子分类：
- H01L23/02：·容器；封接
- H01L23/12：·安装架，例如不可拆卸的绝缘衬底
- H01L23/16：·容器中的填充料或辅助构件，例如定心环
- H01L23/28：·封装，例如密封层、涂覆物
- H01L23/32：·用于支承处于工作中的完整器件的支座，即可拆卸的夹紧装置
- H01L23/34：·冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
- H01L23/48：·用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
- H01L23/52：·用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
- H01L23/544：·加到半导体器件上的标志，例如注册商标、测试图案
- H01L23/552：·防辐射保护装置，例如光
- H01L23/58：·其他组不包含的，用于半导体器件的电结构装置
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 一种具有防水功能的三极管 | CN202510154281.4 | 2025-02-12 | CN120015707A | 2025-05-16 | 高泽慧; 张小娟; 黎凯玉 |
| 本发明涉及三极管技术领域，具体为一种具有防水功能的三极管，包括三极管主体、三极管引脚、导热内壳、橡胶壳、散热组件、固定组件、防护外壳、防护壳盖，三极管引脚一端固定安装在三极管主体下端，导热内壳、橡胶壳、防护外壳依次固定安装在三极管主体外侧，固定组件固定安装在三极管引脚下端，防护壳盖固定安装在防护外壳上端，导热内壳底端安装有包裹三极管引脚的导热柱，三极管引脚通过固定组件与端口连接，散热组件从防护外壳下端伸出部分的长度与三极管主体周围温度成正比，当温度到三极管极限温度导热内壳内气体通过导热柱向下推动固定组件断开三极管引脚和端口的连接。 | ||||||
| 2 | 电路板和包括该电路板的半导体封装 | CN202380067701.4 | 2023-08-23 | CN119948627A | 2025-05-06 | 金圣民; 孔恩英; 黃施允 |
| 根据实施例的电路板包括绝缘层；以及电路层，所述电路层设置在绝缘层上，并具有接触绝缘层的下表面和面向下表面的上表面，其中电路层包括穿过上表面和下表面的多个通孔，并且其中多个通孔中的每一个的直径等于或大于多个通孔中的彼此相邻设置的两个通孔之间的分离距离。 | ||||||
| 3 | 混合集成电路架构 | CN202180095896.4 | 2021-03-26 | CN117043929B | 2025-05-06 | 弗洛里安·G·赫劳特 |
| 一种电子组件，包括：载体晶片，该载体晶片具有晶片顶面和晶片底面；电子集成电路形成在载体晶片中并且包括在晶片顶面上的集成电路接触焊盘；所述载体晶片包括具有壁的贯通晶片腔，壁将所述晶片顶面连结到所述晶片底面；部件芯片，该部件芯片具有部件芯片顶面、部件芯片底面和部件芯片侧面，部件芯片通过所述部件芯片的至少侧面与填充所述贯通晶片腔的至少一部分的附着金属的直接接触而保持在所述贯通晶片腔中；所述部件芯片包括在所述部件芯片底面上的至少一个部件接触焊盘；以及导体，该导体连接所述集成电路接触焊盘和所述部件接触焊盘。 | ||||||
| 4 | 用于制造电子器件的方法和电子器件 | CN202380067628.0 | 2023-09-12 | CN119908032A | 2025-04-29 | 托马斯·施瓦茨 |
| 一种用于制造电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：提供电子半导体芯片，其中在电子半导体芯片的接触侧处构成有第一接触面和第二接触面，其中第一接触面和第二接触面以第一高度突出超过接触侧的位于第一接触面和第二接触面之间的部段；提供载体，其中在载体的上侧处构成有第一配合接触面和第二配合接触面，其中第一配合接触面和第二配合接触面以第二高度突出超过载体的上侧的位于第一配合接触面和第二配合接触面之间的部段，其中第一高度大于或等于零并且第二高度大于、小于或等于零，其中作为第一高度和第二高度的总和形成的总高度大于零；将胶囊设置在配合接触面上，其中胶囊分别具有坚固的外壳，所述外壳包围过冷的金属液体，其中胶囊分别具有小于总高度的直径；以及将电子半导体芯片按压到载体上，使得电子半导体芯片的接触面按压到载体的配合接触面上，其中设置在接触面和配合接触面之间的胶囊的外壳裂开并且金属液体润湿接触面和配合接触面。 | ||||||
| 5 | 低电流电压源看门狗 | CN202380066055.X | 2023-08-29 | CN119895570A | 2025-04-25 | M·K·霍夫迈尔; M·道尔; K·肖内克; L·A·伯格; M·A·瓦尔特; T·W·梁; J·R·丹格勒; J·J·比约加德 |
| 电压源看门狗包括被串联放置在电压源与负载之间的无源器件。所述无源器件包括已知材料的电迁移(EM)连接点，所述已知材料在指定量的电流通过所述EM连接点后将形成电迁移空洞。在已知量的电流通过之后，空洞被形成并且电压不再被感测到，从而提供可靠的安全模式情况。当所述电压源是电池时，可以通过选择性地启用所提出的看门狗的电压测量操作来延长电池寿命。 | ||||||
| 6 | 半导体装置 | CN202411380675.3 | 2024-09-30 | CN119864325A | 2025-04-22 | 增野真也 |
| 本发明提供一种即使在存在水分的环境下动作也难以产生电特性的变动的半导体装置。在作为由聚合物或者含有填料的聚合物构成的支承基板的一个面的上表面设置有由无机绝缘材料构成的绝缘层。在绝缘层上设置有包含半导体元件的电路形成层。由透湿性比支承基板的透湿性低的材料形成的膜覆盖支承基板的侧面及与上表面相反侧的下表面。 | ||||||
| 7 | 半导体器件及其制造方法 | CN202411249803.0 | 2024-09-06 | CN119812117A | 2025-04-11 | 森山卓史; 河合彻 |
| 本公开的各实施例涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：半导体衬底、被形成在半导体衬底上的多层布线结构、被形成为以便围绕电路形成区域并且穿透多层布线结构的保护环，以及被形成在多层布线结构上的焊盘。保护膜被形成为以便覆盖多层布线结构、保护环和焊盘。沟槽被形成为以便穿透保护膜并且到达多层布线结构的内部。沟槽被形成为以便围绕保护环。保护环包括被形成在多层布线结构上的布线。沟槽与布线间隔开并且与布线相邻。沟槽的底表面是倾斜的，以便在从电路形成区域朝向围绕电路形成区域的外围区域的方向上连续地加深。 | ||||||
| 8 | 半导体装置及其制造方法 | CN202411248856.0 | 2024-09-06 | CN119786440A | 2025-04-08 | 张宪龙 |
| 本申请涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：第一芯片，其具有第一芯片主体以及设置在第一芯片主体上并包括第一接合焊盘的第一接合层；以及第二芯片，其接合在第一接合层上，并且具有第二芯片主体和第二接合层，该第二接合层设置在第二芯片主体下方并且包括接合到第一接合焊盘的第二接合焊盘，其中，第一接合层的侧表面和第二芯片的侧表面向第一芯片主体的侧表面内缩回。 | ||||||
| 9 | 用于形成对准标记的方法 | CN202380062057.1 | 2023-08-28 | CN119768920A | 2025-04-04 | P·利安托; 江柳; M·L·伯恩特; E·M·巴齐齐; 徐源辉 |
| 一种用于形成对准标记的方法利用垫密度和临界尺寸(CD)。在一些实施例中，所述方法包括在第一基板和第二基板上形成第一对准标记和第二对准标记，其中所述对准标记具有在相应基板上的铜垫的相关联CD的5％内的宽度，以及在第一对准标记和第二对准标记周围形成第一虚设图案和第二虚设图案。第一虚设图案和第二虚设图案具有在第一基板和第二基板的相应铜垫密度的5％内的虚设图案密度和在相应铜垫CD的5％内的CD。在一些实施例中，在相对基板表面上具有实体介电材料突起和凹槽的对准标记可进一步增强粘合。 | ||||||
| 10 | 烧结装置及方法 | CN202380061785.0 | 2023-08-24 | CN119768910A | 2025-04-04 | 克里斯托夫·奥策尔 |
| 本发明涉及用于通过加压烧结同时连接多个并排布置的电子器件(22)的组件的一种烧结装置(10)及一种方法。该烧结装置具有上模(12)及下模(14)，该烧结装置包括多个可配设于该上模(12)的第一冲压头(16)以及至少一个、特别是多个配设于该下模(14)的第二冲压头(18)，在这些冲压头之间容置有这些器件(22)。为此，每个第一冲压头(16)及/或每个第二冲压头(18)均配设有一个驱动装置(28、28.1、28.2)，该驱动装置设置为通过沿压力(P)的作用方向轴向移动所对应的第一冲压头(16)及/或所对应的第二冲压头(18)而对这些器件(22)中的一个施加压力。本发明提出：这些第一冲压头(16)在加压操作开始前放置至这些器件(22)上，并且在施加该压力期间将这些器件(22)压向该至少一个第二冲压头(18)。 | ||||||
| 11 | 切割方法、半导体结构以及芯片 | CN202411836885.9 | 2024-12-12 | CN119764257A | 2025-04-04 | 宋胜金; 胡胜 |
| 本发明涉及一种切割方法、一种半导体结构以及一种芯片。所述切割方法中，在基板的第二区域形成第一沟槽并填充第一介质层，再在第一沟槽内的第一介质层内形成第二沟槽，通过形成第一沟槽，将基板原本位于第一沟槽区域的结构去除，所述结构可以是复杂结构且可包括不同种材质，在形成所述第二沟槽时，第一沟槽区域仅刻蚀第一介质层，相较于直接去除第二区域的结构以形成沟槽，适用于基板不同切割区域材质，可降低切割难度，且有助于减少切割过程对基板的破坏性及污染，提高切割质量。所述半导体结构和所述芯片可采用上述切割方法形成，所述半导体结构和所述芯片受到的破坏性及污染小，所述半导体结构和所述芯片的质量较高。 | ||||||
| 12 | 阵列基板和显示面板 | CN202411725353.8 | 2024-11-28 | CN119730383A | 2025-03-28 | 曹中林; 叶利丹 |
| 本申请公开了一种阵列基板和显示面板。其中，阵列基板包括：衬底层、栅极驱动电路和第一隔绝层，衬底层设置有栅极驱动区和显示驱动区，栅极驱动区位于显示驱动区的周边，栅极驱动区设置有第一沉槽；栅极驱动电路设置于第一沉槽内；第一隔绝层设置于第一沉槽内，并覆盖栅极驱动电路。显示面板包括对置基板和阵列基板，对置基板与阵列基板对置。本申请的技术方案能够有效的使栅极驱动电路中的TFT开关特性稳定，减少显示功能异常的情况。 | ||||||
| 13 | 晶圆的划片方法及晶圆结构 | CN202411941903.X | 2024-12-25 | CN119725230A | 2025-03-28 | 刘万钟; 金炳秀; 胡显维 |
| 本申请公开了一种晶圆的划片方法及晶圆结构，划片方法包括：在所述划片槽区域中形成凹槽；在所述凹槽中形成填充层；其中，所述填充层的材料硬度小于硬度阈值，所述晶圆的材料硬度为所述硬度阈值。本申请的晶圆的划片方法及晶圆结构，通过在划片槽区域中提前形成凹槽并填充低硬度材料，一方面减小划片过程中切割时的高硬度材料的厚度，另一方面该凹槽也可以作为切割时刀片的位置限制槽。 | ||||||
| 14 | 一种高性能IPM模块的封装结构及其制作方法 | CN202311232528.7 | 2023-09-22 | CN119694985A | 2025-03-25 | 李秀灵; 许艳军 |
| 本发明公开了一种高性能IPM模块的封装结构及其制作方法，其中，该封装结构包括：管壳底座、管壳边框、盖板、功率板、信号板、绝缘子和管脚，管壳底座的材质为硅铝；管壳底座与管壳边框通过金锡焊料焊接；功率板焊接于管壳底座上；信号板固定于管壳底座上；管壳底座上表面具有用于同功率板和信号板配合的内部装配区，管壳底座上表面设有用于同管壳边框配合的焊接槽，和设有位于内部装配区与焊接槽之间的焊接隔离带。本方案一方面采用硅铝管壳底座，实现产品轻型化设计，另一方面采用匹配的金锡焊料焊接管壳底座与管壳边框，及在管壳底座上设有焊接槽和焊接隔离带，阻挡熔融的焊料向内部装配区溢出，防止功率板与管壳底座焊接时焊料流淌到焊接槽上。 | ||||||
| 15 | 无线通信装置及控制物理层分组接收方法 | CN202380037295.7 | 2023-05-04 | CN119678252A | 2025-03-21 | G·高 |
| 本发明公开了用于成组翻转和单个拾取工具的各种系统、方法和装置的实施例。本文公开的实施例可用于例如直接键合器件的制造。 | ||||||
| 16 | 用于管芯到管芯的改进的凸块共面性和其他应用 | CN202380055291.1 | 2023-08-04 | CN119654707A | 2025-03-18 | D·何; H-Y·许; Y·孙; L·赵 |
| 公开了用于选择性推升导电柱凸块的技术。在一方面，一种装置包括：多个金属焊盘；第一推升焊盘集合，第一推升焊盘集合附连到多个金属焊盘的第一集合；第一导电柱凸块集合，第一导电柱凸块集合附连到第一推升焊盘集合；第二导电柱凸块集合，第二导电柱凸块集合附连到多个金属焊盘的第二集合，其中第一导电柱凸块集合的高度短于第二导电柱凸块集合的高度，并且其中第一推升焊盘集合的高度加上第一导电柱凸块集合的高度在第二导电柱凸块集合的高度的容限阈值内，以及焊料，该焊料附连到第一导电柱凸块集合和第二导电柱凸块集合。 | ||||||
| 17 | 防硫化的功率模块 | CN202510067300.X | 2025-01-16 | CN119650520A | 2025-03-18 | 石彩云; 张海泉; 崔崧; 赵善麒 |
| 本发明属于功率模块技术领域，具体涉及一种防硫化的功率模块。该防硫化的功率模块包括：散热基板；陶瓷基板，设置在散热基板上；第一覆铜区和第二覆铜区，设置在陶瓷基板上，且第一覆铜区和第二覆铜区的相邻端之间设置有沟槽；所述第一覆铜区上设置有第一功率端子，所述第二覆铜区上设置有芯片和第二功率端子；以及附着陶瓷，设置在第一覆铜区和第二覆铜区的相邻端之间。换言之，通过在加压电位的相邻两个覆铜区的相邻端之间增加了附着陶瓷的方案设计，可以阻止施加电压的环境中铜箔与硫化氢气发生反应生成硫化铜晶体引发短路，导致模块失效的现象发生。 | ||||||
| 18 | 三维堆叠电子组件的基板框架设计 | CN202380056256.1 | 2023-06-20 | CN119631594A | 2025-03-14 | 阿卡什·阿格瓦尔; 普拉尚贝·甘尼什巴布 |
| 为了减轻三维(3D)堆叠电子组件中基板上的应力，基板框架可以被分成多个框架部分，这些框架部分被框架部分之间的空间分隔开。这些间隔允许基板响应于温度变化和其他环境条件而膨胀/收缩，并且通常允许基板沿一个或多个轴向方向移动。基板部分之间的间隔对于每个基板设计可以是设计特定的。可以通过物理测量、物理模型模拟或使用经过训练的神经网络，来分析IC封装在基板两侧的放置，以识别最大翘曲区域。然后，可以将基板框架中的空间放置在最大翘曲区域旁边或与最大翘曲区域对齐，以减少基板上的应力。 | ||||||
| 19 | 包括插入件的电子装置 | CN202380055702.7 | 2023-07-26 | CN119586333A | 2025-03-07 | 金义燮; 罗载渊 |
| 根据实施例，电子设备包括：印刷电路板，包括第一非导电层、设置在第一非导电层上的导电图案以及包围导电图案并且设置在第一非导电层上的第二非导电层；插入件，设置在第二非导电层上；以及多个焊料，设置在插入件与第二非导电层之间并且沿着插入件的边缘中的至少一些设置。导电图案的一部分可以与第一非导电层的与第一焊料重叠的部分的边缘间隔开，并且可以沿着边缘的一些弯曲地延伸。其它各种实施例也是可能的。 | ||||||
| 20 | 包括形成在自发光器件上的颜色转换层的显示模块及其制造方法 | CN202380054052.4 | 2023-09-21 | CN119563396A | 2025-03-04 | 李大熙; 高诚俊; 孙尚贤 |
| 本公开提供一种显示模块。该显示模块包括：基板；以及多个像素，在基板上，其中，多个像素中的每一个像素包括：第一自发光元件、第二自发光元件和第三自发光元件，被配置为分别发射第一波段的光；第一颜色转换层，被配置为设置在第一自发光元件上，并且包括多个第一量子点，用于吸收从第一自发光元件发射的第一波段的光并且发射第二波段的光；以及第二颜色转换层，被配置为设置在第二自发光元件上，并且包括多个第二量子点，用于吸收从第二自发光元件发射的第一波段的光并且发射第三波段的光，其中，第一颜色转换层和第二颜色转换层包括多个泡沫颗粒，该多个泡沫颗粒被配置为散射从第一自发光元件发射的光和从第二自发光元件发射的光。 | ||||||
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