子分类：
- H01L21/00：专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
- H01L23/00：半导体或其他固态器件的零部件
- H01L25/00：由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
- H01L27/00：由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
- H01L29/00：专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
- H01L31/00：对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件
- H01L33/00：至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件
- H01L35/00：包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件
- H01L37/00：不具有不同材料结点的热电器件；热磁器件，例如应用Nernst-Ettinghausen效应的；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L39/00：应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L41/00：一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件
- H01L43/00：应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L45/00：无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L47/00：体负阻效应器件，例如耿氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L49/00：不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L51/00：使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 用于基板处理腔室的灯和窗配置 | CN202380070757.5 | 2023-09-28 | CN119908162A | 2025-04-29 | 文卡特斯瓦兰·苏巴拉曼; 拉贾·穆拉利·达莫哈兰 |
| 本案涉及用于处理腔室的热源（例如，灯）及窗，以及相关方法。在一或多个实施例中，适用于半导体制造的灯包括沿着弓形轮廓的至少一分段延伸的灯泡管。灯泡管界定弓形中央开口。灯包括位于弓形中央开口中的灯丝。灯丝沿着弓形轮廓的至少所述分段延伸。灯包括形成在灯泡管的外表面的第一部分上的反射涂层。 | ||||||
| 2 | 用于针对用于电动车辆的逆变器的去耦电容器的系统和方法 | CN202380067131.9 | 2023-09-26 | CN119908072A | 2025-04-29 | S·R·扎拉巴迪; M·W·戈塞; D·P·布赫勒 |
| 一种系统包括：逆变器，所述逆变器被配置为将来自电池的DC功率转换为AC功率以驱动马达，其中所述逆变器包括：第一去耦电容器，所述第一去耦电容器被配置为连接到所述电池的正极连接件和所述电池的负极连接件；以及第一功率模块，所述第一功率模块包括：第一上部相切换件，所述第一上部相切换件被配置为控制所述电池的所述正极连接件与所述马达的第一相连接件之间的第一上部相电流，以及第一下部相切换件，所述第一下部相切换件被配置为控制所述电池的负极连接件与所述马达的所述第一相连接件之间的第一下部相电流。 | ||||||
| 3 | 接合基板和接合基板的制造方法 | CN202380067372.3 | 2023-09-20 | CN119908070A | 2025-04-29 | 丸子拓也; 岩田浩一; 菊地弘一; 千叶理树; 横田裕章 |
| 提供了具有高接合强度的接合基板，其中抑制了空隙的形成。根据本公开的一方面的接合基板是第一基板和第二基板通过它们的接合面彼此接合的接合基板。第一基板在接合面侧具有第一改性层，第二基板在接合面侧具有第二改性层。根据本公开的一方面的用于接合基板的制造方法是用于第一基板和第二基板彼此接合的接合基板的制造方法，该方法包括：等离子体处理第一基板的表面，以在第一基板的表面上形成第一改性层；等离子体处理第二基板的表面，以在第二基板的表面上形成第二改性层；在第一改性层和第二改性层面向彼此的状态下将第一基板和第二基板彼此暂时接合；以及对暂时接合的基板进行退火，以将第一基板和第二基板彼此接合。 | ||||||
| 4 | 用于针对用于电动车辆的逆变器的三通道电隔离器的系统和方法 | CN202380067127.2 | 2023-09-26 | CN119908065A | 2025-04-29 | M·W·戈塞 |
| 一种系统包括：逆变器，所述逆变器被配置为将来自电池的DC功率转换为AC功率以驱动马达，其中所述逆变器包括：上部相多芯片模块，所述上部相多芯片模块包括：低电压上部相控制器；高电压上部相A控制器；上部相A电隔离器，所述上部相A电隔离器将所述低电压上部相控制器连接到所述高电压上部相A控制器；高电压上部相B控制器；上部相B电隔离器，所述上部相B电隔离器将所述低电压上部相控制器连接到所述高电压上部相B控制器；高电压上部相C控制器；以及上部相C电隔离器，所述上部相C电隔离器将所述低电压上部相控制器连接到所述高电压上部相C控制器。 | ||||||
| 5 | 半导体装置 | CN202480003976.6 | 2024-02-27 | CN119908035A | 2025-04-29 | 富田悠志 |
| 本发明涉及一种半导体装置。一个实施方式的半导体装置包括半导体元件、第1导电体、第1电极、第2导电体、第2电极以及罩。半导体元件沿着第1面扩展，包括第1表面、与第1表面对置的第2表面、以及遍及到第1表面的端部和第2表面的端部的第3表面，并包括设置在包括第1表面的区域中的第1电极焊盘、以及设置在包括第2表面的区域中的第2电极焊盘。第1导电体与第1电极焊盘相接。第1电极与第1导电体相接。第2导电体与第2电极焊盘相接。第2电极与第2导电体相接。罩是包括第1部分、第2部分及第3部分的树脂罩。第1部分覆盖第3表面。第2部分与第1部分连接，且与第1表面对置。第3部分与第1部分连接，与第2表面对置，且与第2部分一起夹持半导体元件。 | ||||||
| 6 | 用于制造电子器件的方法和电子器件 | CN202380067628.0 | 2023-09-12 | CN119908032A | 2025-04-29 | 托马斯·施瓦茨 |
| 一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供电子半导体芯片，其中在电子半导体芯片的接触侧处构成有第一接触面和第二接触面，其中第一接触面和第二接触面以第一高度突出超过接触侧的位于第一接触面和第二接触面之间的部段；提供载体，其中在载体的上侧处构成有第一配合接触面和第二配合接触面，其中第一配合接触面和第二配合接触面以第二高度突出超过载体的上侧的位于第一配合接触面和第二配合接触面之间的部段，其中第一高度大于或等于零并且第二高度大于、小于或等于零，其中作为第一高度和第二高度的总和形成的总高度大于零；将胶囊设置在配合接触面上，其中胶囊分别具有坚固的外壳，所述外壳包围过冷的金属液体，其中胶囊分别具有小于总高度的直径；以及将电子半导体芯片按压到载体上，使得电子半导体芯片的接触面按压到载体的配合接触面上，其中设置在接触面和配合接触面之间的胶囊的外壳裂开并且金属液体润湿接触面和配合接触面。 | ||||||
| 7 | 具有改进的温度一致性的晶圆载体组件 | CN202380067221.8 | 2023-08-04 | CN119908031A | 2025-04-29 | A·巴格基; S·克里希南; E·阿穆尔; M·昌斯基; Y·拉什科夫斯基; A·汉泽; M·范多伦; W·万加德三世 |
| 晶圆载体包括基座，基座包括大致平坦的底部表面和顶部表面，该顶部表面包括在顶部表面上方延伸的多个平台。晶圆载体包括限定多个凹槽的热盖。热盖被配置成通过至少一个紧固件耦合到基座，以及多个凹槽被布置成使得当热盖由从基座的顶部表面延伸的多个第一底座支撑时，多个凹槽中的每个凹槽与多个平台中的相应平台对齐。多个第二底座沿着用于支撑一个或多个晶圆的多个平台定位，其中每个平台包括至少一个第二底座，该第二底座从用于支撑一个晶圆的平台的顶部表面延伸。 | ||||||
| 8 | 用于制造在封装中的具有电极的功率半导体的方法、功率半导体的封装 | CN202380068000.2 | 2023-04-18 | CN119908027A | 2025-04-29 | J·莫兰德 |
| 本发明涉及用于制造功率半导体的封装的方法和包括功率半导体的封装。封装包括：在功率半导体的每个电极之上的导电层；在电极之上的导电层的部分之上的纳米线；在功率半导体的每一侧上并且在将两个电极分开的掩蔽膜的部分之上的经固化的预浸料；以及纳米线之上的导电层，在功率半导体的每个电极之上的导电层、纳米线、以及在纳米线之上的导电层形成单个导体单元。 | ||||||
| 9 | 半导体制造用导电柱模块前体、半导体制造用导电柱模块、半导体或半导体前体及其制造方法 | CN202380067762.0 | 2023-10-24 | CN119908026A | 2025-04-29 | 山崎亮介; 吉田伸; 陈翔铨 |
| 在现有技术中，无法获得一种不使用光刻技术的半导体制造用导电柱模块，该半导体制造用导电柱模块可以用于倒装芯片封装的基板的二次布线，或用于在后芯片(RDL优先)封装中形成再配置层(RDL)。本发明提供一种半导体制造用导电柱模块前体、半导体或半导体前体及其制造方法，所述半导体制造用导电柱模块前体具备由片状的树脂固化物担载有导电柱部件的结构，且具有对基板的足够的密合性、应力缓和性和耐久性。 | ||||||
| 10 | 层叠体 | CN202380068105.8 | 2023-09-21 | CN119907842A | 2025-04-29 | 西岛健太; 加藤友郁; 大西乡; 杉野贵志 |
| 一种层叠体，该层叠体包含用于捕捉自保持基板远离的元件的粘合片、以及层叠于所述粘合片的一方的面的剥离片，所述粘合片具备粘合层，所述粘合层在其表面具有凹凸，所述剥离片具备与所述粘合层接触的剥离层，所述剥离层在其表面具有凹凸，以剥离速度300mm/分钟测定出的所述剥离片相对于所述粘合片的剥离角度180°的剥离力为1000mN/50mm以下。 | ||||||
| 11 | 显示面板、显示面板的制备方法及电子设备 | CN202411376908.2 | 2024-09-29 | CN119907580A | 2025-04-29 | 白青; 祖朝; 杜永强; 姚远; 饶波 |
| 本申请实施例提供一种显示面板、显示面板的制备方法及电子设备，涉及显示技术领域。在显示面板中，隔离结构层包括多个测试元件组，测试元件组包括第一测试结构和第二测试结构，第一测试结构在基板上围合形成测试开口，第二测试结构位于测试开口内。第一导电层将第一测试结构和第二测试结构电连接，在至少部分测试元件组中，测试保护单元位于第一导电层之上。如此设计，测试保护单元可以对测试元件组以及第一导电层起到保护作用，避免在发光器件图案化过程中损伤到测试元件组以及第一导电层，从而导致搭接电阻的测量不准确的问题发生，可以提高搭接电阻测试的精确度。 | ||||||
| 12 | 巨量转移装置及巨量转移方法 | CN202411926394.3 | 2024-12-25 | CN119907384A | 2025-04-29 | 罗先刚; 张仁彦; 李雄; 李勋; 李维杰 |
| 本申请提供一种巨量转移装置及巨量转移方法，涉及显示技术领域。上述的巨量转移装置包括转移基板和照射光源，其中，转移基板包括相对设置的粘接侧与透光侧，照射光源的出光方向朝向透光侧。转移基板通过粘接侧粘接待转移的发光器件，并在照射光源作用下将发光器件转移至目标基板上，照射光源用于照射转移基板的透光侧，转移基板吸收光能以后将位于粘接侧的发光器件进行释放。在上述巨量转移装置中，采用由至少一个氙灯组成的照射光源为转移基板提供光能，不仅可以灵活调整单次照射的面积，提高单次转移发光器件的数量，提高转移效率，同时还无需使用诸如KrF、Cl2等稀有气体作为激光介质，有效降低生产成本。 | ||||||
| 13 | 一种TBC太阳能电池制备装置及方法 | CN202510101484.7 | 2025-01-22 | CN119907339A | 2025-04-29 | 沈琪琳; 李贺杰; 丰平 |
| 本发明公开了一种TBC太阳能电池制备装置及方法，TBC太阳能电池制备装置包括机体，所述机体上密封连接有第一密封门和第二密封门，所述机体内安装有机械手和激光掺杂机构，所述激光掺杂机构上安装有激光发射管，所述激光发射管上设有激光头，所述激光发射管上包覆有防护组件，所述TBC太阳能电池制备装置还包括移动机构和中央处理机构，所述激光发射管固定安装在移动机构上，所述移动机构用于驱动激光发射管在机体内移动。与现有技术相比，本发明的一种TBC太阳能电池制备装置及方法，能够保障TBC太阳能电池在激光掺杂时的浓度，确保电池的光电转换效率和发电效率的同时，还能大幅度减少废弃溶液的产生，有利于光伏行业的发展。 | ||||||
| 14 | 显示母板及其制备方法、显示面板及显示装置 | CN202411659031.8 | 2024-11-19 | CN119907304A | 2025-04-29 | 何停霞; 董正逵; 吴思宗; 许洋 |
| 本申请实施例提供了显示母板及其制备方法、显示面板及显示装置。显示母板包括至少一个显示面板区，以及位于显示面板区至少一侧的膜厚检测区，显示面板区包括显示区以及非显示区，制备方法包括：提供驱动基板，驱动基板包括：衬底基板，以及沿远离衬底基板的方向依次层叠设置在衬底基板一侧的金属层和保护层，金属层包括位于膜厚检测区的金属部，保护层包括位于膜厚检测区的保护部；在衬底基板上的正投影中，保护部覆盖所述金属部的至少一部分；去除保护部；在金属层背离衬底基板的一侧形成第一无机膜层，第一无机膜层包括位于膜厚检测区的膜厚检测部，膜厚检测部位于金属部背离衬底基板一侧的表面上。 | ||||||
| 15 | BCD半导体器件的制造方法 | CN202510073001.7 | 2025-01-16 | CN119907297A | 2025-04-29 | 崔燕雯; 严强生; 陈宏; 杨兴 |
| 本发明提供一种BCD半导体器件的制造方法，在衬底上沉积栅极多晶硅层，并形成图案化的光阻对所述栅极多晶硅层进行刻蚀，然后先后对衬底进行高温烘烤和低温UVC照射，之后进行离子注入以在形成P型体区。本发明将高温UVC照射拆分成先高温烘烤再低温UVC照射的方式，先高温将光阻改变到所需形貌，再低温UVC照射固化，改善了由于点光源照射角度不同导致光阻形貌不对称的问题，在P‑body离子注入时，光阻形貌对称，注入离子均匀，进而器件的阈值电压Vt在晶圆不同位置保持较高的一致性，提高了器件的可靠性。 | ||||||
| 16 | 一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片 | CN202411906649.X | 2024-12-23 | CN119907284A | 2025-04-29 | 谢梓翔; 廖勇波; 马颖江; 宋德超 |
| 本发明实施例提供了一种沟槽MOSFET器件、制造方法和芯片，器件包括沿第一方向交替排列的第一截面区、第二截面区和第三截面区；第一截面区、第二截面区和第三截面区均包括：N型衬底、外延层、第一沟槽、氧化层、第一N区、P阱区、N+区、第二沟槽、栅极和源极；外延层设于N型衬底的一侧；第一N区位于第一沟槽两侧的下方；N+区位于第一沟槽两侧；P阱区连接于N+区的下方；第二沟槽位于第一沟槽的底部；通过第一截面区的位于第二沟槽底部及拐角的P区起到的电场屏蔽作用，以及第三截面区的位于第一沟槽底部的P区起到的电场屏蔽作用，从而避免沟槽拐角处产生较强电场导致的器件损坏，提高了器件的可靠性。 | ||||||
| 17 | 处理源极/漏极区域的底部下方的电介质膜 | CN202410616479.5 | 2024-05-17 | CN119907280A | 2025-04-29 | 张廷祥; 柯忠廷; 廖书翎; 林颂恩; 徐志安 |
| 本申请公开了处理源极/漏极区域的底部下方的电介质膜。一种方法包括：在半导体区域之上形成栅极堆叠；蚀刻半导体区域以在栅极堆叠旁形成源极/漏极凹部；沉积第一电介质层，其中第一电介质层的一部分位于源极/漏极凹部中；对第一电介质层执行处理工艺；在第一电介质层上沉积第二电介质层；以及蚀刻第二电介质层和第一电介质层。第一电介质层的第一部分以及第二电介质层的第二部分保留在源极/漏极凹部的底部，以形成电介质区域。在源极/漏极凹部中并且电介质区域之上沉积源极/漏极区域。 | ||||||
| 18 | 一种耗尽型GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法 | CN202411835352.9 | 2024-12-13 | CN119907254A | 2025-04-29 | 白俊春; 汪福进; 程斌 |
| 本发明公开了一种耗尽型GaN HEMT垂直结构芯片及其制备方法，涉及耗尽型HEMT芯片制备技术领域，方法包括：在衬底上依次生长GaN漂移区、AlN插入层、AlXGa(1‑X)N势垒层和SiN介质帽层，然后通过离子注入形成隔离区域，光刻和刻蚀源极窗口，制作源极、栅极和漏极电极，并进行快速热退火处理形成欧姆接触，最后生长钝化层并光刻出电极引出区域。该方法通过精确控制生长参数和工艺步骤，确保了芯片的高质量和高性能，提高了芯片的电流传输能力、击穿电压、载流子迁移率和稳定性，为GaN HEMT器件的应用提供了有力支持。 | ||||||
| 19 | 电容结构和芯片组件 | CN202510071729.6 | 2025-01-16 | CN119907247A | 2025-04-29 | 王旭; 周晟娟; 任春雄 |
| 本发明公开了一种电容结构和芯片组件，电容结构用于安装于第一元件和第二元件之间，且包括：结构主体，结构主体具有相互背离的第一表面和第二表面；电容体，电容体设于结构主体内，电容体连接有正极导电部和负极导电部，正极导电部和负极导电部均伸至第一表面且适于分别与第一元件电连接；电连接体，电连接体穿设于结构主体，电连接体的一端用于与第一元件电连接，电连接体的另一端用于与第二元件电连接。本发明实施例的电容结构，通过将电容结构设于第一元件与第二元件之间，且将与电容体相连的正极导电部和负极导电部同时与第一元件相连，使电容结构可起到滤波作用，并可减小电容结构与第一元件之间的距离，提升电容结构的滤波性能。 | ||||||
| 20 | NOR闪存制造方法 | CN202311413739.0 | 2023-10-27 | CN119907243A | 2025-04-29 | 王奇伟; 舒宇飞; 姚邵康; 田志; 陈昊瑜 |
| 本发明公开了一种NOR闪存制造方法，先先形成漏区槽及外围隔离槽并填充沟槽隔离氧化物，之后形成源区槽，再进行SiH4层淀积；由于SiH4填充性差，在间隙较小的源区槽处可以形成空气间隙，此时由于存储区的漏区的漏区槽及逻辑区处的外围隔离槽均已经被填充完成，不会受到影响。本发明的NOR闪存制造方法，基于源端后制备工艺形成NOR闪存源端空气间隙，能同时保证漏端填充良好，从而能减小源端多晶硅栅之间的耦合效应，减弱两侧多晶硅栅之间的耦合效应，提升NOR闪存的性能以及可靠性。 | ||||||
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