1.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的，上述聚合物具有下述式(1a)和下述式(1b)所示的重复结构单元作为主链，
式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的烷基、羟基、甲氧基、硫醇基、乙酰基、硝基、烯丙基、苯基或萘基，A1、A2、A3、A4、A5和A6分别独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示2个碳原子之间的二价有机基团，
在上述式(1b)中，Q用下述式(2)表示，
式中，Q1表示碳原子数1～10的亚烷基、具有碳原子数3～10的脂环式烃环的二价有机基团、亚苯基、亚萘基或亚蒽基，上述亚苯基、亚萘基和亚蒽基分别可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少一种基团取代。
2.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的，上述聚合物具有下述式(1a)和下述式(1b)所示的重复结构单元作为主链，
式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的烷基、羟基、甲氧基、硫醇基、乙酰基、硝基、烯丙基、苯基或萘基，A1、A2、A3、A4、A5和A6分别独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示2个碳原子之间的二价有机基团，
在上述式(1b)中，Q用下述式(3)表示，
式中，X1表示下述式(4)或下述式(5)，
式中，R5和R6分别独立地表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、苄基或苯基，上述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少一种基团取代，上述R5和R6可以彼此结合而形成碳原子数3～6的环。
3.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的，上述聚合物具有下述式(1a)和下述式(1b)所示的重复结构单元作为主链，
式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的烷基、羟基、甲氧基、硫醇基、乙酰基、硝基、烯丙基、苯基或萘基，A1、A2、A3、A4、A5和A6分别独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示2个碳原子之间的二价有机基团，
在上述式(1b)中，Q用下述式(6)表示，
式中，R7表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、苄基或苯基，上述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少一种基团取代。
4.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的，上述聚合物具有下述式(1a)和下述式(1b)所示的重复结构单元作为主链，
式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的烷基、羟基、甲氧基、硫醇基、乙酰基、硝基、烯丙基、苯基或萘基，A1、A2、A3、A4、A5和A6分别独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示2个碳原子之间的二价有机基团，
上述聚合物进一步具有下述式(7)所示的重复结构单元，
5.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的，上述聚合物具有下述式(1a)和下述式(1b)所示的重复结构单元作为主链，
式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的烷基、羟基、甲氧基、硫醇基、乙酰基、硝基、烯丙基、苯基或萘基，A1、A2、A3、A4、A5和A6分别独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示2个碳原子之间的二价有机基团，
上述聚合物是下述式(8a)所示的至少一种化合物与下述式(8b)所示的至少一种化合物的加聚反应生成物，
式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的烷基、羟基、甲氧基、硫醇基、乙酰基、硝基、烯丙基、苯基或萘基，
式中，A1、A2、A3、A4、A5和A6分别独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示2个碳原子之间的二价有机基团，
在上述式(8b)中，Q用下述式(9)表示，
式中Q1表示碳原子数1～10的亚烷基、具有碳原子数3～10的脂环式烃环的二价有机基团、亚苯基、亚萘基或亚蒽基，上述亚苯基、亚萘基和亚蒽基分别可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少一种基团取代。
6.根据权利要求5所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述式(8b)所示的化合物用下述式(10)表示，
式中，Y表示碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基或碳原子数1～6的烷硫基，m表示0～4的整数，在上述m是2～4的情况下，上述Y可以相同也可以不同。
7.一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物和溶剂，上述聚合物是将二苯砜或其衍生物介由醚键导入该聚合物的主链而得的，上述聚合物具有下述式(1a)和下述式(1b)所示的重复结构单元作为主链，
式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的烷基、羟基、甲氧基、硫醇基、乙酰基、硝基、烯丙基、苯基或萘基，A1、A2、A3、A4、A5和A6分别独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示2个碳原子之间的二价有机基团，
上述聚合物是下述式(8a)所示的至少一种化合物与下述式(8b)所示的至少一种化合物的加聚反应生成物，
式中，R1、R2、R3和R4分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的烷基、羟基、甲氧基、硫醇基、乙酰基、硝基、烯丙基、苯基或萘基，
式中，A1、A2、A3、A4、A5和A6分别独立地表示氢原子、甲基或乙基，Q表示2个碳原子之间的二价有机基团，
在上述式(8b)中，Q用下述式(11)表示，
式中，R7表示碳原子数1～6的烷基、碳原子数3～6的烯基、苄基或苯基，上述苯基可以被选自碳原子数1～6的烷基、卤原子、碳原子数1～6的烷氧基、硝基、氰基和碳原子数1～6的烷硫基中的至少一种基团取代。
8.根据权利要求1～7的任一项所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含交联性化合物。
9.根据权利要求8所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其进一步包含促进交联反应的化合物。
10.根据权利要求8所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述交联性化合物是具有2～4个被羟甲基或烷氧基甲基取代的氮原子的含氮化合物。
11.根据权利要求9所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，上述促进交联反应的化合物是选自磺酸化合物和热产酸剂中的至少一种。
12.一种在半导体装置的制造中使用的抗蚀剂图案的形成方法，其包括以下工序：将权利要求1～11的任一项所述的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物涂布在半导体基板上，烘焙而形成抗蚀剂下层膜的工序；在上述抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜的工序；将被上述抗蚀剂下层膜和上述抗蚀剂膜覆盖的半导体基板进行曝光的工序；以及，曝光后将上述抗蚀剂膜进行显影的工序。
13.根据权利要求12所述的抗蚀剂图案的形成方法，上述曝光使用极紫外线进行。