子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 黑色矩阵整合 | CN202380066866.X | 2023-10-13 | CN119895529A | 2025-04-25 | 戈尔拉玛瑞扎·恰吉 |
| 本发明公开了在具有微器件的光电系统中减少表面反射和改善对比度的方法，该微器件可以包括微LED、微传感器、MEMS或另一类型的半导体或光电器件。具体地，使用黑色矩阵、像素电路层、反射层、光学结构、可光限定的聚合物和电介质。本文中，该光学结构可以包括波长调谐材料。 | ||||||
| 2 | 用于定向自组装的低Tg多系链共聚二嵌段共聚物 | CN202380059729.3 | 2023-08-14 | CN119731227A | 2025-03-28 | D·巴斯卡兰; M·S·拉赫曼; V·蒙雷亚尔 |
| 公开了具有通式结构(I)或(III)的两种不同的嵌段共聚物族，其组合物，以及将这些组合物用于DSA的方法；其中B片段和B1片段是极性嵌段共聚物片段，其包含2‑亚甲基链烷酸烷基酯衍生的重复单元、内酯衍生的重复单元、环氧乙烷衍生的重复单元、氧杂环丁烷或环状碳酸酯衍生的重复单元；L和L1是直接价键或衍生自1,1‑二芳基乙烯的连接部分；A片段和E”A、1E是包含苯乙烯类重复单元的非极性嵌段共聚物片段3和E4是不同类型的端基，A2是衍生自Tg为约‑5℃至约，E‑’50、℃的烯属烃或二烯的嵌段片段，且在结构(I)中，如所概述在不同位置通过低聚柔性系链基团多系链A2‑L1‑B1‑E4(III)。 。E’‑A‑L‑B‑E”(I)E3‑A1‑ | ||||||
| 3 | 在衬底上制造并包含在衬底上外延生长的铁电层的电光装置 | CN202080088210.4 | 2020-10-19 | CN114830332B | 2025-03-28 | 梁勇; N·库玛 |
| 在绝缘体上半导体(SOI)衬底上制造电光装置。所述电光装置包含二氧化硅层和在所述二氧化硅层上的具有铁电特性的有源层。所述二氧化硅层包括所述SOI衬底的第一二氧化硅层和从所述SOI衬底的硅层转换的第二二氧化硅层。所述有源层包括在所述SOI衬底的所述硅层上外延生长的缓冲层和在所述缓冲层上外延生长的铁电层。所述电光装置进一步包含在所述有源层上方的一个或多个附加层，以及通过所述一个或多个附加层中的至少一个到所述有源层的第一接触件和第二接触件。本文还描述了制造所述电光装置的方法。 | ||||||
| 4 | 学习装置、推断装置及学习完成模型 | CN201980057338.1 | 2019-08-23 | CN112640038B | 2025-01-14 | 中乡孝祐; 本木大资; 渡部正树; 小松智希; 茂木弘典; 本田昌伸; 加藤隆彦; 新关智彦 |
| 一种用于提高制造工艺的仿真精度的学习装置。该学习装置包括：取得部，取得对象物的图像数据和关于针对所述对象物的处理的数据；以及学习部，向学习模型输入所述对象物的图像数据和关于所述处理的数据，并且以使所述学习模型的输出接近所述处理后的所述对象物的图像数据的方式，使所述学习模型进行学习。 | ||||||
| 5 | 热电发电机中用于提高性能的热透镜电极 | CN201980088078.4 | 2019-11-16 | CN113272979B | 2024-12-27 | R·佩奇; J·B·纽曼; I·M·巴萨 |
| 本文公开了示例性热电装置和方法。通过在热电颗粒主体内形成等温场来提高热电发电机性能，从而增加热电发电机模块的功率输出。在一个实施例中，一种热电装置包含包括半导体材料的颗粒、包围所述颗粒的第一部分的第一金属层以及包围所述颗粒的第二部分的第二金属层。所述第一金属层和所述第二金属层围绕所述颗粒的周界彼此接近地配置。所述颗粒在所述周界处暴露。并且所述周界被配置在围绕所述颗粒的侧壁高度处，以通过改良所述颗粒内的等温线表面曲率来对所述热电装置的功率输出提供非线性效应。所述装置还包含以热方式和电气方式键合到所述颗粒的金属容器。 | ||||||
| 6 | 用于有机电致发光器件的环状化合物 | CN202380038504.X | 2023-05-03 | CN119156435A | 2024-12-17 | 菲利普·斯托塞尔 |
| 本发明涉及适合用于电子器件中的环状化合物，并且涉及含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。 | ||||||
| 7 | 用于印刷电子器件的可转移电极 | CN202380035987.8 | 2023-03-10 | CN119073007A | 2024-12-03 | L·萨瑟兰; H·维拉辛哈; 朴斗镇; 高梅 |
| 一种可转移电极布置，包含：具有释放表面的柔性释放基材；和可转移电极，包含位于释放基材的释放表面上方的至少一个传导层，其包含溶液加工的传导层，其中至少一个传导层包括与接收表面接合的接合传导层，并且包含碳质传导层或有机传导层，并且其中所述可转移电极可释放地附着到释放基材的释放表面。 | ||||||
| 8 | 用于电化学传感器的电极 | CN201880011289.3 | 2018-01-30 | CN110249225B | 2024-12-03 | S.E.霍赫斯特勒; D.L.阿什福德二世 |
| 用于生物传感器的电化学电极。该电极包含基底、在该基底上制造的钯金属层和在该钯金属层上制造的含氧化钯层。该钯金属层具有不超过90 nm的厚度，该含氧化钯层具有不超过40 nm的厚度。 | ||||||
| 9 | 氮杂锡三环、锡三环及其制备和用途 | CN202280087046.4 | 2022-12-27 | CN118696148A | 2024-09-24 | 潘幼林; B·C·阿克莱斯; R·J·利伯拉托尔 |
| 本发明描述了两类环状锡化合物，三氧杂‑氮杂‑1‑锡二环‑[3.3.3]‑十一烷，也称为锡三环，和四氮杂‑1‑锡二环‑[3.3.3]十一烷，也称为氮杂锡三环，及其制备方法。这些环状锡化合物不易重排，并且在合成、纯化或沉积所述化合物以形成氧锡酸盐膜的过程中没有观察到二烷基锡杂质的生成。 | ||||||
| 10 | 一种特气输送供应装置、系统、方法及半导体工艺系统 | CN202311216051.3 | 2023-09-20 | CN117450423B | 2024-07-09 | 纪雪峰; 陈亮; 范威威 |
| 本发明涉及一种特气输送供应装置、系统、方法及半导体工艺系统，特气输送供应装置包括第一气体输入单元、加热单元、过滤单元、调压单元、检测单元、第一气体输出单元和第一排放单元。其优点在于，通过过滤单元和调压单元对特殊气体进行二次过滤和二次调压，将槽车输送的高压特殊气体转变为低压特殊气体，以满足工艺腔室的使用要求；利用检测单元对经过滤单元、调压单元处理的特殊气体进行检测，判断特殊气体的气体成分、浓度等是否满足使用需求，有效提高气体处理效率，提高后续工艺良率；利用第一排放单元特气输送供应装置的特殊气体进行排放，确保未满足检测要求的特殊气体不进入后续工艺腔室。 | ||||||
| 11 | 工艺限制策略确定方法和装置、服务器、存储介质 | CN202280003951.7 | 2022-10-31 | CN118284953A | 2024-07-02 | 刘朝正; 李文娟; 朴南植; 王洪; 李鹏; 李小伟; 高俊 |
| 本公开是关于一种工艺限制策略确定方法和装置、服务器。方法包括：响应于为目标设备绑定工艺限制策略的操作，显示所述目标设备对应的下拉菜单；下拉菜单中包括目标设备可选用的至少一项工艺限制策略(41)；响应于选择下拉菜单中的目标工艺限制策略的操作，确定目标设备和目标工艺限制策略之间的关联关系(42)。本实施例的方案可以预先创建工艺限制策略，并为目标设备设置相应的工艺限制策略，达到统一处理工艺限制策略的目的，方便不同批次产品在站点之间流转，有利于提高生产效率。 | ||||||
| 12 | 对玻璃制品进行金属化的方法 | CN202080092224.3 | 2020-12-11 | CN114929639B | 2024-06-25 | P·S·布朗; M·卡努勾; P·马宗达 |
| 一种制造玻璃制品的方法，所述方法包括：在玻璃基材上形成第一金属的第一层，所述玻璃基材包括二氧化硅和氧化铝；使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受第一热处理；在第一金属的第一层的上方形成第二金属的第二层；以及使第二金属的第二层经受第二热处理，所述第一热处理和所述第二热处理诱导玻璃基材的铝、氧化铝、硅和二氧化硅中的至少一者，第一金属和第二金属相互混合而形成包含第一金属、第二金属、氧化铝和二氧化硅的金属区域。第一金属可以是银。第二金属可以是铜。 | ||||||
| 13 | 学习装置、推断装置以及已学习模型 | CN201980058184.8 | 2019-08-29 | CN112655071B | 2024-04-16 | 山本康介; 福留誉司; 板桥贤; 伏见直茂; 松崎和爱 |
| 提供一种学习装置，使用被输入至输入层的数据，基于学习模型来进行机器学习，所述学习装置具有：计算部，其计算将模拟数据同与晶圆表面平行的XY坐标进行了关联的规定个数的特征量，所述模拟数据是设定用于进行半导体制造工艺的处理容器内的环境信息并将设置于所述处理容器的规定的配件作为变量来进行半导体制造工艺的模拟所得到的结果；以及输入部，其将计算出的所述规定个数的特征量输入至所述输入层。 | ||||||
| 14 | 具有下沉接触件的晶体管器件及其制造方法 | CN201780088387.2 | 2017-03-13 | CN110832617B | 2024-04-16 | 熊育飞; 杨红; M·F·奇索姆; 刘运龙 |
| 一种器件，其包括半导体衬底(100)；掩埋层(101)；以及具有内壁的沟槽(128)，其从埋层(101)延伸到半导体衬底(100)的表面，沟槽(128)具有侧壁、底壁、阻挡层(134)和填料，该阻挡层(134)包括覆盖侧壁和底壁的钛(Ti)层，该填料包括形成在阻挡层(134)上的一个以上的导体材料层(130、132)。 | ||||||
| 15 | 含镓和氮激光源的智能可见光 | CN201880064002.3 | 2018-09-25 | CN111164732B | 2024-03-19 | 迈尔文·麦克劳林; 詹姆斯·W·拉林; 保罗·鲁迪; 弗拉德·诺沃特尼 |
| 一种被配置用于可见光通信的智能光源。所述光源包括控制器，所述控制器包括调制解调器，该调制解调器被配置为接收数据信号并基于该数据信号生成驱动电流和调制信号。此外，所述光源包括光发射器，所述光发射器被配置为泵浦光装置，以接收驱动电流，用于产生具有紫外或蓝色波长范围内的第一峰值波长的定向电磁辐射，使用调制信号调制所述定向电磁辐射，以携带数据信号。此外，所述光源包括：路径，被配置为引导定向电磁辐射；以及波长转换器，光学耦合到所述路径，以接收定向电磁辐射并输出白色光谱。此外，所述光源包括光束整形器，所述光束整形器被配置为引导白色光谱，以照明感兴趣目标并传输数据信号。 | ||||||
| 16 | 形成离子传感器的方法 | CN201980054471.1 | 2019-08-16 | CN112585459B | 2024-01-02 | P.瓦戈纳; J.欧文斯; S.帕克 |
| 一种用于制造传感器的方法包含：蚀刻安置于衬底上方的绝缘层以限定暴露安置于所述衬底上的传感器的传感器表面的开口，从而在所述传感器表面上形成自然氧化物；在含氢气氛中对所述传感器表面进行退火，以及在不大于400℃的温度下在氧气气氛中对所述传感器表面进行退火。此外，可以在传感器表面的顶部形成保形导电层，从绝缘层的顶表面上去除所述保形导电层的部分，从而形成杯形电极，可以在含氢气氛中对所述杯形电极的所述顶表面进行退火，以及在不大于400℃的温度下在氧气气氛中对所述杯形电极的所述顶表面进行退火。 | ||||||
| 17 | 一种半导体导线成型模具 | CN202311224602.0 | 2023-09-21 | CN117299995A | 2023-12-29 | 徐超; 高小平; 张金星; 程国栋; 顾剑 |
| 本发明涉及成型模具技术领域，具体为一种半导体导线成型模具，包括底座、竖杆、顶板、液压杆、模壳、模体、成型槽和冲压模头，所述竖杆安装于底座的表面，所述顶板安装于竖杆的顶部，所述顶板的底部固定安装有限位框，所述限位框的内部插设有连接板，所述冲压模头安装于连接板的底部，所述液压杆安装于底座的底部。本发明，通过设置该顶出模头，在成型加工后，工作人员只需控制液压杆缩回，使模壳能够向下移动，使底板将顶出模头插入成型槽内，将成型后的导线从成型槽内推出，完成脱模，以便工作人员取出成型后的导线，整个过程操作简单快捷，同时不会导致成型后的导线发生变形，能够达到较好的加工使用效果。 | ||||||
| 18 | 一种前置吹扫装置及特气输送供应系统 | CN202311215998.2 | 2023-09-20 | CN117167652A | 2023-12-05 | 纪雪峰; 陈亮; 范威威 |
| 本发明涉及一种前置吹扫装置及特气输送供应系统，前置吹扫装置包括第一气体输入单元、第一气体输出单元、低压吹扫单元、高压保压单元、第一真空单元、第一泄压单元、第一排放单元和第二排放单元。其优点在于，设置特殊气体排放单元和一般气体排放单元，对特殊气体、吹扫气体、保压气体进行区分，使得被排放的特殊气体输送至气体处理装置、吹扫气体和保压气体直接排放，对气体排放进行分区控制，降低后续气体处理的成本，减少环境污染；设置泄压单元对前置吹扫装置进行物理泄压，对槽车系统进行保护；设置低压吹扫单元和高压保压单元，以使低压吹扫管路与高压保压管路分离，保护管路，提高生产效率；无须设置气体检测分析结构，降低不必要的成本。 | ||||||
| 19 | 显示面板、显示装置及显示面板的制备方法 | CN202280000589.8 | 2022-03-28 | CN117136425A | 2023-11-28 | 白羽轩; 胡鹏举; 王鹏伟; 吴磊; 韩仕伟; 王欢; 张朋伟; 齐琪 |
| 一种显示面板(10)、显示装置(100)以及显示面板(10)的制备方法。显示面板(10)包括：背板(1)、多个发光器件(2)、多个第一电极(3)和多条连接引线(4)。背板(1)包括相对的第一主表面(1a)和第二主表面(1b)，及连接第一主表面(1a)和第二主表面(1b)的多个侧表面(1c)，多个侧表面(1c)中的至少一个侧表面(1c)为选定侧表面(1cc)；相邻两个侧表面(1c)之间设有过渡侧表面(1c1)，相邻两个侧表面(1c)通过过渡侧表面(1c1)连接；多个第一电极(3)和多个发光器件(2)设置于第一主表面(1a)上，多个第一电极(3)靠近选定侧表面(1cc)。多条连接引线(4)设置于背板(1)的第二主表面(1b)和选定侧表面(1cc)上。 | ||||||
| 20 | 磁存储装置 | CN201910176190.5 | 2019-03-08 | CN110880343B | 2023-11-10 | 岩崎刚之; 村山昭之; 甲斐正; 大坊忠臣; 远藤将起; 大岭俊平; 五十岚太一; 伊藤顺一 |
| 一实施方式的磁存储装置具备磁阻效应元件，所述磁阻效应元件包含非磁性体、及所述非磁性体上的积层体。所述积层体包含所述非磁性体上的第1铁磁体、与所述第1铁磁体交换耦合的反铁磁体、及所述第1铁磁体与所述反铁磁体之间的第2铁磁体，且构成为根据在积层方向内在第1方向上流动的第1电流成为第1电阻，根据在与所述第1方向相反的第2方向上流动的第2电流成为与所述第1电阻不同的第2电阻。 | ||||||
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