子分类：
- H01L27/01：·只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
- H01L27/02：·包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
- H01L27/14：· 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
- H01L27/15：·包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
- H01L27/16：·包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
- H01L27/18：·包括有呈现超导电性的组件的
- H01L27/20：·包括有压电组件的；包括有电致伸缩组件的；包括有磁致伸缩组件的
- H01L27/22：·包括有利用电—磁效应的组件的，例如霍尔效应；应用类似磁场效应的
- H01L27/24：·包括无电位跃变势垒或表面势垒的用于整流、放大，或切换的固态组件的
- H01L27/26：·包括有体负阻效应组件的
- H01L27/28：· 包括使用有机材料作为有源部分，或使用有机材料与其他材料的组合作为有源部分的组件
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 具有机械结构增强的垂直存储单元 | CN201980007407.8 | 2019-01-16 | CN111771278B | 2024-12-03 | A·杨; 李忠浩; E·马泰弗; J·弗莱; 林政毅; B·比亚尼; 沈章焕 |
| 提供一种增强的垂直NAND结构。所述增强的垂直‑NAND结构包括形成为第一和第二垂直结构的第一组交错的氧化物和氮化物层。所述第一垂直结构从衬底的第一部分升高，并且所述第二垂直结构从所述衬底的第二部分升高。所述增强的垂直‑NAND结构还包括增强层以及形成为第三和第四垂直结构的第二组交错的氧化物和氮化物层。所述增强层包括彼此分开且横跨所述第一和第二垂直结构的各个顶部的片材，以及连接所述片材的桥。 | ||||||
| 2 | 半导体装置 | CN201980101206.4 | 2019-10-11 | CN114514604B | 2024-10-29 | 王文桢; 冈本淳; 武野纮宜 |
| 半导体装置包括第1芯片与第2布线层，第1芯片具有基板、形成在所述基板的第1面上的第1布线层，第2布线层形成在所述基板的所述第1面的相反侧的第2面上。所述第2布线层包括被提供第1电源电位的第1电源线、被提供第2电源电位的第2电源线、连接于所述第1电源线与所述第2电源线之间的开关。所述第1芯片包括第1接地线、被提供所述第2电源电位的第3电源线、配置有所述第1接地线以及所述第3电源线的第1区域、第2接地线、被提供所述第1电源电位的第4电源线、配置有所述第1接地线以及所述第4电源线的第2区域。俯视下，所述开关配置在所述第1区域与所述第2区域之间。 | ||||||
| 3 | 显示面板和显示装置 | CN202380008039.5 | 2023-02-10 | CN118786769A | 2024-10-15 | 李硕; 尚延阳; 刘斌; 闫政龙; 石领 |
| 一种显示面板和显示装置。该显示面板包括衬底基板、驱动电路层、发光器件层以及彩膜层，彩膜层的多个彩膜图案包括多个第一彩膜图案、多个第二彩膜图案和多个第三彩膜图案，多个第一颜色子像素的发光区域和多个第二颜色子像素的发光区域沿第一方向交替排布形成多个第一子像素行；多个第三颜色子像素的发光区域沿第一方向排布形成多个第二子像素行。子像素行组中位于中间的为中间第一子像素行，两个第二子像素行为相邻第二子像素行，位于最外侧的两个第一子像素行为外侧第一子像素行。中间第一子像素行的第一彩膜图案延伸跨过相邻第二子像素行并进一步延伸至外侧第一子像素行。从而可增大第一彩膜图案的面积以对射入显示面板的光线进行更好吸收。 | ||||||
| 4 | 显示基板以及显示装置 | CN202280002019.2 | 2022-06-30 | CN118575271A | 2024-08-30 | 王红丽; 徐健; 白静璐; 赵德江 |
| 一种显示基板以及显示装置。该显示装置包括衬底基板以及位于衬底基板上的多个发光元件和像素限定图案。发光元件包括发光功能层、第一电极和第二电极；像素限定图案包括多个开口以及围绕多个开口的限定部，发光元件至少部分位于开口中。发光元件还包括光转换层，光转换层被配置为使得一种颜色光入射到光转换层后出射另一种颜色光，光转换层位于第二电极远离衬底基板的一侧，且光转换层的至少部分位于开口内，光转换层位于开口内的部分靠近衬底基板的表面比限定部的至少部分远离衬底基板的表面更靠近衬底基板。本公开实施例提供的显示基板可以尽量减少光转换层与发光功能层之间的距离，以提高光转换层对入射的光的转换效率。 | ||||||
| 5 | 显示面板及其制造方法、显示装置 | CN202280005191.3 | 2022-12-21 | CN118541806A | 2024-08-23 | 曾诚; 李在濠; 高栋雨; 王丹; 马璐蔺; 魏振业; 王其云; 成兴建 |
| 本申请公开了一种显示面板及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。本申请实施例提供的显示面板包括：衬底基板、多个发光器件、封装层、疏水层、隔离部和光转换结构。由于封装层背离衬底基板的一侧设置有疏水层，且疏水层可以呈疏水性。因此，含有粒子且呈疏水性的溶液与疏水层之间的接触角较小。为此，在采用喷墨打印工艺形成光转换结构的过程中，混合有粒子的溶液在疏水层表面的延展性较好，混合有粒子的溶液能够在疏水层表面充分的铺展开，从而使得混合有粒子的溶液在疏水层上分布的厚度较为均一，进而使得后续固化形成的光线转换结构的厚度也较为均一。如此，可以有效的提高显示面板的显示效果。 | ||||||
| 6 | 半导体集成电路装置以及半导体封装件构造 | CN201980063952.9 | 2019-09-18 | CN112771655B | 2024-08-20 | 冈本淳; 武野纮宜; 王文桢 |
| 本发明提供一种在层叠有半导体芯片的半导体集成电路装置中，用于更有效地进行电源供给的新的电源布线的构造。第1半导体芯片(101)与第2半导体芯片(102)层叠。第1半导体芯片(101)的第1电源布线(13)经由多个第1通孔(21)与第2半导体芯片(102)的第2电源布线(31、33)连接。第1电源布线(13)与第2电源布线(31、33)的延伸的方向正交。 | ||||||
| 7 | 一种半导体结构的制作方法 | CN202410702806.9 | 2024-06-03 | CN118280926B | 2024-08-13 | 宋聪强; 吴建兴; 施平; 张劲 |
| 本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。制作方法包括：提供一衬底，衬底上形成有垫氧化层；形成多个浅沟槽隔离结构，将衬底隔离为第一区域、第二区域和第三区域；刻蚀第一区域的垫氧化层和部分衬底，形成第一凹部；在第一凹部内形成第一栅极氧化层；刻蚀第二区域上的部分垫氧化层，同时侧刻第二区域两侧的部分浅沟槽隔离结构；去除第二区域上的垫氧化层及回刻两侧的部分浅沟槽隔离结构，形成凹槽；刻蚀第二区域的部分衬底，形成第二凹部，第二凹部表面齐平；在第二凹部内形成第二栅极氧化层；去除第三区域上的垫氧化层并形成第三栅极氧化层。通过本发明提供的半导体结构的制作方法，提高半导体器件的电性性能和可靠性。 | ||||||
| 8 | 半导体器件及半导体装置 | CN202280088513.5 | 2022-12-28 | CN118451551A | 2024-08-06 | 富田一行; 三宅慎一; 半泽克彦 |
| 本发明简化了制造工艺。在本发明中，半导体元件（10）包括：第一半导体基板（半导体基板110）的第一布线区域（布线区域120）；第二半导体基板（半导体基板210）的第二布线区域（布线区域220）；第一焊盘（焊盘21），嵌入在第一布线区域（布线区域120）的表面中；第二焊盘（焊盘25），嵌入在第二布线区域（布线区域220）的表面中，第二焊盘（焊盘25）被定位成在第一布线区域（布线区域120）和第二布线区域（布线区域220）接合时与第一焊盘（焊盘21）重叠；电容元件（20），位于第一焊盘（焊盘21）和第二焊盘（焊盘25）中的任一个中；以及电容元件连接焊盘（30），嵌入在第一布线区域（布线区域120）中，并且在第一布线区域（布线区域120）和第二布线区域（布线区域220）接合时连接到第二焊盘（焊盘25）。 | ||||||
| 9 | 多梯度相位调制全息成像反射单元及其制备方法 | CN202410655353.9 | 2024-05-24 | CN118398560A | 2024-07-26 | 苏汉; 邵琛杰; 路敏; 贺小敏; 席晓莉 |
| 本发明公开了多梯度相位调制全息成像反射单元，首先选取Si基片和蓝宝石衬底，键合形成所需的Si基衬底；然后在衬底顶层Si区域内设置深槽隔离区；刻蚀顶层Si形成有源区沟槽，并形成P型有源区和N型有源区；最后光刻导电沟桥图形，溅射金属合金化形成导电沟桥；设置具有相位调制功能的矩形金属区域，以完成基于固态等离子体的多梯度相位调制全息成像反射单元的制备。本发明还公开了多梯度相位调制全息成像反射单元的制备方法。本发明解决了现有技术中存在的全息器件依赖于沿电磁波传输方向逐渐累积的相位变化来实现对电磁场的调控，通常存在体积结构较大、难以集成化的问题。 | ||||||
| 10 | 多堆叠体三维相变存储器及其制作方法 | CN202280005558.1 | 2022-11-11 | CN118339654A | 2024-07-12 | 刘峻 |
| 一种多堆叠体三维(3D)相变存储器(PCM)阵列具有第一管芯上的字线和位线、字线解码器和位线解码器的多个层级、第二管芯上的另一解码器，其中所述第一管芯和所述第二管芯面对面混合键合。在一些实施方式中，位线从其下侧耦接至其第一管芯位线解码器，而第一字线从其下侧耦接至第一管芯字线解码器，并且第二字线从其上侧耦接至第二管芯字线解码器。在其他实施方式中，第一位线从其下侧耦接至第一管芯位线解码器，并且第一字线从其下侧耦接至第一管芯字线解码器，而第二位线从其上侧耦接至第二管芯位线解码器，并且第二字线从其上侧耦接至第二管芯字线解码器。 | ||||||
| 11 | 显示基板及其制备方法、显示装置 | CN202280003914.6 | 2022-10-31 | CN118284969A | 2024-07-02 | 尚庭华; 张毅; 周洋; 龙祎璇; 张元其 |
| 一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括构成多个单元行和多个单元列的多个电路单元、多条沿着第二方向延伸的数据信号线(60)、多条沿着第一方向延伸的第一连接线(70)和多条沿着第二方向延伸的第二连接线(80)；电路单元包括像素驱动电路，至少一条数据信号线(60)与一个单元列的多个像素驱动电路连接，多条第一连接线(70)的第一端与多条数据信号线(60)对应连接，多条第一连接线(70)的第二端与多条第二连接线(80)对应连接；相邻单元列中的像素驱动电路相对于中心线镜像对称，第二连接线(80)设置在相邻单元列的像素驱动电路之间的间隙处。 | ||||||
| 12 | 显示面板及显示装置 | CN202280003912.7 | 2022-10-31 | CN118284968A | 2024-07-02 | 朱传平; 祝政委; 张晓洁; 尹晓峰; 梅文娟; 李纪 |
| 本公开是关于一种显示面板及显示装置，该显示面板的多条转接线(7)与第一信号线(6)不同层，转接线(7)通过转接孔(8)与第一信号线(6)靠近弯折段(602)的部位连接，多个转接孔8沿第一方向依次靠近非显示区(200)的边缘，且沿第二方向依次远离非显示区(200)的边缘，多个转接孔(8)的排布方式与密封胶层(9)的涂覆轨迹更契合，密封胶层(9)在相同的涂覆精度下，可保证距离非显示区(200)的边缘最近的转接孔(8)依然在密封胶层(9)的覆盖范围内，可有效降低拐角位置因密封胶层(9)涂覆精度不佳而导致过孔裸露的概率，减小该信号线与其他信号线发生短路，或在信赖性过程中遭受水汽腐蚀的风险。 | ||||||
| 13 | 用于集成电压调节器的系统、装置和方法 | CN202280076972.1 | 2022-09-23 | CN118266047A | 2024-06-28 | 塞巴斯蒂安·库阿西; 大卫·朱利亚诺 |
| 所公开的实施方案可以包括用于制造高密度电荷存储装置和功率转换装置的系统、装置和方法。在一个实施方案中，公开了一种装置，所述装置包括电感器。所述电感器包括第一电感器表面和与所述第一电感器表面相对的第二电感器表面。所述电感器还包括第一电感器衬底，所述第一电感器衬底包括腔体。晶种层形成在所述腔体的底表面上，并且磁性层形成在所述晶种层上。所述磁性层包括通过绝缘材料层彼此分离的多个堆叠的磁性层。 | ||||||
| 14 | 显示模组及显示装置 | CN202280003412.3 | 2022-09-29 | CN118202398A | 2024-06-14 | 张胜星; 石佳凡; 杨超; 廖川东; 柳文良; 高万绪; 胡攀 |
| 一种显示模组(100)，包括柔性显示面板(10)、偏光片(20)、透明支撑层(30)和镜面结构层(40)。偏光片(20)位于柔性显示面板(10)的显示侧。透明支撑层(30)位于偏光片(20)远离柔性显示面板(10)的一侧。以及，镜面结构层(40)位于透明支撑层(30)远离偏光片(20)的一侧。其中，透明支撑层(30)的弹性模量大于偏光片(20)的弹性模量。 | ||||||
| 15 | 一种发光面板及其制备方法、发光装置 | CN202280002945.X | 2022-08-31 | CN117957657A | 2024-04-30 | 张粲; 丛宁; 赵欣欣; 玄明花 |
| 本申请提供了一种发光面板及其制备方法、发光装置，涉及显示技术领域，该发光面板包括：驱动基板，所述驱动基板包括多个第一导电部和阵列排布的多个驱动单元，所述第一导电部与所述驱动单元绝缘；多个发光器件，阵列排布在所述驱动基板上，所述发光器件包括第一电极和第二电极，各所述第二电极和一个所述驱动单元电连接，所述第一电极和所述第一导电部电连接；至少一个所述第一电极和所述第一导电部电连接的连接点，与除所述第一电极和所述第一导电部以外的其余第一电极和第一导电部电连接的连接点不同。本申请提供的发光面板通过至少一个第一电极可以被第一导电部上的电压单独控制，从而可以减小IRdrop，并降低功耗。 | ||||||
| 16 | 显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置 | CN202280002459.8 | 2022-07-29 | CN117957595A | 2024-04-30 | 王彦强; 高涛; 王云浩; 夏维 |
| 提供一种显示面板、显示面板的制造方法以及显示装置。显示面板(20)包括衬底基板(21)以及在衬底基板(21)上设置的发光单元(22)、透光层(23)以及透光图案(24)，透光层(23)上的开孔(k1)与发光单元(22)相对，透光图案(24)中包括透光结构(241)，透光结构(241)覆盖在透光层(23)上的开孔(k1)上，且覆盖部分透光层(23)进而透光结构(241)以及透光层(23)上的开孔(k1)能够构成类似透镜的结构，以提高显示面板(20)的出光效率。由于透光图案(24)包括多个透光结构(241)，并非整层结构，进而不会降低显示面板(20)的弯折性，解决了相关技术中显示面板(20)的弯折性较差的问题，实现了提高显示面板(20)的弯折性的效果。 | ||||||
| 17 | 阵列基板和显示设备 | CN202280002434.8 | 2022-07-28 | CN117836942A | 2024-04-05 | 李硕; 石领 |
| 提供一种阵列基板。阵列基板包括：在衬底基板上并包括多个信号线的第二信号线层；阳极层，其位于所述第二信号线层远离所述衬底基板的一侧；像素限定层，其位于所述阳极层远离所述第二信号线层的一侧；以及多个透光开口，其延伸穿过所述像素限定层，所述多个透光开口彼此间隔开。所述多个信号线中的至少一个包括沿第一方向延伸的第一段、以及第二段。沿所述第一方向延伸的所述第一段的中心线在所述衬底基板上的正投影与所述多个透光开口中的至少一个透光开口在所述衬底基板上的正投影相交。 | ||||||
| 18 | 显示装置 | CN202280054006.X | 2022-08-01 | CN117796145A | 2024-03-29 | 楠纮慈; 久保田大介; 吉住健辅; 菅尾惇平 |
| 提供一种开口率高的显示装置。该显示装置包括第一像素、与第一像素相邻配置的第二像素、第一导电层、第二导电层及第一绝缘层，第一像素包括第一像素电极、第一像素电极上的第一EL层及第一EL层上的公共电极，第二像素包括第二像素电极、第二像素电极上的第二EL层及第二EL层上的公共电极，第一导电层配置在公共电极上，第一绝缘层配置在第一导电层上，第二导电层配置在第一绝缘层上，第一导电层和第二导电层中的任一方或双方与由第一EL层与第二EL层夹持的区域重叠，以彼此对置的方式配置第一EL层的一个侧面与第二EL层的一个侧面。 | ||||||
| 19 | 具有三维外观的车灯 | CN201980039290.1 | 2019-06-10 | CN112262471B | 2024-03-29 | 本杰明·萨尔茨曼 |
| 一种照明装置、例如呈现三维对象的刹车灯组件包括多个微型发光二极管管芯，每个微型发光二极管管芯的尺寸约为0.2mm×0.2mm。微型发光二极管管芯被布置在印刷电路板或柔性电路的连续表面上。每个微型发光二极管管芯能够由控制器单独或成组寻址以用于调节亮度和/或颜色，并且控制器被配置成以一个或多个不同的图案点亮多个微型发光二极管管芯，以显现为三维对象。控制器被配置成以时变图案来使三维对象动画化，该时变图案例如可以使三维对象显现成移入电路上的平面或与电路平行的平面中或者从所述表面中移出。可以以跳动的图案使三维对象动画化，这可以使其更有趣或增强相关的信号发送状况的可见性。 | ||||||
| 20 | 显示基板及其制备方法、制备装置、显示装置 | CN202280002167.4 | 2022-07-11 | CN117693813A | 2024-03-12 | 关峰; 张永峰; 王超璐; 赵梦 |
| 显示基板及其制备方法、制备装置、显示装置，涉及显示技术领域。显示基板包括：多个发光区域和围绕各发光区域的非发光区域。显示基板包括：衬底基板；设置在衬底基板一侧的发光功能层，发光功能层包括位于多个发光区域和非发光区域的发光材料；其中，非发光区域的发光材料中掺杂有破坏离子，破坏离子用于对非发光区域的发光材料的发光特性进行破坏。 | ||||||
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