子分类：
- H01L21/00：专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
- H01L23/00：半导体或其他固态器件的零部件
- H01L25/00：由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
- H01L27/00：由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
- H01L29/00：专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
- H01L31/00：对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；其零部件
- H01L33/00：至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件
- H01L35/00：包含有一个不同材料结点的热电器件，即显示出具有或不具有其他热电效应或其他热磁效应的Seebeck效应或Peltier 效应的热电器件；专门适用于制造或处理这些热电器件或其部件的方法或设备；这些热电器件的零部件
- H01L37/00：不具有不同材料结点的热电器件；热磁器件，例如应用Nernst-Ettinghausen效应的；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L39/00：应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L41/00：一般压电器件；一般电致伸缩器件；一般磁致伸缩器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备；这些器件的零部件
- H01L43/00：应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L45/00：无电位跃变势垒或表面势垒的，专门适用于整流、放大、振荡或切换的固态器件，例如介电三极管；奥氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L47/00：体负阻效应器件，例如耿氏效应器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L49/00：不包含在H01L 27/00至H01L 47/00和H01L 51/00各组内的并且未包含在任何其他小类的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备
- H01L51/00：使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 41 | 封装体及制备方法、存储系统 | CN202311524039.9 | 2023-11-14 | CN120015733A | 2025-05-16 | 曾心如; 陈鹏; 冯鑫 |
| 本申请提供了一种封装体及制备方法、存储系统。封装体包括塑封体、电路层和第一互连结构。塑封体包括在第一方向相对的第一表面和第二表面；电路层包括分别设置于第一表面和第二表面的第一电路层和第二电路层；第一互连结构沿第一方向贯穿塑封体，并分别与第一电路层和第二电路层连接，其中第一互连结构包括在第一方向相对的第一端面和第二端面，第一端面的尺寸和第二端面的尺寸相同。 | ||||||
| 42 | 一种封装结构 | CN202510136202.7 | 2025-02-07 | CN120015730A | 2025-05-16 | 张春风; 章文; 姚力; 田付有; 仇元红 |
| 本申请实施例提供一种封装结构，包括：再布线层、有机绝缘层、连接金属层及元器件。其中，再布线层包括引线。有机绝缘层位于再布线层的一侧。连接金属层包括连接部，连接部与引线电连接。连接部背离引线的表面为第一表面，有机绝缘层背离再布线层的表面为第二表面，第一表面位于第二表面背离再布线层的一侧。第一表面的形状为圆形或多边形。元器件包括接线端子，接线端子通过焊接材料与连接部电连接。本申请实施例提供的封装结构用以改善在芯片封装过程中进行元器件贴装时再布线层需预留出足够大面积的问题。 | ||||||
| 43 | 包括加强件的半导体封装件 | CN202411501611.4 | 2024-10-25 | CN120015729A | 2025-05-16 | 金钟局; 权兴奎; 张政焕; 金永澈; 李春兴; 安旻基; 张在权; 崔幸喆; 崔熙正 |
| 一种半导体封装件包括：第一再分布结构、设置在第一再分布结构上的第二再分布结构、设置在第二再分布结构的上表面上的半导体芯片、设置在第二再分布结构的下表面上的桥接芯片、设置在第一再分布结构与第二再分布结构之间的模制层、以及设置在第二再分布结构的上表面上的加强件，其中模制层围绕桥接芯片。加强件包括开口。半导体芯片设置在加强件的开口中。 | ||||||
| 44 | 倒装芯片四方扁平无引线（QFN）封装 | CN202411613345.4 | 2024-11-13 | CN120015724A | 2025-05-16 | V·桑塔玛丽亚 |
| 本公开涉及倒装芯片四方扁平无引线（QFN）封装。一种引线框架包括第一引线和第二引线，其中第一引线和第二引线中的每个引线具有上表面。在第一引线和第二引线中的每个引线的上表面上提供第一银点和第二银点。集成电路管芯具有包括第一互连焊盘和第二互连焊盘的前表面。对每个第一互连焊盘安装第一柱，并且对每个第二互连焊盘安装第二柱。集成电路管芯以倒装芯片朝向安装到引线框架，其中第一柱焊接到第一银点并且第二柱焊接到第二银点。树脂体包封安装到引线框架的集成电路管芯。 | ||||||
| 45 | 半导体装置 | CN202411354947.2 | 2024-09-27 | CN120015723A | 2025-05-16 | 小山贵裕; 松泽宪亮; 福田大祐; 井上大辅 |
| 本发明提供在进行设于导电基板上的半导体芯片与印刷基板的电连接的结构中能够减小尺寸的半导体装置。半导体装置具备：导电基板(1a)；多个半导体芯片，其设于导电基板(1a)上；印刷基板，其具有设于导电基板(1a)上的第1导电层(12f)、设于第1导电层(12f)上的绝缘层(11)以及设于绝缘层(11)上且与多个半导体芯片的第1电极电连接的第2导电层(12a)；以及第1外部端子(4a)，其设于第2导电层(12a)上且向第2导电层(12a)的上方延伸。 | ||||||
| 46 | 一种引脚可调节的功率模块封装 | CN202510188775.4 | 2025-02-20 | CN120015722A | 2025-05-16 | 方成应; 赵辉; 刘明杰 |
| 本发明提供一种引脚可调节的功率模块封装，涉及半导体封装领域，包括：芯片框架；所述芯片框架的顶端面焊接有定位框架；定位框架内设置有芯片主体；芯片框架的外部设置有PAD散热基岛；PAD散热基岛的外部焊接有芯片主体；芯片主体与定位框架的位置对正；芯片主体的外部焊接有芯片PAD铜片；芯片PAD铜片的后部对称焊接有两个引脚PAD铜片。在初始状态下第二芯片引脚收纳在第一芯片引脚内，而通过拉动控制支柱使锁止卡块从第一锁止卡槽内脱离，随后通过一系列的传动使第二芯片引脚从第一芯片引脚内弹出，解决了引脚通常相对细长且长度较为固定，在面对不同使用环境和不同的客户需求时，存在极大的局限性的问题。 | ||||||
| 47 | 半导体封装件及其制造方法 | CN202411467200.8 | 2024-10-21 | CN120015721A | 2025-05-16 | 金钟局; 权兴奎; 张政焕; 金永澈; 金大铉; 李春兴; 李光镐; 崔涬喆 |
| 提供了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。该半导体封装件包括：中间件；设置在中间件上的半导体芯片；下凸块金属(UBM)焊盘，其设置在中间件与半导体芯片之间并且包括上部UBM焊盘和下部UBM焊盘；以及连接构件，其设置在UBM焊盘与半导体芯片之间，其中，连接构件与UBM焊盘和中间件的侧表面接触。 | ||||||
| 48 | 一种增设微针鳍的内嵌歧管微通道LTCC基板 | CN202510143433.0 | 2025-02-10 | CN120015719A | 2025-05-16 | 李伟; 王志奎; 杨程; 朱啸宇; 许华健 |
| 本发明公开了一种增设微针鳍的内嵌歧管微通道LTCC基板，包括顶部盖板层、中部微通道层、底部基板层和外部驱动组件，顶部盖板层上设置射频器件单元，中部微通道层设置主路和旁路歧管微通道，在主路歧管微通道的输入段设置多个分流微针鳍，在旁路歧管微通道设置多个扰流微针鳍，底部基板层上设有进/出液口，外部驱动组件包括控制器、微管和微泵。工作时，冷却工质通过微管传输，流经中部微通道层的主路歧管微通道，通过分流微针鳍将冷却工质分配到旁路歧管微通道，继而在扰流微针鳍的作用下充分混合，带走高功率射频器件产生的热量并输送到外部环境。本发明实现LTCC基板和散热技术的有机融合，强化高热流密度射频器件的高效冷却。 | ||||||
| 49 | 内嵌液态金属的高导热氮化硅基板及其制备方法 | CN202510191265.2 | 2025-02-20 | CN120015716A | 2025-05-16 | 李群 |
| 本申请提供了一种内嵌液态金属的高导热氮化硅基板及其制备方法，高导热氮化硅基板包括：第一散热层，具有内嵌封闭腔体，腔体内填充有液态金属；第一钎焊层，位于第一散热层的一侧；第二散热层，位于第一钎焊层背离第一散热层的一侧；第二钎焊层，位于第一散热层背离第一钎焊层的一侧；第三散热层，位于第二钎焊层背离第一散热层的一侧。高导热氮化硅基板将半导体器件产生的热量从第二散热层传递至具有液态金属的第一散热层中，由于液态金属的熔点较低，受热熔融成为液态，利用对流散热将热量快速传递至第三散热层，增强了基板的被动导热能力。解决了现有技术中氮化硅基板的导热能力无法满足小型化集成高功率密度功率模块封装的散热需求问题。 | ||||||
| 50 | 封装组件以及电子设备 | CN202410057866.X | 2024-01-15 | CN120015713A | 2025-05-16 | 杨江涛; 鹿麟; 王玉传; 潘姣; 衡飞; 梁腾和 |
| 本申请实施例提供一种封装组件以及电子设备，涉及电子设备技术领域。该电子设备的封装组件安装在该电子设备的电路板上，通过设置一端与散热装置热导通、另一端与封装组件中靠近电路板的芯片热导通的导热柱，使得封装组件中靠近电路板的芯片可以通过导热柱将热量传递到散热装置进行散热。这样，可使封装组件中靠近电路板的芯片的散热效率较高，利于提高整个封装组件的散热效率。 | ||||||
| 51 | 一种具有防水功能的三极管 | CN202510154281.4 | 2025-02-12 | CN120015707A | 2025-05-16 | 高泽慧; 张小娟; 黎凯玉 |
| 本发明涉及三极管技术领域，具体为一种具有防水功能的三极管，包括三极管主体、三极管引脚、导热内壳、橡胶壳、散热组件、固定组件、防护外壳、防护壳盖，三极管引脚一端固定安装在三极管主体下端，导热内壳、橡胶壳、防护外壳依次固定安装在三极管主体外侧，固定组件固定安装在三极管引脚下端，防护壳盖固定安装在防护外壳上端，导热内壳底端安装有包裹三极管引脚的导热柱，三极管引脚通过固定组件与端口连接，散热组件从防护外壳下端伸出部分的长度与三极管主体周围温度成正比，当温度到三极管极限温度导热内壳内气体通过导热柱向下推动固定组件断开三极管引脚和端口的连接。 | ||||||
| 52 | 半导体基板 | CN202510136611.7 | 2020-02-28 | CN120015705A | 2025-05-16 | 正木克明; 村川贤太郎 |
| 提供一种半导体基板。本公开的半导体元件的制造方法包含：元件形成工序（S1），在基底基板（11）上形成半导体元件（15），所述半导体元件（15）经由连接部（13b）而与基底基板（11）连接，并且具有相对于基底基板（11）的生长面倾斜的上表面（15a）；准备工序（S2），准备具有与基底基板（11）对置的对置面（16c）的支承基板（16）；接合工序（S3），将半导体元件（15）的上表面（15a）向支承基板（16）的对置面（16c）按压以及进行加热，将半导体元件（15）的上表面（15a）和支承基板（16）接合；以及剥离工序（S4），将半导体元件（15）从基底基板（11）剥离。 | ||||||
| 53 | 一种转角二维材料的制备方法 | CN202510067615.4 | 2025-01-15 | CN120015704A | 2025-05-16 | 王迎新; 赵自然; 陈猛; 赵耀坤; 李思佳 |
| 本发明属于二维材料技术领域，具体涉及一种转角异质结的制备方法。所述制备方法在制备二维材料薄片时，基于亲水性聚合物层表面平整、粘性强的特点，可以实现在有亲水性聚合物薄膜层的硅衬底上剥离出大面积的二维材料，且剥离过程干净，对二维材料无损伤；在制备转角异质结时，基于范德瓦尔斯力拾取的转移方法，并通过调节转移介质的形状和大小，使得中间二维材料或活性界面在整个转移过程中不会接触任何聚合物，从而大大减少了异质界面的污染，实现了高效快捷、无聚合物残留、界面无气泡的范德瓦尔斯异质结构的制备。 | ||||||
| 54 | 提高铜互连抗电迁移性能的方法 | CN202510213637.7 | 2025-02-25 | CN120015701A | 2025-05-16 | 孙少俊; 王京; 郭振强; 黄鹏 |
| 本发明提供一种提高铜互连抗电迁移性能的方法，提供衬底，衬底上形成集成电路器件；在衬底上形成互连结构，其中，互连结构包括与集成电路器件连接的多个导电部件，以及包括层间介电层以分离和隔离各种导电部件，互连结构的顶部金属线为铜金属线；将衬底转移至工艺腔中，去除工艺腔中的水蒸气；在工艺腔中通入还原性气体，将铜金属线表面的氧化铜还原为铜；在工艺腔中通入含硅气体，使铜金属线表面形成铜硅化物；在工艺腔中同时通入含硅气体和含氮气体，使铜金属线表面形成新的铜硅化物和铜氮化物，以及形成覆盖铜硅化物和铜氮化物上的氮化层；形成覆盖氮化层的介质阻挡层。本发明的方法能够提升铜互连抗电迁移性能；与已有工艺有良好的兼容性。 | ||||||
| 55 | 采用Cu-Cu键合制备氮化镓金刚石CMOS器件的方法及其应用 | CN202510205543.5 | 2025-02-24 | CN120015697A | 2025-05-16 | 刘新科; 陈春燕; 黎晓华; 张崇磊; 刘海文; 刘河洲 |
| 本发明提供了一种采用Cu‑Cu键合制备氮化镓金刚石CMOS器件的方法及其应用。该方法包括：(1)分别在平面型p‑金刚石MOSFET晶圆和平面型GaN‑HEMT MOSFET晶圆的表面制备Cu‑Pads，获得含第一Cu‑Pads的平面型p‑金刚石MOSFET器件和含第二Cu‑Pads的平面型GaN‑HEMT MOSFET器件；(2)将第一Cu‑Pads和第二Cu‑Pads相向对齐，在预定温度和预定压力下进行Cu‑Cu键合连接，获得氮化镓金刚石CMOS器件。所提供的方法可实现不同器件的分开制造，从而避免GaN薄膜在金刚石衬底上外延的技术难题从而可以降低生产难度和成本。 | ||||||
| 56 | 一种形成铜阻挡层的方法和含铜导电结构及其形成方法 | CN202311543170.X | 2023-11-16 | CN120015694A | 2025-05-16 | 王俊杰 |
| 本公开涉及一种形成铜阻挡层的方法和含铜导电结构及其形成方法。包括以下步骤：S1、对半导体器件的介质层进行双大马士革镶嵌处理，以在介质层刻蚀出孔和槽；S2、在Co前驱体存在条件下，通过化学气相沉积在刻蚀后的半导体器件的表面沉积Co层；S3、在W靶材存在条件下，通过物理气相沉积在Co层表面沉积W层；S4、进行退火处理，以在半导体器件的表面形成CoW合金铜阻挡层。本公开能够解决在小尺寸工艺上镀铜容易产生孔洞缺陷的问题，并且阻挡铜扩散效果好。 | ||||||
| 57 | 半导体结构的制备方法 | CN202510216755.3 | 2025-02-25 | CN120015693A | 2025-05-16 | 周维杰; 常靖华 |
| 本申请涉及一种半导体结构的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底中具有若干沟槽；在所述沟槽中和所述衬底上形成隔离介质层，所述隔离介质层的背离所述衬底的表面具有凹陷区和凸起部；在所述沟槽中和所述衬底上形成隔离介质层，所述隔离介质层的背离所述衬底的表面具有凹陷区和凸起部；对所述隔离介质层和所述覆盖层进行退火；采用化学机械研磨工艺去除所述覆盖层和部分所述隔离介质层，在所述沟槽中形成浅沟槽隔离结构。本申请的方法使得最终在衬底的不同区域形成的浅沟槽隔离结构的表面保持平整（消除了不同浅沟槽隔离结构的高度差）。 | ||||||
| 58 | 深沟槽隔离结构的制造方法 | CN202510213682.2 | 2025-02-25 | CN120015692A | 2025-05-16 | 张祥; 田野; 陈天; 王黎; 陈华伦 |
| 本发明提供一种深沟槽隔离结构的制造方法，在衬底上形成有第一氧化层、刻蚀停止层和第一硬掩膜层，利用光刻、刻蚀形成深沟槽，利用热氧化的方法在深沟槽上形成第二氧化层，之后形成填充深沟槽的第一填充层，研磨第一填充层至刻蚀停止层上；去除深沟槽上侧的部分第二氧化层和第一填充层形成剖面形貌近似于矩形的第一浅沟槽，之后利用各向同性刻蚀形成底部剖面形貌近似于圆弧形的第二浅沟槽，第二浅沟槽的横向长度大于第一浅沟槽；在第二浅沟槽和刻蚀停止层上形成第二硬掩膜层；利用光刻、刻蚀在深沟槽的上方形成第三浅沟槽以定义出有源区的位置，使得裸露的第二硬掩膜层去除。本发明提升了DTI工艺窗口，利于DTI隔离可靠性提升。 | ||||||
| 59 | 基板升降装置和包括该基板升降装置的基板加工装置 | CN202411344712.5 | 2024-09-25 | CN120015688A | 2025-05-16 | 黄文赫; 崔汉彬 |
| 本公开涉及基板升降装置和包括该基板升降装置的基板加工装置。根据本公开的基板升降装置包括：升降销，该升降销贯穿在加工空间中支承基板的基板支承单元、并提升和降低基板；销保持器，升降销的下部插入到所述销保持器中；以及波纹管，该波纹管环绕销保持器，其中销保持器形成有导向构件，该导向构件的下部与螺栓耦接并沿加工空间的方向引导在波纹管内产生的气流。 | ||||||
| 60 | 应用于卡盘的晶圆吸附方法 | CN202510164625.X | 2025-02-13 | CN120015686A | 2025-05-16 | 方文长 |
| 一种应用于卡盘的晶圆吸附方法，包括：通过卡盘的加热部件对晶圆进行第一预加热处理，第一预加热处理的加热温度从预设初始温度逐步升温至第一目标温度，对晶圆进行第一预加热处理之后，并通过吸附部件吸附晶圆，以使晶圆吸附在卡盘的承载面上；通过对晶圆进行第一预加热处理且第一预加热处理的加热温度从预设初始温度逐步升温至第一目标温度，有利于提高晶圆内部的温度均一性，相应降低晶圆内部的热应力，从而降低晶圆发生形变的概率，之后通过所述吸附部件吸附所述晶圆时，由于此时晶圆发生形变的概率降低，因而，降低了晶圆与卡盘之间的摩擦力，相应减少了因摩擦力产生的颗粒，从而改善了晶圆边缘颗粒的问题。 | ||||||
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈