子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 磁电阻传感器及其制造方法 | CN202180030238.7 | 2021-03-04 | CN115461638A | 2022-12-09 | 胡俊雄; 阿里安多; 陈俊佑; 简国威; 安东尼奥·埃利奥·卡斯特罗·内托 |
| 本发明大体涉及磁电阻传感器及其制造方法。该磁电阻传感器包括被布置在衬底的波纹和/或阶梯式表面上的连续石墨烯层。至少两个导电元件与该石墨烯层接触。该石墨烯层基本上与衬底的波纹和/或阶梯式表面一致。 | ||||||
| 2 | 磁传感器及磁传感器的制造方法 | CN202080082416.6 | 2020-11-17 | CN114761816A | 2022-07-15 | 远藤大三; 筱龙德; 坂胁彰; 利根川翔; 渡边恭成 |
| 磁传感器具备：多个感应元件(31)，所述多个感应元件(31)具有：具有长边方向和短边方向的软磁体层(105)及导电性比软磁体层(105)高且在长边方向上贯穿软磁体层(105)的内部的导电体层，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；以及连接部(32)，所述连接部(32)与感应元件的导电体层连续地形成并将在短边方向上相邻的感应元件(31)串联连接。 | ||||||
| 3 | 基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法 | CN202210205501.8 | 2022-03-03 | CN114649468A | 2022-06-21 | 赵雪峰; 邢国忠; 王迪; 王紫崴; 刘龙; 林淮; 张昊 |
| 本公开提供一种基于离子门调控的可重构神经元器件及其制备方法，涉及人工神经元存储器件技术领域。该器件包括：由下至上依次层叠的合成反铁磁层、金属氧化物层、离子液体层和顶电极层，合成反铁磁层的底端相对的两个边缘上设置有磁化方向相反的左边界反铁磁层和右边界反铁磁层，合成反铁磁层的底端中部还设置用于输出尖峰信号的磁性隧道结；其中，金属氧化物层、离子液体层和顶电极层构成离子门，离子液体层包括正离子和负离子，当顶电极层施加输入电压时，金属氧化物层中的氧离子随着离子液体层中的正离子和负离子的分布而移动，以调整合成反铁磁层顶部界面的电荷积累，从而通过RKKY作用调控合成反铁磁层底部的磁畴壁的泄露运动速度。 | ||||||
| 4 | 基于磁子晶体的自旋波开关和滤波器 | CN202011123159.4 | 2020-10-20 | CN114388689A | 2022-04-22 | 韩秀峰; 邢耀文; 严政人 |
| 本发明涉及基于磁子晶体的自旋波开关和滤波器。根据一实施例，一种磁子晶体器件可包括铁磁层和设置在所述铁磁层上的反铁磁平面周期结构。本发明的磁子晶体器件可用作自旋波开关以对自旋波的透射系数进行有效调控，或者用作自旋波滤波器以实现对特定频率自旋波的过滤。 | ||||||
| 5 | 超小型高灵敏磁传感器 | CN201880039654.1 | 2018-05-22 | CN110753850B8 | 2022-04-01 | 本蔵义信; 本蔵晋平; 工藤一恵; 田辺淳一; 菊池永喜 |
| 为了提供由与ASIC一体形成的磁场检测元件构成的超小型高灵敏磁传感器，本发明将形成在ASIC(4)的绝缘保护被膜(10a)上表面的基板皮膜(10b)的厚度设置为1～20μm，在该基板皮膜上(10b)设置深度为1～10μm的沟槽(11)，沿该沟槽(11)的面以埋设线圈的一部分或全部的方式形成元件(1)，元件(1)的电极与ASIC(4)的电极通过贯通绝缘保护被膜(10a)和基板皮膜(10b)的通孔方式电极接合部电连接，自ASIC(4)表面起的元件部的厚度设置为20μm以下。 | ||||||
| 6 | 超小型高灵敏磁传感器 | CN201880039654.1 | 2018-05-22 | CN110753850B | 2022-02-15 | 本蔵义信; 本蔵晋平; 工藤一恵; 田迈淳一; 菊池永喜 |
| 为了提供由与ASIC一体形成的磁场检测元件构成的超小型高灵敏磁传感器，本发明将形成在ASIC(4)的绝缘保护被膜(10a)上表面的基板皮膜(10b)的厚度设置为1～20μm，在该基板皮膜上(10b)设置深度为1～10μm的沟槽(11)，沿该沟槽(11)的面以埋设线圈的一部分或全部的方式形成元件(1)，元件(1)的电极与ASIC(4)的电极通过贯通绝缘保护被膜(10a)和基板皮膜(10b)的通孔方式电极接合部电连接，自ASIC(4)表面起的元件部的厚度设置为20μm以下。 | ||||||
| 7 | 磁传感器 | CN202080034256.8 | 2020-02-13 | CN113812011A | 2021-12-17 | 筱龙德 |
| 磁传感器1具备：非磁性的基板；和感应元件部31，其设置于基板上且由多个感应元件311、312并联连接而成，所述感应元件由软磁体构成，具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，通过磁致阻抗效应来感应磁场。 | ||||||
| 8 | 磁阻抗传感器 | CN201780035624.9 | 2017-05-31 | CN109313242B | 2021-06-11 | 山本道治; 长尾知彦; 岩永吉广 |
| 本发明提供一种能够进一步提高外部磁场的测定精度的磁阻抗传感器。本发明的磁阻抗传感器具备磁阻抗元件(2)、检测电路(3)、感磁体用线路(4)及导电层用线路(5)。磁阻抗元件(2)具备感磁体(20)和与该感磁体(20)相邻的导电层(21)。感磁体(20)和导电层(21)中流通方向相反的电流。感磁体用线路(4)电性连接于感磁体(20)，导电层用线路(5)电性连接于导电层(21)。磁阻抗元件(2)的检测线圈(22)与检测电路(3)经由检测用导线(8(8a、8b))电性连接在一起。感磁体用线路(4)和导电层用线路(5)这2条线路(4、5)构成为至少一部分相邻而且流通方向相反的电流(I)。 | ||||||
| 9 | 磁传感器及磁传感器的制造方法 | CN201980071668.6 | 2019-09-05 | CN112930483A | 2021-06-08 | 远藤大三; 筱龙德; 大桥荣久 |
| 磁传感器1具备：非磁性的基板10；感应元件31，其层叠于基板10上，由软磁体构成，具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，并通过磁阻抗效应来感应磁场；和一对薄膜磁铁20a、20b，其层叠于基板10上，夹着感应元件31而在长边方向上相对地配置，在感应元件31的长边方向上施加磁场。 | ||||||
| 10 | 一种微波探测元件以及微波探测器 | CN201611004502.7 | 2016-11-15 | CN108075034B | 2021-04-23 | 方彬; 唐伟; 罗鑫; 熊荣欣; 蔡佳林; 曾中明; 张宝顺 |
| 本发明公开了一种微波探测元件，包括相对设置的绝缘层和第一磁性层；绝缘层施加有偏置电压时，绝缘层的邻近于第一磁性层的界面产生电场或发生应力形变，以改变第一磁性层的磁性。根据本发明的微波探测元件基于电场调控，利用各向异性磁电阻效应或巨磁电阻效应，实现微波探测。根据本发明的微波探测元件，在微波探测的过程中，采用电场作用而非电流作用，可以有效降低器件功耗，且具有尺寸小、功耗低、灵敏度高的优点，可以实现高信噪比的微波探测；与此同时，其可在常温下工作，对探测方式没有限制，可以广泛地应用于微波输能、多路通信等领域。本发明还公开了具有上述微波探测元件的微波探测器。 | ||||||
| 11 | MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT-MRAM | CN201610898491.5 | 2016-10-14 | CN107958950B | 2020-09-22 | 简红; 刘鲁萍; 蒋信 |
| 本申请提供了一种MTJ器件的制作方法、MTJ器件及STT‑MRAM。该MTJ器件的制作方法包括：依次设置钉扎层、绝缘势垒层与自由层的第一过程，或者依次设置自由层、绝缘势垒层与钉扎层的第二过程，钉扎层包括至少一个第一结构层，当制作方法包括第一过程时，制作方法还包括：在设置钉扎层的过程中采用等离子体法对至少一个第一结构层的裸露表面进行刻蚀；当制作方法包括第二过程时，制作方法还包括：在设置钉扎层之前，采用等离子体法对设置绝缘势垒层的裸露表面进行刻蚀，和/或，在设置钉扎层的过程中采用等离子体法对至少一个第一结构层的裸露表面进行刻蚀。该制作方法增强了MTJ器件结构的热稳定性，使得该器件具有高可靠性。 | ||||||
| 12 | 磁传感器的制造方法及磁传感器集合体 | CN201880076450.5 | 2018-11-09 | CN111406221A | 2020-07-10 | 远藤大三 |
| 磁传感器1的制造方法包括下述工序：硬磁体层形成工序，在圆盘状的非磁性基板10上形成将被加工成薄膜磁铁20的硬磁体层103；软磁体层形成工序，在基板1O上的硬磁体层103上层叠形成软磁体层105，所述软磁体层105将被加工成对磁场进行感应的感应元件；和硬磁体层充磁工序，沿圆盘状的基板10的圆周方向对硬磁体层103进行充磁。 | ||||||
| 13 | 磁传感器、测量装置及磁传感器的制造方法 | CN201880075250.8 | 2018-10-25 | CN111373276A | 2020-07-03 | 远藤大三 |
| 磁传感器1具备：薄膜磁铁20，其由硬磁体层103构成，且在面内方向上具有磁各向异性；和感应部30，其具备通过磁阻抗效应来感应磁场的感应元件31，所述感应元件31由在硬磁体层103上层叠设置的软磁体层105构成，具有长边方向和短边方向，长边方向朝向薄膜磁铁20产生的磁场的方向，并且在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，薄膜磁铁20和感应元件31被设置为：与和薄膜磁铁20的一个磁极呈对向地设置于外部的对向构件构成磁路。 | ||||||
| 14 | 多层膜异质结构、其制备方法及应用 | CN201710073117.6 | 2017-02-10 | CN106784299B | 2020-04-24 | 郑晓丽; 蔡建旺 |
| 本发明提供一种多层膜异质结构、其制备方法及应用。本发明提供的该多层膜异质结构能够排除其他热磁效应的干扰，清晰有效地将自旋流探测层的逆自旋霍尔效应ISHE和反常能斯特效应ANE以及反常里吉‑勒杜克效应ARL分离开来，减小了自旋流在界面处的反射，实现了室温下对纵向自旋塞贝克效应的测量；且不限制自旋流探测层材料的矫顽力，扩大了可进行实际应用的材料范围。 | ||||||
| 15 | 磁存储装置 | CN201910176190.5 | 2019-03-08 | CN110880343A | 2020-03-13 | 岩崎刚之; 村山昭之; 甲斐正; 大坊忠臣; 远藤将起; 大岭俊平; 五十岚太一; 伊藤顺一 |
| 一实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件包含非磁性体、及所述非磁性体上的积层体。所述积层体包含所述非磁性体上的第1铁磁体、与所述第1铁磁体交换耦合的反铁磁体、及所述第1铁磁体与所述反铁磁体之间的第2铁磁体，且构成为根据在积层方向内在第1方向上流动的第1电流成为第1电阻，根据在与所述第1方向相反的第2方向上流动的第2电流成为与所述第1电阻不同的第2电阻。 | ||||||
| 16 | 一种可重构的磁逻辑器件及其制备方法 | CN201610804501.4 | 2016-09-05 | CN106374034B | 2019-01-18 | 罗昭初; 章晓中; 卢子尧; 熊成悦; 孙雯 |
| 本发明属于自旋电子学以及器件的技术领域，尤其涉及一种可重构的磁逻辑器件及其制备方法。该磁逻辑器件包括：磁性单元和微分负电导器件；磁性单元包括3个电极，电极按一定的几何形状制作在磁性薄膜的表面；电极分为输入电极和输出电极；微分负电导器件的一端与磁性单元的输出电极连接，微分负电导器件的另一端接地。该磁逻辑器件可以在室温和低磁场下实现四种基本逻辑运算，且具有很高的输出比和低工作磁场的性能特点。该磁逻辑器件与硅基半导体工业兼容，性能突出，结构简单，原材料价格适中，且环境友好。 | ||||||
| 17 | 一种磁性元件、存储器系统及其写操作方法 | CN201510737115.3 | 2015-11-03 | CN105355780B | 2018-12-25 | 刁治涛; 李占杰; 罗逍 |
| 本发明提供了一种磁性元件、存储器系统及其写操作方法；磁性元件包括磁固定层、非磁性隔离层、磁自由层和覆盖层；非磁性隔离层设置于磁固定层与磁自由层之间；覆盖层连接磁自由层与外部半导体晶体管电路。磁性自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能低于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其磁性自由层可实现在平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。 | ||||||
| 18 | 具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件 | CN201510426980.6 | 2015-07-20 | CN106374033B | 2018-12-14 | 姜俊; 张轩; 郭鹏; 张晓光; 韩秀峰 |
| 本发明涉及具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件。一种磁性隧道结包括：第一磁层，其具有固定磁化；第二磁层，其磁化方向能随外磁场而自由转动；以及势垒层，其由绝缘材料制成，并且被夹置在所述第一磁层和所述第二磁层之间，其中，所述势垒层具有拱形的能带曲线。所述磁性隧道结在预定的偏压范围中可以具有负微分电阻。本发明还涉及包括该磁性隧道结的振荡电路和交流放大电路。 | ||||||
| 19 | 磁性存储轨道和磁性存储器 | CN201410330469.1 | 2014-07-11 | CN105244043B | 2018-09-21 | 林殷茵; 杨凯; 张树杰; 赵俊峰; 杨伟; 傅雅蓉 |
| 本发明提供一种磁性存储轨道和磁性存储器，包括多个堆叠的存储轨道单元，相邻两个存储轨道单元之间设置有过渡层，且该过渡层由在绝缘材料上淀积的半导体材料构成，包括选通电路和读写装置。由于磁性存储轨道包括多个堆叠的存储轨道单元，从而磁性存储轨道的轨道长度由多个存储轨道单元的轨道长度构成，因此，当增大磁性存储轨道的轨道长度时，可通过增加存储轨道单元实现，避免增加存储轨道单元的轨道长度，从而解决了在提高磁性存储轨道存储能力时，由于磁性存储轨道的轨道长度增长导致工艺难度增大的技术问题。 | ||||||
| 20 | 一种半导体磁传感器、其制备方法与使用方法 | CN201711455904.3 | 2017-12-28 | CN108151768A | 2018-06-12 | 巫远招; 刘宜伟; 李润伟 |
| 本发明提供了一种半导体磁传感器，具有场效应晶体管结构，包括半导体基底，源极、漏极与栅极；其中，栅极由与半导体基底连接的具有压电效应的第一栅极以及与第一栅极连接的具有磁致伸缩效应的第二栅极组成；工作状态时，外界磁场作用于第二栅极时场效应晶体管的电信号发生改变，通过测试该电信号实现磁场的探测。该磁传感器结构简单，并且由于结合了场效应晶体管的信号放大作用，能够实现高灵敏度的磁场探测。 | ||||||
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