子分类：
- H01L21/00：专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
- H01L23/00：半导体或其他固态器件的零部件
- H01L25/00：由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
- H01L27/00：由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
- H01L29/00：专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
- H01L31/00：对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件
- H01L33/00：至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件
- H01L35/00：包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件
- H01L37/00：不具有不同材料结点的热电器件；热磁器件，例如应用Nernst-Ettinghausen效应的；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L39/00：应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L41/00：一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件
- H01L43/00：应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L45/00：无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L47/00：体负阻效应器件，例如耿氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L49/00：不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L51/00：使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 一种用于功率器件封装的多孔银焊片及其制备方法和应用 | CN202510197429.2 | 2025-02-21 | CN120015629A | 2025-05-16 | 贾强; 冯梦; 王乙舒; 郭福 |
| 本发明提供了一种用于功率器件封装的多孔银焊片及其制备方法和应用。本发明的多孔银焊片的制备方法，包括如下步骤：S1：对硅片进行预处理；S2：在预处理后的硅片上沉积银膜；S3：对银膜进行等离子体氧化，形成具有多孔结构的氧化银膜；S4：对氧化银膜进行等离子体还原，形成具有多孔结构的银膜，制得用于功率器件封装的多孔银焊片。本发明制备得到的多孔银焊片具有优异的导电性和热导性，能够提高功率器件的性能和可靠性；本发明的多孔银焊片适用于功率器件的封装，制备方法简单、成本低廉、能大规模生产，具有广泛的工业应用前景。 | ||||||
| 82 | 背面金属层的刻蚀方法 | CN202510208359.6 | 2025-02-25 | CN120015624A | 2025-05-16 | 任婷婷; 姚道州; 杨鑫; 杜保田; 惠科石; 王玉新 |
| 本申请公开了一种背面金属层的刻蚀方法，包括：提供一衬底，该衬底具有正面和背面，从俯视角度观察，该衬底包括第一区域和第二区域，第一区域的正面用于形成存储单元器件，第二区域的正面用于形成逻辑器件，第二区域的背面形成有沟槽，衬底的背面从下而上依次形成有介质层和金属层，沟槽内的金属层的厚度大于沟槽外的金属层的厚度；对目标区域进行第一次刻蚀，直至目标区域的介质层被去除；对目标区域进行第二次刻蚀，直至目标区域的金属层被去除，在进行第二次刻蚀的过程中，供给的偏置功率呈脉冲方波。本申请通过在对沟槽内的金属层进行刻蚀时则采用脉冲模式，能够降低沟槽外的衬底的损耗和沟槽内的金属残留。 | ||||||
| 83 | 存储单元侧墙的制造方法 | CN202510216814.7 | 2025-02-25 | CN120015622A | 2025-05-16 | 佟宇鑫; 顾林; 王辉; 段松汉 |
| 本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及存储单元侧墙的制造方法。所述存储单元侧墙的制造方法包括以下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成多个相间隔的存储单元，所述存储单元的侧壁上形成L型侧墙结构，该L型侧墙结构包括由下至上依次层叠的底层氧化硅层、氮化硅层和上层氧化硅层；淀积金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层覆盖在L型侧墙结构的表面；刻蚀所述金属硅化物阻挡层，对所述L型侧墙结构的底层氧化硅层边缘造成侧掏形成凹陷；在金属硅化物制作完成后，通过应力临近刻蚀工艺刻蚀外露的氮化硅层，缩小所述凹陷的侧掏深度；淀积介质层，所述介质层填充满缩小后的凹陷。 | ||||||
| 84 | 一种抛光片背面边缘二氧化硅快速腐蚀的方法 | CN202411612013.4 | 2024-11-12 | CN120015620A | 2025-05-16 | 杨先瑞; 冯瑞琪; 何宇; 陈鲁锋; 韩萍 |
| 本发明公开了一种抛光片背面边缘二氧化硅快速腐蚀的方法，包括以下步骤：(1)将氢氟酸加入液罐中，该液罐设有用于向氢氟酸液面以下通入高纯氮气的入气管路；以及出气管路，该出气管路的一端位于液面以上，另一端通入吸盘式去边机的腐蚀槽内；(2)将装有晶圆的吸盘装入吸盘式去边机，调动点位将晶圆置于腐蚀槽指定位置；(3)将液罐进行密封，然后在液罐中通入高纯氮气，氮气携带HF气体从另一路管路输送至腐蚀槽内，与晶圆边缘二氧化硅发生反应；(4)反应结束后，转动转轴带动吸盘到指定清洗剂中进行清洗；(5)清洗完成后将晶圆取出，置于甩干桶甩干。本发明能够提高二氧化硅膜边缘腐蚀的一致性和合格率，成本低，生产效率高，实用性强。 | ||||||
| 85 | 衬底处理方法 | CN202411604379.7 | 2024-11-12 | CN120015619A | 2025-05-16 | 张廷训; 金基康; 金英民; 金海仁; 韩政勋 |
| 提供了一种在反应室中处理衬底的方法，更具体地，提供了一种增加SiCN层的湿蚀刻速率以从形成在阶梯结构上的SiCN层减少突出物的方法。该方法包括在施加功率时同时供应含碳硅源和氮气，随后进行后处理，其中SiCN层的湿蚀刻速率由供应的氮源量调节。 | ||||||
| 86 | 功率器件的背面工艺异常的返工方法 | CN202510213956.8 | 2025-02-25 | CN120015613A | 2025-05-16 | 李欢; 沈家伟; 许有超 |
| 本申请提供一种功率器件的背面工艺异常的返工方法，包括：提供一背面工艺异常的半导体结构；通过湿法清洗工艺去除第一背面金属组合层以露出衬底的背面；从衬底的背面，对衬底执行激光退火工艺；从衬底的背面，刻蚀去除衬底中的第一离子注入区；从衬底的背面，对衬底进行离子注入工艺以在衬底中形成第二离子注入区；在衬底背面形成第二背面金属组合层。本申请通过在湿法清洗去除第一背面金属组合层之后，以及在刻蚀去除衬底中的第一离子注入区之前，对衬底执行背面的激光退火工艺，使得第一背面金属组合层腐蚀后衬底表面经过熔融‑凝固过程，降低了金属腐蚀过程中形成的衬底表面粗糙度，从而改善了衬底回刻蚀后的衬底背面表观不良的问题。 | ||||||
| 87 | 一种N型TOPCon电池用单晶硅片的双阴极电化学清洗方法 | CN202510211923.X | 2025-02-25 | CN120015612A | 2025-05-16 | 李献朋; 尹丽丽; 郎芳; 潘明翠; 马红娜; 薛敬伟; 于航; 史金超; 刘莹; 于波; 麻超 |
| 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型TOPCon电池用单晶硅片的双阴极电化学清洗方法。所述双阴极电化学清洗方法包括以下步骤：向电化学槽体内加入强碱溶液、电解质和超纯水，混合均匀，得清洗液；向清洗液中通入空气，打开第一电源，电解30s～60s后，放入待清洗硅片，打开第二电源，清洗10s～120s，关闭第二电源，继续清洗10s～20s，关闭第一电源，最后进行酸洗和水洗，得洁净硅片。本发明通过双电源分阶段协同工作，形成阶梯式清洗梯度，并通过控制两个电源的电流密度和打开时间，确保清洗均匀性，优化清洗效果与硅片质量的平衡，在不损伤硅片的前提下实现深度清洁，同时提高双氧水利用率。 | ||||||
| 88 | 一种调节二维材料光学性能的方法 | CN202510191284.5 | 2025-02-20 | CN120015611A | 2025-05-16 | 周旭; 许笃铭; 邓巧莹 |
| 一种调节二维材料光学性能的方法，属于二维材料技术领域。该方法包括：获得复合衬底，复合衬底包括目标衬底、以及转移至目标衬底的表面的二维过渡金属硫族化合物薄膜；在惰性气氛中，将复合衬底在260℃‑320℃退火至少6h。该方法不仅操作简便、普适性强、对二维材料损伤小，而且还能够改变二维材料与目标衬底之间的范德华间隙，从而精确调控二维材料的电子带隙和激子结合能，提升二维材料的光学性能。 | ||||||
| 89 | 一种注入有氢离子的β-Ga2O3薄膜及其制备方法和应用 | CN202510190649.2 | 2025-02-20 | CN120015610A | 2025-05-16 | 王馨平; 韦素芬; 黄祥民; 陈涛; 周航丞; 吴梦春; 陈红霞; 李铁军; 徐初杰; 李明逵 |
| 本发明公开了一种注入有氢离子的β‑Ga2O3薄膜及其制备方法和应用，属于半导体技术领域。该制备方法采用一价氢阳离子(H+)注入填补基于MOCVD技术同质外延非掺杂氧化镓β‑Ga2O3内部的氧空位缺陷，从而提高电子浓度和电子迁移率。本发明将呈现n型电性的对应进行一价氢阳离子(H+)注入，通过注入氢离子，形成间隙型H杂质(Hi)和替位型H杂质(Ho)，而替位型H杂质(Ho)替代了β‑Ga2O3晶格上的O的位置，其中一部分替位型H杂质(Ho)补偿氧化镓中的氧空位缺陷。离子注入的间隙H杂质和替位H杂质都起到较浅能级施主的作用，不但提高电子载流子浓度，而且有效地将电子迁移率提升至原值的1.9倍。 | ||||||
| 90 | 侧面接地模块及包括该侧面接地模块的基板处理装置 | CN202311690115.3 | 2023-12-11 | CN120015598A | 2025-05-16 | 郑玟煜 |
| 本发明涉及一种利用等离子体对于基板执行处理的侧面接地模块及包括该侧面接地模块的基板处理装置。本发明公开了一种侧面接地模块包括：底座部(100)，形成有贯通口(101)；接触轴部(200)，包括形成接触面(211)的接触板(210)，从所述接触板(210)延伸贯通所述贯通口(101)而成的轴(220)；弹性部(300)，包围所述轴(220)，并且随着所述接触轴部(200)针对于所述底座部(100)的相对移动压缩及伸长；波纹管部(400)，一端连接于所述底座部(100)，而另一端结合于所述接触轴部(200)，形成所述接触轴部(200)与所述底座部(100)之间的接地路径。 | ||||||
| 91 | 药液管理方法、药液管理设备及半导体工艺设备 | CN202510104559.7 | 2025-01-22 | CN120013174A | 2025-05-16 | 王毅恒; 王文卓 |
| 本申请涉及一种药液管理方法、药液管理设备及半导体工艺设备，药液管理方法包括：接收到针对目标工艺槽的第一药液更新需求，检测目标工艺槽当前的状态；响应于目标工艺槽处于响应第二药液更新需求的状态，比较第一药液更新需求与第二药液更新需求的优先级，优先响应优先级高的药液更新需求。如此，可以基于补液和换酸的不同优先级进行不同药液更新需求的管理，解决了补液和换酸之间的干涉问题，确保了补液和换酸的有序进行，为提高半导体的制备效率和产品质量奠定了基础。 | ||||||
| 92 | 检测芯片和检测装置 | CN202510157312.1 | 2025-02-12 | CN120009375A | 2025-05-16 | 马相国; 张雅琦 |
| 本申请提供了一种检测芯片和检测装置，涉及电化学检测技术领域，该检测芯片包括：晶体管本体；流道，该流道设置于检测芯片的第一表面；多个扩展栅极，该多个扩展栅极与晶体管本体的普通栅极电连接，该多个扩展栅极包括多个传感部，该多个传感部位于流道内的多个位置，该多个传感部分别固定有不同的检测单元，该检测单元用于与测试样本中的靶标结合。基于该方案，能够实现单个检测芯片的多联检功能。 | ||||||
| 93 | 一种可提高控压精度的蝶阀及其薄膜沉积设备 | CN202510437590.2 | 2025-04-08 | CN120007792A | 2025-05-16 | 冯鹏; 鞠子辰; 王永生 |
| 本发明公开了一种可提高控压精度的蝶阀，其包括：驱动单元，连接于所述驱动单元的阀体，连接于所述驱动单元的驱动端的阀板，以及连接于所述阀板上的加热单元；其中，所述阀体上设有阀孔，所述阀板位于所述阀孔内，且所述阀板受控于所述驱动单元以所述阀孔的轴向旋转调节开度，所述加热单元用于对所述阀板进行预加热。本发明的可提高控压精度的蝶阀及其薄膜沉积设备，其采用加热单元对阀板进行预加热，并根据阀板预加热后的形变进行开度调节，不仅能够提高蝶阀的开度调节的准确性，还能够通过预热方式避免低温工艺气体的沉积导致的卡塞风险。 | ||||||
| 94 | 一种真空镀膜除气装置 | CN202510494605.9 | 2025-04-21 | CN120006246A | 2025-05-16 | 郑葳; 李宗亮; 陈振权 |
| 本发明提供了一种真空镀膜除气装置，涉及真空镀膜除气技术领域，包括中间管和两个贴合盘，所述中间管的两端和两个所述贴合盘上分别安装有收缩套，且每个所述收缩套上分别等间距安装有多个加强条，所述中间管两侧的收缩套上安装有外部盘，所述贴合盘上的收缩套安装有贴合圈，所述贴合圈贴合在所述外部盘上，所述中间管内安装有单向板，所述单向板上贴合安装有单向盘，所述中间管内安装有双层板，所述双层板上贴合安装有双层盘，外部大气压力会作用在收缩套表面，由于收缩套的特殊角度设计，这种压力被转化为贴合面之间的挤压力，与双向丝杠提供的机械密封力形成双重保护，这种设计不仅确保了系统的气密性，还能随着真空度的提高密封力度。 | ||||||
| 95 | 半导体工艺设备及其控制方法 | CN202510059687.4 | 2025-01-14 | CN120006240A | 2025-05-16 | 牟成良; 相会凤 |
| 本发明提供了半导体工艺设备及其控制方法；其中，在半导体工艺设备控制方法中，响应于当前工艺任务开始执行，根据半导体工艺设备的标识信息的值判断是否需要提前对下一工艺任务的控制模式进行切换；若是，控制下一工艺任务的控制模式从管道模式切换为串行模式。这种控制方式，响应于当前工艺任务开始执行，根据值表示需要对控制模式进行切换的标识信息对下一工艺任务的控制模式进行切换，避免了当前工艺任务执行过程中耗材组件的消耗量达到报警上限值进行报警提示下线时，下一工艺任务的晶圆跟进而导致工艺未完成的情形，从而保证了多工艺任务场景下晶圆的工艺结果一致性。 | ||||||
| 96 | 一种具有液态金属层的金属箔及其制备方法和应用 | CN202510118647.2 | 2025-01-24 | CN120006198A | 2025-05-16 | 陈益江; 崔云涛; 邓中山 |
| 本发明提供了一种具有液态金属层的金属箔及其制备方法和应用。具有液态金属层的金属箔的制备方法包括：（1）将液态金属加入热溶液中，所述热溶液选自碱溶液或酸溶液；（2）将金属箔浸入所述热溶液中，所述液态金属与所述金属箔充分接触，然后取出清洗并晾干。本发明通过采用酸溶液或碱溶液处理的方法，去除液态金属表面氧化膜，使液态金属和金属箔直接接触，促进液态金属和金属箔之间的相关反应，提高了液态金属层与金属箔之间的结合能力，避免了液态金属泄漏的风险，同时，液态金属在金属箔表面分布均匀，厚度可控，可得到导热性能优异的热界面材料，且该制备方法简单，制备速度快，成本低，可进行大批量生产。 | ||||||
| 97 | 一种用于芯片生产的集成封装设备 | CN202510165267.4 | 2025-02-14 | CN120002923A | 2025-05-16 | 宣学才 |
| 本发明涉及芯片封装领域，且公开了一种用于芯片生产的集成封装设备，包括注塑机和输送装置，注塑机包括出料端，输送装置用于将待封装的芯片送入到注塑机的出料端下方；芯片包括基座和FC芯片，基座和FC芯片之间具有间隙；出料端的下方具有模具，其顶部滑动套设在出料端的下端，在直线驱动件的带动下上下运动。本发明通过输送装置将需要加工的芯片运送至出料端的下方，然后通过直线驱动件带动模具下降，使模具将FC芯片包裹，然后注塑机将注塑材料注入到模具，使注塑材料填充进模具内，从而让FC芯片外形成完整的填充材料，达到散热、缓震和保护的目的，相对于现有技术将点胶和安装覆盖件两个工艺更加高效，提升了加工效率。 | ||||||
| 98 | 薄膜切割方法及装置 | CN202510162219.X | 2025-02-13 | CN120002739A | 2025-05-16 | 陈聪; 郭东谕; 李平; 宋喆宏 |
| 本公开实施例提供一种薄膜切割方法及装置，其中，薄膜覆盖晶圆的晶面，所述晶圆具有缺口标记，所述薄膜切割方法包括：确定所述缺口标记在所述晶面的位置信息，所述位置信息为所述晶面未被所述薄膜覆盖时获取到的；获取所述晶面的被所述薄膜覆盖时，所述薄膜表面的不同位置处的光强值；根据所述薄膜表面的不同位置处的光强值，确定所述缺口标记被所述薄膜覆盖的区域；根据所述缺口标记被所述薄膜覆盖的区域和所述位置信息，生成第一切割指令，以去除位于所述缺口标记上的薄膜。采用上述技术方案，能够去除缺口标记上的薄膜。 | ||||||
| 99 | 基于动力学模型与加速度调节阈值的碰撞检测方法及系统 | CN202510451165.9 | 2025-04-11 | CN120002665A | 2025-05-16 | 王彭; 方兴雨; 丁文华 |
| 本发明涉及碰撞检测技术领域，具体涉及一种基于动力学模型与加速度调节阈值的碰撞检测方法及系统，碰撞检测方法包括：建立含摩擦的机器人动力学模型；设定实时碰撞阈值，计算实际力矩与含摩擦的理论力矩之间的绝对差值，将绝对差值与实时碰撞阈值对比，判断碰撞是否发生。本发明对机器人的运行轨迹进行分割，在机器人靠近目标物易发生碰撞的过程中，通过对初始碰撞阈值进行调整，降低设定的初始碰撞阈值，从而实现碰撞检测灵敏度的增加；而在其他路径段，发生碰撞的概率较小，增加设定的初始碰撞阈值，降低碰撞检测的灵敏度从而避免因阈值设定的过小造成停机。 | ||||||
| 100 | 一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备 | CN202510494386.4 | 2025-04-21 | CN120002545A | 2025-05-16 | 文东辉; 吴晓峰 |
| 本发明提供了一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备，该抛光方法包括贴片，通过贴片设备将硅片沿陶瓷盘圆周均匀铺贴多片，随后转移到本发明抛光设备上；粗抛，抛光垫对硅片表面进行打磨抛光，并同时对陶瓷盘施加400‑500千克的压力，抛光6‑8分钟；中抛，通过旋转机器手转移陶瓷盘和硅片，对硅片进一步抛光，对陶瓷盘施加200‑300千克的压力，抛光6‑8分钟；通过粗抛、中抛、精抛多工序连续抛光作业，实现高精度去厚，同时，在中抛和精抛过程中，根据硅片不同部位去厚量减小或增大对应部位的压力，保证硅片表面去厚量一致，从而保证硅片表面的厚度一致性。 | ||||||
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