专利汇可以提供晶圆粗抛光液专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 晶圆 粗 抛光 液 ,其技术方案为: 二 氧 化 硅 磨料 2-50%,pH调节剂0.2-10%,螯合剂0.1-5%, 表面活性剂 0.01-5%,其余为去离子 水 ,混合,搅拌而形成,采用本技术方案能在晶片 粗抛光 应用条件下具有稳定的溶液性能,且抛光速率,抛光均匀度和表面 质量 符合加工要求。,下面是晶圆粗抛光液专利的具体信息内容。
1.一种晶圆粗抛光液,其特征在于抛光液的组分及重量百份比如下:二氧化硅磨料2-50;PH调节剂0.2-10;螯合剂0.1-5;表面活性剂0.01-5;余量为去离子水。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆粗抛光液,其特征在于,PH调节剂为碱性有机胺,如三乙胺和二异丁基胺中至少一种。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆粗抛光液,其特征在于,螯合剂为乙二胺四乙酸和柠檬酸及其盐中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆粗抛光液,其特征在于,表面活性剂为醇醚类非离子类表面活性剂,如OP-10、TX-10中至少一种。
5.根据权利要求1所述的一种晶圆粗抛光液,其特征在于,所述抛光液的PH值范围为11.2-12.2,粒径范围为40-60nm。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆粗抛光液,其特征在于,所述抛光液的Na离子含量范围<0.07%。
7.根据权利要求5所述的一种晶圆粗抛光液,其特征在于,所述抛光液对于硅片抛光速率为1um/min。
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