一种低粗糙度硅抛光片的加工方法
专利汇可以提供一种低粗糙度硅抛光片的加工方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且一种低粗糙度 硅 抛光 片的加工方法，包括一个利用抛光机对硅单晶片进行抛光处理的过程，该过程中顺序包括有粗抛过程、中抛过程和精抛过程，在精抛过程中，利用 抛光布 对硅单晶片进行抛光加工，在抛光布和硅单晶片表面之间引进精抛浆，精抛浆由纯 水 和活化剂组成。本 发明 加工的 硅片 的表面粗糙度可以提高到3-5，性能稳定， 电阻 率 均匀。，下面是一种低粗糙度硅抛光片的加工方法专利的具体信息内容。
1.一种低粗糙度硅抛光片的加工方法，包括一个利用抛光机对硅单晶片进行抛光处理的过程，所述的利用抛光机对硅单晶片进行抛光处理的过程中顺序包括有一个粗抛的过程、一个中抛的过程和一个精抛的过程，其特征在于：在所述的精抛的过程中，利用抛光布对所述的硅单晶片进行抛光加工，在所述的抛光布和硅单晶片的表面之间引进精抛浆，所述的精抛浆由纯水和活化剂组成，所述的纯水和活化剂的重量百分比在1∶25～35之间，抛光加工在26～30摄氏度的温度条件下进行，精抛浆每分钟的流量为300～800ml，抛光机的转速为50～100rpm，抛光压力为0.10～0.16Mpa，抛光机中抛盘的转速为60～80rpm，抛光加工的时间为5～10min。
2.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于：所述的抛光布采用RODEL 205 RVC。
3.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于：所述的精抛浆中，纯水和活化剂的重量百分比为1∶30。
4.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于：所述的活化剂是FA/O、OII-7((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)7-H)、OII-10((C10H21-C6H4-O-CH2CH2O)10-H)和O-20((C12-18H25-37-C6H4-O-CH2CH2O)70-H)的任意组合。
5.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于：在进行所述的粗抛的过程之前，对硅单晶片进行倒角加工，在所述的倒角加工过程中，采用800目+1500目双重砂轮进行倒角。
6.如权利要求1所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于：在进行所述的粗抛的过程之前，对硅单晶片进行碱溶液腐蚀，然后进行清洗。
7.如权利要求6所述的低粗糙度硅抛光片的加工方法，其特征在于：所述的碱溶液为KOH或者NaOH水溶液。
一种低粗糙度硅抛光片的加工方法
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