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一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法

阅读：391发布：2020-05-12

专利汇可以提供一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本发明提供一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，将中抛液稀释比比例提升，在不降低产量的情况下，对抛光片面粗糙度取得了较大改善，同时提高中抛液稀释比节省物料使用，也为公司降成本做出不小贡献。，下面是一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法专利的具体信息内容。

权利要求

1.一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一、调整中抛液稀释比为1:28～32；
步骤二、粗抛：控制中抛液流量为2.0±0.5升/分钟，粗抛温度为32℃-50℃，PH值为
11.0±0.1，转速为45～55转/分钟；
步骤三、中抛：控制中抛液流量为0.50±0.2升/分钟，粗抛温度为30℃-40℃，PH值为9-
10，转速为30～40转/分钟；
步骤四、精抛：控制中抛液流量为0.50±0.2升/分钟，粗抛温度为30℃-40℃，PH值为，转速为30～40转/分钟。
2.根据权利要求1所述的一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，其特征在于：
步骤一中，调整中抛液稀释比为1:30。
3.根据权利要求1所述的一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，其特征在于：
步骤二中所述粗抛的转速为50转/分钟。
4.根据权利要求1所述的一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，其特征在于：
步骤三中中抛所述转速为35转/分钟。
5.根据权利要求1所述的一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，其特征在于：
步骤四中精抛所述转速为35转/分钟。
6.根据权利要求1所述的一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，其特征在于：
步骤二中粗抛时间为25-35分钟。
7.根据权利要求1所述的一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，其特征在于：
步骤三中中抛时间为10分钟或12分钟。
8.根据权利要求1所述的一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，其特征在于：
步骤四中精抛时间为10分钟或5分钟。

说明书全文

一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及晶圆抛光片加工工艺领域，具体涉及一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法。

背景技术

[0002] 实际生产需求中，对于抛光片面粗糙度的要求一般需要在5埃级以下，而采用现有技术的方法，抛光后的抛光片面粗糙度较差，不良率较高，约在9％-16.2％之间，且生产成本高。

发明内容

[0003] 针对现有技术存在的问题，本发明提供一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，将中抛液稀释比比例提升，在不降低产量的情况下，对抛光片面粗糙度取得了较大改善，同时提高中抛液稀释比节省物料使用，也为公司降成本做出不小贡献。

[0004] 本发明的技术方案是：一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，包括如下步骤：

[0005] 步骤一、调整中抛液稀释比为1:28～32；

[0006] 步骤二、粗抛：控制中抛液流量为2.0±0.5升/分钟，粗抛温度为32℃-50℃，PH值为11.0±0.1，转速为45～55转/分钟；

[0007] 步骤三、中抛：控制中抛液流量为0.50±0.2升/分钟，粗抛温度为30℃-40℃，PH值为9-10，转速为30～40转/分钟；

[0008] 步骤四、精抛：控制中抛液流量为0.50±0.2升/分钟，粗抛温度为30℃-40℃，PH值为，转速为30～40转/分钟。

[0009] 进一步的，步骤一中，调整中抛液稀释比为1:30。

[0010] 进一步的，步骤二中所述粗抛的转速为50转/分钟。

[0011] 进一步的，步骤三中中抛所述转速为35转/分钟。

[0012] 进一步的，步骤四中精抛所述转速为35转/分钟。

[0013] 进一步的，步骤二中粗抛时间为25-35分钟。

[0014] 进一步的，步骤三中中抛时间为10分钟或12分钟。

[0015] 进一步的，步骤四中精抛时间为10分钟或5分钟。

[0016] 本发明的有益效果是：调整工艺后，能够降低硅片表面粗糙度，抛光片中心程度面粗糙度能够降低28％；边缘程度面粗糙度能够降低13％；

[0017] 中抛液每月使用量降低近1/4，节约中抛液使用量；

[0018] 整体的不良率能够控制在5％以下，能够提高化学机械抛光最终良率。附图说明

[0019] 图1为在50倍显微镜下，实验组三组(1:30)的面状况明显好于对照组(1:22.5)的面状况。

[0020] 图2为当中抛液稀释比调整为1:30时，从本次实验对比结果来看，即使在稀释后布时末期(对面粗影响最大时期)的颗粒(≥0.3微米，0.2微米-0.3微米，0.16微米-0.2微米)可以与稀释前布时初期效果相当。

[0021] 图3为当中抛液稀释比调整为1:30时，金属含量测定对比图。

具体实施方式

[0022] 下面结合附图对本发明做进一步的说明。

[0023] 本发明提供一种调整中抛液稀释比改善抛光片面粗的方法，包括如下步骤：

[0024] 步骤一、调整中抛液稀释比为1:30；

[0025] 步骤二、粗抛：控制中抛液流量为2.0±0.5升/分钟，粗抛温度为32℃-50℃，PH值为11.0±0.1，转速为50转/分钟，时间为25-35分：与掺杂剂及晶向有关。

[0026] 步骤三、中抛：控制中抛液流量为0.50±0.2升/分钟，粗抛温度为30℃-40℃，PH值为9-10，转速为35转/分钟，时间为10分钟或12分钟：与是否成膜及电阻率有关。

[0027] 步骤四、精抛：控制中抛液流量为0.50±0.2升/分钟，粗抛温度为30℃-40℃，PH值为9.1-9.5，转速为35转/分钟，时间为10分钟或5分钟：与是否成膜及电阻率有关。

[0028] 当以上各工艺条件达到平衡时，才能获得较好的镜面的抛光面。

[0029] 当转速过低时，化学作用强于机械作用，会造成的严重的点状面粗糙，当转速过高时，机械作用强于化学作用，造成条状面粗糙。

[0030] 当温度过高时，化学作用强于机械作用，会造成的严重的鸟瞰图浅坑，点状面粗糙，当温度过低时，机械作业强于化学作用，会造成抛光面污迹，条状面粗糙。

[0031] 当PH过低时，机械作业强于化学作用，会造成条状面粗糙，抛光面雾，[0032] 当PH过高时，化学作用强于机械作用，会造成的严重的点状面粗糙。

[0033] 当流量过低时，机械作业强于化学作用，会造成条状面粗糙，抛光面雾，[0034] 当流量过高时，化学作用强于机械作用，会造成的严重的点状面粗糙，平坦度较差。

[0035] 经试验，如图1所示，在50倍显微镜下，实验组三组(1:30)的面状况明显好于对照组(1:22.5)的面状况。对照组的面粗糙度为7埃左右，而试验组三组的面粗糙度均在3埃以下。

[0036] 当中抛液稀释比调整为1:30时，从本次实验对比结果来看，即使在稀释后布时末期(对面粗影响最大时期)的颗粒(≥0.3微米，0.2微米-0.3微米，0.16微米-0.2微米)可以与稀释前布时初期效果相当。具体试验数据如图2所示。

[0037] 如表1所示，常规组良率为91％，实验组良率均为95％以上，优于常规品。

[0038] 表一

[0039]

[0040] 其中，面粗糙发生率是0，面粗糙度在3埃以下。

[0041] 如图3所示，当中抛液稀释比调整为1:30时，金属含量测定，与常规品相当。

[0042] 如表2所示，经试验，抛光片中心及边缘均有明显改善。

[0043] 表二

[0044]

[0045] 从用户反馈能够看出，面粗能够得到明显改善，判定OK。

[0046] 实验测定数据结果良好，判定OK。

[0047] 使用本发明中抛液每月使用量降低近1/4，每月节约物料成本约280000pcs*(0.00770kg/pcs-0.00578kg/pcs)*48.4015元/kg＝26020.65元。(以每月生产280K计算)截止2016年12月31日，共计节约52041.3元

[0048] 调整工艺后，抛光片中心程度面粗糙降低28％，边缘程度面粗糙降低13％，水平内，与国内其他厂家水平相当。

[0049] 以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

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