CN201210275064.3 | 2012-08-03 | CN103579531A | 2014-02-12 | 闵军辉; 张莹; 苏璇 |
| 一种在聚合物基材表面形成可剥离弹性体掩模板的方法，包括以下步骤：第一步，聚合物基材表面预先形成提高粘结性的涂层；第二步，然后利用光刻工艺在聚合物基材表面形成由光刻胶构成的与掩模板互补的图形；第三步，再形成一定厚度的弹性体涂层；第四步，去除光刻胶，获得了可以剥离的弹性体掩模板。通过该弹性体掩模板可以用于在聚合物基材上形成图形化的光电功能器件。 | ||||||
| 78 | 含聚酰亚胺的膜层及蚀刻含聚酰亚胺的膜层的方法 | CN201210315755.1 | 2012-08-30 | CN103571189A | 2014-02-12 | 林志成; 吕奇明 |
| 本发明提出一种含聚酰亚胺的膜层及一种蚀刻含聚酰亚胺的膜层的方法。该用于碱性蚀刻的含聚酰亚胺的膜层可包含：20-50重量份的无机氧化物粒子；以及50-80重量份的聚酰亚胺。 | ||||||
| 79 | 发光装置的光量均衡检测方法 | CN201210313971.2 | 2012-08-29 | CN103487235A | 2014-01-01 | 吉田治信; 张子良; 彭柏雄 |
| 一种光量均衡检测方法，适用于包含多个发光元件的发光装置。首先，置放发光装置至光感测设备的感光区域中。接着，执行N次下列步骤：于第n次执行时，点亮第n+i×N个发光元件，其中i为0或正整数，n小于或等于N，且n与N为正整数，并以光感测设备检测发光元件的发光而产生扫描影像。最后，比较由前述N次步骤所产生的扫描影像中对应发光元件的亮点是否一致，并输出表示发光装置为正常品或不良品的输出信号。 | ||||||
| 80 | 以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法 | CN201310143414.5 | 2013-04-23 | CN103378229A | 2013-10-30 | 李崇民; 李恩加 |
| 本发明是有关于一种以填胶烧结方式制造选择性成长遮罩的方法，包括有下列步骤：提供蓝宝石基板，形成氮化镓基层，涂布光刻胶层，进行压印及曝光显影，进行填胶以及进行烧结。本发明的制造方法可以在大气环境中制造，无须抽真空，快速简便又成本低廉。以本发明的方法所制造的选择性成长遮罩，可使纳米柱的成长更容易成为柱状体，且与蓝宝石基板及氮化镓基层相垂直，每一纳米柱彼此间更相互平行。 | ||||||
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